JP2610141B2 - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JP2610141B2 JP2610141B2 JP62250676A JP25067687A JP2610141B2 JP 2610141 B2 JP2610141 B2 JP 2610141B2 JP 62250676 A JP62250676 A JP 62250676A JP 25067687 A JP25067687 A JP 25067687A JP 2610141 B2 JP2610141 B2 JP 2610141B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ディスプレイやプリンターヘッド等に応用
される強誘電性液晶素子に関する。
される強誘電性液晶素子に関する。
［開示の概要］ 本明細書及び図面は、ディスプレイやプリンターヘッ
ド等に応用される強誘電性液晶素子において、波長440
〜600nmにおける|TA -−TA +|の値が４％以内である強誘
電性液晶を用い、液晶分子のパラ状態を保つことによ
り、コントラストの改善を可能とする技術を開示するも
のである。
ド等に応用される強誘電性液晶素子において、波長440
〜600nmにおける|TA -−TA +|の値が４％以内である強誘
電性液晶を用い、液晶分子のパラ状態を保つことによ
り、コントラストの改善を可能とする技術を開示するも
のである。
［従来の技術］ 従来より多用されて来たネマチック液晶に代って、近
年強誘電性液晶素子の開発が重視されつつある。強誘電
性液晶素子は、セルの構成方法によって双安定性をもた
せることができるので、高時分割の液晶表示素子の実現
が期待できる。
年強誘電性液晶素子の開発が重視されつつある。強誘電
性液晶素子は、セルの構成方法によって双安定性をもた
せることができるので、高時分割の液晶表示素子の実現
が期待できる。
第６図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも
のである。１と１′は、In2O3,SnO2やITO（Indium−Tin
Oxide）等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）
であり、その間に液晶分子層２がガラス面と垂直になる
ように配向したSmC＊相の液晶が封入されている。太線
で示された線３が液晶分子を表わしていて、この液晶分
子３は、その分子に直交する方向に双極子モーメント
（Ｐ⊥）４を有している。基板１と１′上の定極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）４はすべて電
界方向へ向くように、液晶分子３の配向方向を変えるこ
とができる。液晶分子３は細長い形状で、その長軸方向
と短軸方向とで屈折率異方性を示し、従って、例えばガ
ラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置し
た偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変
わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例え
ば１μ）には、第７図に示すように、電界を印加してい
ない状態でも、液晶分子のらせん構造はほどけ（非らせ
ん構造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き
（4a）又は下向き（4b）のどちらかの状態をとる。この
ように界面効果により、液晶分子のらせん構造をほどい
た液晶セルを表面安定型セル（SSFLCセル）と呼ぶ。SSF
LCセルに第７図に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメ
ントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き
（4a）又は下向き（4b）と向きを変え、それに応じて液
晶分子は第１の配向状態５もしくは第２の配向状態５′
のいずれか一方に配向する。
のである。１と１′は、In2O3,SnO2やITO（Indium−Tin
Oxide）等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）
であり、その間に液晶分子層２がガラス面と垂直になる
ように配向したSmC＊相の液晶が封入されている。太線
で示された線３が液晶分子を表わしていて、この液晶分
子３は、その分子に直交する方向に双極子モーメント
（Ｐ⊥）４を有している。基板１と１′上の定極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）４はすべて電
界方向へ向くように、液晶分子３の配向方向を変えるこ
とができる。液晶分子３は細長い形状で、その長軸方向
と短軸方向とで屈折率異方性を示し、従って、例えばガ
ラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置し
た偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変
わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例え
ば１μ）には、第７図に示すように、電界を印加してい
ない状態でも、液晶分子のらせん構造はほどけ（非らせ
ん構造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き
（4a）又は下向き（4b）のどちらかの状態をとる。この
ように界面効果により、液晶分子のらせん構造をほどい
た液晶セルを表面安定型セル（SSFLCセル）と呼ぶ。SSF
LCセルに第７図に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメ
ントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き
（4a）又は下向き（4b）と向きを変え、それに応じて液
晶分子は第１の配向状態５もしくは第２の配向状態５′
のいずれか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いる
ことの利点は、応答速度が極めて速いことと、液晶分子
の配向が双安定状態を有することであって、例えば、第
７図において、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１の配
向状態５に配向するが、この状態は電界を切っても安定
である。また、逆向きの電界Ｅ′を印加すると液晶分子
は第２の配向状態５′に配向して、その分子の向きを変
えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留まる。ま
た、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態はやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セル
としては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、0.
5μ〜20μ、特に１μ〜５μが適している。この種の強
誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−
電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米
国特許第4367924号明細書で提案されている。
ことの利点は、応答速度が極めて速いことと、液晶分子
の配向が双安定状態を有することであって、例えば、第
７図において、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１の配
向状態５に配向するが、この状態は電界を切っても安定
である。また、逆向きの電界Ｅ′を印加すると液晶分子
は第２の配向状態５′に配向して、その分子の向きを変
えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留まる。ま
た、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態はやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セル
としては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、0.
5μ〜20μ、特に１μ〜５μが適している。この種の強
誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−
電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米
国特許第4367924号明細書で提案されている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながらSSFLCセルにおいては第７図のように液
晶分子層内で液晶分子が平行に配列した状態（パラ状態
と呼ぶ）よりも、分子層内で上基板から下基板に向って
液晶分子がツイストした状態（ツイスト状態と呼ぶ）が
実現されやすい。このように液晶分子がツイストしてい
ると、第１の配向状態と第２の配向状態にあるときの液
晶分子軸のなす角度（チルト角）が見かけ上小さくな
り、コントラスト低下を招くという問題があった。
晶分子層内で液晶分子が平行に配列した状態（パラ状態
と呼ぶ）よりも、分子層内で上基板から下基板に向って
液晶分子がツイストした状態（ツイスト状態と呼ぶ）が
実現されやすい。このように液晶分子がツイストしてい
ると、第１の配向状態と第２の配向状態にあるときの液
晶分子軸のなす角度（チルト角）が見かけ上小さくな
り、コントラスト低下を招くという問題があった。
本発明は、上述従来例の欠点を除去し、コントラスト
が高く、表示品位の良好な強誘電性液晶素子を提供する
ことを目的とする。
が高く、表示品位の良好な強誘電性液晶素子を提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、夫々電極及び配向膜を形成した一対の基板
を対向配置し、内部に強誘電性液晶を挟持したセル構造
を有する強誘電性液晶素子であって、該セル内において
液晶成分が一方の基板から他方の基板に向かってツイス
ト状態で配列しており、該セルを偏光板のクロスニコル
状態下でスメクチックＡ（SmA）相が最暗となる位置に
配置し、前記偏光板を入射光の進行方向に対して時計回
りに15゜回転した時のカイラルスメクチックＣ（Sm
C＊）相における強誘電性液晶の第１の配向状態での透
過率TA +と、前記偏光板を入射光の進行方向に対して反
時計回りに15゜回転した時の第２の配向状態での透過率
TA -との差の絶対値|TA -−TA +|が、波長440〜600nmにお
いて４％以内であることを特徴とする強誘電性液晶素子
である。
を対向配置し、内部に強誘電性液晶を挟持したセル構造
を有する強誘電性液晶素子であって、該セル内において
液晶成分が一方の基板から他方の基板に向かってツイス
ト状態で配列しており、該セルを偏光板のクロスニコル
状態下でスメクチックＡ（SmA）相が最暗となる位置に
配置し、前記偏光板を入射光の進行方向に対して時計回
りに15゜回転した時のカイラルスメクチックＣ（Sm
C＊）相における強誘電性液晶の第１の配向状態での透
過率TA +と、前記偏光板を入射光の進行方向に対して反
時計回りに15゜回転した時の第２の配向状態での透過率
TA -との差の絶対値|TA -−TA +|が、波長440〜600nmにお
いて４％以内であることを特徴とする強誘電性液晶素子
である。
［作 用］ 液晶分子の配列は、液晶と基板との界面における配向
処理状態に依存する。液晶分子の配向状態を前項で示し
た条件下における透過率の差で４％以内とすると、液晶
分子の自発分極の表面で内向き（または外向き）になろ
うとする傾向が抑えられ、液晶分子の配列はパラ状態に
近づき、、コントラストの低下が抑えられる。
処理状態に依存する。液晶分子の配向状態を前項で示し
た条件下における透過率の差で４％以内とすると、液晶
分子の自発分極の表面で内向き（または外向き）になろ
うとする傾向が抑えられ、液晶分子の配列はパラ状態に
近づき、、コントラストの低下が抑えられる。
［実施例］ 実施例１ 第１図は本発明の一実施例を示す強誘電性液晶（以
下、FLCという）セルの断面図である。
下、FLCという）セルの断面図である。
第１図において、ガラス基板11上にITO（Indium−Tin
−Oxide）膜よりなる透明電極12、及び絶縁膜13として
厚さ1000ÅのSiO2膜をスパッタリングにより形成した。
次いで、配向膜14としてPVA117（クラレ（株）製）の水
溶液を塗布し、180℃で１時間焼成した。しかる後、上
下基板で互いに反対方向となるラビング処理を施した。
次に、直径1.5μｍのビーズスペーサー（図示せず）を
介して電極が対向するよう２枚の基板を貼合せ、周囲を
シール材（図示せず）で封止すると共に、内部にFLC15
としてCS1014（チッソ（株）製）を注入してFLCセル10
を得た。このFLCセル10の上下に偏光板16を配置すると
共に、セルを偏光板16のクロスニコル状態下でスメクチ
ックＡ（SmA）相が最暗となる位置に配置し、偏光板16
を入射光の進行方向に対して時計回りに15゜回転したと
きのカイラルスメクチックＣ（SmC＊）相におけるFLCの
第１の配向状態での透過率TA +と、偏光板16を入射光の
進光方向に対して反時計回りに15゜回転した時の第２の
配向状態での透過率TA -との差と絶対値|TA -−TA +|を、
波長440nmの入射光において測定したころ、1.1％であっ
た。また波長600nmの入射光においては0.5％であった。
すなわち、波長440〜600nmにおいては|TA -−TA +|の値が
４％以内となるようなFLCの配向状態であることが確認
された。このようなFLCの配向状態は、セルの表面状態
と液晶材料の相互作用によって決定される。
−Oxide）膜よりなる透明電極12、及び絶縁膜13として
厚さ1000ÅのSiO2膜をスパッタリングにより形成した。
次いで、配向膜14としてPVA117（クラレ（株）製）の水
溶液を塗布し、180℃で１時間焼成した。しかる後、上
下基板で互いに反対方向となるラビング処理を施した。
次に、直径1.5μｍのビーズスペーサー（図示せず）を
介して電極が対向するよう２枚の基板を貼合せ、周囲を
シール材（図示せず）で封止すると共に、内部にFLC15
としてCS1014（チッソ（株）製）を注入してFLCセル10
を得た。このFLCセル10の上下に偏光板16を配置すると
共に、セルを偏光板16のクロスニコル状態下でスメクチ
ックＡ（SmA）相が最暗となる位置に配置し、偏光板16
を入射光の進行方向に対して時計回りに15゜回転したと
きのカイラルスメクチックＣ（SmC＊）相におけるFLCの
第１の配向状態での透過率TA +と、偏光板16を入射光の
進光方向に対して反時計回りに15゜回転した時の第２の
配向状態での透過率TA -との差と絶対値|TA -−TA +|を、
波長440nmの入射光において測定したころ、1.1％であっ
た。また波長600nmの入射光においては0.5％であった。
すなわち、波長440〜600nmにおいては|TA -−TA +|の値が
４％以内となるようなFLCの配向状態であることが確認
された。このようなFLCの配向状態は、セルの表面状態
と液晶材料の相互作用によって決定される。
次に、上記セルを、偏光板16のクロスニコル状態下で
目視によって最暗となる位置に合わせた後、明状態であ
る第１の配向状態の透過率TLと、暗状態である第２の配
向状態の透過率TDを測定したところ、そのコントラスト
（TL/TD）は従来に比べて大幅に改善されていることが
明らかになった。具体的には、第２図の に示すように高いコントラストが得られ、特に入射光の
波長500〜650nmの範囲では、100以上の高いコントラス
トが得られた。
目視によって最暗となる位置に合わせた後、明状態であ
る第１の配向状態の透過率TLと、暗状態である第２の配
向状態の透過率TDを測定したところ、そのコントラスト
（TL/TD）は従来に比べて大幅に改善されていることが
明らかになった。具体的には、第２図の に示すように高いコントラストが得られ、特に入射光の
波長500〜650nmの範囲では、100以上の高いコントラス
トが得られた。
また、このセルの暗状態の透過率は、可視域において
２％以下であることが測定され、目視による観察におい
ても暗状態の色が黒であることが確認された。すなわ
ち、本発明を例えばディスプレイに応用した場合には、
人間の目に見やすいとされている白の黒の良質の表示が
可能となった。
２％以下であることが測定され、目視による観察におい
ても暗状態の色が黒であることが確認された。すなわ
ち、本発明を例えばディスプレイに応用した場合には、
人間の目に見やすいとされている白の黒の良質の表示が
可能となった。
実施例２ ラビング方向が異なる以外は、前記実施例１と同様に
してセルを構成した。このセルの波長440nmにおける|TA
-−TA +|の値は1.5％であり、波長600nmにおける|TA -−T
A +|の値は0.3％であった。すなわち、|TA -−TA +|の値が
波長440〜600nmにおいては、|TA -−TA +|の値が４％以内
となるようなFLCの配向状態であることが確認された。
してセルを構成した。このセルの波長440nmにおける|TA
-−TA +|の値は1.5％であり、波長600nmにおける|TA -−T
A +|の値は0.3％であった。すなわち、|TA -−TA +|の値が
波長440〜600nmにおいては、|TA -−TA +|の値が４％以内
となるようなFLCの配向状態であることが確認された。
次に、この実施例２のセルについて、前記実施例１と
同様にしてそのコントラスト（TL/TD）を測定したとこ
ろ、第２図の に示すような結果が得られた。第２図より明らかなよう
に、この実施例２のセルでは、短波長側でのコントラス
トは実施例１よりも劣るものの、波長560nm以上の領域
ではコントラストが100以上の優れた特性が実現され
た。
同様にしてそのコントラスト（TL/TD）を測定したとこ
ろ、第２図の に示すような結果が得られた。第２図より明らかなよう
に、この実施例２のセルでは、短波長側でのコントラス
トは実施例１よりも劣るものの、波長560nm以上の領域
ではコントラストが100以上の優れた特性が実現され
た。
比較例１ 配向膜としてサンエバー257（日産化学（株）製）を2
50℃で１時間焼成した膜を用いる以外は前記実施例１と
同様にしてセルを構成した。このセルの波長440nmにお
ける|TA -−TA +|の値は、7.9％であり、波長600nmにおけ
る|TA -−TA +|の値は2.0％であった。すなわち、波長440
〜600nmにおいては、|TA -−TA +|の値が４％以内となる
ことがあるFLCの配向状態であることが確認された。
50℃で１時間焼成した膜を用いる以外は前記実施例１と
同様にしてセルを構成した。このセルの波長440nmにお
ける|TA -−TA +|の値は、7.9％であり、波長600nmにおけ
る|TA -−TA +|の値は2.0％であった。すなわち、波長440
〜600nmにおいては、|TA -−TA +|の値が４％以内となる
ことがあるFLCの配向状態であることが確認された。
次に、この比較例１のセルについて、前記実施例１と
同様にしてそのコントラスト（TL/TD）を測定したとこ
ろ、第２図の に示すような結果が得られた。この比較例１のセルで
は、波長400〜650nmでのコントラストは10以下であり、
実施例1,2のセルに比べて低いコントラストとなった。
同様にしてそのコントラスト（TL/TD）を測定したとこ
ろ、第２図の に示すような結果が得られた。この比較例１のセルで
は、波長400〜650nmでのコントラストは10以下であり、
実施例1,2のセルに比べて低いコントラストとなった。
比較例２ 配向膜としてポリエチレンを用い、FLCとしてCS1014
（チッソ（株）製）を用いる以外は、前記実施例１と同
様にしてセルを構成した。このセルの波長440nmにおけ
る|TA -−TA +|の値は2.4％であり、波長600nmにおける|T
A -−TA +|の値は4.4％であった。すなわち、波長440〜60
0nmにおいて、|TA -−TA +|の値が４％以上となることが
あるFLCの配向状態であることが確認された。
（チッソ（株）製）を用いる以外は、前記実施例１と同
様にしてセルを構成した。このセルの波長440nmにおけ
る|TA -−TA +|の値は2.4％であり、波長600nmにおける|T
A -−TA +|の値は4.4％であった。すなわち、波長440〜60
0nmにおいて、|TA -−TA +|の値が４％以上となることが
あるFLCの配向状態であることが確認された。
この比較例２のセルについて、そのコントラスト（TL
/TD）を前記実施例１と同様にして測定したところ、比
較例１の場合と同様に波長400〜650nmでのコントラスト
は10以下であり、低いコントラストのセルとなった。
/TD）を前記実施例１と同様にして測定したところ、比
較例１の場合と同様に波長400〜650nmでのコントラスト
は10以下であり、低いコントラストのセルとなった。
比較例３ 配向膜としてSP710（東レ（株）製）を用い、FLCとし
てCS1017（チッソ（株）製）を用いる以外は、前記実施
例１と同様にしてセルを構成した。このセルの波長440n
mにおける|TA -−TA +|の値は12.2％であり、波長600nmに
おける|TA -−TA +|の値は3.7％であった。すなわち、波
長440〜600nmにおいて、|TA -−TA +|の値が４％以上とな
ることがあるFLCの配向状態であることが確認された。
てCS1017（チッソ（株）製）を用いる以外は、前記実施
例１と同様にしてセルを構成した。このセルの波長440n
mにおける|TA -−TA +|の値は12.2％であり、波長600nmに
おける|TA -−TA +|の値は3.7％であった。すなわち、波
長440〜600nmにおいて、|TA -−TA +|の値が４％以上とな
ることがあるFLCの配向状態であることが確認された。
この比較例３のセルについて、そのコントラスト（TL
/TD）を前記実施例１と同様にして測定したところ、前
記比較例1,2とほぼ同様に低いコントラストのセルとな
った。
/TD）を前記実施例１と同様にして測定したところ、前
記比較例1,2とほぼ同様に低いコントラストのセルとな
った。
以上、実施例1,2、比較例１〜３のセルについての測
定結果を下記表１に、波長440〜600nmにおける|TA -−TA
+|の最大値（MAX）と、波長440nmにおけるコントラスト
の関係を第３図に示す。
定結果を下記表１に、波長440〜600nmにおける|TA -−TA
+|の最大値（MAX）と、波長440nmにおけるコントラスト
の関係を第３図に示す。
ただし、表１において↑↓は上下の基板で互いに反対
方向となるラビング処理を示し、↑↑は上下の基板で互
いに同方向となるラビング処理を示す。
方向となるラビング処理を示し、↑↑は上下の基板で互
いに同方向となるラビング処理を示す。
次に、|TA -−TA +|によって特徴づけられる配向状態の
違いについて配向色の点から説明する。
違いについて配向色の点から説明する。
第４図は実施例１におけるTA -とTA +の波長依存性の測
定結果である。第４図より、|TA -−TA +|の値は小さくTA
-とTA +の波長特性は、ほぼ等しいと言える。また、TA -
とTA +の測定時のFLCの配向色は目視によってともにうす
紫色であった。
定結果である。第４図より、|TA -−TA +|の値は小さくTA
-とTA +の波長特性は、ほぼ等しいと言える。また、TA -
とTA +の測定時のFLCの配向色は目視によってともにうす
紫色であった。
一方、第５図は比較例１におけるTA -とTA +の波長依存
性の測定結果である。第５図から|TA -−TA +|の値は一般
に大きく、TA -とTA +は異なる波長特性となっていること
がわかる。また、TA -とTA +の測定時のFLCの配向色は、
目視によってTA -に対しては茶色でTA +に対しては青色で
あった。
性の測定結果である。第５図から|TA -−TA +|の値は一般
に大きく、TA -とTA +は異なる波長特性となっていること
がわかる。また、TA -とTA +の測定時のFLCの配向色は、
目視によってTA -に対しては茶色でTA +に対しては青色で
あった。
すなわち、実施例と比較例では、配向色の差から配向
状態の差が明らかなばかりでなく、TA -とTA +が一致的で
あるか不一致的であるかという透過率特性の質的な差が
認められた。
状態の差が明らかなばかりでなく、TA -とTA +が一致的で
あるか不一致的であるかという透過率特性の質的な差が
認められた。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、波長440〜600
nmにおける|TA -−TA +|の値が４％以内であるFLCの配向
状態を用いることにより、コントラストが高く、且つ表
示部品の良好な強誘電性液晶素子を提供することができ
る。
nmにおける|TA -−TA +|の値が４％以内であるFLCの配向
状態を用いることにより、コントラストが高く、且つ表
示部品の良好な強誘電性液晶素子を提供することができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は実施
例及び比較例におけるコントラストの波長特性図、第３
図はMAX|TA -−TA +|とコントラストとの関係を示す図、
第４図は実施例１における透過率の波長特性図、第５図
は比較例１における透過率の波長特性図、第６図及び第
７図は強誘電性液晶セルの模式図である。 10……FLCセル、11……ガラス基板、 12……透明電極、13……絶縁膜、 14……配向膜、15……強誘電性液晶（FLC）、 16……偏光板。
例及び比較例におけるコントラストの波長特性図、第３
図はMAX|TA -−TA +|とコントラストとの関係を示す図、
第４図は実施例１における透過率の波長特性図、第５図
は比較例１における透過率の波長特性図、第６図及び第
７図は強誘電性液晶セルの模式図である。 10……FLCセル、11……ガラス基板、 12……透明電極、13……絶縁膜、 14……配向膜、15……強誘電性液晶（FLC）、 16……偏光板。
Claims (1)
- 【請求項１】夫々電極及び配向膜を形成した一対の基板
を対向配置し、内部に強誘電性液晶を挟持したセル構造
を有する強誘電性液晶素子であって、該セル内において
液晶分子が一方の基板から他方の基板に向かってツイス
ト状態で配列しており、該セルを偏光板のクロスニコル
状態下でスメクチックＡ（SmA）相が最暗となる位置に
配置し、前記偏光板を入射光の進行方向に対して時計回
りに15゜回転した時のカイラルスメクチックＣ（Sm
C＊）相における強誘電性液晶の第１の配向状態での透
過率TA +と、前記偏光板を入射光の進行方向に対して反
時計回りに15゜回転した時の第２の配向状態での透過率
TA -との差の絶対値|TA -−TA +|が、波長440〜600nmにお
いて４％以内であることを特徴とする強誘電性液晶素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250676A JP2610141B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 強誘電性液晶素子 |
| US07/438,046 US5005953A (en) | 1987-10-06 | 1989-11-20 | High contrast liquid crystal element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250676A JP2610141B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271225A JPH0271225A (ja) | 1990-03-09 |
| JP2610141B2 true JP2610141B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=17211388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250676A Expired - Fee Related JP2610141B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2610141B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588012B1 (en) * | 1992-07-15 | 1997-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0731324B2 (ja) * | 1985-01-07 | 1995-04-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置 |
| JPS62169121A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Seiko Epson Corp | 強誘電性液晶表示装置 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62250676A patent/JP2610141B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0271225A (ja) | 1990-03-09 |
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