JP3530799B2 - カイラルスメクチック液晶素子の製造方法および駆動方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフラットパネルディ
スプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンター
等に用いられるライトバルブに使用される液晶素子の製
造方法および駆動方法及びそれらを使用した表示装置を
はじめとする液晶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の能動素子を用いた表示素子と
して広範に用いられているネマティック液晶表示素子の
代表的な液晶モードとして、たとえばエム・シャット
（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ
（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著“Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ”第１８巻、第４号（１９７
１年２月１５日発行）第１２７頁から１２８頁において
示されたツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ）モードが広く用いられている。一方最近
では、横方向電界を利用したインプレインスイッチング
（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや垂
直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モー
ドを用いた液晶ディスプレイが発表されており、従来型
の液晶ディスプレイの欠点であった視野角特性の改善が
なされている。このように、こうしたネマティック液晶
を用いたＴＦＴ表示素子に用いるための液晶モードとし
ていくつかのモードが存在するのであるが、そのいずれ
のモードの場合にも液晶の応答速度が数十ミリ秒以上と
遅く、更なる応答速度の改善が要求されている。

【０００３】このような従来型のネマティック液晶素子
の応答速度を改善するものとして、近年、カイラルスメ
クチック相を示す液晶を用いた液晶モードがいくつか提
案されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘
電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反
強誘電性液晶」などが提案されており、未だ実用化には
至っていないものの、いずれもサブミリ秒以下の高速応
答性が実現できると報告されている。

【０００４】一方、本発明者等は特願平１０−１７７１
４５号に記載されている素子（以下「先願１」と記載）
を発明し提案している。当該発明では、例えば、高温側
より等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃ
ｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）又は等方
性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ^*）を示す相系列の材料に着目し、仮想コーンのエ
ッジより内側の位置にて単安定化させるようにしてい
る。そして例えば、Ｃｈ−ＳｍＣ^*相転移の際、又は等
方相− ＳｍＣ^*相転移の際に一対の基板間に正負いず
れかのＤＣ電圧を印加する、などによって層方向を一方
向に均一化させ、これにより高速応答且つ階調制御が可
能であり、動画質に優れた高輝度の液晶素子が、高い量
産性とともに実現しうる。そして先願の素子は上述の各
種スメクチック液晶モードと比較して自発分極値を小さ
くする事ができることからＴＦＴ等のアクティブ素子と
のマッチングがよい素子となっている。

【０００５】同様に、本発明者等は特開２０００−０１
００７６号公報に記載されている素子（以下「先願２」
と記載）を発明し提案している。当該発明では、例え
ば、高温側より等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリ
ック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相又は等方性
液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相を示す
相系列の材料に着目し、仮想コーンエッジの位置にて単
安定化させるようにしている。そして例えば、Ｃｈ−Ｓ
ｍＣ^*相転移の際、又は等方相−ＳｍＣ^*相転移の際に一
対の基板間に正負いずれかのＤＣ電圧を印加する、など
によって層方向を一方向に均一化させ、これにより高速
応答且つ階調制御が可能であり、動画質に優れた高輝度
の液晶素子が、高い量産性とともに実現しうる。また先
願２の素子はヒステリシスが小さく安定な中間調表示が
実現でき、かつ上述した他の各種スメクチック液晶モー
ドと比較して自発分極値を小さくする事ができることか
らＴＦＴ等のアクティブ素子とのマッチングがよい素子
となっている。

【０００６】更に、本発明者等は特願平１１−８４６３
９号に記載されている素子（以下「先願３」と記載）を
発明し提案している。当該発明では、先願１または２の
配向制御方法として、配向規制力を適宜調整することに
よりストライプ状の配向状態を形成させ、それにより高
コントラストが得られる素子が実現できている。

【０００７】以上述べたように、従来ネマティック液晶
を用いたＴＦＴ液晶ディスプレイが抱えていた応答速度
に関する問題点を解決できるという意味において、カイ
ラルスメクティック液晶、特に先願１〜３の液晶素子を
用いた液晶表示素子の実現が期待されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、高速応答
性能など次世代のディスプレイ等に階調表示能を有する
先願のスメクチック液晶素子が期待されるものである。
しかしながら、先願の液晶素子における電圧−透過率特
性に関して、ＩＳＯ相またはＣｈ相から降温した直後の
電圧−透過率曲線Ａが連続駆動することにより徐々に特
性が変化する現象が起こる場合があることが判明した。
この特性変化そのものは従来型ＳＳＦＬＣにおいても存
在し、不純物イオンの偏在によるもの、配向変化起
因のもの、等の観点から各方面で検討がなされている。

【０００９】一方、ＳＳＦＬＣ以外の強誘電性液晶モー
ド、特にＴＦＴ駆動型強誘電性液晶モードの特性変化に
関わる検討はほとんどなされていないのが現状である。

【００１０】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その課題とするところは、実使用上の駆動条件で連
続駆動することによっても電圧−透過率曲線の変化が極
力抑えられた信頼性の高い液晶素子の製造方法および駆
動方法並びに該素子を用いた液晶装置を提供することで
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一の発
明は、カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印
加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に
該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一
対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備えた
液晶素子であって、前記カイラルスメクチック液晶の相
転移系列が高温側より等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレ
ステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相又は
等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相
であって、前記液晶素子に用いる基板の少なくとも一方
は各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有
しており、前記液晶素子の電圧−透過率特性に関して、
ＩＳＯ相またはＣｈ相から降温した直後の電圧−透過率
曲線Ａと、該曲線Ａにおける透過率の飽和値に対して５
０％以上の透過率が得られる電圧以上の駆動電圧におい
て少なくともｔ秒駆動した後の電圧−透過率曲線Ｂを比
較したとき、同一の電圧値に対して曲線Ｂの方が高い透
過率が得られるカイラルスメクチック液晶素子を用いた
アクティブマトリクス液晶素子の製造方法であり、 前記
電圧−透過率曲線Ａと、前記電圧−透過率曲線Ｂと、さ
らにその状態から前記ｔ秒間と同様の駆動をした後の電
圧−透過率曲線Ｃを比較したとき、ある同一の電圧値に
対して各曲線から得られる透過率Ｔ _A 、Ｔ _B 、Ｔ _C に関し
て、少なくとも下記の数式（１）

【数２】 の関係を満たすまで、曲線Ａにおける透過率の飽和値に
対して５０％以上の透過率が得られる電圧以上の電圧印
加を当該素子の全画素に対して行うことを特徴とするカ
イラルスメクチック液晶素子の製造方法である。

【００１２】本発明において、カイラルスメクチック液
晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を
挟持して対向すると共に、該液晶を配向させるための一
軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方
の基板に偏光板とを備えた液晶素子であって、前記カイ
ラルスメクチック液晶の相転移系列が、高温側より、等
方性液体相（ＩＳＯ. ）−コレステリック相（Ｃｈ）−
カイラルスメクチックＣ相又は等方性液体相（ＩＳＯ.
）−カイラルスメクチックＣ相であって、前記液晶素
子に用いる基板の少なくとも一方は各画素に対応する電
極に接続したアクティブ素子を有しており、前記液晶素
子の電圧−透過率特性に関して、ＩＳＯ相またはＣｈ相
から降温した直後の電圧−透過率曲線Ａと、該曲線Ａに
おける透過率の飽和値に対して５０％以上の透過率が得
られる電圧以上の駆動電圧Ｖagにおいてｔ秒間駆動した
後の電圧−透過率曲線Ｂと、さらにその状態から前記ｔ
秒間と同様の駆動をした後の電圧−透過率曲線Ｃを比較
したとき、ある同一の電圧値に対して各曲線から得られ
る透過率Ｔ_A 、Ｔ_B 、Ｔ_C に関して、下記の数式（１）

【００１３】

【数３】 の関係を満たすｔが存在するのが好ましい。

【００１４】電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が
単安定化された第一の状態を示し、第一の極性の電圧印
加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応
じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルト
し、該第一の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時
には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から
第一の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトする
液晶素子において、前記第一の極性の電圧印加時と第二
の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第一の状態
における単安定化された位置を基準とした最大チルト状
態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、β
１＞β２となる液晶素子であるのが好ましい。

【００１５】第一の極性の電圧印加時と第二の極性の電
圧印加時の液晶の平均分子軸の該第一の状態における単
安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルト
の角度をそれぞれβ１、β２としたとき、β１≧５×β
２となることが好ましい。

【００１６】電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が
単安定化された第一の状態を示し、第一の極性の電圧印
加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応
じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルト
し、該第一の極性とは逆極性の第二の極性の電圧印加時
には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から
実質的に変化しない液晶素子であるのが好ましい。

【００１７】前記カイラルスメクチック液晶のバルク状
態でのらせんピッチはセル厚の２倍より長いのが好まし
い。

【００１８】

【００１９】

【００２０】本発明の第二の発明は、上記のアクティブ
マトリクス液晶素子の駆動方法であり、該液晶素子の電
源オン直後の駆動開始時において、毎回当該素子の全画
素に対し曲線Ａにおける透過率の飽和値に対して５０％
以上の透過率が得られる電圧以上の電圧印加期間を設け
ることを特徴とするカイラルスメクチック液晶素子の駆
動方法である。

【００２１】本発明の第三の発明は、上記の駆動シーケ
ンスを有するカイラルスメクチック液晶装置である。

【００２２】

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の上記課題は、下記発明に
よって解決される。即ち、本発明の第一は、カイラルス
メクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極
と、該液晶を挟持して対向すると共に、該液晶を配向さ
せるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少
なくとも一方の基板に偏光板とを備えた液晶素子であっ
て、前記カイラルスメクチック液晶の相転移系列が、高
温側より、等方性液体相（ＩＳＯ. ）−コレステリック
相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相又は等方性液体
相（ＩＳＯ. ）−カイラルスメクチックＣ相であって、
前記液晶素子に用いる基板の少なくとも一方は各画素に
対応する電極に接続したアクティブ素子を有しており、
前記液晶素子の電圧−透過率特性に関して、ＩＳＯ相ま
たはＣｈ相から降温した直後の電圧−透過率曲線Ａと、
曲線Ａにおける透過率の飽和値に対して５０％以上の透
過率が得られる電圧以上の駆動電圧において少なくとも
１秒以上駆動した後の電圧−透過率曲線Ｂを比較したと
き、同一の電圧値に対して曲線Ｂの方が高い透過率が得
られることを特徴とするカイラルスメクチック液晶素子
である。

【００２４】また前記液晶素子の電圧−透過率特性に関
して、ＩＳＯ相またはＣｈ相から降温した直後の電圧−
透過率曲線Ａと、曲線Ａにおける透過率の飽和値に対し
て５０％以上の透過率が得られる電圧以上の駆動電圧Ｖ
agにおいてｔ秒間駆動した後の電圧−透過率曲線Ｂと、
さらにその状態から前記ｔ秒間と同様の駆動をした後の
電圧−透過率曲線Ｃを比較したとき、ある同一の電圧値
に対して各曲線から得られる透過率Ｔ_A 、Ｔ_B 、Ｔ_C に
関して、下記の数式（１）

【００２５】

【数５】 の関係を満たすｔが存在するカイラルスメクチック液晶
素子である。

【００２６】さらに、当該液晶素子に対し少なくとも前
記数式（１）の関係を満たすまで、曲線Ａにおける透過
率の飽和値に対して５０％以上の透過率が得られる電圧
以上の電圧印加を当該素子の全画素に対して行うことを
特徴とするカイラルスメクチック液晶素子の製造方法、
また駆動方法である。

【００２７】また、当該液晶素子は電圧無印加時では、
該液晶の平均分子軸が単安定化された第一の状態を示
し、第一の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸
は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位
置から一方の側にチルトし、該第一の極性とは逆極性の
第二の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該
単安定化された位置から第一の極性の電圧を印加したと
きとは逆側にチルトする液晶素子であり、前記第一の極
性の電圧印加時と第二の極性の電圧印加時の液晶の平均
分子軸の該第一の状態における単安定化された位置を基
準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ
１、β２としたとき、β１＞β２となる液晶素子であっ
て、上記β１、β２の関係は、β１≧５×β２であるこ
とがより好ましい。あるいはβ２は実質的にゼロである
ことが好ましい。

【００２８】一般に強誘電性液晶の特性変化を論じる場
合に、層構造変化などの配向変化と、素子内部の不純物
イオンの影響が考えられる。ここで従来型ＳＳＦＬＣと
本発明のような単安定型ＦＬＣ素子とにおいて、例えば
明状態を表示させるときに、メモリ性を利用して電圧無
印加状態にて使用するのが従来型ＳＳＦＬＣであるのに
対し、外部から電圧を印加し続けて初めて明状態を表示
させることが可能となるのが本発明のような単安定型Ｆ
ＬＣ素子との違いである。したがって、単安定型ＦＬＣ
モードの特性変化抑制にはＳＳＦＬＣのそれとは異なる
考え方の導入が必要である。

【００２９】まず原因のとして、不純物イオンの影響
について考える。本発明において例えば正の電界に対し
て明状態を取るものとする。この明状態を表示させてい
るとき、外部から印加される正の電界をうち消すように
不純物イオンの移動が生じる。その結果、本来書き込ま
れるべき電圧よりも低い電圧しか印加されないことにな
ってしまうため、連続駆動に伴うイオンの移動のために
駆動した側の方が所望の明るさよりも暗い表示となるは
ずである。このような特性変化を示すときは、素子内の
不純物イオンが多く存在する場合であり、先願や本発明
などのアクティブマトリクス駆動には適しているとは言
い難い。

【００３０】次いで、原因のとして配向変化の影響に
ついて考える。ＳＳＦＬＣであっても本発明の単安定型
ＦＬＣであっても液晶素子一般に言えることであるが、
駆動あるいは非駆動によって平均的に特定の分子配向状
態が維持された場合には、その配向状態における弾性エ
ネルギーを最小化するよう層構造あるいは基板界面状態
を変化させるような力が働く。ここでネマティック液晶
とスメクチック液晶を比較すると弾性定数の大きいスメ
クチック液晶の方が液晶自身の感じる配向規制力は相対
的に小さくなる事が知られている。

【００３１】したがって、ＦＬＣの場合、配向膜界面近
傍分子は液晶のもつ弾性力に引きずられやすい傾向にあ
る。こうした原因により、例えば駆動によって界面や層
構造がその駆動時に最も安定となるよう変化したとすれ
ば、非駆動状態からその駆動状態への変化はさせやすく
なる。つまり、連続駆動に伴う配向変化によって所望の
明るさよりも明るい表示となる。言い換えれば、ＳＳＦ
ＬＣにおいて安定化状態が変化すれば、すなわち双安定
の一方の状態のみが安定化するため駆動マージンが極端
に小さくなることを意味するため、実用上大きな支障を
来す結果となっていた。一方本発明などの単安定型のＦ
ＬＣでこうした現象が生じた場合には、同じ印加電圧に
対してもより高い透過率が得られる結果、低電圧駆動化
が実現されることになり、原理的に類似の現象が生じて
いるにもかかわらずＳＳＦＬＣとは異なり、当該配向変
化現象が特性向上に寄与する結果となるのである。

【００３２】すなわち本発明の第一は、不純物イオンに
よる特性変化原因のよりも、配向変化が原因する特性
変化原因のの方を優勢とすることにより、液晶素子ト
ータルの特性変化として、同一電界に対する電気光学特
性を初期に得られた明るさよりも駆動後の方が明るくな
るよう設定するものである。これにより、所望の明るさ
を得るための駆動電圧が低くて済むため、低駆動電圧化
が実現できる。

【００３３】また本発明の第二は、こうした駆動による
特性変化が発現することに鑑み、特性変化曲線をある程
度飽和させた状態において実使用させるものである。こ
れにより実用時の連続使用後の状態において駆動部と非
駆動部との特性差を最小限に抑制することが可能とな
り、表示焼き付きが生じない素子とすることが可能とな
る。

【００３４】なおこのときのあらかじめ特性変化曲線を
飽和させるための予備駆動（以下エージング処理と記
載）の為の条件は少なくとも、初期の電圧透過率曲線に
おける飽和値に対して５０％以上の透過率が得られる電
圧以上の駆動電圧が必要であり、かつ少なくとも１秒以
上駆動させることが望ましい。更に望ましくは連続駆動
に伴う透過率変化が飽和するまで電圧を印加し続けるこ
とが望ましい。このとき飽和状態になっているか否かの
評価指標として、ＩＳＯ相またはＣｈ相から降温した直
後の電圧−透過率曲線Ａと、曲線Ａにおける透過率の飽
和値に対して５０％以上の透過率が得られる電圧以上の
駆動電圧Ｖagにおいてｔ秒間駆動した後の電圧−透過率
曲線Ｂと、さらにその状態から前記ｔ秒間と同様の駆動
をした後の電圧−透過率曲線Ｃを比較したとき、ある同
一の電圧値に対して各曲線から得られる透過率Ｔ_A 、Ｔ
_B 、Ｔ_C に関して、下記の数式（１）

【００３５】

【数６】 の関係を満たすｔが飽和までの時間であるとほぼ見なす
ことが出来る。なお本発明の素子においてこのｔは印加
する電圧Ｖagが大きいほど短くなる傾向にある。

【００３６】本発明の液晶素子では、上記エージング処
理によって低駆動電圧化と表示焼き付き問題を解決する
ことが可能となる。特に上記液晶素子の好適な態様とし
て、液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該
液晶を挟持して対向すると共に少なくとも一方の対向面
に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された
一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備
え、１秒間に複数フレームでの画像を表示し、各フレー
ム内において液晶の配向状態が経時的に変化する液晶素
子が提供される。

【００３７】更に本発明では、上述したような素子製造
法によって作製される素子として、上述したような電圧
無印加時に液晶が単安定状態を呈するようなカイラルス
メクチック液晶を用いた液晶素子が提供される。

【００３８】その本発明に適用できる液晶素子は、特願
平１０−１７７１４５号あるいは特開２０００−０１０
０７６号公報に記載の素子であり、該液晶材料の相転移
系列が等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相
（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）、ま
たは等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ^* ）を示し、ＳｍＣ^* 相への転移の際に一
対の基板間へ、正負いずれかのＤＣ電圧を印加すること
で、２つの層方向のうち一方の層方向のみに揃え、即ち
平均一軸配向処理軸とスメクチック層法線方向のずれ方
向が一定となるようにし、電圧無印加の状態で液晶分子
仮想コーンエッジ上、あるいはその内側に安定化させ、
そのメモリ性を消失させたＳｍＣ^* 相の配向状態を得て
いる。

【００３９】また、本発明に用いられるカイラルスメク
チック液晶は相転移系列が、高温側より、等方性液体相
（ＩＳＯ. ）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルス
メクチックＣ相又は等方性液体相（ＩＳＯ. ）−カイラ
ルスメクチックＣ相であるものが好ましい。

【００４０】以下に本発明で用いられる液晶組成物を構
成する好ましい化合物の具体例を（１）〜（４）に示
す。

【００４１】

【化１】

【００４２】Ｒ₁，Ｒ₂：炭素原子数が１〜２０である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ₁，Ｘ₂：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ₁，Ｙ₂，Ｙ₃，Ｙ₄：ＨまたはＦ ｎ：０または１

【００４３】

【化２】

【００４４】Ｒ₁，Ｒ₂：炭素原子数が１〜２０である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ₁，Ｘ₂：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ₁，Ｙ₂，Ｙ₃，Ｙ₄：ＨまたはＦ

【００４５】

【化３】

【００４６】Ｒ₁，Ｒ₂：炭素原子数が１〜２０である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ₁，Ｘ₂：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ₁，Ｙ₂，Ｙ₃，Ｙ₄：ＨまたはＦ

【００４７】

【化４】

【００４８】Ｒ₁，Ｒ₂：炭素原子数が１〜２０である置
換基を有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ₁，Ｘ₂：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ₁，Ｙ₂，Ｙ₃，Ｙ₄：ＨまたはＦ

【００４９】以下、図１を参照して本発明の液晶素子の
具体的な一実施形態について説明する。

【００５０】同図に示す液晶素子８０では、一対のガラ
ス、プラスチック等透明性の高い材料からなる基板８１
ａ、８１ｂ間に液晶８５、好ましくはカイラルスメクチ
ック相を呈する液晶を挟持したセルが互いに偏光軸が直
交した一対の偏光板８７ａ及び８７ｂ間に挟装した構造
となっている。

【００５１】基板８１ａ、８１ｂには、夫々液晶８５に
電圧を印加するためのＩｎ₂Ｏ₃、ＩＴＯ等の材料からな
る電極８２ａ、８２ｂが設けられており、例えば後述す
るように一方の基板にドット状の透明電極をマトリック
ス状に配置し、各透明電極にＴＦＴやＭＩＭ（Ｍｅｔａ
ｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）等のスイッチン
グ素子を接続し、他方の基板の一面上あるいは所定パタ
ーンの対向電極を設けアクティブマトリックス構造を形
成している。

【００５２】電極８２ａ，８２ｂ上には、必要に応じて
これらのショートを防止する等の機能を持つＳｉＯ₂、
ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の材料からなる絶縁膜８３ａ，８
３ｂが夫々設けられる。

【００５３】更に、絶縁膜８３ａ，８３ｂ上には、液晶
８５に接し、その配向状態を制御するべく機能する配向
制御膜８４ａ，８４ｂが設けられている。かかる配向制
御膜８４ａ，８４ｂの少なくとも一方には一軸配向処理
が施されている。かかる膜としては、例えば、ポリイミ
ド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリビニルアルコ
ール等の有機材料を溶液塗工した膜の表面にラビング処
理を施したもの、あるいはＳｉＯ等の酸化物、窒化物を
基板に対し斜め方向から所定の角度で蒸着した無機材料
の斜方蒸着膜を用いることができる。

【００５４】尚、配向制御膜８４ａ，８４ｂについて
は、その材料の選択、処理（一軸配向処理等）の条件等
により、液晶８５の分子のプレチルト角（液晶分子の配
向制御膜界面付近で膜面に対してなす角度）が調整され
る。

【００５５】また、配向制御膜８４ａ，８４ｂがいずれ
も一軸配向処理がなされた膜である場合、夫々の膜の一
軸配向処理方向（特にラビング方向）を、用いる液晶材
料に応じて反平行、平行、またはクロスラビング、ある
いは片側のみのラビングに設定するすることができる。

【００５６】基板８１ａ及び８１ｂは、スペーサー８６
を介して対向している。かかるスペーサー８６は、基板
８１ａ、８１ｂの間の距離（セルギャップ）を決定する
ものであり、シリカビーズ等が用いられる。ここで決定
されるセルギャップについては、液晶材料の違いによっ
て最適範囲及び上限値が異なるが、均一な一軸配向性、
また電圧無印加時に液晶分子の平均分子軸をほぼ配向処
理軸の平均方向の軸と実質的に同一にする配向状態を発
現させるべく、０．３〜１０μｍの範囲に設定すること
が好ましい。

【００５７】スペーサー８６に加えて、基板８１ａ及び
８１ｂ間の接着性を向上させ、カイラルスメクチック相
を示す液晶の耐衝撃性を向上させるべく、エポキシ樹脂
等の樹脂材料等からなる接着粒子を分散配置することも
できる（図示せず）。

【００５８】上記構造の液晶素子８０では、液晶８５と
してカイラルスメクチック相を示す液晶を用いる場合に
ついては、その材料の組成を調整し、更に液晶材料の処
理や素子構成、例えば配向制御膜８４ａ及び８４ｂの材
料、処理条件等を適宜設定することにより、電圧無印加
時では、該液晶の平均分子軸（液晶分子）が単安定化さ
れている配向状態を示し、駆動時では一方の極性（第一
の極性）の電圧印加時に印加電圧の大きさに応じて平均
分子軸の単安定化される位置を基準としたチルト角度が
連続的に変化し、他方の極性（第二の極性）の電圧印加
時には液晶の平均分子軸は、印加電圧の大きさに応じた
角度でチルトするような特性を示すようにする。このと
き、第一の極性の電圧印加による最大チルト角度が、第
二の極性の電圧印加による最大チルト角度より大きいよ
うな特性を示すようにしてもよい。または第２の極性の
電圧印加時には平均分子軸が印加電圧の大きさによらず
チルトしないような特性にしても良い。

【００５９】そして、カイラルスメクチック相を示す液
晶材料８５としては、前述したような特性（液晶材料固
有の物性値コーン角Θ、スメクチック層の層間隔ｄ、傾
斜角δについての特性）を示すようなビフェニル骨格や
フェニルシクロヘキサンエステル骨格、フェニルピリミ
ジン骨格等を有する炭化水素系液晶材料、ナフタレン系
液晶材料、ポリフッ素系液晶材料を適宜選択して調製し
た組成物を用いる。

【００６０】当該液晶素子では、基板８１ａ及び８１ｂ
の一方に少なくともＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルターを設
け、カラー液晶素子とすることもできる。また光源とし
てＲ，Ｇ，Ｂの光源を順次切り替えることで、時分割に
よる混色を利用してフルカラー表示させる方法を用いる
こともできる。

【００６１】尚、当該液晶素子は、基板８１ａ及び８１
ｂの両方の基板に一対の偏光板を設けた透過型の液晶素
子、即ち基板８１ａ及び８１ｂのいずれも透光性の基板
であり、一方の基板側からの入射光（例えば外部光源に
よる光）を変調し他方側に出射するタイプの素子、又は
少なくとも一方の基板に偏光板を設けた反射型の液晶素
子、即ち基板８１ａ及び８１ｂのいずれか一方の側に反
射板を設けるかあるいは一方の基板自体又は基板に設け
る部材として反射性の材料を用いて、入射光及び反射光
を変調し、入射側と同様の側に光を出射するタイプの素
子のいずれにも適用することができる。

【００６２】本発明では、上述の液晶素子に対して階調
信号を供給する駆動回路を設け、上述したような電圧の
印加により液晶の平均分子軸の単安定位置からの連続的
なチルト角度の変化、及び素子からの出射光量が連続的
に変化する特性を利用し階調表示を行う液晶表示素子を
構成することができる。例えば、液晶素子の一方の基板
として前述したようなＴＦＴ等を備えたアクティブマト
リクス基板を用い、駆動回路で振幅変調によるアクティ
ブマトリクス駆動を行うことでアナログ階調表示が可能
となる。

【００６３】次に、図２〜図４を参照して、本発明の液
晶素子において、このようなアクティブマトリクス基板
を用いた例について説明する。図２は、当該液晶素子
を、駆動手段を備えた形で、一方の基板（アクティブマ
トリクス基板）の構成を中心に模式的に示したものであ
る。

【００６４】図２に示す構成では、液晶素子に相当する
パネル部９０において、駆動手段である走査信号ドライ
バ９１に連結した走査線に相当する図面上水平方向のゲ
ート線Ｇｌ、Ｇ２・・・・と、駆動手段である情報信号
ドライバ９２に連結した情報信号線に相当する図面上縦
方向のソース線Ｓｌ、Ｓ２・・・・が互いに絶縁された
状態で直交するように設けられており、その各交点の画
素に対応してスイッチング素子に相当する薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）９４及び画素電極９５が設けられている
（同図では簡略化のため５×５画素の領域のみを示
す）。尚、スイッチング素子として、ＴＦＴの他、ＭＩ
Ｍ素子を用いることもできる。ゲート線Ｇｌ、Ｇ２・・
・はＴＦＴ９４のゲート電極（図示せず）に接続され、
ソース線Ｓｌ、Ｓ２・・・はＴＦＴ９４のソース電極
（図示せず）に接続され、画素電極９５はＴＦＴ９４の
ドレイン電極（図示せず）に接続されている。かかる構
成において、走査信号ドライバ９１によリゲート線Ｇ
ｌ、Ｇ２・・・が例えば線順次に走査選択されてゲート
電圧が供給され、このゲート線の走査選択に同期して情
報信号ドライバ９２から、各画素に書き込む情報に応じ
た情報信号電圧がソース線Ｓｌ、Ｓ２・・・に供給さ
れ、ＴＦＴ９４を介して各画素電極に印加される。

【００６５】図３は、図２に示すようなパネル構成にお
ける各画素部分（１ビット分）の断面構造の一例を示
す。同図に示す構造では、ＴＦＴ９４及び画素電極９５
を備えるアクティブマトリクス基板２０と共通電極３２
を備えた対向基板４０間に、自発分極を有する液晶層４
９が挟持され、液晶容量（Ｃ_1c）３１が構成されてい
る。

【００６６】アクティブマトリクス基板２０について
は、ＴＦＴ９４としてアモルファスＳｉＴＦＴを用いた
例が示されている。ＴＦＴ９４はガラス等からなる基板
２１上に形成され、図２に示すゲート線Ｇｌ、Ｇ２・・
・に接続したゲート電極２２上に窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）等の材料からなる絶縁膜（ゲート絶縁膜）２３を介
してａ−Ｓｉ層２４が設けられており、該ａ−Ｓｉ層２
４上に、夫々ｎ⁺ａ−Ｓｉ層２５、２６を介してソース
電極２７、ドレイン電極２８が互いに離間して設けられ
ている。

【００６７】ソース電極２７は図２に示すソース線Ｓ
ｌ、Ｓ２・・・に接続し、ドレイン電極２８はＩＴＯ膜
等の透明導電膜からなる画素電極９５に接続している。
また、ＴＦＴ９４におけるａ−Ｓｉ層２４上をチャネル
保護膜２９が被覆している。このＴＦＴ９４は、該当す
るゲート線が走査選択された期間においてゲート電極２
２にゲートパルスが印加されオン状態となる。

【００６８】更に、アクティブマトリクス基板２０にお
いては、画素電極９５と、該電極のガラス基板側に設け
られた保持容量電極３０により絶縁膜２３（ゲート電極
２２上の絶縁膜と連続的に設けられた膜）を挟持した構
造により保持容量（Ｃ_s）３２が液晶層４９と並列の形
で設けられている。保持容量電極はその面積が大きい場
合、開口率が低下するため、ＩＴＯ膜等の透明導電膜に
より形成される。

【００６９】アクティブマトリクス基板２０のＴＦＴ９
４及び画素電極９５上には液晶の配向状態を制御する為
の例えばラビング処理等の一軸配向処理が施された配向
膜４３ａが設けられている。

【００７０】一方、対向基板４０では、ガラス基板４１
上に、全面同様の厚みで共通電極４２、及び液晶の配向
状態を制御する為の配向膜４３ｂが積層されている。
尚、上記セル構造は、互いに偏光軸が直交した関係にあ
る一対の偏光板間に挟持されている（図示せず）。

【００７１】上記構造のパネルの画素部分において、液
晶層４９としては、自発分極を有する液晶、例えばカイ
ラルスメクチック相を呈する液晶が用いられる。

【００７２】尚、図２及び図３に示すようなパネル構成
において、アクティブマトリクス基板として、多結晶Ｓ
ｉ（ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴを備えた基板を用いることができ
る。

【００７３】図３に示すパネルの画素部分の等価回路を
図４に示す。図４及び図５を参照して上記構造の液晶素
子における特性を利用したアクティブマトリクス駆動に
ついて述べる。本発明の液晶素子におけるアクティブマ
トリクス駆動では、例えば一画素においてある情報を表
示するための期間（１フレーム）を複数のフィールド
（例えば図５に示すｌＦ及び２Ｆ）に分割し、これら２
フィールドにおいて平均的に所定の情報に応じた出射光
量を得る。以下では、液晶層４９が一方の極性の電圧印
加で十分な透過光強度であり、逆極性ではそれより小さ
い透過光強度である特性を示す場合における２フィール
ドに分割された例について説明する。

【００７４】図５（ａ）は、一画素を着目した際に、当
該画素に接続する走査線となる一ゲート線に印加される
電圧を示す。上記構造の液晶素子では、各フィールド毎
にゲート線Ｇｌ、Ｇ２・・・が例えば線順次で選択さ
れ、一ゲート線には選択期間Ｔｏｎにおいて所定のゲー
ト電圧Ｖｇが印加され、ゲート電極２２に電圧Ｖｇが加
わりＴＦＴ９４がオン状態となる。他のゲート線が選択
されている期間に相当する非選択期間Ｔｏｆｆにはゲー
ト電極２２に電圧が加わらずＴＦＴ９４は高抵抗状態
（オフ状態）となり、Ｔｏｆｆ毎に所定の同一のゲート
線が選択されてゲート電極２２にゲート電圧Ｖｇが印加
される。

【００７５】図５（ｂ）は、当該画素の情報信号線（ソ
ース線）に印加される電圧Ｖｓを示す。図５（ａ）で示
すように各フィールドで選択期間Ｔｏｎでゲート電極２
２にゲート電圧が印加された際、これに同期して当該画
素に接続する情報線となるソース線Ｓｌ、Ｓ２・・・か
らソース電極２７に、所定のソース電圧（情報信号電
圧）Ｖｓ（基準電位を共通電極４２の電位Ｖｃとする）
が印加される。

【００７６】ここで、１フレームを構成する第一のフィ
ールド（ｌＦ）では、当該画素に書込まれる情報、例え
ば用いる液晶に応じた電圧−透過率特性を基に当該画素
で得ようとする光学状態又は表示情報（透過率）に応じ
たレベルＶｘの正極性のソース電圧（情報信号電圧）
（基準電位を共通電極４２の電位Ｖｃとする）が印加さ
れる。この時、ＴＦＴ９４がオン状態であるため、上記
ソース電極２７に印加される電圧Ｖｘがドレイン電極２
８を介して画素電極９５に印加され、液晶容量（Ｃ_1c）
３１及び保持容量３２（Ｃ_s）に充電がなされ、画素電
極の電位が情報信号電圧Ｖｘになる。続いて、当該画素
の属するゲート線の非選択期間ＴｏｆｆにおいてＴＦＴ
９４は高抵抗（オフ状態）となるため、この非選択期間
には、液晶セル（液晶容量Ｃ_1c）３１及び保持容量（Ｃ
_s）３２では選択期間Ｔｏｎで充電された電荷が蓄積さ
れた状態を維持し、電圧Ｖｘが保持される。そして、当
該画素における液晶層４９に第１フィールドｌＦの期間
を通して電圧Ｖｘが印加され、当該画素の液晶部分では
この電圧値に応じた光学状態（透過光量）が得られる。
このとき液晶の応答速度がゲートオン期間より遅い場
合、液晶セル（液晶容量Ｃ_1c）３１及び保持容量
（Ｃ_s）３２に充電が完了し、ゲートがオフされた非選
択期間にスイッチングが開始される。このような場合は
自発分極の反転によって充電された電荷が相殺されて、
液晶層に印加される電圧が図５（ｃ）のようにＶｘより
小さいＶｘ’という値を取る。

【００７７】次に、第二のフィールド（２Ｆ）の選択期
間Ｔｏｎでは、第一のフィールドｌＦとは極性が逆で実
質的に同様の電圧値Ｖｘを有するソース電圧（−Ｖｘ）
がソース電極２７に印加される。この時、ＴＦＴ９４が
オン状態であり、画素電極９５に電圧−Ｖｘが印加され
て、液晶容量（Ｃ_1c）３１及び保持容量３２（Ｃ_s）に
充電がなされ、画素電極の電位が情報信号電圧−Ｖｘに
なる。続いて、非選択期間ＴｏｆｆにおいてＴＦＴ９４
は高抵抗（オフ状態）となるため、この非選択期間に
は、液晶セル（液晶容量Ｃ_1c）３１及び保持容量
（Ｃ_s）３２では選択期間Ｔｏｎで充電された電荷が蓄
積された状態を維持し、電圧−Ｖｘが保持される。そし
て、当該画素における液晶層４９に第２のフィールド２
Ｆ期間を通して電圧−Ｖｘが印加され、当該画素ではこ
の電圧値に応じた光学状態（出射光量）が得られる。こ
のときも同様に液晶の応答速度がゲートオン期間より遅
い場合、液晶セル（液晶容量Ｃ_1c）３１及び保持容量
（Ｃ_s）３２に充電が完了し、ゲートがオフされた非選
択期間にスイッチングが開始される。このような場合は
自発分極の反転によつて充電された電荷が相殺されて、
液晶層に印加される電圧が図５（ｃ）のように−Ｖｘよ
り小さい−Ｖｘ’という値を取る。

【００７８】図５（ｃ）は、上述したような当該画素の
液晶容量及び保持容量に実際に保持され液晶層４９に印
加される電圧値Ｖｐｉｘを、図５（ｄ）は当該画素での
液晶の実際の光学応答（透過型液晶素子とした場合での
光学応答）を模式的に示す。図５（ｃ）に示すように、
２フィールドｌＦ及び２Ｆを通じて印加電圧は互いに極
性が反転しただけの同一レベル（絶対値）Ｖｘ’であ
る。一方、図５（ｄ）に示すように第一フィールドｌＦ
では、Ｖｘ’に応じた階調表示状態（出射光量）が得ら
れ、第二フィールド２Ｆでは、−Ｖｘ’に応じた階調表
示状態が得られるが、実際にはわずか透過光量の変化し
か得られず、透過光量はＴｘより小さく、０レベルに近
いＴｙとなる。

【００７９】上述したようなアクティブマトリクス駆動
では、カイラルスメクチック相を示す液晶を用いた場合
で良好な高速応答性に基づいた階調表示が可能となると
同時に一画素であるレベルの階調表示を、高い透過光量
を得る第一フィールドと低い透過光量を得る第二フィー
ルドに分割して連続的に行うため、時間開口率が５０％
以下となり、人間の目の感じる動画高速応答特性も良好
になる。また、第二フィールドにおいては液晶分子の若
干のスイッチング動作により完全に透過光量が０にはな
らないので、フレーム期間全体での人間の目に感じる輝
度は確保される。更に、第一及び第二フィールドで同様
のレベルの電圧が極性反転して液晶層４９に印加される
ため、液晶層４９に実際に印加される電圧が交流化され
液晶の劣化を防止する。

【００８０】上記のアクティブマトリクス駆動では、２
フィールドからなる１フレーム全体では、ＴｘとＴｙを
平均した透過光量が得られる。このため、情報信号電圧
Ｖｓについては、実際に当該フレームで当該画素で得よ
うとする画像情報（階調情報）に応じて、所定のレベル
だけ大きな透過光量を得ることのできる電圧値を選択し
て印加することで、第一フィールドｌＦにおいて、所望
の階調状態より高いレベル透過光量での階調状態を表示
することも好ましい。

【００８１】なお、ここでは詳細には触れていないが上
記駆動法を応用し、ＲＧＢ各色光源とを組み合わせるこ
とにより時分割による混色を利用してフルカラー表示さ
せる方法を用いることも可能である。

【００８２】

【実施例】以下、本発明を実施例に沿って詳細に説明す
る。

【００８３】実施例１ （液晶組成物の調製）下記液晶性化合物を混合して液晶
組成物ＬＣ−１を調製した。構造式に併記した数値は混
合の際の重量比率である。

【００８４】

【化５】

【００８５】上記液晶組成物ＬＣ−１の物性パラメータ
を以下に示す。 相転移温度（℃） Ｉｓｏ．（８６．３）Ｃｈ（６１．２）ＳｍＣ^*（−
７．２）Ｃｒｙ． 自発分極（３０℃）：Ｐｓ＝２．９ｎＣ／ｃｍ² コーン角（３０℃）：Θ＝２３．３°（１００Ｈｚ，±
１２．５Ｖ，セルギヤップ＝１．４μｍ） ＳｍＣ^*相でのらせんピッチ（３０℃）：２０μｍ以上

【００８６】（液晶セルの作製）一方の基板として前に
述べた画素構造を有し、ゲート絶縁膜として窒化シリコ
ン膜を備えたａ−ＳｉＴＦＴを有するアクティブマトリ
クス基板と、対向する基板としてＲＧＢのカラーフィル
タと透明電極を有している、厚さ１. １ｍｍの一対の基
板を用意した。画面サイズは１０．４インチ、画素数は
８００×６００とした。

【００８７】該基板の透明電極上に、市販のＴＦＴ用配
向膜ＳＥ７９９２（日産化学社製）をスピンコート法に
より塗布し、その後、８０℃５分間の前乾燥を行なった
後、２００℃で１時間加熱焼成を施し膜厚１５０Åのポ
リイミド被膜を得た。

【００８８】続いて、当該基板上のポリイミド膜に対し
て一軸配向処理としてコットン布によるラビング処理を
施した。ラビング処理の条件は、径１０ｃｍのロールに
コットンを貼り合わせたラビングロールを用い、押し込
み量０．７ｍｍ、送り速度１０ｃｍ／ｓｅｃ、回転数１
０００ｒｐｍ、送り回数４回とした。続いて、一方の基
板上にスペーサーとして、平均粒径１．５μｍのシリカ
ビーズを散布し、各基板のラビング処理方向が互いに反
平行（アンチパラレル）となるように対向させ、均一な
セルギャップのセル（アクティブマトリクスパネルＡ）
を得た。

【００８９】上記のプロセスで作製したパネルＡに液晶
組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶をカイラ
ルスメクティック液晶相を示す温度まで冷却し、この冷
却の際、Ｃｈ−ＳｍＣ^* 相転移前後において、−２Ｖの
オフセット電圧（直流電圧）を印加して冷却を行う処理
を施し、液晶パネルＡを作製した。かかるサンプルにつ
いて、電圧透過率特性の評価を行った。

【００９０】評価は６０Ｈｚの１フレームを２フィール
ドに分割し、偶数フィールドにて正の電圧、奇数フィー
ルドにて負の電圧が液晶層に印加されるようなフィール
ド周波数１２０Ｈｚのフィールド反転駆動を行った。こ
のときに印加するソース電圧を変化させて、ソース電圧
に対する透過率の値をプロットした。透過率は１フレー
ム分（２フィールド分）の透過率の積分値をオシロスコ
ープで読みとって算出した。なおこの実験における透過
率１００％として、パネルを等方相に加熱し、偏光板を
平行ニコルに設定したときの輝度を１００％とした。

【００９１】その結果を図６に示す。図６のグラフ中、
の破線はＣｈ相から冷却直後の状態、の一点鎖線は
の状態からソース電圧６Ｖを１分間印加し続けた後の
状態、の二点鎖線はの状態からソース電圧６Ｖを５
分間印加し続けた後の状態、の実線はの状態からソ
ース電圧６Ｖを３０分間印加し続けた後の状態を示して
いる。なお透過率測定及び６Ｖの電圧印加処理はパネル
全面に同一の電圧を印加して行った。図７は図６におけ
るソース電圧６Ｖの部分に着目し電圧印加時間と透過率
との関係をプロットし直したものである。この図からわ
かるように本素子では数分間の電圧印加によって初期か
ら透過率が上昇していることがわかる。

【００９２】つまり、前述したエージング処理によって
駆動電圧の低下が実現できている。さらに、この透過率
の経時変化はある一定時間以上の印加を行ってもほとん
ど変化しないことから飽和する傾向にあることがわか
る。

【００９３】このパネル全面に対する３０分間の６Ｖ印
加処理を行った後、白黒のチャートなどの固定パターン
を表示させたが、表示焼き付き現象は全く観測されなか
った。つまり前述したエージング処理によって、その後
の電圧印加によっても特性変化がほとんど生じないこと
から、焼き付きに対する信頼性が大きく向上したものと
考えられる。

【００９４】さらにこうしたエージング処理はＣｈ相か
ら冷却直後に施しても十分焼き付きに対して効果的であ
ったが、その後電源を落とし翌日以降に再評価する際に
は、電源オン後しばらくの期間同様なエージング処理を
施すことで、表示焼き付きの信頼性がより高まることが
確認された。

【００９５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
所定の電圧値以上を印加するエージング処理によって、
低駆動電圧化と信頼性向上が実現されうる液晶素子、そ
の製造方法および駆動方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一実施形態を示す概略図で
ある。

【図２】本発明の液晶素子を駆動手段を備えた形で一方
の基板の構成を中心に模式的に示した図である。

【図３】図２に示すようなパネル構成における各画素部
分（１ビット分）の断面構造の一例を示す概略図であ
る。

【図４】パネルの画素部分の等価回路を示す図である。

【図５】液晶素子のアクティブマトリクス駆動を示す図
である。

【図６】本発明の実施例１の電圧−透過率特性の評価を
示す図である。

【図７】図６のソース電圧６Ｖにおける電圧印加時間と
透過率との関係を示す図である。

【符号の説明】

２０ アクティブマトリクス基板 ２１ 基板 ２２ ゲート電極 ２３ 絶縁膜（ゲート絶縁膜） ２４ ａ−Ｓｉ層 ２５、２６ ｎ⁺ ａ−Ｓｉ層 ２７ ソース電極 ２８ ドレイン電極 ２９ チャネル保護膜 ３０ 保持容量電極 ３１ 液晶容量 ３２ 共通電極 ４０ 対向基板 ４１ ガラス基板 ４２ 共通電極 ４３ａ，４３ｂ 配向膜 ４９ 液晶層 ８０ 液晶素子 ８ｌａ、８ｌｂ 基板 ８２ａ、８２ｂ 電極 ８３ａ、８３ｂ 絶縁膜 ８４ａ，８４ｂ 配向制御膜 ８５ 液晶 ８６ スペーサー ８７ａ、８７ｂ 偏光板 ９０ パネル部 ９１ 走査信号ドライバ ９２ 情報信号ドライバ ９４ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ９５ 画素電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−289914（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−250205（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−36041（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−95088（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−160678（ＪＰ，Ａ) 特開2000−10076（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/13 - 1/141

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 カイラルスメクチック液晶と、該液晶に
   電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向す
   ると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施
   された一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板と
   を備えた液晶素子であって、前記カイラルスメクチック
   液晶の相転移系列が高温側より等方性液体相（ＩＳ
   Ｏ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチ
   ックＣ相又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメ
   クチックＣ相であって、前記液晶素子に用いる基板の少
   なくとも一方は各画素に対応する電極に接続したアクテ
   ィブ素子を有しており、前記液晶素子の電圧−透過率特
   性に関して、ＩＳＯ相またはＣｈ相から降温した直後の
   電圧−透過率曲線Ａと、該曲線Ａにおける透過率の飽和
   値に対して５０％以上の透過率が得られる電圧以上の駆
   動電圧において少なくともｔ秒駆動した後の電圧−透過
   率曲線Ｂを比較したとき、同一の電圧値に対して曲線Ｂ
   の方が高い透過率が得られるカイラルスメクチック液晶
   素子を用いたアクティブマトリクス液晶素子の製造方法
   であり、前記電圧−透過率曲線Ａと、前記電圧−透過率曲線Ｂ
   と、さらにその状態から前記ｔ秒間と同様の駆動をした
   後の電圧−透過率曲線Ｃを比較したとき、ある同一の電
   圧値に対して各曲線から得られる透過率Ｔ _A 、Ｔ _B 、Ｔ _C
   に関して、 少なくとも下記の数式（１） 【数１】 の関係を満たすまで、曲線Ａにおける透過率の飽和値に
   対して５０％以上の透過率が得られる電圧以上の電圧印
   加を当該素子の全画素に対して行うことを特徴とするカ
   イラルスメクチック液晶素子の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の アクティブマトリクス液
   晶素子の駆動方法であり、該液晶素子の電源オン直後の
   駆動開始時において、毎回当該素子の全画素に対し曲線
   Ａにおける透過率の飽和値に対して５０％以上の透過率
   が得られる電圧以上の電圧印加期間を設けることを特徴
   とするカイラルスメクチック液晶素子の駆動方法。
3. 【請求項３】 請求項２ 記載の駆動シーケンスを有する
   カイラルスメクチック液晶装置。