JP2004077542A - 液晶素子とその駆動方法及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【目的】安価で簡便に広視野角特性と高コントラスト比とを両立できる液晶素子を提供すること。
【構成】第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在することと、
前記両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、少なくとも何れか一方の基板において、前記Ｄ１領域とＤ２領域における平均的な配向規制力をそれぞれＡ１、Ａ２としたとき、それらが異なる値を有する。
【選択図】 図１
【構成】第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在することと、
前記両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、少なくとも何れか一方の基板において、前記Ｄ１領域とＤ２領域における平均的な配向規制力をそれぞれＡ１、Ａ２としたとき、それらが異なる値を有する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶を利用して種々の表示を行うカイラルスメクチック液晶素子とその駆動方法及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ネマチック液晶を利用したアクティブマトリクス型の液晶パネルが種々提案されている。以下、この液晶パネルについて説明する。
【０００３】
従来、１つ１つの画素にトランジスタのようなアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型液晶パネルとしてはネマチック液晶を用いたものがあり、様々なモードで使用されている。
【０００４】
例えば、広汎に用いられている代表的なモードとしてツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードがあり、該モードについては、「エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、ＡＰＰｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁から１２８頁」に開示されている。
【０００５】
又、最近では、従来型液晶パネルの欠点である視野角特性を改善するものとして、横方向電界を利用したインプレインスイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが発表されている。
【０００６】
ところで、上述したネマチック液晶を用いた場合には（何れのモードでも）応答速度が遅いという問題があり、近年は、そのような問題点のないカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルが注目されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反強誘電性液晶」等が提案されており、未だ実用化には至っていないものの、何れもサブミリ秒以下の高速応答性が実現できると報告されている。
【０００７】
次に、このようなカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルの一例について説明する。
【０００８】
例えば、特開２０００−３３８４６４号にて開示されている液晶パネルは、カイラルスメクチック液晶として、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）の相転移系列を示す液晶を、仮想コーンのエッジより内側の位置で安定化するように調整して用いており、斯かる液晶を一対の基板間に注入した後の冷却過程において（正確には、Ｃｈ−ＳｍＣ＊ 相転移の際、又はＩＳＯ−ＳｍＣ＊ 相転移の際に）液晶２にＤＣ電圧を印加する等して層方向を一方向に均一化させている。
【０００９】
この液晶パネルは、応答速度が速いという効果を有する他、階調制御が可能であって、動画質に優れ、高輝度であって量産性に優れるという特徴を有している。又、この液晶パネルは、自発分極値を小さくでき、アクティブ素子とのマッチングが良いものとなっている。
【００１０】
更に、特開２０００−２７５６８４号では所定の領域ごとに前記層の方向を変化させることによって、優れた動画質という特徴を維持したまま、より一層の視野角の向上が図られている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した特開２０００−２７５６８４号で述べた液晶パネル（以下、先願１と記載）においては領域ごとに層の方向を変化させることが特徴としているが、本発明者等の詳細な検討によると、用いる液晶材料によっては素子全面を同じ層方向に制御したサンプルＡと、先願１に記載に従って領域ごとに層の方向を変化させたサンプルＢとを比較したとき、サンプルＢのコントラスト比がサンプルＡに対して小さい値を取ってしまう場合があることが分かった。即ち、先願１で述べた液晶パネルは、視野角特性については極めて良好な特性を示すものの、用いる液晶材料によってはコントラスト比が小さくなってしまうことから、視野角とコントラストとを両立させるためには用いる液晶材料の選択肢が可成り限られたものとなっていた。
【００１２】
そこで、本発明は、先願１の液晶素子に対して、セル構成を工夫することにより安価で簡便に前記広視野角特性と高コントラスト比とを両立できる液晶素子を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在することと、
前記両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、少なくとも何れか一方の基板において、前記Ｄ１領域とＤ２領域における平均的な配向規制力をそれぞれＡ１、Ａ２としたとき、それらが異なる値を有していることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図６を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
先ず、本実施の形態にて製造され駆動される液晶素子の全体構成について図１を参照して説明する。
【００１６】
本実施の形態に係る液晶素子は、図１に符号Ｐで示すように、所定間隙を開けた状態に配置された一対の基板１ａ，１ｂと、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙に配置されたカイラルスメクチック液晶２と、複数の画素を構成すると共に該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むように配置された一対の電極３ａ，３ｂと、これらの一対の電極の何れか一方３ｂに接続された状態で各画素毎に配置された複数のアクティブ素子４と、を備えており、前記一対の電極３ａ，３ｂを介して前記カイラルスメクチック液晶２に電圧を印加することにより駆動されるように構成されている。
【００１７】
尚、カイラルスメクチック液晶２としては、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）の相転移系列を示すものを挙げることができる。尚、斯かる液晶２は、電圧を印加していない状態で液晶分子が仮想コーンのエッジ、或は仮想コーンの内側の位置で安定化する状態で用いると良い。
【００１８】
次に、本実施の形態に係る液晶素子の製造方法について説明する。
【００１９】
上述した液晶素子Ｐを製造するに際しては、一対の基板の両側に一軸配向処理を施す工程と、所定間隙を開けた状態に一対の基板１ａ，１ｂを配置する工程と、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙にカイラルスメクチック液晶２を配置する工程と、該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一対の電極３ａ，３ｂを配置する工程と、アクティブ素子４を各画素毎に一方の電極３ｂに接続した状態に配置する工程と、を適切な順序で実施する。
【００２０】
尚、このとき一対の基板を貼り合わせる際に、完全に平行（又は反平行）とはならず、所定の角度を有するように上下基板の一軸性配向処理の方向を規定する。更に、これら一対の基板のうち何れか一方の基板には、配向規制力に分布を持たせるようにする。この配向規制力の分布の持たせ方は、
・フォトレジストなどを用いてパターニングした後、一軸性配向処理を施すことで、一軸性配向処理を施す部分と施さない部分との２領域を作りこむ。或は予め全面に一軸性配向処理を施した後に前記プロセスにて一軸配向処理を再度繰り返し行う部分と行わない部分とに分けることにより、配向規制力の強弱を作りこむ。
【００２１】
・一旦基板全体に一軸性配向処理を施した後、部分的に紫外線を照射することで光照射した部分の一軸性配向規制力を消失又は減衰させる。
等、種々の方法が考えられるが、何れの方法を用いても良い。
【００２２】
次に、液晶素子Ｐの詳細構造について説明する。
【００２３】
先ず、カイラルスメクチック液晶２について説明する。
【００２４】
本実施の形態にて用いるカイラルスメクチック液晶２は、上述のような相転移系列のもの、即ち、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）の相転移系列を示すものが好ましいが、具体的には、次の（１）〜（４）に示す化合物を挙げることができる。
（１）
【００２５】
【化１】
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ｎ：０又は１
（２）
【００２６】
【化２】
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（３）
【００２７】
【化３】
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（４）
【００２８】
【化４】
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ところで、本実施の形態では、カイラルスメクチック液晶２については、その液晶材料の組成を調整し、更に液晶材料の処理や素子構成、例えば配向制御膜６ａ，６ｂの材料、処理条件等を適宜設定することにより、
▲１▼駆動電圧が印加されていない場合には、該液晶の平均分子軸（液晶分子）が単安定化されている配向状態を示し、
▲２▼第１の極性（例えば正極性）の駆動電圧が印加されて駆動される場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記単安定化された位置から一方の側にチルトし、
▲３▼他方の極性（前記第１の極性に対する逆極性をいう。例えば負極性。以下、同じ）の電圧が印加されている場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記単安定化された位置から他方の側（即ち、前記第１の極性の電圧を印加したときにチルトする側とは反対の側）にチルトする、ような特性を示すようにすることができる。
【００２９】
つまり、本実施の形態に用いる液晶２は、例えば図５に示す特性のものであって、カイラルスメクチック液晶本来のメモリ性（双安定性）が消失されたものであって、チルト角の大きさを印加電圧によって連続的に制御することができ、それに伴って液晶素子の光量も連続的に変化させることができ、階調表示を可能とするものである。この場合、前記第１の極性の駆動電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角は、前記他の極性の電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角と異ならせると良い。例えば、該他の極性の電圧を印加した場合、該電圧の大きさに拘らず、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ１領域と呼ぶ。
【００３０】
一方、前記処理条件を変えることにより、図５に示す特性に対してｙ軸に対して線対称な特性、即ち図６に示すように前記逆（例えば負）の極性の電圧を印加したときには大きく透過率が上昇し、前記第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときには逆極性（負）の電圧を印加したときとは異なった小さなチルト角を取らせることができる。又、このとき第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときに、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ２領域と呼ぶ。
【００３１】
次に、カイラルスメクチック液晶２以外の各構成部材等について説明する。
【００３２】
上述した基板１ａ，１ｂには、ガラスやプラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。
【００３３】
又、電極３ａ，３ｂには、Ｉｎ２ Ｏ３ やＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の材料を用いれば良く、これらの電極３ａ，３ｂはそれぞれの基板１ａ，１ｂに形成すると良い。尚、アクティブ素子４を接続する方の電極３ｂは、ドット状にマトリクス状に配置し、他方の電極３ａは、基板のほぼ全面（或は特定の領域）に形成すると良い。更に、アクティブ素子４としては、ＴＦＴやＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）等を用いれば良い。
【００３４】
又更に、各電極３ａ，３ｂの表面には、これらの電極間のショートを防止するための絶緑膜を形成すると良く（図１には、一方の電極３ｂを覆う絶縁膜５ｂのみ図示）、斯かる絶緑膜は、ＳｉＯ２ 、ＴｉＯ２ 、Ｔａ２ Ｏ５ 等にて形成すれば良い。
【００３５】
又、カイラルスメクチック液晶２に接する位置には、その配向状態を制御するために一軸配向処理を施した配向制御膜６ａ，６ｂを配置すると良い。斯かる配光制御膜６ａ，６ｂとしては、
＊ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等の有機材料から成る溶液を塗布して膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したものや、
＊ＳｉＯ等の酸化物や窒化物から成る無機材料を基板１ａ，１ｂに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成した斜方蒸着膜、
＊紫外線照射等によって一軸配向規制力を発生し得る光配向膜を用いたもの、を挙げることができる。尚、この配向制御膜６ａ，６ｂの材質や一軸配向処理の条件等により、液晶分子のプレチルト角（即ち、配向制御膜６ａ，６ｂの界面近傍において液晶分子が配向制御膜６ａ，６ｂに対してなす角度）が調整される。
【００３６】
このような配向制御膜６ａ，６ｂは、カイラルスメクチック液晶２の両側に配置してそれらの両方の基板に対して一軸配向処理を施せば良く、その場合における一軸配向処理方向（特にラビング方向）の関係は、用いる液晶材料を考慮して、４５°以下の範囲でクロスする関係に設定すれば良い。このとき、本発明の液晶素子では、厳密な意味でのアンチパラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ逆方向）及びパラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ同方向）の何れかの関係には設定しない。
【００３７】
尚、４５°以下の範囲でクロスする関係とは、２つのベクトル（一軸配向処理方向を示すベクトル）が４５°以下の範囲内でクロスする場合であって、それぞれのベクトル方向が同方向（正確には、４５°以下の角度ズレを有する）である場合や、それぞれのベクトル方向が逆方向である場合の両方を挙げることができる。そして、互いのベクトルの交差角度（狭い方の交差角度）の値が４５°以下で且つ０°に近いような場合は、それぞれのベクトルの関係は広義のアンチパラレル乃至パラレルの関係と称しても良い。
【００３８】
更に、基板１ａ，１ｂの間隙は、例えばシリカビーズ等から成るスペーサー（不図示）を配置する、若しくは隔壁（リブ）構造を形成することによって所定の間隙寸法を規定するようにしても良い。ここで言う隔壁（リブ）とは、例えばアクリル樹脂を、高さが略基板１ａ，１ｂの間隙寸法とし、幅１〜５００μｍ、長さは表示素子のパネルサイズを最大とした任意のサイズに適宜パターニングした構造体のことを指す。尚、間隙寸法は、液晶材料を考慮して最適範囲になるように調整すれば良いが、均一な一軸配向性を達成させ、且つ、電圧が印加されていない状態での液晶分子の平均分子軸を配向処理軸Ｒの平均方向の軸と実質的に一致させるために、０．３〜１０μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００３９】
又更に、基板１ａ，１ｂの間隙にエポキシ樹脂等から成る接着粒子（不図示）を分散配置して、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐの耐衝撃性を向上させても良い。
【００４０】
更に、液晶素子Ｐは、透過型としても良く、反射型としても良い。尚、透過型の場合には両方の基板１ａ，１ｂを透明にする必要があり、反射型の場合には、基板１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機能を付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能を付与する方法としては、
＊反射板や反射膜を、基板とは別体に設ける方法や、
＊基板自体を反射部材で形成する方法や、
等を挙げることができる。ここで、透過型の液晶素子の場合には両方の基板に偏光板を（それらの偏光軸が互いに直交するように）配置すれば良く、反射型の液晶素子の場合には少なくとも一方の基板に偏光板を設ければ良い。
【００４１】
ところで、上述した液晶素子Ｐを用いてカラー表示を行うようにしても良い。このようなカラー表示を行う方法としては、
＊各画素にカラーフィルターを配置する方法や、
＊そのようなカラーフィルターを用いず、液晶素子に対して異なる色の光を順次照射すると共に該光の照射に同期させて画像を変更する方法（所謂フィールドシーケンシャル方式）、
を挙げることができる。
【００４２】
又、上述した電極の何れか一方３ｂには、駆動回路（図２の符号２１参照）を接続して階調信号を入力し、該信号によってチルト角度（即ち、液晶の平均分子軸の単安定位置からのチルト角度）の大きさを制御して光透過率を制御し、それによって階調表示を行うようにすると良い。
【００４３】
次に、本実施の形態に係る液晶素子Ｐの詳細構成の一例について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４４】
図１に示す液晶素子Ｐは、所定間隙を開けた状態に配置した一対のガラス基板１ａ，１ｂを備えており、一方のガラス基板１ａの全面には、ほぼ均一な厚みの共通電極３ａが形成され、共通電極３ａの表面には配向制御膜６ａが形成されている。
【００４５】
又、他方のガラス基板１ｂの側には、図２に示すように、ゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…が図示Ｘ方向に多数配置され、ゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…とは絶縁された状態のソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…が図示Ｙ方向に多数配置されている。そして、これらのゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…及びソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…の各交点の画素には、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ（アモルファスＳｉＴＦＴ）４や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜から成る画素電極３ｂ及び保持容量電極７等が配置されている。
【００４６】
このうち、アモルファスＳｉＴＦＴ４は、図１に示すように、ゲート電極１０と、窒化シリコン（ＳｉＮｘ ）から成る絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｂと、半導体層であるａ−Ｓｉ層１１やｎ＋ ａ−Ｓｉ層１２，１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、チャネルを保護するチャネル保護膜１６と、によって構成されている。即ち、ガラス基板１ｂには各画素毎にゲート電極１０が形成され、該ゲート電極１０の表面は絶縁膜５ｂにて覆われ、絶縁膜５ｂの表面であってゲート電極１０を形成した位置にはａ−Ｓｉ層１１が形成されている。
【００４７】
又、このａ−Ｓｉ層１１の表面には、互いに離間するようにｎ＋ ａ−Ｓｉ層１２，１３が形成されており、各ｎ＋ ａ−Ｓｉ層１２，１３にはソース電極１４やドレイン電極１５が互いに離間した状態に形成されている。更に、これらのａ−Ｓｉ層１１や電極１４，１５を覆うようにチャネル保護膜１６が形成されている。
【００４８】
そして、ＴＦＴ４のゲート電極１０は上述したゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…を介して走査信号ドライバ２０に接続され、ＴＦＴ４のソース電極１４はソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…を介して情報信号ドライバ２１に接続され、ＴＦＴ４のドレイン電極１５は画素電極３ｂに接続されている。
【００４９】
ところで、上述した保持容量電極７はガラス基板１ｂの表面に形成されており、上述した絶縁膜５ｂは、この保持容量電極７及びガラス基板１ｂを覆う位置まで形成され、上述したソース電極１４や画素電極３ｂはこの絶縁膜５ｂの表面に形成されている。これにより、保持容量電極７と画素電極３ｂとは、絶縁膜５ｂを挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、液晶２と並列の形で設けられた保持容量Ｃｓ が構成されることとなる（図３参照）。
【００５０】
又、図１に示すように、上述したＴＦＴ４や画素電極３ｂの表面には配向制御膜６ｂが形成されており、その表面には一軸配向処理（ラビング処理）が施されている。
【００５１】
更に、これらのガラス基板１ａ，１ｂの間隙であって、画素電極３ｂと共通電極３ａとの間には、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶２が配置されていて、液晶容量Ｃｌｃが構成されることとなる（図３参照）。
【００５２】
又、このような液晶素子Ｐの両側には、互いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板（不図示）が配置されている。
【００５３】
尚、図１に示す液晶素子ＰではアモルファスＳｉＴＦＴを用いているが、勿論これに限る必要はなく、多結晶Ｓｉ（Ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴや単結晶Ｓｉ（Ｃ−Ｓｉ）ＴＦＴを用いても良い。
【００５４】
又、上述のアクティブ素子を備えた素子において、例えば図８に示すように、１ライン毎、又は画素毎、又は複数の画素を１つの単位としたブロック毎に、上述した電気光学特性の異なるドメインＤ１、Ｄ２を形成している。即ち、隣り合ったライン或は画素又はブロックにおける層方向を互いに異なるようにする。
【００５５】
こうした層方向の異なるドメインＤ１、Ｄ２を形成する手段としては、
１．Ｃｈ−ＳｍＣ＊ 相転移の際、又はＩ相−ＳｍＣ＊ 相転移の際に、例えばＤ１に負、Ｄ２に正のＤＣ電圧とする等、ドメインによって印加するＤＣ電圧の極性を変化させる。
【００５６】
２．Ｄ１、Ｄ２ドメイン部分に異なる配向膜を用いる。
【００５７】
３．Ｄ１、Ｄ２ドメイン部分に対する配向膜の処理法（ラビング強度、ＵＶ照射等の条件）を変える。
等、様々な方法が考えられるが、何れの手段を用いても良い。
【００５８】
一方、こうして得られた液晶素子を線順次駆動する際には、例えば偶数フィールドではパネル全面に第１の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドではパネル全面に第２の極性の電界が印加されるようなフレーム反転駆動によって駆動することができる。但し、このとき偶数フィールド（第１の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は小さくチルトする。逆に奇数フィールド（第２の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は大きくチルトする。
【００５９】
つまり、偶数・奇数フィールド何れにおいてもパネル表示は、領域Ｄ１或は領域Ｄ２の何れかが大きくチルトするため明表示となってしまい、ＣＲＴと同様なインパルス表示することにはならない、所謂ホールド表示になってしまうため、良好な動画質を得ることができない。
【００６０】
そこで、本発明では、Ｄ１とＤ２に対してそれぞれ正の電界と負の電界とが交互に印加されるようにそれぞれの映像信号線に信号を供給し、パネルに電界を与えることで、上記問題を解決することができる。つまり、例えば偶数フィールドでは領域Ｄ１に第１の極性の電界が印加され、領域Ｄ２に第２の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドでは領域Ｄ１に第２の極性の電界が印加され領域Ｄ２に第１の極性の電界が印加されるとする。
このとき、偶数フィールドでは領域Ｄ１に対して第１の極性の電界が印加されているため、液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２に対して第２の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は大きくチルトする。逆に奇数フィールドでは領域Ｄ１に対して第２の極性の電界が印加されているため液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２に対して第１の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は小さくチルトする。つまり、偶数フィールドにおいて高輝度表示で、奇数フィールドにおいて低輝度表示されることから、当該駆動を用いることにより良好な視野角特性を実現しつつ良好な動画質を得ることが可能となる。
【００６１】
尚、上述したように、ここで述べた低輝度表示の際には透過率がゼロの状態、即ち奇数フィールドにおいて何も表示されないような特性にしても良い。
【００６２】
次に、上述した液晶素子Ｐの駆動方法（通常の画像表示を行う場合の駆動方法）の一例について、１つの画素に着目して詳細に説明する。尚、層方向が異なる隣接ライン（又は画素或はブロック）についてはソース電圧の極性が逆になっているだけで、他は同じと考えて良い。
【００６３】
上述した液晶素子Ｐにおいては、走査信号ドライバ２０から各ゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…にはゲート電圧が線順次に印加され、ＴＦＴ４はゲート電圧が印加されることによってオン状態となる。
【００６４】
一方、ゲート電圧の印加に同期して、情報信号ドライバ２１からソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…にはソース電圧（各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧）が印加される。従って、ＴＦＴ４がオン状態にある画素では、ソース電圧がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して液晶２に印加され、液晶２のスイッチングが画素単位で行われる。
【００６５】
そして、このような駆動を一定期間（フレーム期間）毎に繰り返し、画像の書き換えを行うようになっている。
【００６６】
尚、図４に示すように、１つのフレーム期間Ｆ０ を複数のフィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ ，…に分割し、各フィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ ，…でそれぞれ画像書き換えを行うようにしても良い。以下、その駆動方法について説明する。
【００６７】
ここで、図４は各フレーム期間Ｆ０ を２つのフィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ に分割した例を示す図であり、同図（ａ）は、或る１本のゲート線Ｇｉ にゲート電圧Ｖｇ が印加される様子を示す図、同図（ｂ）は、或る１本のソース線Ｓｊ にソース電圧Ｖｓが印加される様子を示す図、同図（ｃ）は、これらゲート線Ｇｉ 及びソース線Ｓｊ の交差部の画素（即ち、液晶２）に電圧Ｖｐｉｘ が印加される様子を示す図、同図（ｄ）は、当該画素における透過光量の変化を示す図である。尚、液晶２には、図５に示すような電圧−透過率特性のものを用いている。
【００６８】
今、或る１本のゲート線Ｇｉ に一定期間（選択期間Ｔｏｎ）だけゲート電圧Ｖｇ が印加され（同図（ａ）参照）、或る１本のソース線Ｓｊ には、ゲート電圧Ｖｇ の印加に同期した選択期間Ｔｏｎに、共通電極３ａの電位Ｖｃ を基準電位としたソース電圧Ｖｓ（＝＋Ｖｘ ）が印加される（同図（ｂ）参照）。すると、当該画素のＴＦＴ４はゲート電圧Ｖｇ の印加によってオンされ、ソース電圧Ｖｘ がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して印加されて液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ の充電がなされる。
【００６９】
ところで、選択期間Ｔｏｎ以外の非選択期間Ｔｏｆｆ には、ゲート電圧Ｖｇ は他のゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…に印加されていて同図（ａ）に示すゲート線Ｇｉ には印加されず（ゲート電圧Ｖｇ が印加されていないだけであって、オフ電圧は印加されている）、当該画素のＴＦＴ４はオフとなる。従って、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ は、この間、充電された電荷を保持することとなる（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ１ を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ （＝＋Ｖｘ ）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｘ が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。
【００７０】
ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転が完了せず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ は同図（ｃ）のように＋Ｖｘ よりＶｄ だけ小さい値を取る。
【００７１】
次のフィールド期間Ｆ２ においては、上述したゲート線Ｇｉ には再びゲート電圧Ｖｇ が印加され（同図（ａ）参照）、これと同期してソース線Ｓｊ には、先のものとは逆極性のソース電圧−Ｖｘ が印加される（同図（ｂ）参照）。これによって、ソース電圧−Ｖｘ が液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ に充電されると共に、非選択期間Ｔｏｆｆ においてはその電荷が保持される（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ２ を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ （＝−Ｖｘ ）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｙ が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。
【００７２】
ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転は完了しておらず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ は図４（ｃ）のように−Ｖｘ よりＶｄ だけ大きい値を取る。
【００７３】
ところで、図４に示す駆動方法によれば、各フィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ 単位で印加電圧の大きさに応じて液晶２がスイッチングされ、各フィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ 単位で異なる階調表示状態（透過光量Ｔｘ ，Ｔｙ ）が得られ、フレーム期間Ｆ０ の全体でそれらＴｘ ，Ｔｙ を平均した透過光量が得られる。
【００７４】
尚、液晶２には図５に示す特性のものを用いているため、２番目のフィールド期間Ｆ２ における透過光量Ｔｙ は、Ｔｘ より可成り小さい値若しくはほぼ０レベルであり、フレーム期間全体の透過光量は、上述のような透過光量の平均化によって最初のフィールド期間Ｆ１ の透過光量に比べて大きく低下することとなる。従って、実際の駆動においては、フレ−ム期間全体で得たい透過光量（表示画像の階調）に基づいて、最初のフィールド期間Ｆ１ の透過光量Ｔｘ を（表示諧調よりも高めに）決定し、該透過光量Ｔｘ を得るような電圧Ｖｘ を印加すれば良い。
【００７５】
又、上述のように駆動した場合、奇数フィールド期間（例えばＦ１ ）では正極性の電圧（＋Ｖｘ ）が液晶２に印加され、偶数フィールド期間（例えばＦ２ ）では負極性の電圧（−Ｖｘ ）が液晶２に印加されることとなるため、液晶２に実際に印加される電圧が時間的に交流化され、液晶２の劣化が防止される。
【００７６】
更に、最初のフィールド期間Ｆ１ においては高輝度表示を行い、次のフィールド期間Ｆ２ では低輝度表示を行うため、時間開口率が５０％以下程度となる。従って、斯かる液晶素子で動画像を表示した場合、その画質が良好なものとなる。
【００７７】
ところで、コレステリック相からカイラルスメクチックＣ相へと相転移する相転移過程を詳細に偏光顕微鏡観測したとき、スメクチックＡ相と酷似した配向状態が観測される場合がある。しかしながら、本発明に使用される素子の本質はＳｍＣ＊相でスメクチック層の法線方向と一軸配向処理方向とが大きく異なっており、電圧無印加時に安定な分子位置がラビング方向に近い位置にあることである。つまり、こうした関係の層形成方向が実現されている場合には上記スメクチックＡ相的な液晶相は配向には寄与しないこととなるため、本願においてはこうした材料についてもスメクチックＡ相を含まない材料と定義する。
【００７８】
次に、本実施の形態の効果について説明する。
【００７９】
本発明では両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、何れか一方の基板１に対してはパネルの有効表示領域内においては一様な一軸性配向処理が施されており、該領域の全面がほぼ一様な配向規制力を有していることと、他方の基板２に対しては、前記Ｄ１領域とＤ２領域における平均的な配向規制力をそれぞれＡ１、Ａ２としたとき、それらが異なる値を有するよう制御することにより、安価で簡便に視野角特性とコントラスト比とを両立できる液晶素子が実現できる。
【００８０】
ここで、その効果について先ず前記基板２において領域毎の配向規制力の差が無い状態での場合について説明する。
【００８１】
簡単のため、平均的な一軸配向処理方向がソース線に平行となるよう上下基板間で８°程度のクロス角を有するようクロスラビングを施し、上述した広義のアンチパラレルラビング構成となるよう上下基板を配置した場合において、等方相−コレステリック（Ｃｈ）相−カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相という相系列を有する液晶材料を用いる場合を考える。
【００８２】
このとき、コレステリック相において液晶分子は基板界面ではラビング方向を向いて配向しており、バルクではクロスラビングにおいて設定した角度分だけ捩じれた、所謂ツイスト配向状態を形成している。このとき、液晶分子のダイレクタは平均的にはソース線に略平行方向を向いていることになる。
【００８３】
次いで、この状態から冷却してＳｍＣ＊相へと転移させる過程について説明する。通常、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後の層構造は分子配向方向が一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と略平行な方向を向いたままで、層の形成方向はおよそカイラルスメクチックＣ相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向に形成される。ここで、層の形成方向は＋方向と−方向の２通りが存在する。
【００８４】
そこで、本素子を上述したような良好な動画質を示すデバイスとして用いるためには、層の方向を何れか一方に制御し、且つ、それに応じた信号波形を用いて駆動する必要がある。ここでは、この層方向の制御のために、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へ相転移する温度近傍において弱い直流（例えば−２Ｖ程度）の電圧を用いて制御させるものとする。このように負の電圧にて層方向制御した場合におけるカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相での電気光学特性は図５に示すようなものとなり、正の電圧印加時において大きく分子がチルトし、負の電圧では小さくチルト若しくは全くチルトしないという特性にすることができる。
【００８５】
このとき、カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相における液晶分子の配向方向は、液晶材料によってはＳｍＣ＊相を呈する温度範囲内においてコレステリック（Ｃｈ）相における分子配向方向と略平行方向を維持するものもあるが、多くの液晶材料ではカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相において温度が変化するに連れＣｈ相における分子配向方向から数度程度のずれを生じてしまう。このＣｈ相における分子配向方向からのずれは以下のような原因で発生する。
【００８６】
先ず、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後では、上述したように分子配向方向は平均的な一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と略平行な方向を向いている。そして、およそカイラルスメクチックＣ 相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向にスメクチック層が形成される。
【００８７】
次いで、更に温度を下げていった時に、多くの液晶材料ではチルト角（Θ）に温度依存性が存在するために、層法線方向からの液晶分子の開き角が温度と共に変化する。即ち、温度を変化させることにより、電圧無印加時の液晶分子配向方向が変化する結果、Ｃｈ相における分子配向方向からのずれが生じてしまうことになる。このずれ角は、上記説明から分かるように、ＳｍＣ＊相内でのチルト角（Θ）の温度依存性が大きい程ずれ量が大きくなっている。尚、このときの液晶分子の平均的な一軸配向処理方向からずれる方向は、例えばスメクチック層の層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から反時計回りの位置に存在する場合には、時計回りの方向にずれることになる。逆に層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から時計回りの位置に存在する場合には、反時計回りの方向にずれることになる。
【００８８】
本発明の液晶素子は、上述したようにパネル内にＤ１とＤ２という２つの層方向を持つ領域を作り込んでいる。その作り込み方は、例えば所望の領域に対してＣｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において正の電圧を印加するか、負の電圧を印加するかを選択することにより２つの領域を選択的に形成することが可能となる。
【００８９】
ところが、特に例えばチルト角（Θ）に温度依存性がある液晶材料を用いる場合には、上述したように平均的な一軸配向処理方向からずれた位置に安定位置が存在することになる。このとき、平均的な一軸配向処理方向とＳｍＣ＊相における安定位置とのずれ角をρ［ｄｅｇ．］とすると、Ｄ１とＤ２では層の方向が異なっていることから、ＳｍＣ＊相における安定位置はＤ１とＤ２との間で２ρ［ｄｅｇ．］だけ異なることになる。
【００９０】
従って、例えば透過型の液晶素子においてクロスニコル下において電圧無印加時の安定状態を黒表示にしようとすると、Ｄ１とＤ２の少なくとも何れか一方はクロスニコルの偏光板の偏光軸から少なくともρ［ｄｅｇ．］以上ずれてしまう結果、黒表示時において光り抜けが生じコントラストの低下の原因となる。
【００９１】
そこで、本発明ではＤ１領域とＤ２領域における配向規制力を異ならせることにより、上記コントラストの低下を防ぐことができる。ここでは、簡単のため次の構成にて説明する。
【００９２】
先ず、上基板にはソース線に対して反時計回りに４度傾いた方向に一軸配向処理されており、下基板のＤ１領域に該当する領域にはソース線に対して時計回りに４°傾いた方向に一軸配向処理されており、下基板のＤ２領域に該当する領域には実質的に配向規制力が存在しないものとする。このとき、Ｄ１領域におけるＣｈ相での液晶分子は上述の通りツイスト配向を取っており、平均的なダイレクタはソース線と平行方向を向いている。
【００９３】
一方、Ｄ２領域におけるＣｈ相での液晶分子は上基板による配向規制力は受けるものの、下基板の配向規制力は実質的に存在していないために、Ｃｈ相における液晶の螺旋ピッチが十分長く捩れが無視できるものと仮定すると、平均的なダイレクタは上基板の一軸配向処理方向、即ちソース線に対して反時計回りに４°傾いた方向を向いている。この状態からＳｍＣ＊相へと冷却した場合には、上記Ｃｈ相での配向方向を基準として層形成が行われることになる。
【００９４】
ここで、ＳｍＣ＊相において、Ｄ１領域は正の電圧を印加したときに時計回りに大きくチルトし、負の電圧を印加したときには反時計回りに小さくチルトし、Ｄ２領域は正の電圧を印加したときに反時計回りに大きくチルトし、負の電圧を印加したときには時計回りに小さくチルトする領域であるとする。この場合、温度が低下するに連れてチルト角（Θ）が大きくなる液晶材料では、温度の低下と共に電圧無印加時の安定位置はＤ１領域においては反時計回りにずれていき、Ｄ２領域では時計回りにずれることになる。つまり、室温近傍等の実使用領域においてはＤ２領域の分子配向方向はＤ１領域に対して時計回りに数度ずれてしまうことになる。
【００９５】
ところが、上述の配向処理を施している場合には、スメクチック相への相転移直後の液晶分子配向方向は、Ｄ２領域がＤ１領域に対して反時計回りに４°傾いた方向に予め配向させている。つまり、チルト角（Θ）の温度依存性により電圧無印加時の安定位置がずれてしまった場合でも、それに応じた角度分だけ補償するようにＣｈ相における分子配向方向を設定しておくことにより、実使用温度範囲内においてＤ１領域とＤ２領域における電圧無印加時の液晶分子配向方向をほぼ完全に一致させることが可能となる。
【００９６】
そして、このような素子構成にすることによって有効表示領域の全面において実使用温度範囲内における液晶分子配向方向を偏光板の偏光軸と一致させることが可能となり、同一パネル内に２つの層方向を作り込んだ液晶素子においても、パネル全面にて良好なコントラスト比を実現できる。
【００９７】
尚、上記説明においては簡単のため、上基板は有効表示領域の全面で一様な配向規制力を有しており、下基板の１領域には配向規制力が存在し、下基板の他の領域には配向規制力が存在しない場合について詳細に説明したが、同様の考え方により、上基板の配向規制力の有無を分割しても良い。或は上下両方の基板について、それぞれの基板面内に配向規制力の分布を持たせても良い。
【００９８】
更に、上述のように配向規制力を全く持たせないようにするだけでなく、配向規制力の強弱といったような差を持たせても良い。尚、このときの強弱という表現の中では、配向規制力の差が何［Ｎ］程度であるかといった絶対値を定量的な議論は特に重要ではなく、その配向規制力の差によって液晶分子の配向方向に影響が及ぼされているかが重要である。即ち、相対的な配向規制力の大小関係が存在し、それにより液晶分子の配向方向が異なっていることが本発明の効果を発現させることの本質である。従って、上下のそれぞれの一軸配向処理方向が一方向で且つ上下基板間でクロス角を有していることと、Ｄ１・Ｄ２領域におけるＣｈ相での液晶分子配向方向がそれぞれ異なる方向に配向しているように配向規制力を適宜調整すれば良い。
【００９９】
【実施例】
以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
（液晶組成物の調製）
先ず、下記液晶性化合物を、それぞれの右側に併記した重量比率で混合し液晶組成物ＬＣ−１を調製した。
【０１００】
【化５】
上記液晶組成物ＬＣの物性パラメータを以下に示す。
【０１０１】
８６．３ ６１．２ −７．２
転移移温度（℃）：ＩＳＯ．→Ｃｈ→ＳｍＣ＊ →Ｃｒｙ
自発分極（３０℃）：Ｐｓ＝２．９ｎＣ／ｃｍ２
コーン角（３０℃）：Θ＝２３．３°（１００Ｈｚ、±１２．５Ｖ、基板間隙は１．４μｍ）
ＳｍＣ＊ 相での螺旋ピッチ（３０℃）：２０μｍ以上
（液晶セルの作製）
本実施例においては、図１及び図２に示すアクティブマトリクス型液晶パネル（液晶素子）Ｐを作製した。
【０１０２】
尚、基板１ａ，１ｂには厚さ１．１ｍｍのガラス基板を用い、それらには透明電極３ａ，３ｂを７００Å厚のＩＴＯにて形成した。又、一方のガラス基板１ａにはＲＧＢのカラーフィルター（不図示）を形成した。そして、画面サイズは１０．４インチとし、画素数（即ち、ＲＧＢの色画素（サブピクセル）によって構成される画素の数）は８００（横）×６００（縦）とした。尚、このときサブピクセル数は２４００（横）×６００（縦）となり、各サブピクセルの開口部のサイズは７５μｍ（横）×２３０μｍ（縦）であった（ゲートラインが横、ソースラインが縦）。
【０１０３】
更に、アクティブ素子４にはａ−ＳｉＴＦＴを用い、該ＴＦＴ４のゲート絶縁膜５ｂには窒化シリコン膜３ｂを用いた。
【０１０４】
又、配向制御膜６ａ，６ｂは、ポリイミド膜にて形成した。具体的には、市販のＴＦＴ用配向膜（日産化学社製のＳＥ７９９２）をスピンコート法により透明電極３ａ，３ｂを覆うように塗布し、その後、８０℃の温度で５分間の前乾燥を行い、更に２００℃の温度で１時間の加熱焼成を施すことによって形成し、その膜厚を１５０Åとした。
【０１０５】
尚、これらの配向制御膜６ａ，６ｂには、ナイロン布コットン布によるラビング処理（一軸配向処理）を施した。このラビング処理には、外周面にコットン布を貼り合わせた径１０ｃｍのラビングロールを用い、押し込み量を０．７ｍｍ、送り速度を１０ｃｍ／ｓｅｃとし、回転数を１０００ｒｐｍ、送り回数を４回とした。尚、このときのラビング方向は上下基板ともソース線に平行になるよう設定した。
【０１０６】
続いて、一方の基板上には、平均粒径１．５μｍのシリカビーズ（スペーサー）を散布し、各基板のラビング処理方向が互いにアンチパラレルとなるように貼り合わせ、均一な基板間隙のセルを得た。
【０１０７】
このようなプロセスで作製したセルに液晶組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶がカイラルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却し（但し、冷却速度は１℃／ｍｉｎとした）、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に（Ｔｃ−２℃〜Ｔｃ＋２℃の温度範囲内で）印加する電圧条件として、１ゲートライン毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に、奇数行に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧を、偶数行に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧を印加して液晶パネルＰ１を作製した。このときの層構造の様子を図８に模式的に示す。図７における斜線が層の方向を模式的に表している。
【０１０８】
こうして得られた液晶パネルＰ１の配向状態を室温にて偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２０°反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２０°時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
【０１０９】
更に詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において反時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
【０１１０】
次に、液晶パネルＰ１を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、このときの駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行に対しては正極性、偶数行に対しては負極性の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行に対しては負極性、偶数行に対しては正極性の電圧を印加する、
という所謂ライン反転駆動によって駆動した。このときの動画質評価として下記に示す評価法を用いた。
【０１１１】
ＴＦＴを用いたアクティブマトリックスパネルであるサンプルＰ１を用いて、動画質評価を行った。この動画質評価は１０名程度の非専門家による主観評価とし、下記５段階の尺度（カテゴリー）で評価した。評価に使用した画像は、ＢＴＡのハイビジョン標準画像（静止画）から３種類（肌色チャート、観光案内板、ヨットハーバー）を選び、その中の中心部分の４３２×１６８画素を切り出して使用した。
【０１１２】
更に、これらの画像をテレビ番組の一般的な動き速度程度である６．８（ｄｅｇ／ｓｅｃ）の一定速度で移動させて動画像を作成し、画像のボケを評価した。
【０１１３】
・尺度５…画面の周辺ボケが全く観察されずキレの良い良好な動画質。
【０１１４】
・尺度４…画面の周辺ボケが殆ど気にならない。
【０１１５】
・尺度３…画面の周辺ボケが観察され、細かい文字は判別し難い。
【０１１６】
・尺度２…画面の周辺ボケが顕著となり、大きな文字も判別し難い。
【０１１７】
・尺度１…画面全体にボケが顕著となり、原画像が殆ど判別不能。
【０１１８】
このときの画像ソースのコンピューター側からの出力は、１秒間に６０画面分を順次走査（プログレッシブ）するようなピクチャーレートとした。
【０１１９】
先ず、ＴＦＴパネル側（サンプル）の表示は、１秒間に６０フレームの表示を行い、上述したように１フレームを前半後半の２フィールドに分割して実質的に周波数１２０Ｈｚで動作させ、前半にて高輝度表示、後半にて低輝度表示するようなフレーム反転駆動を行った。
【０１２０】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１２１】
尚、この評価を一般的なＣＲＴを用いて行うと５段階評価で全員が５、応答が数十ｍＳ掛かる市販のＴＦＴタイプの液晶ディスプレイを用いると５段階評価で２〜３程度の評価結果であった。
【０１２２】
次いで、液晶パネルＰ１のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例２）
実施例１で述べたパネルＰ１とはラビング方向のみが異なり、他は全く同一プロセスで作製された液晶パネルＰ２を得た。このときのラビング方向は液晶パネルのＴＦＴアレイ側から見たときに、ＴＦＴアレイ側基板のラビング方向がソース線に対して反時計回りに４°傾いており、ＴＦＴアレイと対向する側の基板はソース線に対して時計回りに４°傾いているように設定し、明細書中で述べた広義のアンチパラレルラビングの配置となるようにした。
【０１２３】
こうして得られた液晶パネルＰ２の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、液晶パネルＰ１の配向状態とほぼ同様の配向状態であることが確認できた。又、液晶分子配向方向もＰ１とほぼ同様の方向に配向していた。
【０１２４】
次に、実施例１と同様に液晶パネルＰ１を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。
【０１２５】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【０１２６】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１２７】
次いで、液晶パネルＰ２のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例３）
実施例２で述べたパネルＰ２とはラビングの方向は同一ではあるものの、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に施すラビング処理をマスクラビング処理とし、ラビングした部分とラビングしていない部分を作りこんだ液晶パネルＰ３を得た。
【０１２８】
このときのマスクラビングとして、偶数ラインに対してはラビング処理を施して、奇数ラインに対してはラビング時にフォトレジストで保護することで、一軸配向規制力を付与しないようにした。尚、このフォトレジストを用いた配向規制力の分布を作り込む手法は次のように行った。
【０１２９】
先ず、ＴＦＴアレイと対向する側の基板におけるポリイミド膜について、配向膜塗布・焼成後に、ポジレジスト（東京応化ＯＦＰＲ−８００）を約２μｍ厚となるようスピンコートした。その後、８０℃、３０分間の前乾燥を行った後、１ゲートラインおきに透過・遮光が繰り返されるストライプ状のマスクパターンを用いて、ＵＶ（λ＝３６５ｎｍ）にて１６秒間露光した。その後、有機系現像液（ジプレー社製ＭＦＣＤ−２６）を用いて現像し、流水洗浄を３分間行った後、１００℃、１０分間の乾燥を行うことで、１ゲートライン毎にレジストが存在する部分と存在しない部分とが繰り返されるレジスト膜パターンを得た。
【０１３０】
次いで、こうして得られた基板上に実施例１と同様のラビング処理を施すことでレジスト膜が存在しない部分のみに一軸配向規制力を付与した。
【０１３１】
次いで、剥離液（ナガセ産業社製：レジストストリップＮ−３２０）を用いレジスト膜パターンを剥離した後、流水洗浄し基板を乾燥させた。こうすることで、基板面内に一軸配向規制力が存在しない部分と存在する部分との２領域を作り込んだ。
【０１３２】
こうして得られた液晶パネルＰ３の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２０度反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２４°時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
【０１３３】
更に詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において反時計回りに２°ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向も同様に、電圧無印加状態において反時計回りに２°ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
【０１３４】
次に、実施例２と同様に液晶パネルＰ３を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。
【０１３５】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【０１３６】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１３７】
次いで、液晶パネルＰ３のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは１５０であった。
（実施例４）
実施例３で述べたパネルＰ３とはＴＦＴアレイと対向する側の基板に施す一軸配向処理の手法を変えた液晶パネルＰ４を得た。このＰ４の一軸配向処理は以下のような手順で行った。
【０１３８】
先ず、ＴＦＴアレイ側基板およびＴＦＴアレイと対向する側の基板の両方に対し、実施例２で述べたパネルＰ２と同じ向きにラビング処理を行った。その後、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、偶数ラインに相当する部分には光が当たらないようマスクで覆った上で、奇数ラインに相当する部分にのみ低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは波長２５４ｎｍにおける照射エネルギーが９ｍＪ／ｃｍ２ とした。
【０１３９】
こうして得られた液晶パネルＰ４の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、液晶パネルＰ１及びＰ２の配向状態とほぼ同様の配向状態であることが確認できた。又、液晶分子配向方向もＰ１及びＰ２とほぼ同様の方向に配向していた。
【０１４０】
次に、実施例１と同様に液晶パネルＰ４を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。
【０１４１】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【０１４２】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１４３】
次いで、液晶パネルＰ４のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例５）
実施例４で述べたパネルＰ４とは紫外線照射条件のみが異なる５種類のパネルＰ５Ａ、Ｐ５Ｂ、Ｐ５Ｃ、Ｐ５Ｄ、Ｐ５Ｅを得た。このときの光照射条件は下表のようにした。
【０１４４】
表１
このときのコントラストの値を測定した。結果を下表に示す。
【０１４５】
表２
このように光照射条件を強くする程高いコントラスト値を示す結果を得た。
【０１４６】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１４７】
尚、Ｐ５Ｅの分子配向方向及び層の形成方向は例３で示したＰ３パネルと全く同じ方向を向いていた。即ち、強い紫外線照射によって実質的にラビング処理の効果が消失したものと考えられる。
（実施例６）
実施例５で示した５パネルとは光照射条件を若干変化させた５種類のパネルＰ６Ａ、Ｐ６Ｂ、Ｐ６Ｃ、Ｐ６Ｄ、Ｐ６Ｅを得た。このときの光照射処理条件として、先ず、ＴＦＴアレイ側基板及びＴＦＴアレイと対向する側の基板の両方に対し、実施例２で述べたパネルＰ２と同じ向きにラビング処理を行った。その後、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、先ず全面に低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは波長２５４ｎｍにおける照射エネルギーが９ｍＪ／ｃｍ２ とした。
【０１４８】
次いで、偶数ラインに相当する部分には光が当たらないようマスクで覆った上で、奇数ラインに相当する部分にのみ低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは実施例５で用いたＡ〜Ｅのパネルと同様の条件とした。
【０１４９】
こうして得られたパネルＰ６Ａ〜Ｅのコントラスト値を測定した。その結果、例５のＡ〜Ｅと本実施例Ａ〜Ｅでは全く同じコントラスト値を示していた。
【０１５０】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例７）
実施例６で示した５パネルとは光照射条件を若干変化させた５種類のパネルＰ７Ａ、Ｐ７Ｂ、Ｐ７Ｃ、Ｐ７Ｄ、Ｐ７Ｅを得た。このときの光照射処理条件として、先ずＴＦＴアレイ側基板及びＴＦＴアレイと対向する側の基板の両方に対し、実施例２で述べたパネルＰ２と同じ向きにラビング処理を行った。その後、ＴＦＴアレイ側基板及びＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、先ず全面に低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは波長２５４ｎｍにおける照射エネルギーが９ｍＪ／ｃｍ２ とした。
【０１５１】
次いで、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、偶数ラインに相当する部分には光が当たらないようマスクで覆った上で、奇数ラインに相当する部分にのみ低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは実施例５及び実施例６で用いたＡ〜Ｅのパネルと同様の条件とした。
【０１５２】
こうして得られたパネルＰ７Ａ〜Ｅのコントラスト値を測定した。その結果、実施例５及び実施例６のＡ〜Ｅと本実施例Ａ〜Ｅでは全く同じコントラスト値を示していた。
【０１５３】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例８）〜（実施例１４）
実施例１〜実施例７とは液晶相転移時に印加する電圧条件のみが異なり、他は全く同一プロセスで作製された液晶パネルＰ８〜Ｐ１４を得た（Ｐ１２〜Ｐ１４はＡ〜Ｅの各５種類）。このときの液晶相転移時に印加する電圧条件として、１ゲートライン（行）毎且つ１ソースライン（列）毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に、
１．奇数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては負極性のオフセット電圧、
２．奇数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては正極性のオフセット電圧、
３．偶数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては正極性のオフセット電圧、
４．偶数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては負極性のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ８〜１４を作製した。このときの層構造の様子を図８に模式的に示す。図８における斜線が層の方向を模式的に表している。
こうして得られた液晶パネルＰ８〜１４の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
【０１５４】
これらのパネルを用いて、実施例１〜実施例７と同様の実験を行った。
【０１５５】
このときのパネル駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては正極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては負極性の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては負極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては正極性の電圧を印加する、
という所謂ドット反転駆動によって駆動した。尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜実施例７と同じものとした。
【０１５６】
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【０１５７】
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、Ｐ８〜Ｐ１４それぞれのパネルのコントラスト値は、実施例１〜実施例７で示したそれぞれの類似のプロセスにて作製されたパネルＰ１〜Ｐ７と同じ値を示していた。
【０１５８】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例１５）〜（実施例２１）
実施例８〜１４で述べたパネルＰ８〜１４とは液晶相転移時に印加する電圧条件のみが異なり、他は全く同一プロセスで作製された液晶パネルＰ１５〜２１を得た（Ｐ１９〜Ｐ２１はＡ〜Ｅの各５種類）。
【０１５９】
このときの液晶相転移時に印加する電圧条件として、ＲＧＢを一まとまりとして１画素として考えたとき、縦横に隣接する画素に対して印加する電圧の正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に、
５．奇数行且つ奇数列に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧、
６．奇数行且つ偶数列に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧、
７．偶数行且つ奇数列に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧、
８．偶数行且つ偶数列に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ１５〜２１を作製した。このときの層構造の様子を図９に模式的に示す。図９における斜線が層の方向を模式的に表している。
【０１６０】
こうして得られた液晶パネルＰ１５〜２１の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
【０１６１】
次に、液晶パネルＰ１５〜２１を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、このとき駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
３．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列の画素に対しては正極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては負極性の電圧を印加して、
４．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列の画素に対しては負極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては正極性の電圧を印加する、
という３サブピクセルを一まとまりとしたブロックごとに駆動するようなブロック毎に反転する駆動によって駆動した。尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜実施例１４と同じものとした。
【０１６２】
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【０１６３】
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、Ｐ１５〜Ｐ２１それぞれのパネルのコントラスト値は、実施例１〜実施例７及び実施例８〜実施例１４で示したそれぞれの類似のプロセスにて作製されたパネルＰ１〜Ｐ７及びＰ８〜Ｐ１４と同じ値を示していた。
【０１６４】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１６５】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、１パネル内に複数の層方向を形成するカイラルスメクチック液晶を有するアクティブマトリクス型液晶パネルを作製するに当たり、上下基板の配向処理方向を完全な平行或は反平行とはせず、数度のクロス角を付けておくことと、少なくとも一方の基板において制御する領域に応じた配向規制力に制御されるよう配向規制力分布を持たせておくことによって、広視野角特性と高コントラスト比とを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す断面図である。
【図２】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す回路図である。
【図３】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す等価回路図である。
【図４】アクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方法を示すタイミングチャート図である。
【図５】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その１）である。
【図６】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その２）である。
【図７】実施例１〜７の層構造を示す図である。
【図８】実施例８〜１４の層構造を示す図である。
【図９】実施例１５〜２１の層構造を示す図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ ガラス基板（基板）
２ カイラルスメクチック液晶
３ａ 共通電極（電極）
３ｂ 画素電極（電極）
４ ＴＦＴ（アクティブ素子）
Ｐ 液晶パネル（液晶素子）
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶を利用して種々の表示を行うカイラルスメクチック液晶素子とその駆動方法及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ネマチック液晶を利用したアクティブマトリクス型の液晶パネルが種々提案されている。以下、この液晶パネルについて説明する。
【０００３】
従来、１つ１つの画素にトランジスタのようなアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型液晶パネルとしてはネマチック液晶を用いたものがあり、様々なモードで使用されている。
【０００４】
例えば、広汎に用いられている代表的なモードとしてツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードがあり、該モードについては、「エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、ＡＰＰｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁から１２８頁」に開示されている。
【０００５】
又、最近では、従来型液晶パネルの欠点である視野角特性を改善するものとして、横方向電界を利用したインプレインスイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが発表されている。
【０００６】
ところで、上述したネマチック液晶を用いた場合には（何れのモードでも）応答速度が遅いという問題があり、近年は、そのような問題点のないカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルが注目されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反強誘電性液晶」等が提案されており、未だ実用化には至っていないものの、何れもサブミリ秒以下の高速応答性が実現できると報告されている。
【０００７】
次に、このようなカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルの一例について説明する。
【０００８】
例えば、特開２０００−３３８４６４号にて開示されている液晶パネルは、カイラルスメクチック液晶として、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）の相転移系列を示す液晶を、仮想コーンのエッジより内側の位置で安定化するように調整して用いており、斯かる液晶を一対の基板間に注入した後の冷却過程において（正確には、Ｃｈ−ＳｍＣ＊ 相転移の際、又はＩＳＯ−ＳｍＣ＊ 相転移の際に）液晶２にＤＣ電圧を印加する等して層方向を一方向に均一化させている。
【０００９】
この液晶パネルは、応答速度が速いという効果を有する他、階調制御が可能であって、動画質に優れ、高輝度であって量産性に優れるという特徴を有している。又、この液晶パネルは、自発分極値を小さくでき、アクティブ素子とのマッチングが良いものとなっている。
【００１０】
更に、特開２０００−２７５６８４号では所定の領域ごとに前記層の方向を変化させることによって、優れた動画質という特徴を維持したまま、より一層の視野角の向上が図られている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した特開２０００−２７５６８４号で述べた液晶パネル（以下、先願１と記載）においては領域ごとに層の方向を変化させることが特徴としているが、本発明者等の詳細な検討によると、用いる液晶材料によっては素子全面を同じ層方向に制御したサンプルＡと、先願１に記載に従って領域ごとに層の方向を変化させたサンプルＢとを比較したとき、サンプルＢのコントラスト比がサンプルＡに対して小さい値を取ってしまう場合があることが分かった。即ち、先願１で述べた液晶パネルは、視野角特性については極めて良好な特性を示すものの、用いる液晶材料によってはコントラスト比が小さくなってしまうことから、視野角とコントラストとを両立させるためには用いる液晶材料の選択肢が可成り限られたものとなっていた。
【００１２】
そこで、本発明は、先願１の液晶素子に対して、セル構成を工夫することにより安価で簡便に前記広視野角特性と高コントラスト比とを両立できる液晶素子を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在することと、
前記両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、少なくとも何れか一方の基板において、前記Ｄ１領域とＤ２領域における平均的な配向規制力をそれぞれＡ１、Ａ２としたとき、それらが異なる値を有していることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図６を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１５】
先ず、本実施の形態にて製造され駆動される液晶素子の全体構成について図１を参照して説明する。
【００１６】
本実施の形態に係る液晶素子は、図１に符号Ｐで示すように、所定間隙を開けた状態に配置された一対の基板１ａ，１ｂと、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙に配置されたカイラルスメクチック液晶２と、複数の画素を構成すると共に該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むように配置された一対の電極３ａ，３ｂと、これらの一対の電極の何れか一方３ｂに接続された状態で各画素毎に配置された複数のアクティブ素子４と、を備えており、前記一対の電極３ａ，３ｂを介して前記カイラルスメクチック液晶２に電圧を印加することにより駆動されるように構成されている。
【００１７】
尚、カイラルスメクチック液晶２としては、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）の相転移系列を示すものを挙げることができる。尚、斯かる液晶２は、電圧を印加していない状態で液晶分子が仮想コーンのエッジ、或は仮想コーンの内側の位置で安定化する状態で用いると良い。
【００１８】
次に、本実施の形態に係る液晶素子の製造方法について説明する。
【００１９】
上述した液晶素子Ｐを製造するに際しては、一対の基板の両側に一軸配向処理を施す工程と、所定間隙を開けた状態に一対の基板１ａ，１ｂを配置する工程と、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙にカイラルスメクチック液晶２を配置する工程と、該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一対の電極３ａ，３ｂを配置する工程と、アクティブ素子４を各画素毎に一方の電極３ｂに接続した状態に配置する工程と、を適切な順序で実施する。
【００２０】
尚、このとき一対の基板を貼り合わせる際に、完全に平行（又は反平行）とはならず、所定の角度を有するように上下基板の一軸性配向処理の方向を規定する。更に、これら一対の基板のうち何れか一方の基板には、配向規制力に分布を持たせるようにする。この配向規制力の分布の持たせ方は、
・フォトレジストなどを用いてパターニングした後、一軸性配向処理を施すことで、一軸性配向処理を施す部分と施さない部分との２領域を作りこむ。或は予め全面に一軸性配向処理を施した後に前記プロセスにて一軸配向処理を再度繰り返し行う部分と行わない部分とに分けることにより、配向規制力の強弱を作りこむ。
【００２１】
・一旦基板全体に一軸性配向処理を施した後、部分的に紫外線を照射することで光照射した部分の一軸性配向規制力を消失又は減衰させる。
等、種々の方法が考えられるが、何れの方法を用いても良い。
【００２２】
次に、液晶素子Ｐの詳細構造について説明する。
【００２３】
先ず、カイラルスメクチック液晶２について説明する。
【００２４】
本実施の形態にて用いるカイラルスメクチック液晶２は、上述のような相転移系列のもの、即ち、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）の相転移系列を示すものが好ましいが、具体的には、次の（１）〜（４）に示す化合物を挙げることができる。
（１）
【００２５】
【化１】
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ｎ：０又は１
（２）
【００２６】
【化２】
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（３）
【００２７】
【化３】
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（４）
【００２８】
【化４】
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ところで、本実施の形態では、カイラルスメクチック液晶２については、その液晶材料の組成を調整し、更に液晶材料の処理や素子構成、例えば配向制御膜６ａ，６ｂの材料、処理条件等を適宜設定することにより、
▲１▼駆動電圧が印加されていない場合には、該液晶の平均分子軸（液晶分子）が単安定化されている配向状態を示し、
▲２▼第１の極性（例えば正極性）の駆動電圧が印加されて駆動される場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記単安定化された位置から一方の側にチルトし、
▲３▼他方の極性（前記第１の極性に対する逆極性をいう。例えば負極性。以下、同じ）の電圧が印加されている場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記単安定化された位置から他方の側（即ち、前記第１の極性の電圧を印加したときにチルトする側とは反対の側）にチルトする、ような特性を示すようにすることができる。
【００２９】
つまり、本実施の形態に用いる液晶２は、例えば図５に示す特性のものであって、カイラルスメクチック液晶本来のメモリ性（双安定性）が消失されたものであって、チルト角の大きさを印加電圧によって連続的に制御することができ、それに伴って液晶素子の光量も連続的に変化させることができ、階調表示を可能とするものである。この場合、前記第１の極性の駆動電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角は、前記他の極性の電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角と異ならせると良い。例えば、該他の極性の電圧を印加した場合、該電圧の大きさに拘らず、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ１領域と呼ぶ。
【００３０】
一方、前記処理条件を変えることにより、図５に示す特性に対してｙ軸に対して線対称な特性、即ち図６に示すように前記逆（例えば負）の極性の電圧を印加したときには大きく透過率が上昇し、前記第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときには逆極性（負）の電圧を印加したときとは異なった小さなチルト角を取らせることができる。又、このとき第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときに、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ２領域と呼ぶ。
【００３１】
次に、カイラルスメクチック液晶２以外の各構成部材等について説明する。
【００３２】
上述した基板１ａ，１ｂには、ガラスやプラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。
【００３３】
又、電極３ａ，３ｂには、Ｉｎ２ Ｏ３ やＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の材料を用いれば良く、これらの電極３ａ，３ｂはそれぞれの基板１ａ，１ｂに形成すると良い。尚、アクティブ素子４を接続する方の電極３ｂは、ドット状にマトリクス状に配置し、他方の電極３ａは、基板のほぼ全面（或は特定の領域）に形成すると良い。更に、アクティブ素子４としては、ＴＦＴやＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）等を用いれば良い。
【００３４】
又更に、各電極３ａ，３ｂの表面には、これらの電極間のショートを防止するための絶緑膜を形成すると良く（図１には、一方の電極３ｂを覆う絶縁膜５ｂのみ図示）、斯かる絶緑膜は、ＳｉＯ２ 、ＴｉＯ２ 、Ｔａ２ Ｏ５ 等にて形成すれば良い。
【００３５】
又、カイラルスメクチック液晶２に接する位置には、その配向状態を制御するために一軸配向処理を施した配向制御膜６ａ，６ｂを配置すると良い。斯かる配光制御膜６ａ，６ｂとしては、
＊ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等の有機材料から成る溶液を塗布して膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したものや、
＊ＳｉＯ等の酸化物や窒化物から成る無機材料を基板１ａ，１ｂに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成した斜方蒸着膜、
＊紫外線照射等によって一軸配向規制力を発生し得る光配向膜を用いたもの、を挙げることができる。尚、この配向制御膜６ａ，６ｂの材質や一軸配向処理の条件等により、液晶分子のプレチルト角（即ち、配向制御膜６ａ，６ｂの界面近傍において液晶分子が配向制御膜６ａ，６ｂに対してなす角度）が調整される。
【００３６】
このような配向制御膜６ａ，６ｂは、カイラルスメクチック液晶２の両側に配置してそれらの両方の基板に対して一軸配向処理を施せば良く、その場合における一軸配向処理方向（特にラビング方向）の関係は、用いる液晶材料を考慮して、４５°以下の範囲でクロスする関係に設定すれば良い。このとき、本発明の液晶素子では、厳密な意味でのアンチパラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ逆方向）及びパラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ同方向）の何れかの関係には設定しない。
【００３７】
尚、４５°以下の範囲でクロスする関係とは、２つのベクトル（一軸配向処理方向を示すベクトル）が４５°以下の範囲内でクロスする場合であって、それぞれのベクトル方向が同方向（正確には、４５°以下の角度ズレを有する）である場合や、それぞれのベクトル方向が逆方向である場合の両方を挙げることができる。そして、互いのベクトルの交差角度（狭い方の交差角度）の値が４５°以下で且つ０°に近いような場合は、それぞれのベクトルの関係は広義のアンチパラレル乃至パラレルの関係と称しても良い。
【００３８】
更に、基板１ａ，１ｂの間隙は、例えばシリカビーズ等から成るスペーサー（不図示）を配置する、若しくは隔壁（リブ）構造を形成することによって所定の間隙寸法を規定するようにしても良い。ここで言う隔壁（リブ）とは、例えばアクリル樹脂を、高さが略基板１ａ，１ｂの間隙寸法とし、幅１〜５００μｍ、長さは表示素子のパネルサイズを最大とした任意のサイズに適宜パターニングした構造体のことを指す。尚、間隙寸法は、液晶材料を考慮して最適範囲になるように調整すれば良いが、均一な一軸配向性を達成させ、且つ、電圧が印加されていない状態での液晶分子の平均分子軸を配向処理軸Ｒの平均方向の軸と実質的に一致させるために、０．３〜１０μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００３９】
又更に、基板１ａ，１ｂの間隙にエポキシ樹脂等から成る接着粒子（不図示）を分散配置して、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐの耐衝撃性を向上させても良い。
【００４０】
更に、液晶素子Ｐは、透過型としても良く、反射型としても良い。尚、透過型の場合には両方の基板１ａ，１ｂを透明にする必要があり、反射型の場合には、基板１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機能を付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能を付与する方法としては、
＊反射板や反射膜を、基板とは別体に設ける方法や、
＊基板自体を反射部材で形成する方法や、
等を挙げることができる。ここで、透過型の液晶素子の場合には両方の基板に偏光板を（それらの偏光軸が互いに直交するように）配置すれば良く、反射型の液晶素子の場合には少なくとも一方の基板に偏光板を設ければ良い。
【００４１】
ところで、上述した液晶素子Ｐを用いてカラー表示を行うようにしても良い。このようなカラー表示を行う方法としては、
＊各画素にカラーフィルターを配置する方法や、
＊そのようなカラーフィルターを用いず、液晶素子に対して異なる色の光を順次照射すると共に該光の照射に同期させて画像を変更する方法（所謂フィールドシーケンシャル方式）、
を挙げることができる。
【００４２】
又、上述した電極の何れか一方３ｂには、駆動回路（図２の符号２１参照）を接続して階調信号を入力し、該信号によってチルト角度（即ち、液晶の平均分子軸の単安定位置からのチルト角度）の大きさを制御して光透過率を制御し、それによって階調表示を行うようにすると良い。
【００４３】
次に、本実施の形態に係る液晶素子Ｐの詳細構成の一例について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４４】
図１に示す液晶素子Ｐは、所定間隙を開けた状態に配置した一対のガラス基板１ａ，１ｂを備えており、一方のガラス基板１ａの全面には、ほぼ均一な厚みの共通電極３ａが形成され、共通電極３ａの表面には配向制御膜６ａが形成されている。
【００４５】
又、他方のガラス基板１ｂの側には、図２に示すように、ゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…が図示Ｘ方向に多数配置され、ゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…とは絶縁された状態のソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…が図示Ｙ方向に多数配置されている。そして、これらのゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…及びソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…の各交点の画素には、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ（アモルファスＳｉＴＦＴ）４や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜から成る画素電極３ｂ及び保持容量電極７等が配置されている。
【００４６】
このうち、アモルファスＳｉＴＦＴ４は、図１に示すように、ゲート電極１０と、窒化シリコン（ＳｉＮｘ ）から成る絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｂと、半導体層であるａ−Ｓｉ層１１やｎ＋ ａ−Ｓｉ層１２，１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、チャネルを保護するチャネル保護膜１６と、によって構成されている。即ち、ガラス基板１ｂには各画素毎にゲート電極１０が形成され、該ゲート電極１０の表面は絶縁膜５ｂにて覆われ、絶縁膜５ｂの表面であってゲート電極１０を形成した位置にはａ−Ｓｉ層１１が形成されている。
【００４７】
又、このａ−Ｓｉ層１１の表面には、互いに離間するようにｎ＋ ａ−Ｓｉ層１２，１３が形成されており、各ｎ＋ ａ−Ｓｉ層１２，１３にはソース電極１４やドレイン電極１５が互いに離間した状態に形成されている。更に、これらのａ−Ｓｉ層１１や電極１４，１５を覆うようにチャネル保護膜１６が形成されている。
【００４８】
そして、ＴＦＴ４のゲート電極１０は上述したゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…を介して走査信号ドライバ２０に接続され、ＴＦＴ４のソース電極１４はソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…を介して情報信号ドライバ２１に接続され、ＴＦＴ４のドレイン電極１５は画素電極３ｂに接続されている。
【００４９】
ところで、上述した保持容量電極７はガラス基板１ｂの表面に形成されており、上述した絶縁膜５ｂは、この保持容量電極７及びガラス基板１ｂを覆う位置まで形成され、上述したソース電極１４や画素電極３ｂはこの絶縁膜５ｂの表面に形成されている。これにより、保持容量電極７と画素電極３ｂとは、絶縁膜５ｂを挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、液晶２と並列の形で設けられた保持容量Ｃｓ が構成されることとなる（図３参照）。
【００５０】
又、図１に示すように、上述したＴＦＴ４や画素電極３ｂの表面には配向制御膜６ｂが形成されており、その表面には一軸配向処理（ラビング処理）が施されている。
【００５１】
更に、これらのガラス基板１ａ，１ｂの間隙であって、画素電極３ｂと共通電極３ａとの間には、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶２が配置されていて、液晶容量Ｃｌｃが構成されることとなる（図３参照）。
【００５２】
又、このような液晶素子Ｐの両側には、互いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板（不図示）が配置されている。
【００５３】
尚、図１に示す液晶素子ＰではアモルファスＳｉＴＦＴを用いているが、勿論これに限る必要はなく、多結晶Ｓｉ（Ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴや単結晶Ｓｉ（Ｃ−Ｓｉ）ＴＦＴを用いても良い。
【００５４】
又、上述のアクティブ素子を備えた素子において、例えば図８に示すように、１ライン毎、又は画素毎、又は複数の画素を１つの単位としたブロック毎に、上述した電気光学特性の異なるドメインＤ１、Ｄ２を形成している。即ち、隣り合ったライン或は画素又はブロックにおける層方向を互いに異なるようにする。
【００５５】
こうした層方向の異なるドメインＤ１、Ｄ２を形成する手段としては、
１．Ｃｈ−ＳｍＣ＊ 相転移の際、又はＩ相−ＳｍＣ＊ 相転移の際に、例えばＤ１に負、Ｄ２に正のＤＣ電圧とする等、ドメインによって印加するＤＣ電圧の極性を変化させる。
【００５６】
２．Ｄ１、Ｄ２ドメイン部分に異なる配向膜を用いる。
【００５７】
３．Ｄ１、Ｄ２ドメイン部分に対する配向膜の処理法（ラビング強度、ＵＶ照射等の条件）を変える。
等、様々な方法が考えられるが、何れの手段を用いても良い。
【００５８】
一方、こうして得られた液晶素子を線順次駆動する際には、例えば偶数フィールドではパネル全面に第１の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドではパネル全面に第２の極性の電界が印加されるようなフレーム反転駆動によって駆動することができる。但し、このとき偶数フィールド（第１の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は小さくチルトする。逆に奇数フィールド（第２の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は大きくチルトする。
【００５９】
つまり、偶数・奇数フィールド何れにおいてもパネル表示は、領域Ｄ１或は領域Ｄ２の何れかが大きくチルトするため明表示となってしまい、ＣＲＴと同様なインパルス表示することにはならない、所謂ホールド表示になってしまうため、良好な動画質を得ることができない。
【００６０】
そこで、本発明では、Ｄ１とＤ２に対してそれぞれ正の電界と負の電界とが交互に印加されるようにそれぞれの映像信号線に信号を供給し、パネルに電界を与えることで、上記問題を解決することができる。つまり、例えば偶数フィールドでは領域Ｄ１に第１の極性の電界が印加され、領域Ｄ２に第２の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドでは領域Ｄ１に第２の極性の電界が印加され領域Ｄ２に第１の極性の電界が印加されるとする。
このとき、偶数フィールドでは領域Ｄ１に対して第１の極性の電界が印加されているため、液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２に対して第２の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は大きくチルトする。逆に奇数フィールドでは領域Ｄ１に対して第２の極性の電界が印加されているため液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２に対して第１の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は小さくチルトする。つまり、偶数フィールドにおいて高輝度表示で、奇数フィールドにおいて低輝度表示されることから、当該駆動を用いることにより良好な視野角特性を実現しつつ良好な動画質を得ることが可能となる。
【００６１】
尚、上述したように、ここで述べた低輝度表示の際には透過率がゼロの状態、即ち奇数フィールドにおいて何も表示されないような特性にしても良い。
【００６２】
次に、上述した液晶素子Ｐの駆動方法（通常の画像表示を行う場合の駆動方法）の一例について、１つの画素に着目して詳細に説明する。尚、層方向が異なる隣接ライン（又は画素或はブロック）についてはソース電圧の極性が逆になっているだけで、他は同じと考えて良い。
【００６３】
上述した液晶素子Ｐにおいては、走査信号ドライバ２０から各ゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…にはゲート電圧が線順次に印加され、ＴＦＴ４はゲート電圧が印加されることによってオン状態となる。
【００６４】
一方、ゲート電圧の印加に同期して、情報信号ドライバ２１からソース線Ｓ１ ，Ｓ２ ，…にはソース電圧（各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧）が印加される。従って、ＴＦＴ４がオン状態にある画素では、ソース電圧がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して液晶２に印加され、液晶２のスイッチングが画素単位で行われる。
【００６５】
そして、このような駆動を一定期間（フレーム期間）毎に繰り返し、画像の書き換えを行うようになっている。
【００６６】
尚、図４に示すように、１つのフレーム期間Ｆ０ を複数のフィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ ，…に分割し、各フィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ ，…でそれぞれ画像書き換えを行うようにしても良い。以下、その駆動方法について説明する。
【００６７】
ここで、図４は各フレーム期間Ｆ０ を２つのフィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ に分割した例を示す図であり、同図（ａ）は、或る１本のゲート線Ｇｉ にゲート電圧Ｖｇ が印加される様子を示す図、同図（ｂ）は、或る１本のソース線Ｓｊ にソース電圧Ｖｓが印加される様子を示す図、同図（ｃ）は、これらゲート線Ｇｉ 及びソース線Ｓｊ の交差部の画素（即ち、液晶２）に電圧Ｖｐｉｘ が印加される様子を示す図、同図（ｄ）は、当該画素における透過光量の変化を示す図である。尚、液晶２には、図５に示すような電圧−透過率特性のものを用いている。
【００６８】
今、或る１本のゲート線Ｇｉ に一定期間（選択期間Ｔｏｎ）だけゲート電圧Ｖｇ が印加され（同図（ａ）参照）、或る１本のソース線Ｓｊ には、ゲート電圧Ｖｇ の印加に同期した選択期間Ｔｏｎに、共通電極３ａの電位Ｖｃ を基準電位としたソース電圧Ｖｓ（＝＋Ｖｘ ）が印加される（同図（ｂ）参照）。すると、当該画素のＴＦＴ４はゲート電圧Ｖｇ の印加によってオンされ、ソース電圧Ｖｘ がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して印加されて液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ の充電がなされる。
【００６９】
ところで、選択期間Ｔｏｎ以外の非選択期間Ｔｏｆｆ には、ゲート電圧Ｖｇ は他のゲート線Ｇ１ ，Ｇ２ ，…に印加されていて同図（ａ）に示すゲート線Ｇｉ には印加されず（ゲート電圧Ｖｇ が印加されていないだけであって、オフ電圧は印加されている）、当該画素のＴＦＴ４はオフとなる。従って、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ は、この間、充電された電荷を保持することとなる（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ１ を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ （＝＋Ｖｘ ）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｘ が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。
【００７０】
ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転が完了せず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ は同図（ｃ）のように＋Ｖｘ よりＶｄ だけ小さい値を取る。
【００７１】
次のフィールド期間Ｆ２ においては、上述したゲート線Ｇｉ には再びゲート電圧Ｖｇ が印加され（同図（ａ）参照）、これと同期してソース線Ｓｊ には、先のものとは逆極性のソース電圧−Ｖｘ が印加される（同図（ｂ）参照）。これによって、ソース電圧−Ｖｘ が液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ に充電されると共に、非選択期間Ｔｏｆｆ においてはその電荷が保持される（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ２ を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ （＝−Ｖｘ ）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｙ が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。
【００７２】
ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転は完了しておらず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ は図４（ｃ）のように−Ｖｘ よりＶｄ だけ大きい値を取る。
【００７３】
ところで、図４に示す駆動方法によれば、各フィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ 単位で印加電圧の大きさに応じて液晶２がスイッチングされ、各フィールド期間Ｆ１ ，Ｆ２ 単位で異なる階調表示状態（透過光量Ｔｘ ，Ｔｙ ）が得られ、フレーム期間Ｆ０ の全体でそれらＴｘ ，Ｔｙ を平均した透過光量が得られる。
【００７４】
尚、液晶２には図５に示す特性のものを用いているため、２番目のフィールド期間Ｆ２ における透過光量Ｔｙ は、Ｔｘ より可成り小さい値若しくはほぼ０レベルであり、フレーム期間全体の透過光量は、上述のような透過光量の平均化によって最初のフィールド期間Ｆ１ の透過光量に比べて大きく低下することとなる。従って、実際の駆動においては、フレ−ム期間全体で得たい透過光量（表示画像の階調）に基づいて、最初のフィールド期間Ｆ１ の透過光量Ｔｘ を（表示諧調よりも高めに）決定し、該透過光量Ｔｘ を得るような電圧Ｖｘ を印加すれば良い。
【００７５】
又、上述のように駆動した場合、奇数フィールド期間（例えばＦ１ ）では正極性の電圧（＋Ｖｘ ）が液晶２に印加され、偶数フィールド期間（例えばＦ２ ）では負極性の電圧（−Ｖｘ ）が液晶２に印加されることとなるため、液晶２に実際に印加される電圧が時間的に交流化され、液晶２の劣化が防止される。
【００７６】
更に、最初のフィールド期間Ｆ１ においては高輝度表示を行い、次のフィールド期間Ｆ２ では低輝度表示を行うため、時間開口率が５０％以下程度となる。従って、斯かる液晶素子で動画像を表示した場合、その画質が良好なものとなる。
【００７７】
ところで、コレステリック相からカイラルスメクチックＣ相へと相転移する相転移過程を詳細に偏光顕微鏡観測したとき、スメクチックＡ相と酷似した配向状態が観測される場合がある。しかしながら、本発明に使用される素子の本質はＳｍＣ＊相でスメクチック層の法線方向と一軸配向処理方向とが大きく異なっており、電圧無印加時に安定な分子位置がラビング方向に近い位置にあることである。つまり、こうした関係の層形成方向が実現されている場合には上記スメクチックＡ相的な液晶相は配向には寄与しないこととなるため、本願においてはこうした材料についてもスメクチックＡ相を含まない材料と定義する。
【００７８】
次に、本実施の形態の効果について説明する。
【００７９】
本発明では両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、何れか一方の基板１に対してはパネルの有効表示領域内においては一様な一軸性配向処理が施されており、該領域の全面がほぼ一様な配向規制力を有していることと、他方の基板２に対しては、前記Ｄ１領域とＤ２領域における平均的な配向規制力をそれぞれＡ１、Ａ２としたとき、それらが異なる値を有するよう制御することにより、安価で簡便に視野角特性とコントラスト比とを両立できる液晶素子が実現できる。
【００８０】
ここで、その効果について先ず前記基板２において領域毎の配向規制力の差が無い状態での場合について説明する。
【００８１】
簡単のため、平均的な一軸配向処理方向がソース線に平行となるよう上下基板間で８°程度のクロス角を有するようクロスラビングを施し、上述した広義のアンチパラレルラビング構成となるよう上下基板を配置した場合において、等方相−コレステリック（Ｃｈ）相−カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相という相系列を有する液晶材料を用いる場合を考える。
【００８２】
このとき、コレステリック相において液晶分子は基板界面ではラビング方向を向いて配向しており、バルクではクロスラビングにおいて設定した角度分だけ捩じれた、所謂ツイスト配向状態を形成している。このとき、液晶分子のダイレクタは平均的にはソース線に略平行方向を向いていることになる。
【００８３】
次いで、この状態から冷却してＳｍＣ＊相へと転移させる過程について説明する。通常、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後の層構造は分子配向方向が一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と略平行な方向を向いたままで、層の形成方向はおよそカイラルスメクチックＣ相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向に形成される。ここで、層の形成方向は＋方向と−方向の２通りが存在する。
【００８４】
そこで、本素子を上述したような良好な動画質を示すデバイスとして用いるためには、層の方向を何れか一方に制御し、且つ、それに応じた信号波形を用いて駆動する必要がある。ここでは、この層方向の制御のために、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へ相転移する温度近傍において弱い直流（例えば−２Ｖ程度）の電圧を用いて制御させるものとする。このように負の電圧にて層方向制御した場合におけるカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相での電気光学特性は図５に示すようなものとなり、正の電圧印加時において大きく分子がチルトし、負の電圧では小さくチルト若しくは全くチルトしないという特性にすることができる。
【００８５】
このとき、カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相における液晶分子の配向方向は、液晶材料によってはＳｍＣ＊相を呈する温度範囲内においてコレステリック（Ｃｈ）相における分子配向方向と略平行方向を維持するものもあるが、多くの液晶材料ではカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相において温度が変化するに連れＣｈ相における分子配向方向から数度程度のずれを生じてしまう。このＣｈ相における分子配向方向からのずれは以下のような原因で発生する。
【００８６】
先ず、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後では、上述したように分子配向方向は平均的な一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と略平行な方向を向いている。そして、およそカイラルスメクチックＣ 相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向にスメクチック層が形成される。
【００８７】
次いで、更に温度を下げていった時に、多くの液晶材料ではチルト角（Θ）に温度依存性が存在するために、層法線方向からの液晶分子の開き角が温度と共に変化する。即ち、温度を変化させることにより、電圧無印加時の液晶分子配向方向が変化する結果、Ｃｈ相における分子配向方向からのずれが生じてしまうことになる。このずれ角は、上記説明から分かるように、ＳｍＣ＊相内でのチルト角（Θ）の温度依存性が大きい程ずれ量が大きくなっている。尚、このときの液晶分子の平均的な一軸配向処理方向からずれる方向は、例えばスメクチック層の層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から反時計回りの位置に存在する場合には、時計回りの方向にずれることになる。逆に層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から時計回りの位置に存在する場合には、反時計回りの方向にずれることになる。
【００８８】
本発明の液晶素子は、上述したようにパネル内にＤ１とＤ２という２つの層方向を持つ領域を作り込んでいる。その作り込み方は、例えば所望の領域に対してＣｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において正の電圧を印加するか、負の電圧を印加するかを選択することにより２つの領域を選択的に形成することが可能となる。
【００８９】
ところが、特に例えばチルト角（Θ）に温度依存性がある液晶材料を用いる場合には、上述したように平均的な一軸配向処理方向からずれた位置に安定位置が存在することになる。このとき、平均的な一軸配向処理方向とＳｍＣ＊相における安定位置とのずれ角をρ［ｄｅｇ．］とすると、Ｄ１とＤ２では層の方向が異なっていることから、ＳｍＣ＊相における安定位置はＤ１とＤ２との間で２ρ［ｄｅｇ．］だけ異なることになる。
【００９０】
従って、例えば透過型の液晶素子においてクロスニコル下において電圧無印加時の安定状態を黒表示にしようとすると、Ｄ１とＤ２の少なくとも何れか一方はクロスニコルの偏光板の偏光軸から少なくともρ［ｄｅｇ．］以上ずれてしまう結果、黒表示時において光り抜けが生じコントラストの低下の原因となる。
【００９１】
そこで、本発明ではＤ１領域とＤ２領域における配向規制力を異ならせることにより、上記コントラストの低下を防ぐことができる。ここでは、簡単のため次の構成にて説明する。
【００９２】
先ず、上基板にはソース線に対して反時計回りに４度傾いた方向に一軸配向処理されており、下基板のＤ１領域に該当する領域にはソース線に対して時計回りに４°傾いた方向に一軸配向処理されており、下基板のＤ２領域に該当する領域には実質的に配向規制力が存在しないものとする。このとき、Ｄ１領域におけるＣｈ相での液晶分子は上述の通りツイスト配向を取っており、平均的なダイレクタはソース線と平行方向を向いている。
【００９３】
一方、Ｄ２領域におけるＣｈ相での液晶分子は上基板による配向規制力は受けるものの、下基板の配向規制力は実質的に存在していないために、Ｃｈ相における液晶の螺旋ピッチが十分長く捩れが無視できるものと仮定すると、平均的なダイレクタは上基板の一軸配向処理方向、即ちソース線に対して反時計回りに４°傾いた方向を向いている。この状態からＳｍＣ＊相へと冷却した場合には、上記Ｃｈ相での配向方向を基準として層形成が行われることになる。
【００９４】
ここで、ＳｍＣ＊相において、Ｄ１領域は正の電圧を印加したときに時計回りに大きくチルトし、負の電圧を印加したときには反時計回りに小さくチルトし、Ｄ２領域は正の電圧を印加したときに反時計回りに大きくチルトし、負の電圧を印加したときには時計回りに小さくチルトする領域であるとする。この場合、温度が低下するに連れてチルト角（Θ）が大きくなる液晶材料では、温度の低下と共に電圧無印加時の安定位置はＤ１領域においては反時計回りにずれていき、Ｄ２領域では時計回りにずれることになる。つまり、室温近傍等の実使用領域においてはＤ２領域の分子配向方向はＤ１領域に対して時計回りに数度ずれてしまうことになる。
【００９５】
ところが、上述の配向処理を施している場合には、スメクチック相への相転移直後の液晶分子配向方向は、Ｄ２領域がＤ１領域に対して反時計回りに４°傾いた方向に予め配向させている。つまり、チルト角（Θ）の温度依存性により電圧無印加時の安定位置がずれてしまった場合でも、それに応じた角度分だけ補償するようにＣｈ相における分子配向方向を設定しておくことにより、実使用温度範囲内においてＤ１領域とＤ２領域における電圧無印加時の液晶分子配向方向をほぼ完全に一致させることが可能となる。
【００９６】
そして、このような素子構成にすることによって有効表示領域の全面において実使用温度範囲内における液晶分子配向方向を偏光板の偏光軸と一致させることが可能となり、同一パネル内に２つの層方向を作り込んだ液晶素子においても、パネル全面にて良好なコントラスト比を実現できる。
【００９７】
尚、上記説明においては簡単のため、上基板は有効表示領域の全面で一様な配向規制力を有しており、下基板の１領域には配向規制力が存在し、下基板の他の領域には配向規制力が存在しない場合について詳細に説明したが、同様の考え方により、上基板の配向規制力の有無を分割しても良い。或は上下両方の基板について、それぞれの基板面内に配向規制力の分布を持たせても良い。
【００９８】
更に、上述のように配向規制力を全く持たせないようにするだけでなく、配向規制力の強弱といったような差を持たせても良い。尚、このときの強弱という表現の中では、配向規制力の差が何［Ｎ］程度であるかといった絶対値を定量的な議論は特に重要ではなく、その配向規制力の差によって液晶分子の配向方向に影響が及ぼされているかが重要である。即ち、相対的な配向規制力の大小関係が存在し、それにより液晶分子の配向方向が異なっていることが本発明の効果を発現させることの本質である。従って、上下のそれぞれの一軸配向処理方向が一方向で且つ上下基板間でクロス角を有していることと、Ｄ１・Ｄ２領域におけるＣｈ相での液晶分子配向方向がそれぞれ異なる方向に配向しているように配向規制力を適宜調整すれば良い。
【００９９】
【実施例】
以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
（液晶組成物の調製）
先ず、下記液晶性化合物を、それぞれの右側に併記した重量比率で混合し液晶組成物ＬＣ−１を調製した。
【０１００】
【化５】
【０１０１】
８６．３ ６１．２ −７．２
転移移温度（℃）：ＩＳＯ．→Ｃｈ→ＳｍＣ＊ →Ｃｒｙ
自発分極（３０℃）：Ｐｓ＝２．９ｎＣ／ｃｍ２
コーン角（３０℃）：Θ＝２３．３°（１００Ｈｚ、±１２．５Ｖ、基板間隙は１．４μｍ）
ＳｍＣ＊ 相での螺旋ピッチ（３０℃）：２０μｍ以上
（液晶セルの作製）
本実施例においては、図１及び図２に示すアクティブマトリクス型液晶パネル（液晶素子）Ｐを作製した。
【０１０２】
尚、基板１ａ，１ｂには厚さ１．１ｍｍのガラス基板を用い、それらには透明電極３ａ，３ｂを７００Å厚のＩＴＯにて形成した。又、一方のガラス基板１ａにはＲＧＢのカラーフィルター（不図示）を形成した。そして、画面サイズは１０．４インチとし、画素数（即ち、ＲＧＢの色画素（サブピクセル）によって構成される画素の数）は８００（横）×６００（縦）とした。尚、このときサブピクセル数は２４００（横）×６００（縦）となり、各サブピクセルの開口部のサイズは７５μｍ（横）×２３０μｍ（縦）であった（ゲートラインが横、ソースラインが縦）。
【０１０３】
更に、アクティブ素子４にはａ−ＳｉＴＦＴを用い、該ＴＦＴ４のゲート絶縁膜５ｂには窒化シリコン膜３ｂを用いた。
【０１０４】
又、配向制御膜６ａ，６ｂは、ポリイミド膜にて形成した。具体的には、市販のＴＦＴ用配向膜（日産化学社製のＳＥ７９９２）をスピンコート法により透明電極３ａ，３ｂを覆うように塗布し、その後、８０℃の温度で５分間の前乾燥を行い、更に２００℃の温度で１時間の加熱焼成を施すことによって形成し、その膜厚を１５０Åとした。
【０１０５】
尚、これらの配向制御膜６ａ，６ｂには、ナイロン布コットン布によるラビング処理（一軸配向処理）を施した。このラビング処理には、外周面にコットン布を貼り合わせた径１０ｃｍのラビングロールを用い、押し込み量を０．７ｍｍ、送り速度を１０ｃｍ／ｓｅｃとし、回転数を１０００ｒｐｍ、送り回数を４回とした。尚、このときのラビング方向は上下基板ともソース線に平行になるよう設定した。
【０１０６】
続いて、一方の基板上には、平均粒径１．５μｍのシリカビーズ（スペーサー）を散布し、各基板のラビング処理方向が互いにアンチパラレルとなるように貼り合わせ、均一な基板間隙のセルを得た。
【０１０７】
このようなプロセスで作製したセルに液晶組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶がカイラルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却し（但し、冷却速度は１℃／ｍｉｎとした）、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に（Ｔｃ−２℃〜Ｔｃ＋２℃の温度範囲内で）印加する電圧条件として、１ゲートライン毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に、奇数行に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧を、偶数行に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧を印加して液晶パネルＰ１を作製した。このときの層構造の様子を図８に模式的に示す。図７における斜線が層の方向を模式的に表している。
【０１０８】
こうして得られた液晶パネルＰ１の配向状態を室温にて偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２０°反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２０°時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
【０１０９】
更に詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において反時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
【０１１０】
次に、液晶パネルＰ１を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、このときの駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行に対しては正極性、偶数行に対しては負極性の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行に対しては負極性、偶数行に対しては正極性の電圧を印加する、
という所謂ライン反転駆動によって駆動した。このときの動画質評価として下記に示す評価法を用いた。
【０１１１】
ＴＦＴを用いたアクティブマトリックスパネルであるサンプルＰ１を用いて、動画質評価を行った。この動画質評価は１０名程度の非専門家による主観評価とし、下記５段階の尺度（カテゴリー）で評価した。評価に使用した画像は、ＢＴＡのハイビジョン標準画像（静止画）から３種類（肌色チャート、観光案内板、ヨットハーバー）を選び、その中の中心部分の４３２×１６８画素を切り出して使用した。
【０１１２】
更に、これらの画像をテレビ番組の一般的な動き速度程度である６．８（ｄｅｇ／ｓｅｃ）の一定速度で移動させて動画像を作成し、画像のボケを評価した。
【０１１３】
・尺度５…画面の周辺ボケが全く観察されずキレの良い良好な動画質。
【０１１４】
・尺度４…画面の周辺ボケが殆ど気にならない。
【０１１５】
・尺度３…画面の周辺ボケが観察され、細かい文字は判別し難い。
【０１１６】
・尺度２…画面の周辺ボケが顕著となり、大きな文字も判別し難い。
【０１１７】
・尺度１…画面全体にボケが顕著となり、原画像が殆ど判別不能。
【０１１８】
このときの画像ソースのコンピューター側からの出力は、１秒間に６０画面分を順次走査（プログレッシブ）するようなピクチャーレートとした。
【０１１９】
先ず、ＴＦＴパネル側（サンプル）の表示は、１秒間に６０フレームの表示を行い、上述したように１フレームを前半後半の２フィールドに分割して実質的に周波数１２０Ｈｚで動作させ、前半にて高輝度表示、後半にて低輝度表示するようなフレーム反転駆動を行った。
【０１２０】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１２１】
尚、この評価を一般的なＣＲＴを用いて行うと５段階評価で全員が５、応答が数十ｍＳ掛かる市販のＴＦＴタイプの液晶ディスプレイを用いると５段階評価で２〜３程度の評価結果であった。
【０１２２】
次いで、液晶パネルＰ１のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例２）
実施例１で述べたパネルＰ１とはラビング方向のみが異なり、他は全く同一プロセスで作製された液晶パネルＰ２を得た。このときのラビング方向は液晶パネルのＴＦＴアレイ側から見たときに、ＴＦＴアレイ側基板のラビング方向がソース線に対して反時計回りに４°傾いており、ＴＦＴアレイと対向する側の基板はソース線に対して時計回りに４°傾いているように設定し、明細書中で述べた広義のアンチパラレルラビングの配置となるようにした。
【０１２３】
こうして得られた液晶パネルＰ２の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、液晶パネルＰ１の配向状態とほぼ同様の配向状態であることが確認できた。又、液晶分子配向方向もＰ１とほぼ同様の方向に配向していた。
【０１２４】
次に、実施例１と同様に液晶パネルＰ１を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。
【０１２５】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【０１２６】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１２７】
次いで、液晶パネルＰ２のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例３）
実施例２で述べたパネルＰ２とはラビングの方向は同一ではあるものの、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に施すラビング処理をマスクラビング処理とし、ラビングした部分とラビングしていない部分を作りこんだ液晶パネルＰ３を得た。
【０１２８】
このときのマスクラビングとして、偶数ラインに対してはラビング処理を施して、奇数ラインに対してはラビング時にフォトレジストで保護することで、一軸配向規制力を付与しないようにした。尚、このフォトレジストを用いた配向規制力の分布を作り込む手法は次のように行った。
【０１２９】
先ず、ＴＦＴアレイと対向する側の基板におけるポリイミド膜について、配向膜塗布・焼成後に、ポジレジスト（東京応化ＯＦＰＲ−８００）を約２μｍ厚となるようスピンコートした。その後、８０℃、３０分間の前乾燥を行った後、１ゲートラインおきに透過・遮光が繰り返されるストライプ状のマスクパターンを用いて、ＵＶ（λ＝３６５ｎｍ）にて１６秒間露光した。その後、有機系現像液（ジプレー社製ＭＦＣＤ−２６）を用いて現像し、流水洗浄を３分間行った後、１００℃、１０分間の乾燥を行うことで、１ゲートライン毎にレジストが存在する部分と存在しない部分とが繰り返されるレジスト膜パターンを得た。
【０１３０】
次いで、こうして得られた基板上に実施例１と同様のラビング処理を施すことでレジスト膜が存在しない部分のみに一軸配向規制力を付与した。
【０１３１】
次いで、剥離液（ナガセ産業社製：レジストストリップＮ−３２０）を用いレジスト膜パターンを剥離した後、流水洗浄し基板を乾燥させた。こうすることで、基板面内に一軸配向規制力が存在しない部分と存在する部分との２領域を作り込んだ。
【０１３２】
こうして得られた液晶パネルＰ３の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２０度反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２４°時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
【０１３３】
更に詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において反時計回りに２°ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向も同様に、電圧無印加状態において反時計回りに２°ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
【０１３４】
次に、実施例２と同様に液晶パネルＰ３を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。
【０１３５】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【０１３６】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１３７】
次いで、液晶パネルＰ３のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは１５０であった。
（実施例４）
実施例３で述べたパネルＰ３とはＴＦＴアレイと対向する側の基板に施す一軸配向処理の手法を変えた液晶パネルＰ４を得た。このＰ４の一軸配向処理は以下のような手順で行った。
【０１３８】
先ず、ＴＦＴアレイ側基板およびＴＦＴアレイと対向する側の基板の両方に対し、実施例２で述べたパネルＰ２と同じ向きにラビング処理を行った。その後、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、偶数ラインに相当する部分には光が当たらないようマスクで覆った上で、奇数ラインに相当する部分にのみ低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは波長２５４ｎｍにおける照射エネルギーが９ｍＪ／ｃｍ２ とした。
【０１３９】
こうして得られた液晶パネルＰ４の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、液晶パネルＰ１及びＰ２の配向状態とほぼ同様の配向状態であることが確認できた。又、液晶分子配向方向もＰ１及びＰ２とほぼ同様の方向に配向していた。
【０１４０】
次に、実施例１と同様に液晶パネルＰ４を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。
【０１４１】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【０１４２】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１４３】
次いで、液晶パネルＰ４のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例５）
実施例４で述べたパネルＰ４とは紫外線照射条件のみが異なる５種類のパネルＰ５Ａ、Ｐ５Ｂ、Ｐ５Ｃ、Ｐ５Ｄ、Ｐ５Ｅを得た。このときの光照射条件は下表のようにした。
【０１４４】
表１
【０１４５】
表２
【０１４６】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１４７】
尚、Ｐ５Ｅの分子配向方向及び層の形成方向は例３で示したＰ３パネルと全く同じ方向を向いていた。即ち、強い紫外線照射によって実質的にラビング処理の効果が消失したものと考えられる。
（実施例６）
実施例５で示した５パネルとは光照射条件を若干変化させた５種類のパネルＰ６Ａ、Ｐ６Ｂ、Ｐ６Ｃ、Ｐ６Ｄ、Ｐ６Ｅを得た。このときの光照射処理条件として、先ず、ＴＦＴアレイ側基板及びＴＦＴアレイと対向する側の基板の両方に対し、実施例２で述べたパネルＰ２と同じ向きにラビング処理を行った。その後、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、先ず全面に低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは波長２５４ｎｍにおける照射エネルギーが９ｍＪ／ｃｍ２ とした。
【０１４８】
次いで、偶数ラインに相当する部分には光が当たらないようマスクで覆った上で、奇数ラインに相当する部分にのみ低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは実施例５で用いたＡ〜Ｅのパネルと同様の条件とした。
【０１４９】
こうして得られたパネルＰ６Ａ〜Ｅのコントラスト値を測定した。その結果、例５のＡ〜Ｅと本実施例Ａ〜Ｅでは全く同じコントラスト値を示していた。
【０１５０】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例７）
実施例６で示した５パネルとは光照射条件を若干変化させた５種類のパネルＰ７Ａ、Ｐ７Ｂ、Ｐ７Ｃ、Ｐ７Ｄ、Ｐ７Ｅを得た。このときの光照射処理条件として、先ずＴＦＴアレイ側基板及びＴＦＴアレイと対向する側の基板の両方に対し、実施例２で述べたパネルＰ２と同じ向きにラビング処理を行った。その後、ＴＦＴアレイ側基板及びＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、先ず全面に低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは波長２５４ｎｍにおける照射エネルギーが９ｍＪ／ｃｍ２ とした。
【０１５１】
次いで、ＴＦＴアレイと対向する側の基板に対して、偶数ラインに相当する部分には光が当たらないようマスクで覆った上で、奇数ラインに相当する部分にのみ低圧水銀ランプを用いて紫外線照射を行った。このときの紫外線照射エネルギーは実施例５及び実施例６で用いたＡ〜Ｅのパネルと同様の条件とした。
【０１５２】
こうして得られたパネルＰ７Ａ〜Ｅのコントラスト値を測定した。その結果、実施例５及び実施例６のＡ〜Ｅと本実施例Ａ〜Ｅでは全く同じコントラスト値を示していた。
【０１５３】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例８）〜（実施例１４）
実施例１〜実施例７とは液晶相転移時に印加する電圧条件のみが異なり、他は全く同一プロセスで作製された液晶パネルＰ８〜Ｐ１４を得た（Ｐ１２〜Ｐ１４はＡ〜Ｅの各５種類）。このときの液晶相転移時に印加する電圧条件として、１ゲートライン（行）毎且つ１ソースライン（列）毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に、
１．奇数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては負極性のオフセット電圧、
２．奇数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては正極性のオフセット電圧、
３．偶数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては正極性のオフセット電圧、
４．偶数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては負極性のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ８〜１４を作製した。このときの層構造の様子を図８に模式的に示す。図８における斜線が層の方向を模式的に表している。
こうして得られた液晶パネルＰ８〜１４の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
【０１５４】
これらのパネルを用いて、実施例１〜実施例７と同様の実験を行った。
【０１５５】
このときのパネル駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては正極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては負極性の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては負極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては正極性の電圧を印加する、
という所謂ドット反転駆動によって駆動した。尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜実施例７と同じものとした。
【０１５６】
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【０１５７】
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、Ｐ８〜Ｐ１４それぞれのパネルのコントラスト値は、実施例１〜実施例７で示したそれぞれの類似のプロセスにて作製されたパネルＰ１〜Ｐ７と同じ値を示していた。
【０１５８】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例１５）〜（実施例２１）
実施例８〜１４で述べたパネルＰ８〜１４とは液晶相転移時に印加する電圧条件のみが異なり、他は全く同一プロセスで作製された液晶パネルＰ１５〜２１を得た（Ｐ１９〜Ｐ２１はＡ〜Ｅの各５種類）。
【０１５９】
このときの液晶相転移時に印加する電圧条件として、ＲＧＢを一まとまりとして１画素として考えたとき、縦横に隣接する画素に対して印加する電圧の正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊ 相に相転移する際に、
５．奇数行且つ奇数列に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧、
６．奇数行且つ偶数列に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧、
７．偶数行且つ奇数列に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧、
８．偶数行且つ偶数列に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ１５〜２１を作製した。このときの層構造の様子を図９に模式的に示す。図９における斜線が層の方向を模式的に表している。
【０１６０】
こうして得られた液晶パネルＰ１５〜２１の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
【０１６１】
次に、液晶パネルＰ１５〜２１を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、このとき駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
３．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列の画素に対しては正極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては負極性の電圧を印加して、
４．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列の画素に対しては負極性、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては正極性の電圧を印加する、
という３サブピクセルを一まとまりとしたブロックごとに駆動するようなブロック毎に反転する駆動によって駆動した。尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜実施例１４と同じものとした。
【０１６２】
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【０１６３】
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、Ｐ１５〜Ｐ２１それぞれのパネルのコントラスト値は、実施例１〜実施例７及び実施例８〜実施例１４で示したそれぞれの類似のプロセスにて作製されたパネルＰ１〜Ｐ７及びＰ８〜Ｐ１４と同じ値を示していた。
【０１６４】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１６５】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、１パネル内に複数の層方向を形成するカイラルスメクチック液晶を有するアクティブマトリクス型液晶パネルを作製するに当たり、上下基板の配向処理方向を完全な平行或は反平行とはせず、数度のクロス角を付けておくことと、少なくとも一方の基板において制御する領域に応じた配向規制力に制御されるよう配向規制力分布を持たせておくことによって、広視野角特性と高コントラスト比とを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す断面図である。
【図２】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す回路図である。
【図３】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す等価回路図である。
【図４】アクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方法を示すタイミングチャート図である。
【図５】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その１）である。
【図６】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その２）である。
【図７】実施例１〜７の層構造を示す図である。
【図８】実施例８〜１４の層構造を示す図である。
【図９】実施例１５〜２１の層構造を示す図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ ガラス基板（基板）
２ カイラルスメクチック液晶
３ａ 共通電極（電極）
３ｂ 画素電極（電極）
４ ＴＦＴ（アクティブ素子）
Ｐ 液晶パネル（液晶素子）
Claims (14)
- カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在することと、
前記両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、少なくとも何れか一方の基板において、前記Ｄ１領域とＤ２領域における平均的な配向規制力をそれぞれＡ１、Ａ２としたとき、それらが異なる値を有していることを特徴とする液晶素子。 - 前記両基板に施された一軸性配向処理の中心方向（クロスラビング処理の中心となる方向）をｍとし、ｍから何れか一方の基板２に付与される一軸性配向処理方向への回転方向を正、ｍから他方の基板１に付与される一軸性配向処理方向への回転方向を負とし、且つ、前記第１の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が正、第２の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が負となる領域をＤ１としたとき、即ち前記第１の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が負、第２の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が正となる領域をＤ２としたとき、前記基板１には有効表示領域内にて実質的に一様な配向規制力を有しており、前記基板２に付与する一軸性配向規制力の大きさが、
Ａ１＞Ａ２
を満たすことを特徴とする請求項１記載の液晶素子。 - 前記カイラルスメクチック液晶が、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）の相転移系列を示す液晶であることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶素子。
- 前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１ゲートライン毎に交互に存在している液晶素子であって、前記液晶素子に対して、１ゲートライン毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いるライン反転駆動によって駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
- 前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１画素毎に交互に（市松状に）存在しており、且つ、前記液晶素子に対して、１画素毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いる反転駆動によって駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
- 前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が、複数の画素を一まとまりとしたブロック毎に交互に存在しており、且つ、前記液晶素子に対して、前記１ブロック毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いて駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
- カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在する液晶素子の製造方法において、
前記両基板に施された一軸性配向処理の方向が完全な平行若しくは完全な反平行でない（所謂クロスラビング処理を施している）ことと、少なくとも何れか一方の基板に対しては、前記Ｄ１とＤ２に該当する領域に対し、異なった光照射条件にて光照射処理を施すことを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 前記光照射処理に用いる光として３５０ｎｍ以下の紫外光で、且つ、照射する紫外光の照射エネルギーが１０ｍＪ／ｃｍ２ 以上であることを特徴とする請求項７記載の液晶素子の製造方法。
- 前記光照射処理に用いる光として３５０ｎｍ以下の紫外光で、且つ、照射する紫外光の照射エネルギーが１００ｍＪ／ｃｍ２ 以上であることを特徴とする請求項７記載の液晶素子の製造方法。
- 前記光照射処理に用いる光として３５０ｎｍ以下の紫外光で、且つ、照射する紫外光の照射エネルギーが１Ｊ／ｃｍ２ 以上であることを特徴とする請求項７記載の液晶素子の製造方法。
- 前記両基板に施された一軸性配向処理の中心方向（クロスラビング処理の中心となる方向）をｍとし、ｍから何れか一方の基板２に付与される一軸性配向処理方向への回転方向を正、ｍから他方の基板１に付与される一軸性配向処理方向への回転方向を負とし、且つ、前記第１の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が正、第２の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が負となる領域をＤ１としたとき、即ち前記第１の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が負、第２の極性の電圧印加時にチルトする回転方向が正となる領域をＤ２としたとき、基板１には前記光照射処理を行わない、若しくは有効表示領域内において全面で同一の光照射処理を行うのに対し、基板２に対しては前記光照射処理を領域Ｄ２に該当する部分にのみ、若しくは領域Ｄ２に該当する部分に対して照射エネルギーが強い条件で施すことを特徴とする請求項７〜１０の何れかに記載の液晶素子の製造方法。
- 一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１ゲートライン毎に交互に存在している液晶素子であって、前記液晶素子に対して、１ゲートライン毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いるライン反転駆動によって駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
- 一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１画素毎に交互に（市松状に）存在しており、且つ、前記液晶素子に対して、１画素毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いるドット反転駆動によって駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
- 一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が複数の画素を一まとまりとしたブロック毎に交互に存在しており、且つ、前記液晶素子に対して前記１ブロック毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いて駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002233826A JP2004077542A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 液晶素子とその駆動方法及び製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002233826A JP2004077542A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 液晶素子とその駆動方法及び製造方法 |
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Family
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| JP2002233826A Pending JP2004077542A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 液晶素子とその駆動方法及び製造方法 |
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| JP (1) | JP2004077542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005292231A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶パネルとそれを用いた液晶表示装置 |
| JP2005292234A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置 |
-
2002
- 2002-08-09 JP JP2002233826A patent/JP2004077542A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005292234A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置 |
| JP4508696B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-07-21 | 大日本印刷株式会社 | 液晶パネルとそれを用いた液晶表示装置 |
| JP4508697B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-07-21 | 大日本印刷株式会社 | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶表示装置 |
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