JPH05127164A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPH05127164A JPH05127164A JP31012991A JP31012991A JPH05127164A JP H05127164 A JPH05127164 A JP H05127164A JP 31012991 A JP31012991 A JP 31012991A JP 31012991 A JP31012991 A JP 31012991A JP H05127164 A JPH05127164 A JP H05127164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- surface energy
- difference
- contrast
- orientation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明電極を設けた一対のガラス基板上に一軸
配向膜を有し、該基板間に強誘電性液晶を挟持してなる
液晶素子であって、上記配向膜の配向処理前後で表面エ
ネルギーの値の差が９ｄｙｎ／ｃｍ以上、表面エネルギ
ーの値中の分散項の値が６ｄｙｎ／ｃｍ以上異なる液晶
素子。 【効果】 本発明の液晶素子は明状態と暗状態でのコン
トラストが高く、特にマルチプレクシング駆動時の表示
コントラストがひじょうに大きく高品位の表示が得られ
る。
配向膜を有し、該基板間に強誘電性液晶を挟持してなる
液晶素子であって、上記配向膜の配向処理前後で表面エ
ネルギーの値の差が９ｄｙｎ／ｃｍ以上、表面エネルギ
ーの値中の分散項の値が６ｄｙｎ／ｃｍ以上異なる液晶
素子。 【効果】 本発明の液晶素子は明状態と暗状態でのコン
トラストが高く、特にマルチプレクシング駆動時の表示
コントラストがひじょうに大きく高品位の表示が得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子や液晶−
光シャッター等で用いる液晶素子、特に強誘電性液晶素
子に関し、さらに詳しくは、液晶分子の配向状態を改善
することにより表示特性を改善した液晶素子に関するも
のである。
光シャッター等で用いる液晶素子、特に強誘電性液晶素
子に関し、さらに詳しくは、液晶分子の配向状態を改善
することにより表示特性を改善した液晶素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４，３６７，
９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定
の温度域において、非らせん構造のカイラルスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この
状態において、加えられる電界に応答して第１の光学的
安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且
つ電界の印加のないときはその状態を維持する性質、即
ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答も速や
かであり、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い
利用が期待され、特にその機能から大画面で、高精細な
ディスプレーとしての応用が期待されている。
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４，３６７，
９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定
の温度域において、非らせん構造のカイラルスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この
状態において、加えられる電界に応答して第１の光学的
安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且
つ電界の印加のないときはその状態を維持する性質、即
ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答も速や
かであり、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い
利用が期待され、特にその機能から大画面で、高精細な
ディスプレーとしての応用が期待されている。
【０００３】この双安定性を有する液晶を用いた光学変
調素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起る
ような分子配列状態にあることが必要である。
調素子が所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配置される液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起る
ような分子配列状態にあることが必要である。
【０００４】また、液晶の複屈折を利用した液晶素子の
場合、直交ニコル下での透過率は、 Ｉ／Ｉ0 ＝ｓｉｎ2 ４θｓｉｎ2 （Δｎｄ／λ）π ［式中：Ｉ0 ：入射光強度、Ｉ：透過光強度、θ：チル
ト角、Δｎ：屈折率異方性、ｄ：液晶層の膜厚、λ：入
射光の波長である。］で表わされる、前述の非らせん構
造におけるチルトθは第１と第２の配向状態でのねじれ
配列した液晶分子の平均分子軸方向の角度として現われ
ることになる。上式によれば、かかるチルトθが２２．
５°の角度の時最大の透過率となり、双安定性を実現す
る非らせん構造でのチルト角θが２２．５°にできる限
り近いことが必要である。
場合、直交ニコル下での透過率は、 Ｉ／Ｉ0 ＝ｓｉｎ2 ４θｓｉｎ2 （Δｎｄ／λ）π ［式中：Ｉ0 ：入射光強度、Ｉ：透過光強度、θ：チル
ト角、Δｎ：屈折率異方性、ｄ：液晶層の膜厚、λ：入
射光の波長である。］で表わされる、前述の非らせん構
造におけるチルトθは第１と第２の配向状態でのねじれ
配列した液晶分子の平均分子軸方向の角度として現われ
ることになる。上式によれば、かかるチルトθが２２．
５°の角度の時最大の透過率となり、双安定性を実現す
る非らせん構造でのチルト角θが２２．５°にできる限
り近いことが必要である。
【０００５】ところで、強誘電性液晶の配向方法として
は、大きな面積に亘って、スメクチック液晶を形成する
複数の分子で組織された分子層をその法線に沿って一軸
に配向させることができ、しかも製造プロセス工程も簡
便なラビング処理により実現できるものが望ましい。
は、大きな面積に亘って、スメクチック液晶を形成する
複数の分子で組織された分子層をその法線に沿って一軸
に配向させることができ、しかも製造プロセス工程も簡
便なラビング処理により実現できるものが望ましい。
【０００６】強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラ
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例え
ば、米国特許第４，５６１，７２６号公報などが知られ
ている。
ルスメクチック液晶のための配向方法としては、例え
ば、米国特許第４，５６１，７２６号公報などが知られ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で用いられてきた配向方法、特にラビング処理したポリ
イミド膜による配向方法を、前述のクラークとラガウォ
ールによって発表された双安定性を示す非らせん構造の
強誘電性液晶に対して適用した場合には、下述の如き問
題点を有していた。
で用いられてきた配向方法、特にラビング処理したポリ
イミド膜による配向方法を、前述のクラークとラガウォ
ールによって発表された双安定性を示す非らせん構造の
強誘電性液晶に対して適用した場合には、下述の如き問
題点を有していた。
【０００８】即ち、本発明者らの実験によれば、従来の
ラビング処理したポリイミド膜によって配向させて得ら
れた非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角がらせん
構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と較べて小さくな
っていることが判明した。（特に、従来のラビング処理
したポリイミド膜によって配向させて得た非らせん構造
の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般に３°〜８°程
度で、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度であっ
た。）この様に、クラークとラガウォールによれば双安
定性を実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト
角がらせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と同一
の角度をもつはずであるが、実際には非らせん構造での
チルト角θの方がらせん構造でのチルト角Θより小さく
なっている。しかも、この非らせん構造でのチルト角θ
がらせん構造でのチルト角Θより小さくなる原因が非ら
せん構造での液晶分子のねじれ配列に帰因していること
が判明した。つまり、非らせん構造を持つ強誘電性液晶
では、液晶分子が基板の法線に対して上基板に隣接する
液晶分子の軸より下基板に隣接する液晶分子の軸（ねじ
れ配列の方向）へ連続的にねじれ角δでねじれて配列し
ており、このことが非らせん構造でのチルト角θがらせ
ん構造でのチルト角Θより小さくなる原因となってい
る。
ラビング処理したポリイミド膜によって配向させて得ら
れた非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角がらせん
構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と較べて小さくな
っていることが判明した。（特に、従来のラビング処理
したポリイミド膜によって配向させて得た非らせん構造
の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般に３°〜８°程
度で、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度であっ
た。）この様に、クラークとラガウォールによれば双安
定性を実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト
角がらせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と同一
の角度をもつはずであるが、実際には非らせん構造での
チルト角θの方がらせん構造でのチルト角Θより小さく
なっている。しかも、この非らせん構造でのチルト角θ
がらせん構造でのチルト角Θより小さくなる原因が非ら
せん構造での液晶分子のねじれ配列に帰因していること
が判明した。つまり、非らせん構造を持つ強誘電性液晶
では、液晶分子が基板の法線に対して上基板に隣接する
液晶分子の軸より下基板に隣接する液晶分子の軸（ねじ
れ配列の方向）へ連続的にねじれ角δでねじれて配列し
ており、このことが非らせん構造でのチルト角θがらせ
ん構造でのチルト角Θより小さくなる原因となってい
る。
【０００９】従って、本発明の目的は、前述の問題点を
解決した強誘電性液晶素子を提供すること、特にカイラ
ルスメクチック液晶の非らせん構造での大きなチルトθ
を生じ、配向性の良好な高コントラストな画像を達成で
きる強誘電性液晶素子を提供することにある。
解決した強誘電性液晶素子を提供すること、特にカイラ
ルスメクチック液晶の非らせん構造での大きなチルトθ
を生じ、配向性の良好な高コントラストな画像を達成で
きる強誘電性液晶素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは一
軸配向処理前後での表面エネルギーの変化が９ｄｙｎ／
ｃｍ以上、そしてこの分散項の値の変化が６ｄｙｎ／ｃ
ｍ以上となるように配向膜を配向処理することにより上
記目的を達成した。またこの時、配向処理の方向は上下
基板で交差しており、この交差のねじれ方向と、挟持す
る強誘電性液晶のカイラルスメクチック相のらせんピッ
チのねじれ方向が同じである液晶を用いることによっ
て、さらに上記目的の達成は容易になる。
軸配向処理前後での表面エネルギーの変化が９ｄｙｎ／
ｃｍ以上、そしてこの分散項の値の変化が６ｄｙｎ／ｃ
ｍ以上となるように配向膜を配向処理することにより上
記目的を達成した。またこの時、配向処理の方向は上下
基板で交差しており、この交差のねじれ方向と、挟持す
る強誘電性液晶のカイラルスメクチック相のらせんピッ
チのねじれ方向が同じである液晶を用いることによっ
て、さらに上記目的の達成は容易になる。
【００１１】図１は、本発明の液晶セルの一例を模式的
に描いたものである。
に描いたものである。
【００１２】１１ａと１１ｂはそれぞれＩｎ2 Ｏ3 やＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電
極１２ａと１２ｂで被覆された基板（ガラス板）であ
り、その上に２００Å〜１０００Å厚の絶縁膜１３ａと
１３ｂ（ＳｉＯ2 膜、ＴｉＯ2膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜など）
と５０〜１０００Å厚の配向制御膜１４ａと１４ｂとが
それぞれ積層されている。
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電
極１２ａと１２ｂで被覆された基板（ガラス板）であ
り、その上に２００Å〜１０００Å厚の絶縁膜１３ａと
１３ｂ（ＳｉＯ2 膜、ＴｉＯ2膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜など）
と５０〜１０００Å厚の配向制御膜１４ａと１４ｂとが
それぞれ積層されている。
【００１３】この際、平行且つ同一の向き（Ａ方向）に
なるようラビング処理（矢印方向、ただし上下の方向が
交差していてもよい）した配向制御膜１４ａ，１４ｂが
配置されている。基板１１ａと１１ｂとの間には、強誘
電性スメクチック液晶１５が配置され、基板１１ａと１
１ｂとの間隔の距離は、強誘電性スメクチック液晶１５
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい距
離（例えば０．１〜３μｍ）に設定され、強誘電性スメ
クチック液晶１５は双安定性配向状態を生じている。上
述の十分に小さい距離は、基板１１ａと１１ｂとの間に
配置したビーズスペーサ１６（シリカビーズ、アルミナ
ビーズ）によって保持される。
なるようラビング処理（矢印方向、ただし上下の方向が
交差していてもよい）した配向制御膜１４ａ，１４ｂが
配置されている。基板１１ａと１１ｂとの間には、強誘
電性スメクチック液晶１５が配置され、基板１１ａと１
１ｂとの間隔の距離は、強誘電性スメクチック液晶１５
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい距
離（例えば０．１〜３μｍ）に設定され、強誘電性スメ
クチック液晶１５は双安定性配向状態を生じている。上
述の十分に小さい距離は、基板１１ａと１１ｂとの間に
配置したビーズスペーサ１６（シリカビーズ、アルミナ
ビーズ）によって保持される。
【００１４】本発明者らの実験によれば、ラビングによ
る一軸配向処理の前後で表面エネルギーの値に差が出る
配向方法を用いることによって、明状態と暗状態での大
きな光学的コントラストを示し、特に、米国特許第４，
６５５，５６１号などに開示のマルチプレクシング駆動
時の非選択画素に対して大きなコントラストを達成し
た。
る一軸配向処理の前後で表面エネルギーの値に差が出る
配向方法を用いることによって、明状態と暗状態での大
きな光学的コントラストを示し、特に、米国特許第４，
６５５，５６１号などに開示のマルチプレクシング駆動
時の非選択画素に対して大きなコントラストを達成し
た。
【００１５】本発明で用いる配向膜を基板上に設ける際
には、スピンナー塗布法、スプレイ塗布法、ロール塗布
法などにより基板上に塗布し膜形成することができる。
この配向膜は、しかる後に布などでラビングによる一軸
配向処理を行なう。また、本発明で用いる配向膜は３０
Å〜１μｍ程度、好ましくは２００Å〜２０００Åの膜
厚に設定される。この際には、図１に示す絶縁膜１３ａ
と１３ｂの使用を省略することができる。さらに本発明
では、絶縁膜１３ａと１３ｂの上に配向膜を設ける際に
は、この配向膜の膜厚は２００Å以下、好ましくは１０
０Å以下に設定されることができる。
には、スピンナー塗布法、スプレイ塗布法、ロール塗布
法などにより基板上に塗布し膜形成することができる。
この配向膜は、しかる後に布などでラビングによる一軸
配向処理を行なう。また、本発明で用いる配向膜は３０
Å〜１μｍ程度、好ましくは２００Å〜２０００Åの膜
厚に設定される。この際には、図１に示す絶縁膜１３ａ
と１３ｂの使用を省略することができる。さらに本発明
では、絶縁膜１３ａと１３ｂの上に配向膜を設ける際に
は、この配向膜の膜厚は２００Å以下、好ましくは１０
０Å以下に設定されることができる。
【００１６】本発明で用いる液晶物質としては、降温過
程で、等方相、コレステリック相、スメクチックＡ相を
通してカイラルスメクチックＣ相を生じる液晶が好まし
い。特に、コレステリック相の時のピッチが０．８μｍ
以上のものが好ましい（コレステリック相の温度範囲に
おける中央点で測定したもの）。
程で、等方相、コレステリック相、スメクチックＡ相を
通してカイラルスメクチックＣ相を生じる液晶が好まし
い。特に、コレステリック相の時のピッチが０．８μｍ
以上のものが好ましい（コレステリック相の温度範囲に
おける中央点で測定したもの）。
【００１７】本発明において、カイラルスメクチックＣ
相でのらせんピッチのねじれの方向は、図３に示すよう
な光学配置にして向かってくる光の直線偏光３１の回転
を調べることで測定した。回転の方向が時計回りに回転
するものを正の施光性、反対の方向のものを負の施光性
とし正の施光性の場合らせんピッチのねじれは左，負の
場合には右とした。
相でのらせんピッチのねじれの方向は、図３に示すよう
な光学配置にして向かってくる光の直線偏光３１の回転
を調べることで測定した。回転の方向が時計回りに回転
するものを正の施光性、反対の方向のものを負の施光性
とし正の施光性の場合らせんピッチのねじれは左，負の
場合には右とした。
【００１８】また交差するラビング方向から生じるねじ
れの方向と液晶物質のカイラルスメクチックＣ相でのら
せんピッチのねじれの方向との対応については、液晶素
子を上からながめた場合下側の基板のラビング方向に対
し上側の基板のラビング方向が反時計まわりとなる場合
負のねじれとする。また時計まわりの場合は正とする。
この時、液晶物質のカイラルスメクチックＣ相のらせん
ピッチのねじれ方向の符号と液晶素子のラビング方向の
ねじれの符号が一致するように用いる。
れの方向と液晶物質のカイラルスメクチックＣ相でのら
せんピッチのねじれの方向との対応については、液晶素
子を上からながめた場合下側の基板のラビング方向に対
し上側の基板のラビング方向が反時計まわりとなる場合
負のねじれとする。また時計まわりの場合は正とする。
この時、液晶物質のカイラルスメクチックＣ相のらせん
ピッチのねじれ方向の符号と液晶素子のラビング方向の
ねじれの符号が一致するように用いる。
【００１９】また本発明における表面エネルギーの測
定、及び分散項の値の算出は北崎寧昭氏，日本接着協会
誌，８（３），１３１〜１４１（１９７２）に従い行な
った。
定、及び分散項の値の算出は北崎寧昭氏，日本接着協会
誌，８（３），１３１〜１４１（１９７２）に従い行な
った。
【００２０】
【実施例】実施例１ １０００Å厚のＩＴＯ膜が設けられている１．１ｍｍの
ガラス板を２枚用意し、それぞれのガラス板上にＬＱ１
８０２（日立化成：商品名）をＮ−メチルピロリドン／
ｎ−ブチルセロゾルブ＝１／１の２．５重量％溶液を回
転数３０００ｒｐｍで成膜後約１時間２５０℃で加熱処
理を施した。この時の膜厚は４００Åであった。この塗
布膜にナイロン植毛布による一方向のラビング処理を行
なった。この時の表面エネルギーは４３．９ｄｙｎ／ｃ
ｍであり、ラビング前に対して１１．６ｄｙｎ／ｃｍ大
きな値であった。また分散項の値の差は１１．２ｄｙｎ
／ｃｍであった。
ガラス板を２枚用意し、それぞれのガラス板上にＬＱ１
８０２（日立化成：商品名）をＮ−メチルピロリドン／
ｎ−ブチルセロゾルブ＝１／１の２．５重量％溶液を回
転数３０００ｒｐｍで成膜後約１時間２５０℃で加熱処
理を施した。この時の膜厚は４００Åであった。この塗
布膜にナイロン植毛布による一方向のラビング処理を行
なった。この時の表面エネルギーは４３．９ｄｙｎ／ｃ
ｍであり、ラビング前に対して１１．６ｄｙｎ／ｃｍ大
きな値であった。また分散項の値の差は１１．２ｄｙｎ
／ｃｍであった。
【００２１】その後、平均粒径約１．５μｍのアルミナ
ビーズを一方のガラス板上に散布した後、図４のように
同一方向で下側の基板に対し上側の基板のラビング方向
が６°左にずれるよう２枚のガラス板を重ねあわせてセ
ルを作成した。
ビーズを一方のガラス板上に散布した後、図４のように
同一方向で下側の基板に対し上側の基板のラビング方向
が６°左にずれるよう２枚のガラス板を重ねあわせてセ
ルを作成した。
【００２２】このセル内に自社で混合したフェニルピリ
ミジンを主成分とした混合液晶を等方相下で真空注入し
てから、等方相から１．０℃／ｈで３０℃まで徐冷する
ことによって配向を達成することができた。この混合液
晶は、チルト角は室温で１５．４°，Ｐｓは−６．８ｎ
Ｃ／ｃｍ2 ，スメクチックカイラルＣ相でのチルト角θ
は１５．４°，ピッチは−１７μｍであった。また相転
移温度は下記の通りであった。
ミジンを主成分とした混合液晶を等方相下で真空注入し
てから、等方相から１．０℃／ｈで３０℃まで徐冷する
ことによって配向を達成することができた。この混合液
晶は、チルト角は室温で１５．４°，Ｐｓは−６．８ｎ
Ｃ／ｃｍ2 ，スメクチックカイラルＣ相でのチルト角θ
は１５．４°，ピッチは−１７μｍであった。また相転
移温度は下記の通りであった。
【００２３】
【数１】 （Ｉｓｏ＝等方相 Ｃｈ＝コレステリック相 ＳｍＡ
＝スメクチックＡ相ＳｍＣ* ＝スメクチックカイラルＣ
相）上述の液晶セルを一対の９０°クロスニコル偏光子
の間に挟み込んでから、５０μｓｅｃの３０Ｖパルスを
印加してから９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）
にセットし、この時の透過率をホトマルチプレターによ
り測定し続いて５０μｓｅｃの−３０Ｖパルスを印加し
この時の透過率（明状態）を同様の方法で測定したとこ
ろチルト角θは１２°であり最暗状態時の透過率は１．
２％で明状態時の透過率は３６％であり従ってコントラ
スト比は、３０：１であった。
＝スメクチックＡ相ＳｍＣ* ＝スメクチックカイラルＣ
相）上述の液晶セルを一対の９０°クロスニコル偏光子
の間に挟み込んでから、５０μｓｅｃの３０Ｖパルスを
印加してから９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）
にセットし、この時の透過率をホトマルチプレターによ
り測定し続いて５０μｓｅｃの−３０Ｖパルスを印加し
この時の透過率（明状態）を同様の方法で測定したとこ
ろチルト角θは１２°であり最暗状態時の透過率は１．
２％で明状態時の透過率は３６％であり従ってコントラ
スト比は、３０：１であった。
【００２４】この液晶セルを図２に示す駆動波形を用い
たマルチプレクシング駆動による表示を行なったところ
高コントラストな高品位表示が得られた。尚、図２のＳ
N ，ＳN+1 ，ＳN+2 は走査線に印加した電圧波形を表わ
しており、Ｉは代表的な情報線に印加した電圧波形を表
わしている。
たマルチプレクシング駆動による表示を行なったところ
高コントラストな高品位表示が得られた。尚、図２のＳ
N ，ＳN+1 ，ＳN+2 は走査線に印加した電圧波形を表わ
しており、Ｉは代表的な情報線に印加した電圧波形を表
わしている。
【００２５】Ｉ−ＳN は情報線Ｉと走査線ＳN との交差
部に印加された合成波形である。また、本実験例では、
Ｖ0 ＝５〜８Ｖ，ΔＴ＝２０〜７０μｓｅｃで行なっ
た。
部に印加された合成波形である。また、本実験例では、
Ｖ0 ＝５〜８Ｖ，ΔＴ＝２０〜７０μｓｅｃで行なっ
た。
【００２６】実施例２ 配向膜にＬＸ−Ｓ４０１（日立化成：商品名）を用いた
他は実施例１と同様にしてセルを得た。また実施例１と
同様の試験を行なった。コントラスト及び表面エネルギ
ーの値を表１に示す。
他は実施例１と同様にしてセルを得た。また実施例１と
同様の試験を行なった。コントラスト及び表面エネルギ
ーの値を表１に示す。
【００２７】実施例１と同様のマルチプレクシング駆動
による表示を行なったところコントラストについて実施
例１と同様の結果が得られた。
による表示を行なったところコントラストについて実施
例１と同様の結果が得られた。
【００２８】実施例３ 液晶物質をＺＬＩ−４２７３（メルク：商品名）を用い
た他は実施例１と同様にしてセルを得た。また実施例１
と同様の試験を行なった。コントラスト及び表面エネル
ギーの値を表１に示す。
た他は実施例１と同様にしてセルを得た。また実施例１
と同様の試験を行なった。コントラスト及び表面エネル
ギーの値を表１に示す。
【００２９】実施例１と同様のマルチプレクシング駆動
による表示を行なったところコントラストについて実施
例１と同様の結果が得られた。
による表示を行なったところコントラストについて実施
例１と同様の結果が得られた。
【００３０】比較例１ 配向膜にＳＥ−１００（日産化学：商品名）を用いた他
は実施例１と同様にセルを得た。コントラスト及び表面
エネルギーを表２に示す。
は実施例１と同様にセルを得た。コントラスト及び表面
エネルギーを表２に示す。
【００３１】実施例１と同様のマルチプレクシング駆動
による表示を行なったところコントラストが本実験例の
ものと比較して小さい値であった。
による表示を行なったところコントラストが本実験例の
ものと比較して小さい値であった。
【００３２】比較例２ 配向膜にＬＱ−５２００（日立化成：商品名）を用いた
他は実施例１と同様にセルを得た。コントラスト及び表
面エネルギーを表２に示す。
他は実施例１と同様にセルを得た。コントラスト及び表
面エネルギーを表２に示す。
【００３３】実施例１と同様のマルチプレクシング駆動
による表示を行なったところコントラストが本実験例の
ものと比較して小さい値であった。
による表示を行なったところコントラストが本実験例の
ものと比較して小さい値であった。
【００３４】比較例３ ラビングの方向を図５のように同一方向で下側の基板に
対し上側の基板の方向が６°右にずれるように２枚のガ
ラス板を重ねあわせた他は実施例１と同様にしてセルを
作成した。コントラスト及び表面エネルギーを表２に示
す。
対し上側の基板の方向が６°右にずれるように２枚のガ
ラス板を重ねあわせた他は実施例１と同様にしてセルを
作成した。コントラスト及び表面エネルギーを表２に示
す。
【００３５】実施例１と同様のマルチプレクシング駆動
による表示を行なったところコントラストが実施例１の
ものと比較して小さな値であった。
による表示を行なったところコントラストが実施例１の
ものと比較して小さな値であった。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【発明の効果】以上の様に、本発明によれば明状態と暗
状態でのコントラストが高く特にマルチプレクシング駆
動時の表示コントラストが非常に大きく高品位の表示が
得られる。
状態でのコントラストが高く特にマルチプレクシング駆
動時の表示コントラストが非常に大きく高品位の表示が
得られる。
【図１】本発明液晶素子の断面図である。
【図２】本実施例で用いた駆動電圧の波形図である。
【図３】カイラルスメクチックＣ相のらせんピッチの測
定におけるねじれ方向を示す図である。
定におけるねじれ方向を示す図である。
【図４】交差するラビング方向の説明図である。
【図５】交差するラビング方向の説明図である。
１１ａ，１１ｂ 基板 １２ａ，１２ｂ 透明電極 １３ａ，１３ｂ 絶縁膜 １４ａ，１４ｂ 配向制御膜 １５ 強誘電性スメクチック液晶 １６ ビーズスペーサ １７ａ，１７ｂ 偏光板 ３１ 直線偏光 ３２ セル ４１ 上基板ラビング方向 ４２ 下基板ラビング方向
Claims (2)
- 【請求項１】 透明電極を設けた一対のガラス基板上に
一軸配向膜を有し、該基板間に強誘電性液晶を挟持して
なる液晶素子であって、上記配向膜の配向処理前後で表
面エネルギーの値の差が９ｄｙｎ／ｃｍ以上、表面エネ
ルギーの値中の分散項の値の差が６ｄｙｎ／ｃｍ以上と
なることを特徴とする液晶素子。 - 【請求項２】 配向処理方向が上下の基板で交差し、且
つ上基板から見て、下基板の配向方向に対する上基板の
配向方向のねじれの方向と、挟持する液晶のカイラルス
メクチック相のらせんピッチのねじれ方向が同じである
請求項１記載の液晶素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31012991A JPH05127164A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 液晶素子 |
| US08/180,459 US5400159A (en) | 1991-08-06 | 1994-01-12 | Liquid crystal device having alignment film with particular surface energy difference before and after rubbing |
| US08/429,017 US5576864A (en) | 1984-07-11 | 1995-04-26 | Chiral smectic liquid crystal device having fluorine-containing polymeric alignment film with predetermined refractive index anisotropy after rubbing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31012991A JPH05127164A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05127164A true JPH05127164A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18001523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31012991A Pending JPH05127164A (ja) | 1984-07-11 | 1991-10-30 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05127164A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008510195A (ja) * | 2004-08-17 | 2008-04-03 | ネモプティック | 表示装置周縁部における改良された切替え手段を備える液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP31012991A patent/JPH05127164A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008510195A (ja) * | 2004-08-17 | 2008-04-03 | ネモプティック | 表示装置周縁部における改良された切替え手段を備える液晶表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07152017A (ja) | 液晶素子の駆動方法及びその液晶素子 | |
| EP0539992B1 (en) | Liquid crystal device | |
| JP2814157B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶素子 | |
| JP2767505B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05273554A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| US5557435A (en) | Liquid crystal device and display apparatus | |
| JP2704814B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JP2592957B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05127164A (ja) | 液晶素子 | |
| JP3586779B2 (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JP2675893B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JP2733875B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JP2681779B2 (ja) | 液晶セル | |
| JPH05216036A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05216037A (ja) | 液晶素子 | |
| JP3258919B2 (ja) | 液晶素子およびその製造方法 | |
| JPH0540266A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2784699B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH06214236A (ja) | 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 | |
| JP2657878B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JP2645781B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05216039A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH07181495A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH05216032A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0675226A (ja) | 液晶素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |