JP2002116467A - 液晶素子の製造方法、及び液晶素子の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短時間の処理で、表示画像の焼き付きを防止
する。 【解決手段】 カイラルスメクチック液晶を有するアク
ティブマトリクス型液晶パネルＰを作製するに当たり、
ＴＦＴ４を介して各画素にエージング用電圧を印加す
る。この場合、エージング用電圧を駆動電圧（画像表示
のために液晶に印加する駆動電圧）の最大値よりも大き
くする。このようにして印加されるエージング電圧によ
って、液晶の電圧−透過率特性が短時間で安定になり、
画像表示時において該特性が変化したりすることも無
く、特性変化に基く表示画像の焼き付きを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を利用して種
々の表示を行う液晶素子の製造方法、及び液晶素子の駆
動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】(1) 従来、ネマチック液晶を利用したア
クティブマトリクス型の液晶パネルが種々提案されてい
る。以下、この液晶パネルについて説明する。

【０００３】従来、一つ一つの画素にトランジスタのよ
うなアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型
液晶パネルとしてはネマチック液晶を用いたものがあ
り、様々なモードで使用されている。

【０００４】例えば、広汎に用いられている代表的なモ
ードとしてツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）モードがあり、該モードについては、
「エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・
ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、ＡＰＰｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第１８巻、第
４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁から１
２８頁」に開示されている。

【０００５】また最近では、従来型液晶パネルの欠点で
ある視野角特性を改善するものとして、横方向電界を利
用したインプレインスイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ
Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、垂直配向（Ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが発表されてい
る。

【０００６】(2) ところで、上述したネマチック液晶を
用いた場合には（いずれのモードでも）応答速度が遅い
という問題があり、近年は、そのような問題点のないカ
イラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルが注目され
ている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘電性液
晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反強誘電
性液晶」などが提案されており、未だ実用化には至って
いないものの、いずれもサブミリ秒以下の高速応答性が
実現できると報告されている。

【０００７】(3) 次に、このようなカイラルスメクチッ
ク液晶を用いた液晶パネルの一例について説明する。

【０００８】例えば、特願平１０−１７７１４５号にて
開示されている液晶パネルは、カイラルスメクチック液
晶として、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コ
レステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ^*）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイ
ラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）、の相転移系列を示
す液晶を、仮想コーンのエッジより内側の位置で安定化
するように調整して用いており、かかる液晶を一対の基
板間に注入した後の冷却過程において（正確には、Ｃｈ
−ＳｍＣ^*相転移の際、又はＩＳＯ−ＳｍＣ^*相転移の際
に）液晶２にＤＣ電圧を印加するなどして層方向を一方
向に均一化させている。この液晶パネルは、応答速度が
速いという効果を有するほか、階調制御が可能であっ
て、動画質に優れ、高輝度であって量産性に優れるとい
う特徴を有している。また、この液晶パネルは、自発分
極値を小さくでき、アクティブ素子とのマッチングが良
いものとなっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶パネルにおいては階調表示が所望の表示になりにくい
ことがあり得る。具体的には所望の階調表示を行うよう
に電気的な駆動条件を設定しても視覚的に表示される階
調はその所望の階調表示を示しにくいことがあり得る。

【００１０】かかる課題を解決するために電圧印加処理
（以下、"エージング処理"とする）が行われていた。す
なわち、カイラルスメクチック液晶における印加電圧と
透過率との関係（以下、"電圧−透過率特性"とする）
は、製造直後は安定しておらず、何ら処理を行わない状
態で液晶パネルを駆動した場合には、その駆動のために
印加された電圧によって安定状態に移行するという現象
が生じてしまい、その現象に起因して画像焼き付きが発
生する場合があった。そこで、（このように製造直後に
おいて安定でない特性を示すパネルに対しては）通常の
画像表示駆動をする前に電圧印加処理（エージング処
理）を行い、上述した電圧−透過率特性を意図的に安定
状態に移行させてしまい、画像を表示している際に特性
変化が生じないようにしていた。

【００１１】なお、このようなエージング処理は短時間
で行うことが望ましい。

【００１２】そこで、本発明は、表示が焼き付いて見え
ることを短時間の処理で防止する液晶素子の製造方法及
び駆動方法を提供することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定間隙を開けた状態に一対
の基板を配置する工程と、これら一対の基板の間隙にカ
イラルスメクチック液晶を配置する工程と、該カイラル
スメクチック液晶を挟み込むと共に複数の画素を構成す
るように一対の電極を配置する工程と、アクティブ素子
を各画素毎に一方の電極に接続した状態に配置する工程
と、からなる液晶素子の製造方法において、前記一対の
電極を介して前記カイラルスメクチック液晶にエージン
グ用電圧を印加することに基き該液晶の電圧−透過率特
性を安定にする工程、を備え、かつ、前記エージング用
電圧が、画像表示のために印加される駆動電圧の最大値
よりも大きい、ことを特徴とする。

【００１４】また本発明は、所定間隙を開けた状態に配
置された一対の基板と、これら一対の基板の間隙に配置
されたカイラルスメクチック液晶と、複数の画素を構成
すると共に該カイラルスメクチック液晶を挟み込むよう
に配置された一対の電極と、これらの一対の電極のいず
れか一方に接続されて各画素毎に配置された複数のアク
ティブ素子と、を備えた液晶素子を駆動する、液晶素子
の駆動方法において、画像表示のために印加される駆動
電圧の最大値よりも大きいエージング用電圧を前記一対
の電極を介して前記カイラルスメクチック液晶に印加す
ることに基き、該液晶の電圧−透過率特性を安定にす
る、ことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図５を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。

【００１６】(1) まず、本実施の形態にて製造され駆動
される液晶素子の全体構成について図１を参照して説明
する。

【００１７】本実施の形態に係る液晶素子は、図１に符
号Ｐで示すように、所定間隙を開けた状態に配置された
一対の基板１ａ，１ｂと、これら一対の基板１ａ，１ｂ
の間隙に配置されたカイラルスメクチック液晶２と、複
数の画素を構成すると共に該カイラルスメクチック液晶
２を挟み込むように配置された一対の電極３ａ，３ｂ
と、これらの一対の電極のいずれか一方３ｂに接続され
た状態で各画素毎に配置された複数のアクティブ素子４
と、を備えており、前記一対の電極３ａ，３ｂを介して
前記カイラルスメクチック液晶２に電圧を印加すること
により駆動されるように構成されている。

【００１８】なお、カイラルスメクチック液晶２として
は、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステ
リック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
^*）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメ
クチックＣ相（ＳｍＣ^*）、の相転移系列を示すものを
挙げることができる。なお、かかる液晶２は、電圧を印
加していない状態で液晶分子が仮想コーンのエッジ、或
いは仮想コーンの内側の位置で安定化する状態で用いる
と良い。

【００１９】(2) 次に、本実施の形態に係る液晶素子の
製造方法について説明する。

【００２０】上述した液晶素子Ｐを製造するに際して
は、所定間隙を開けた状態に一対の基板１ａ，１ｂを配
置する工程と、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙にカ
イラルスメクチック液晶２を配置する工程と、該カイラ
ルスメクチック液晶２を挟み込むと共に複数の画素を構
成するように一対の電極３ａ，３ｂを配置する工程と、
アクティブ素子４を各画素毎に一方の電極３ｂに接続し
た状態に配置する工程と、を適切な順序で実施する。

【００２１】この場合、前記一対の電極３ａ，３ｂを介
して前記カイラルスメクチック液晶２にエージング用電
圧を印加することに基き、該液晶２の電圧−透過率特性
を安定にすると良い。ここで、このようにエージング用
電圧を印加して液晶２の電圧−透過率特性を安定にする
ことを"エージング処理"とする。

【００２２】ところで、本明細書におけるエージング用
電圧とは、液晶２における電圧−透過率特性（図５参
照）を安定にするために印加する電圧を意味し、液晶素
子Ｐを駆動して画像表示をする場合に前記一対の電極３
ａ，３ｂを介して前記カイラルスメクチック液晶２に印
加される電圧（図４の符号Ｖpix参照。以下、"駆動電
圧"とする）とは異なる。

【００２３】本実施の形態では、エージング用電圧は、
駆動電圧よりも大きい値にすれば良く、駆動電圧の最大
値よりも大きい値にすれば良い。すなわち、駆動電圧
は、表示したい階調に応じて変化させるものであるが、
エージング用電圧は、駆動電圧の最大値（すなわち、液
晶素子Ｐが透過型の場合には最大透過率を実現する電圧
をいい、液晶素子Ｐが反射型の場合には最大反射率を実
現する電圧をいう）よりも大きい値にすれば良い。但
し、エージング用電圧は、アクティブ素子４の耐圧許容
範囲内にする必要がある。

【００２４】また、エージング用電圧の時間積分値∫Ｖ
dtを、駆動電圧の時間積分値∫Ｖdtよりも大きくしてお
くと良く、例えばエージング用電圧×アクティブ素子４
をオンにしておく時間（図４の符号Ｔon参照） ＞ 駆
動電圧×アクティブ素子４をオンにしておく時間として
も良い。

【００２５】この場合、前記エージング用電圧を印加す
るために前記アクティブ素子４をオンにしておく時間
は、通常の画像表示のために前記アクティブ素子４をオ
ンにしておく時間（アクティブ素子にゲート電圧を印加
しておく選択期間Ｔonであって、線順次走査する場合に
は１本のゲート線Ｇ_ｉを介してゲート電圧が印加される
期間）よりも長くすると良く、好ましくは、 ＊ 液晶２の透過率が０％から１００％に変化するまで
の時間にほぼ等しい時間、 ＊ 液晶２の透過率が０％から５０％に変化するまでの
時間にほぼ等しい時間、或いは、 ＊ 液晶２の透過率が０％から３０％に変化するまでの
時間にほぼ等しい時間、にすると良く、また、液晶２の
透過率が０％から１００％に変化するまでの時間より長
くしても良い。さらには、前記エージング用電圧を印加
するために、前記アクティブ素子４を常に継続的にオン
しておいても良い。すなわち、アクティブ素子４を、１
フレーム期間のうちの一部だけオンにするのではなく、
全部をオンにして、エージング用電圧を印加するように
しても良い。

【００２６】いま、１つのフレーム期間（図４の符号Ｆ
_０参照）を２つのフィールド期間（図４の符号Ｆ_１，Ｆ
_２参照）に分割して駆動する場合であって、フレーム周
波数を６０Ｈｚとした場合、フィールド周波数は１２０
Ｈｚとなる。そして、１つのフィールド期間（８．３ｍ
ｓｅｃ）で１０００本のゲート線を順次走査しようとす
る場合、１本のゲート線の選択期間Ｔon（すなわち、
“通常の画像表示のために前記アクティブ素子４をオン
にしておく時間”）は８．３μｓｅｃとなる。本発明で
は、エージング処理のときにはこの時間よりも長くアク
ティブ素子をオンにするようになっている。

【００２７】なお、透過率が０％とは、暗い表示状態で
あることを意味し、透過率が１００％とは、実用駆動電
圧の範囲内で得られる最大透過率のことを表現するもの
である。本実施の形態では、最大透過率が１００％の液
晶素子を用いることが好ましいが、最大透過率が１００
％より多少低い液晶素子を用いても良い。

【００２８】また、かかるエージング用電圧の印加は、
前記カイラルスメクチック液晶２がカイラルスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ^*）を呈する状態のときに行うと良く、
液晶２を等方性液体相（ＩＳＯ．）又はコレステリック
相（Ｃｈ）を発現するまで昇温し、その後、カイラルス
メクチックＣ相（ＳｍＣ^*）に相転移するまで降温した
後に行うと良い。

【００２９】さらに、上述のようなエージング用電圧の
印加は、ほぼ全ての画素に対して行うと良い。

【００３０】なお、液晶２の電圧−透過率特性は、上述
のようなエージング処理によって安定状態に一旦推移し
た後は不安定状態に戻ることはほとんど有り得ず、その
意味からは、エージング処理は１度だけで足りる。但
し、液晶素子Ｐの環境温度が変化したような場合には例
外的に（安定状態に推移していた上記特性が）不安定状
態に戻ってしまうことがある。このような場合には、再
度エージング処理を行えば良い。

【００３１】(3) 次に、本実施の形態に係る液晶素子の
駆動方法について説明する。

【００３２】上述の場合のエージング処理は、液晶素子
を製造する製造ラインで（製品としての液晶素子が工場
から出荷される前に）行われるが、もちろんこれに限る
必要はなく、エージング処理を（製造ラインにおいては
行わず）出荷された後の液晶素子に対してのみ行うよう
にしても、或いは、製造ライン及び出荷後の両方で行う
ようにしても良い。なお、出荷後の液晶素子に対して行
うエージング処理は、"液晶素子の製造方法"ではなく"
液晶素子の駆動方法"と概念すべきであるため、駆動方
法として以下に説明する。

【００３３】出荷後の液晶素子Ｐに対してエージング処
理を行う場合、上述したと同様に、エージング用電圧
は、アクティブ素子４の耐圧許容範囲内であって、駆動
電圧よりも大きい値にすれば良く、駆動電圧の最大値よ
りも大きい値にすれば良い。また、エージング用電圧の
時間積分値∫Ｖdtを、駆動電圧の時間積分値∫Ｖdtより
も大きくしておくと良く、例えばエージング用電圧×ア
クティブ素子４をオンにしておく時間（図４の符号Ｔon
参照） ＞ 駆動電圧×アクティブ素子４をオンにして
おく時間としても良い。

【００３４】さらに、前記エージング用電圧を印加する
ために前記アクティブ素子４をオンにしておく時間は、
上述のようにすれば良い。

【００３５】また、前記カイラルスメクチック液晶２が
カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ ^*）を呈する状態の
ときに前記エージング用電圧の印加を行う点や、ほぼ全
ての画素に対して電圧印加を行う点も同様である。

【００３６】なお、このようなエージング用電圧の印加
は、液晶素子に駆動シーケンスとして予め組み込んでお
き、電源がユーザによってオンされた後（装置がスター
トアップ状態にあるとき）に自動的に行われるようにし
ても良く、或いは、スクリーンセーバが起動されるとき
に自動的に行われるようにしても良い。この場合、照明
装置（バックライト装置やフロントライト装置）を有し
ている液晶装置においては、液晶素子に光照射がされて
いない状態（すなわち、照明装置が非点灯状態）でエー
ジング用電圧の印加が行われるようにすると良い。これ
により、エージング処理に伴う液晶駆動が画像として認
識されることを防止でき、ユーザが故障と誤認すること
を防止できる。

【００３７】(4) 次に、液晶素子Ｐの詳細構造について
説明する。

【００３８】(4-１) まず、カイラルスメクチック液晶
２について説明する。

【００３９】本実施の形態にて用いるカイラルスメクチ
ック液晶２は、上述のような相転移系列のもの、すなわ
ち、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステ
リック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
^*）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメ
クチックＣ相（ＳｍＣ^*）、の相転移系列を示すものが
好ましいが、具体的には、次の(1) 〜(4) に示す化合物
を挙げることができる。

【００４０】（１）

【化１】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ ｎ：０または１

【００４１】（２）

【化２】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ

【００４２】（３）

【化３】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ

【００４３】（４）

【化４】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ

【００４４】なお、上述したカイラルスメクチック液晶
２は、ＳｍＣ^＊相への転移の際に正負いずれかのＤＣ電
圧を印加することで、２つの層方向のうち一方の層方向
のみに揃え、即ち平均一軸配向処理軸とスメクチック層
法線方向のずれ方向が一定となるようにし、電圧無印加
の状態で液晶分子を仮想コーンエッジ上、あるいはその
内側に安定化させ、そのメモリ性を消失させたＳｍＣ^＊
相の配向状態を得ている。

【００４５】また、その液晶材料の組成を調整し、更に
液晶材料の処理や素子構成、例えば配向制御膜６ａ，６
ｂの材料、処理条件等を適宜設定することにより、 駆動電圧が印加されていない場合には、該液晶の平
均分子軸（液晶分子）が単安定化されている配向状態を
示し、 一の極性の駆動電圧が印加されて駆動される場合に
は、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた
角度で前記単安定化された位置から一方の側にチルト
し、 他方の極性（前記一の極性に対する逆極性をいう。
以下、同じ）の電圧が印加されている場合には、液晶分
子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記
単安定化された位置から他方の側（すなわち、前記一の
極性の電圧を印加したときにチルトする側とは反対の
側）にチルトする、ような特性を示すようにすると良
い。つまり、本実施の形態に用いる液晶２は、例えば図
５に示す特性のものであって、カイラルスメクチック液
晶本来のメモリ性（双安定性）が消失されたものであっ
て、チルト角の大きさを印加電圧によって連続的に制御
することができ、それに伴って液晶素子の光量も連続的
に変化させることができ、階調表示を可能とするもので
ある。この場合、前記一の極性の駆動電圧を印加するこ
とによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角
は、前記他の極性の電圧を印加することによって最大チ
ルト状態とした場合におけるチルト角と異ならせると良
い。例えば、該他の極性の電圧を印加した場合、該電圧
の大きさにかかわらず、液晶の平均分子軸がほとんどチ
ルトしないような特性にしても良い。

【００４６】(4-2) 次に、カイラルスメクチック液晶２
以外の各構成部材等について説明する。

【００４７】上述した基板１ａ，１ｂには、ガラスやプ
ラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。

【００４８】また、電極３ａ，３ｂには、Ｉｎ_２Ｏ_３や
ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の材料を
用いれば良く、これらの電極３ａ，３ｂはそれぞれの基
板１ａ，１ｂに形成すると良い。なお、アクティブ素子
４を接続する方の電極３ｂは、ドット状にマトリクス状
に配置し、他方の電極３ａは、基板のほぼ全面（或いは
特定の領域）に形成すると良い。さらに、アクティブ素
子４としては、ＴＦＴやＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）等を用いれば良い。

【００４９】またさらに、各電極３ａ，３ｂの表面に
は、これらの電極間のショートを防止するための絶緑膜
を形成すると良く（図１には、一方の電極３ｂを覆う絶
縁膜５ｂのみ図示）、かかる絶緑膜は、ＳｉＯ_２、Ｔｉ
Ｏ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等にて形成すれば良い。

【００５０】また、カイラルスメクチック液晶２に接す
る位置には、その配向状態を制御するために一軸配向処
理を施した配向制御膜６ａ，６ｂを配置すると良い。か
かる配向制御膜６ａ，６ｂとしては、 ＊ ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリ
ビニルアルコール等の有機材料からなる溶液を塗布して
膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したもの
や、 ＊ ＳｉＯ等の酸化物や窒化物からなる無機材料を基板
１ａ，１ｂに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成
した斜方蒸着膜や、 ＊ 紫外線照射等によって一軸配向規制力を発生しうる
光配向膜を用いたもの、を挙げることができる。なお、
この配向制御膜６ａ，６ｂの材質や一軸配向処理の条件
等により、液晶分子のプレチルト角（すなわち、配向制
御膜６ａ，６ｂの界面近傍において液晶分子が配向制御
膜６ａ，６ｂに対してなす角度）が調整される。

【００５１】このような配向制御膜６ａ，６ｂは、カイ
ラルスメクチック液晶２の両側に配置してそれらの両方
に一軸配向処理を施せば良く、その場合における一軸配
向処理方向（特にラビング方向）の関係は、用いる液晶
材料を考慮して、 ＊ アンチパラレル（両一軸配向処理方向が平行かつ逆
方向）、 ＊ パラレル（両一軸配向処理方向が平行かつ同方
向）、 ＊ ４５°以下の範囲でクロスする関係、 のいずれかになるように設定すれば良い。なお、４５°
以下の範囲でクロスする関係とは、２つのベクトル（一
軸配向処理方向を示すベクトル）が４５°以下の範囲内
でクロスする場合であって、それぞれのベクトル方向が
同方向（正確には、４５°以下の角度ズレを有する。）
である場合や、それぞれのベクトル方向が逆方向である
場合の両方を挙げることができる。そして、互いのベク
トルの交差角度（狭い方の交差角度）の値が４５°以下
で且つ０°に近いような場合は、それぞれのベクトルの
関係が実質的にアンチパラレル乃至パラレルの関係とみ
なしてもよい。また、上述のアンチパラレル或いはパラ
レルの関係もそれぞれベクトル同士が必ず平行である以
外に、例えば数°程度ずれているような場合でも実質的
にアンチパラレル乃至パラレルの関係とみなしてもよ
い。本明細書において配向制御膜とは、一軸配向処理さ
れた膜以外に、液晶に直接接触されることによって液晶
の配向に何らかの影響を与える膜のことを言う。なお、
両側の配向制御膜に一軸配向処理を施さなくても、片側
の配向制御膜のみに一軸配向処理を施しても良い。

【００５２】さらに、基板１ａ，１ｂの間隙には、シリ
カビーズ等からなるスペーサー（不図示）を配置して、
かかるスペーサーによってその間隙寸法を規定するよう
にしてもよい。なお、間隙寸法は、液晶材料を考慮して
最適範囲になるように調整すれば良いが、均一な一軸配
向性を達成させたり、電圧が印加されていない状態での
液晶分子の平均分子軸を配向処理軸Ｒの平均方向の軸と
実質的に一致させるために、０．３〜１０μｍの範囲に
設定することが好ましい。

【００５３】またさらに、基板１ａ，１ｂの間隙にエポ
キシ樹脂等からなる接着粒子（不図示）を分散配置し
て、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐの耐衝撃
性を向上させると良い。

【００５４】さらに、液晶素子Ｐは、透過型としても良
く、反射型としても良い。なお、透過型の場合には両方
の基板１ａ，１ｂを透明にする必要があり、反射型の場
合には、基板１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機能を
付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能を付
与する方法としては、 ＊ 反射板や反射膜を、基板とは別体に設ける方法や、 ＊ 基板自体を反射部材で形成する方法や、 等を挙げることができる。ここで、透過型の液晶素子の
場合には両方の基板に偏光板を（それらの偏光軸が互い
に直交するように）配置すれば良く、反射型の液晶素子
の場合には少なくとも一方の基板に偏光板を設ければ良
い。

【００５５】ところで、上述した液晶素子Ｐを用いてカ
ラー表示を行うようにしても良い。このようなカラー表
示を行う方法としては、 ＊ 各画素にカラーフィルターを配置する方法や、 ＊ そのようなカラーフィルターを用いず、液晶素子に
対して異なる色の光を順次照射すると共に該光の照射に
同期させて画像を変更する方法（いわゆるフィールドシ
ーケンシャル方式）、 を挙げることができる。

【００５６】また、上述した電極のいずれか一方３ｂに
は、駆動回路（図２の符号２１参照）を接続して階調信
号を入力し、該信号によってチルト角度（すなわち、液
晶の平均分子軸の単安定位置からのチルト角度）の大き
さを制御して光透過率を制御し、それによって階調表示
を行うようにすると良い。

【００５７】(4-3) 次に、本実施の形態に係る液晶素子
Ｐの詳細構成の一例について、図１及び図２を参照して
説明する。

【００５８】図１に示す液晶素子Ｐは、所定間隙を開け
た状態に配置した一対のガラス基板１ａ，１ｂ、を備え
ており、一方のガラス基板１ａの全面には、ほぼ均一な
厚みの共通電極３ａが形成され、共通電極３ａの表面に
は配向制御膜６ａが形成されている。

【００５９】また、他方のガラス基板１ｂの側には、図
２に示すように、ゲート線Ｇ_１，Ｇ _２，…が図示Ｘ方向
に多数配置され、ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…とは絶縁され
た状態のソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…が図示Ｙ方向に多数配
置されている。そして、これらのゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，
…及びソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…の各交点の画素には、ア
クティブ素子としての薄膜トランジスタ（アモルファス
ＳｉＴＦＴ）４や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる画
素電極３ｂ及び保持容量電極７等が配置されている。

【００６０】このうち、アモルファスＳｉＴＦＴ４は、
図１に示すように、ゲート電極１０と、窒化シリコン
（ＳｉＮx）からなる絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｂと、
半導体層であるａ−Ｓｉ層１１やｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，
１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、チャ
ネルを保護するチャネル保護膜１６と、によって構成さ
れている。すなわち、ガラス基板１ｂには各画素毎にゲ
ート電極１０が形成され、該ゲート電極１０の表面は絶
縁膜５ｂにて覆われ、絶縁膜５ｂの表面であってゲート
電極１０を形成した位置にはａ−Ｓｉ層１１が形成され
ている。また、このａ−Ｓｉ層１１の表面には、互いに
離間するようにｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，１３が形成されて
おり、各ｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，１３にはソース電極１４
やドレイン電極１５が互いに離間した状態に形成されて
いる。さらに、これらのａ−Ｓｉ層１１や電極１４，１
５を覆うようにチャネル保護膜１６が形成されている。

【００６１】そして、ＴＦＴ４のゲート電極１０は上述
したゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…を介して走査信号ドライバ
２０に接続され、ＴＦＴ４のソース電極１４はソース線
Ｓ_１，Ｓ_２，…を介して情報信号ドライバ２１に接続さ
れ、ＴＦＴ４のドレイン電極１５は画素電極３ｂに接続
されている。

【００６２】ところで、上述した保持容量電極７はガラ
ス基板１ｂの表面に形成されており、上述した絶縁膜５
ｂは、この保持容量電極７及びガラス基板１ｂを覆う位
置まで形成され、上述したソース電極１４や画素電極３
ｂはこの絶縁膜５ｂの表面に形成されている。これによ
り、保持容量電極７と画素電極３ｂとは、絶縁膜５ｂを
挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、
液晶２と並列の形で設けられた保持容量Ｃsが構成され
ることとなる（図３参照）。なお、この保持容量電極７
は、面積を大きくした場合における開口率低下を防止す
るため、透明なＩＴＯによって形成すると良い。

【００６３】また、図１に示すように、上述したＴＦＴ
４や画素電極３ｂの表面には配向制御膜６ｂが形成され
ており、その表面には一軸配向処理（ラビング処理）が
施されている。

【００６４】さらに、これらのガラス基板１ａ，１ｂの
間隙であって、画素電極３ｂと共通電極３ａとの間に
は、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶２が配
置されていて、液晶容量Ｃlcが構成されることとなる
（図３参照）。

【００６５】また、このような液晶素子Ｐの両側には、
互いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板（不図
示）が配置されている。

【００６６】なお、図１に示す液晶素子Ｐではアモルフ
ァスＳｉＴＦＴを用いているが、もちろんこれに限る必
要はなく、多結晶Ｓｉ（Ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴを用いても良
い。

【００６７】(4-4) 次に、上述した液晶素子Ｐの駆動方
法（通常の画像表示を行う場合の駆動方法）の一例につ
いて説明する。

【００６８】上述した液晶素子Ｐにおいては、走査信号
ドライバ２０から各ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…にはゲート
電圧が線順次に印加され、ＴＦＴ４はゲート電圧が印加
されることによってオン状態となる。

【００６９】一方、ゲート電圧の印加に同期して、情報
信号ドライバ２１からソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…にはソー
ス電圧（各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧）
が印加される。したがって、ＴＦＴ４がオン状態にある
画素では、ソース電圧がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介
して液晶２に印加され、液晶２のスイッチングが画素単
位で行われる。

【００７０】そして、このような駆動を一定期間（フレ
ーム期間）毎に繰り返し、画像の書き換えを行うように
なっている。

【００７１】(4-5) なお、図４に示すように、１つのフ
レーム期間Ｆ_０を複数のフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２，…
に分割し、各フィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２，…でそれぞれ
画像書き換えを行うようにしてもよい。以下、その駆動
方法について説明する。

【００７２】ここで、図４は、各フレーム期間Ｆ_０を２
つのフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２に分割した例を示す図で
あり、同図（ａ）は、ある１本のゲート線Ｇ_ｉにゲート
電圧Ｖgが印加される様子を示す図、同図（ｂ）は、あ
る１本のソース線Ｓ_ｊにソース電圧Ｖｓが印加される様
子を示す図、同図（ｃ）は、これらゲート線Ｇ_ｉ及びソ
ース線Ｓ_ｊの交差部の画素（すなわち、液晶２）に電圧
Ｖpixが印加される様子を示す図、同図（ｄ）は、当該
画素における透過光量の変化を示す図である。なお、液
晶２には、図５に示すような、電圧−透過率特性のもの
を用いている。

【００７３】いま、ある１本のゲート線Ｇ_ｉに一定期間
（選択期間Ｔon）だけゲート電圧Ｖgが印加され（同図
（ａ）参照）、ある１本のソース線Ｓ_ｊには、ゲート電
圧Ｖgの印加に同期した選択期間Ｔonに、共通電極３ａ
の電位Ｖcを基準電位としたソース電圧Ｖｓ（＝＋Ｖx）
が印加される（同図（ｂ）参照）。すると、当該画素の
ＴＦＴ４はゲート電圧Ｖgの印加によってオンされ、ソ
ース電圧ＶxがＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して印加
されて液晶容量Ｃlc及び保持容量Ｃsの充電がなされ
る。ところで、選択期間Ｔon以外の非選択期間Ｔoffに
は、ゲート電圧Ｖgは他のゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…に印
加されていて同図（ａ）に示すゲート線Ｇ_ｉには印加さ
れず（ゲート電圧Ｖgが印加されていないだけであっ
て、オフ電圧は印加されている）、当該画素のＴＦＴ４
はオフとなる。したがって、液晶容量Ｃlc及び保持容量
Ｃsは、この間、充電された電荷を保持することとなる
（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ
_１を通じて液晶２には電圧Ｖpix（＝＋Ｖx）が印加され
続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔxが維持される
こととなる（同図（ｄ）参照）。ここで、選択期間Ｔon
が比較的短い場合には、液晶分子反転が完了せず、液晶
容量Ｃlc及び保持容量Ｃsへの充電及び液晶２のスイッ
チングは非選択期間Ｔoffに行われる。かかる場合は、
自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液
晶２に印加される電圧Ｖpixは同図（ｃ）のように＋Ｖx
よりＶdだけ小さい値を取る。

【００７４】次のフィールド期間Ｆ_２においては、上述
したゲート線Ｇ_ｉには再びゲート電圧Ｖgが印加され
（同図（ａ）参照）、これと同期してソース線Ｓ_ｊに
は、先のものとは逆極性のソース電圧−Ｖxが印加され
る（同図（ｂ）参照）。これによって、ソース電圧−Ｖ
xが液晶容量Ｃlc及び保持容量Ｃsに充電されると共に、
非選択期間Ｔoffにおいてはその電荷が保持される（同
図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ_２を
通じて液晶２には電圧Ｖpix（＝−Ｖx）が印加され続け
ることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔyが維持されること
となる（同図（ｄ）参照）。ここで、選択期間Ｔonが比
較的短い場合には、液晶分子反転は完了しておらず、液
晶容量Ｃlc及び保持容量Ｃsへの充電及び液晶２のスイ
ッチングは非選択期間Ｔoffに行われる。かかる場合
は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺さ
れ、液晶２に印加される電圧Ｖpixは図４（ｃ）のよう
に−ＶxよりＶdだけ大きい値を取る。

【００７５】ところで、図４に示す駆動方法によれば、
各フィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２単位で印加電圧の大きさに
応じて液晶２がスイッチングされ、各フィールド期間Ｆ
_１，Ｆ_２単位で異なる階調表示状態（透過光量Ｔx，Ｔ
y）が得られ、フレ−ム期間Ｆ _０の全体でそれらＴx，Ｔ
yを平均した透過光量が得られる。

【００７６】なお、液晶２には図５に示す特性のものを
用いているため、２番目のフィールド期間Ｆ_２における
透過光量Ｔyは、Ｔxよりかなり小さくてほぼ０レベルで
あり、フレ−ム期間全体の透過光量は、上述のような透
過光量の平均化によって最初のフィールド期間Ｆ_１の透
過光量に比べて低下することとなる。したがって、実際
の駆動においては、フレ−ム期間全体で得たい透過光量
（表示画像の階調）に基づいて、最初のフィールド期間
Ｆ_１の透過光量Ｔxを（表示諧調よりも高めに）決定
し、該透過光量Ｔxを得るような電圧Ｖxを印加すれば良
い。

【００７７】また、上述のように駆動した場合、奇数フ
ィールド期間（例えばＦ_１）では正極性の電圧（＋Ｖ
x）が液晶２に印加され、偶数フィールド期間（例えば
Ｆ_２）では負極性の電圧（−Ｖx）が液晶２に印加され
ることとなるため、液晶２に実際に印加される電圧が時
間的に交流化され、液晶２の劣化が防止される。

【００７８】さらに、最初のフィールド期間Ｆ_１におい
ては高輝度表示を行い、次のフィールド期間Ｆ_２では低
輝度表示を行うため、時間開口率が５０％以下程度とな
る。したがって、かかる液晶素子で動画像を表示した場
合、その画質が良好なものとなる。

【００７９】ところで、コレステリック相からカイラル
スメクチックＣ相へと相転移する相転移過程を詳細に偏
光顕微鏡観測したとき、スメクチックＡ相と酷似した配
向状態が観測される場合がある。しかしながら本発明に
使用される素子の本質はＳｍＣ＊相でスメクチック層の
法線方向と一軸配向処理方向とが大きく異なっており電
圧無印加時に安定な分子位置がラビング方向に近い位置
にあることである。つまり、こうした関係の層形成方向
が実現されている場合には上記スメクチックＡ相的な液
晶相は配向には寄与しないこととなるため、本願におい
てはこうした材料についてもスメクチックＡ相を含まな
い材料と定義する。

【００８０】また、エージング処理を行う場合には、上
述した駆動方法と同じように、走査信号ドライバ２０か
ら各ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…にゲート電圧を印加し、こ
の電圧印加に同期するように、情報信号ドライバ２１か
らソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…にエージング用電圧を印加す
る。

【００８１】(5) 次に、本実施の形態の効果について説
明する。

【００８２】通常、アクティブマトリクス型の液晶素子
にエージング処理を施す場合には、液晶分子は、アクテ
ィブ素子４がオンされて電荷が供給されている間に反転
し、さらに、アクティブ素子４がオフされた後も液晶容
量Ｃlcに保持される電荷によって反転が継続される。

【００８３】しかし、液晶容量Ｃlcに保持される電荷
は、液晶分子の反転（すなわち、アクティブ素子４がオ
フされた後の反転）によって減少してしまうため、液晶
２に印加されるエージング用電圧のトータル量（すなわ
ち、アクティブ素子４がオンされたときからオフされた
後に液晶２に印加されるエージング用電圧の時間積分値
＝∫Ｖdt）は、アクティブ素子４がオフされた後におけ
る液晶分子の反転量が多い程小さくなり、該トータル量
が少なければ、１回のエージング処理では電圧−透過率
特性が完全には安定しないこととなる。

【００８４】しかし、本実施の形態によれば、エージン
グ用電圧は駆動電圧の最大値よりも大きく設定されてい
るため、アクティブ素子４がオンであって電荷が供給さ
れている間における液晶分子の反転量を多くして、アク
ティブ素子４がオフされた後における液晶分子の反転量
を少なくできる。これにより、液晶容量Ｃlcに保持され
る電荷の減少、さらには、エージング用電圧のトータル
量の減少を防止でき、１回のエージング処理だけで電圧
−透過率特性を安定にできる。換言すれば、エージング
処理を繰り返す必要がなく、短時間で完了できる。

【００８５】そして、このようなエージング処理によっ
て液晶の電圧−透過率特性が安定し、通常の画像表示の
ために電圧が印加された場合においても特性が変化せ
ず、画像表示が焼き付いて見えてしまうこともない。な
お、本実施の形態によれば、エージング用電圧がアクテ
ィブ素子４の耐圧許容範囲内であるためアクティブ素子
４は破壊されることもない。

【００８６】

【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。

【００８７】（実施例１） （液晶組成物の調製）まず、下記液晶性化合物を、それ
ぞれの右側に併記した重量比率で混合し液晶組成物ＬＣ
−１を調製した。

【００８８】

【化５】

【００８９】上記液晶組成物ＬＣ−１の物性パラメータ
を以下に示す。 86.3 61.2 -7.2 相転移温度（℃） ：ＩＳＯ． → Ｃｈ → ＳｍＣ^* → Ｃｒｙ 自発分極（３０℃）：Ｐｓ＝２．９ｎＣ／ｃｍ^２ コーン角（３０℃）：Θ＝23.3°（100Ｈｚ，±12.5Ｖ、基板間隙は1.4μｍ） ＳｍＣ^＊相でのらせんピッチ（３０℃） ：２０μｍ以上

【００９０】（液晶セルの作製）本実施例においては、
図１及び図２に示すアクティブマトリクス型液晶パネル
（液晶素子）Ｐを作成した。

【００９１】なお、基板１ａ，１ｂには厚さ１．１ｍｍ
のガラス基板を用い、それらには透明電極３ａ，３ｂを
７００Å厚のＩＴＯにて形成した。また、一方のガラス
基板１ａにはＲＧＢのカラーフィルター（不図示）を形
成した。そして、画面サイズは１０．４インチとし、画
素数（すなわち、ＲＧＢの色画素によって構成される画
素の数）は８００×６００とした。

【００９２】さらに、アクティブ素子４にはａ−ＳｉＴ
ＦＴを用い、該ＴＦＴ４のゲート絶縁膜５ｂには窒化シ
リコン膜を用いた。

【００９３】また、配向制御膜６ａ，６ｂは、ポリイミ
ド膜にて形成した。具体的には、市販のＴＦＴ用配向膜
（日産化学社製のＳＥ７９９２）をスピンコート法によ
り透明電極３ａ，３ｂを覆うように塗布し、その後、８
０℃の温度で５分間の前乾燥を行ない、さらに２００℃
の温度で１時間の加熱焼成を施すことによって形成し、
その膜厚を１５０Åとした。なお、これらの配向制御膜
６ａ，６ｂには、コットン布によるラビング処理（一軸
配向処理）を施した。このラビング処理には、外周面に
コットン布を貼り合わせた径１０ｃｍのラビングロール
を用い、押し込み量を０．７ｍｍ、送り速度を１０ｃｍ
／ｓｅｃとし、回転数を１０００ｒｐｍ、送り回数を４
回とした。

【００９４】続いて、一方の基板上には、平均粒径１．
５μｍのシリカビーズ（スペーサー）を散布し、各基板
のラビング処理方向が互いにアンチパラレルとなるよう
に貼り合わせ、均一な基板間隙のセルを得た。

【００９５】このようなプロセスで作製したセルに液晶
組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶がカイラ
ルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却し（但し、冷
却速度は１℃／ｍｉｎとした）、液晶がＣｈ相からＳｍ
Ｃ^*相に相転移する際に（Ｔｃ−２℃〜Ｔｃ＋２℃の温
度範囲内で）−２Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印
加し、液晶パネルＰを作製した。

【００９６】次に、作製した液晶パネルＰにエージング
処理を施した。具体的には、図４に示すように、１フレ
ーム期間Ｆ_０を２つのフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２に分割
し、前半のフィールド期間Ｆ_１では正のソース電圧（エ
ージング用電圧）Ｖｓ＝＋Ｖx＝＋１０Ｖを印加し、後
半のフィールド期間Ｆ_２では負のソース電圧（エージン
グ用電圧）Ｖｓ＝−Ｖx＝−１０Ｖを印加してエージン
グ処理を施した。なお、ゲート選択期間Ｔonは１３．９
μｓとした。

【００９７】本実施例では、上述のように作製しエージ
ング処理を施した液晶パネルＰを１０個作製した。但
し、各液晶パネルＰのエージング処理時間は、１分、２
分、３分、４分、５分、１０分、１５分、２０分、２５
分、３０分と異ならせておき、３Ｖのソース電圧Ｖｓを
印加して図４に示す方法でそれぞれの液晶パネルを駆動
し、その透過率をオシロスコープで測定した。その透過
率の測定結果とエージング処理時間との関係を図６に示
すが、３分程度のエージング処理で、電圧−透過率特性
が安定していることが理解できる。なお、図６の横軸
は、３Ｖ（駆動電圧）ではなく１０Ｖ（エージング用電
圧）を印加した時間、すなわち、エージング処理を施し
た時間を示しており、縦軸は、３Ｖ（駆動電圧）を印加
したときの透過率を示す。なお、図４の駆動方法によれ
ば、透過率は、符号Ｔｘ、Ｔｙに明らかなように前半の
フィールド期間Ｆ_１と後半のフィールド期間Ｆ_２とで異
なるが、図６の縦軸の値は、透過率の積分値の時間平均
として下式で算出したものを用いた。

【００９８】

【数１】 但し、τは任意のタイミング、Ｔは透過率、ｔは時間。

【００９９】また、駆動電圧を３Ｖとしてエージング用
電圧の１０Ｖと異ならせたのは、３Ｖ程度の中間調表示
電圧の方が、エージング処理時間の影響が現れ易いから
である。

【０１００】ところで、エージング用電圧を５Ｖ（駆動
電圧の最大値であって、図５のＶｘ）とした場合には、
電圧−透過率特性を安定にするためには１０分程度のエ
ージング処理が必要であったが、本実施例によれば、エ
ージング処理を短時間できることが分かった。

【０１０１】ところで、３分以上のエージング処理を施
して電圧−透過率特性を安定にさせた後の液晶パネルを
用い、特定の画像（白黒のチャートなどの固定パター
ン）を５時間程度連続表示させたが、表示焼き付き現象
は全く観測されなかった。つまり、エージング処理によ
って、電圧−透過率特性が完全に安定状態に移行して特
性変化は全く発生せず、焼き付きに対する信頼性が大き
く向上したものと考えられる。

【０１０２】なお、本実施例においては、特定パターン
の画像を継続表示（白黒のチャートなどの固定パターン
を５時間程度表示）させた後、所定の中間調電圧（例え
ば、最大輝度に対して５０％輝度が得られるような電
圧）を印加した場合において、中間調表示を行っている
状態で“特定パターンの画像”が目視にて視認されれば
焼きついていると判断し、“特定パターンの画像”が目
視にて視認されなければ焼きついていないものと判断す
ることとした。

【０１０３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
エージング用電圧は駆動電圧の最大値よりも大きく設定
されているため、エージング処理を繰り返す必要がな
く、短時間で完了できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示
す断面図。

【図２】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示
す回路図。

【図３】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示
す等価回路図。

【図４】アクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方法
を示すタイミングチャート図。

【図５】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性
の一例を示す図。

【図６】エージング処理時間と透過率との関係を示す
図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ ガラス基板（基板） ２ カイラルスメクチック液晶 ３ａ 共通電極（電極） ３ｂ 画素電極（電極） ４ ＴＦＴ（アクティブ素子） Ｐ 液晶パネル（液晶素子）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門叶 剛司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森 秀雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 野口 幸治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 礒部 隆一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 GA04 GA17 HA08 JA17 MA18 2H093 NA16 NC34 ND01 ND47 ND58 NE04 NF17 NH13 5C006 AC15 AF61 AF67 BA11 BB16 FA34 5C080 AA10 BB05 DD01 DD30 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定間隙を開けた状態に一対の基板を配
   置する工程と、これら一対の基板の間隙にカイラルスメ
   クチック液晶を配置する工程と、該カイラルスメクチッ
   ク液晶を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一
   対の電極を配置する工程と、アクティブ素子を各画素毎
   に一方の電極に接続した状態に配置する工程と、からな
   る液晶素子の製造方法において、 前記一対の電極を介して前記カイラルスメクチック液晶
   にエージング用電圧を印加することに基き該液晶の電圧
   −透過率特性を安定にする工程、を備え、かつ、 前記エージング用電圧が、画像表示のために印加される
   駆動電圧の最大値よりも大きい、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記カイラルスメクチック液晶が、高温
   側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相
   （Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）、又
   は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチック
   Ｃ相（ＳｍＣ^*）の相転移系列を示す液晶である、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記エージング用電圧の印加は、前記カ
   イラルスメクチック液晶がカイラルスメクチックＣ相を
   呈する状態のときに行われる、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶素子の製
   造方法。
4. 【請求項４】 前記エージング用電圧の印加は、ほぼ全
   ての画素に対して行われる、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
   の液晶素子の製造方法。
5. 【請求項５】 所定間隙を開けた状態に配置された一対
   の基板と、これら一対の基板の間隙に配置されたカイラ
   ルスメクチック液晶と、複数の画素を構成すると共に該
   カイラルスメクチック液晶を挟み込むように配置された
   一対の電極と、これらの一対の電極のいずれか一方に接
   続されて各画素毎に配置された複数のアクティブ素子
   と、を備えた液晶素子を駆動する、液晶素子の駆動方法
   において、 画像表示のために印加される駆動電圧の最大値よりも大
   きいエージング用電圧を前記一対の電極を介して前記カ
   イラルスメクチック液晶に印加することに基き、該液晶
   の電圧−透過率特性を安定にする、 ことを特徴とする液晶素子の駆動方法。
6. 【請求項６】 前記カイラルスメクチック液晶が、高温
   側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相
   （Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）、又
   は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチック
   Ｃ相（ＳｍＣ^*）の相転移系列を示す液晶である、 ことを特徴とする請求項５に記載の液晶素子の駆動方
   法。
7. 【請求項７】 前記エージング用電圧の印加は、前記カ
   イラルスメクチック液晶がカイラルスメクチックＣ相を
   呈する状態のときに行われる、 ことを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶素子の駆
   動方法。
8. 【請求項８】 前記エージング用電圧の印加は、ほぼ全
   ての画素に対して行われる、 ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
9. 【請求項９】 前記エージング用電圧の印加は、電源が
   オンされた後に自動的に行われる、 ことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
10. 【請求項１０】 前記エージング用電圧の印加は、スク
    リーンセーバが起動されるときに自動的に行われる、 ことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載
    の液晶素子の駆動方法。
11. 【請求項１１】 前記エージング用電圧の印加は、前記
    液晶素子に光照射がされていない状態で行われる、 ことを特徴とする請求項５乃至１０のいずれか１項に記
    載の液晶素子の駆動方法。