JP2002116422A - 液晶素子の製造方法、及び液晶素子の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示画像の焼き付きを防止する。 【解決手段】 カイラルスメクチック液晶を有するアク
ティブマトリクス型液晶パネルＰを作製するに当たり、
ＴＦＴ４を介して各画素にエージング用電圧を印加す
る。この場合、ＴＦＴ４のゲートオン時間を長くし、液
晶に印加されるエージング用電圧が多くなるようにす
る。このようにして印加されるエージング用電圧によっ
て、液晶の電圧−透過率特性が安定になり、画像表示時
において該特性が変化したりすることも無く、特性変化
に基く表示画像の焼き付きを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を利用して種
々の表示を行う液晶素子の製造方法、及び液晶素子の駆
動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】(1) 従来、ネマチック液晶を利用したア
クティブマトリクス型の液晶パネルが種々提案されてい
る。以下、この液晶パネルについて説明する。

【０００３】従来、一つ一つの画素にトランジスタのよ
うなアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型
液晶パネルとしてはネマチック液晶を用いたものがあ
り、様々なモードで使用されている。

【０００４】例えば、広汎に用いられている代表的なモ
ードとしてツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）モードがあり、該モードについては、
「エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・
ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、ＡＰＰｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第１８巻、第
４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁から１
２８頁」に開示されている。

【０００５】また最近では、従来型液晶パネルの欠点で
ある視野角特性を改善するものとして、横方向電界を利
用したインプレインスイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ
Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、垂直配向（Ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが発表されてい
る。

【０００６】(2) ところで、上述したネマチック液晶を
用いた場合には（いずれのモードでも）応答速度が遅い
という問題があり、近年は、そのような問題点のないカ
イラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルが注目され
ている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘電性液
晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反強誘電
性液晶」などが提案されており、未だ実用化には至って
いないものの、いずれもサブミリ秒以下の高速応答性が
実現できると報告されている。

【０００７】(3) 次に、このようなカイラルスメクチッ
ク液晶を用いた液晶パネルの一例について説明する。

【０００８】例えば、特願平１０−１７７１４５号にて
開示されている液晶パネルは、カイラルスメクチック液
晶として、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コ
レステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ^*）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイ
ラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）、の相転移系列を示
す液晶を、仮想コーンのエッジより内側の位置で安定化
するように調整して用いており、かかる液晶を一対の基
板間に注入した後の冷却過程において（正確には、Ｃｈ
−ＳｍＣ^*相転移の際、又はＩＳＯ−ＳｍＣ^*相転移の際
に）液晶２にＤＣ電圧を印加するなどして層方向を一方
向に均一化させている。この液晶パネルは、応答速度が
速いという効果を有するほか、階調制御が可能であっ
て、動画質に優れ、高輝度であって量産性に優れるとい
う特徴を有している。また、この液晶パネルは、自発分
極値を小さくでき、アクティブ素子とのマッチングが良
いものとなっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶パネルにおいては階調表示が所望の表示になりにくい
ことがあり得る。具体的には所望の階調表示を行うよう
に電気的な駆動条件を設定しても視覚的に表示される階
調はその所望の階調表示を示しにくいことがあり得る。

【００１０】かかる課題を解決するために電圧印加処理
（以下、"エージング処理"とする）が行われていた。す
なわち、カイラルスメクチック液晶における印加電圧と
透過率との関係（以下、"電圧−透過率特性"とする）
は、製造直後は安定しておらず、何ら処理を行わない状
態で液晶パネルを駆動した場合には、その駆動のために
印加された電圧によって安定状態に移行するという現象
が生じてしまい、その現象に起因して画像焼き付きが発
生する場合があった。そこで、（このように製造直後に
おいて安定でない特性を示すパネルに対しては）通常の
画像表示駆動をする前に電圧印加処理（エージング処
理）を行い、上述した電圧−透過率特性を意図的に安定
状態に移行させてしまい、画像を表示している際に特性
変化が生じないようにしていた。

【００１１】なお、このようなエージング処理は短時間
で行うことが望ましい。

【００１２】そこで、本発明は、表示が焼き付いて見え
ることを防止する液晶素子の製造方法及び駆動方法を提
供することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定間隙を開けた状態に一対
の基板を配置する工程と、これら一対の基板の間隙にカ
イラルスメクチック液晶を配置する工程と、該カイラル
スメクチック液晶を挟み込むと共に複数の画素を構成す
るように一対の電極を配置する工程と、アクティブ素子
を各画素毎に一方の電極に接続した状態に配置する工程
と、からなる液晶素子の製造方法において、前記一対の
電極を介して前記カイラルスメクチック液晶にエージン
グ用電圧を印加することに基き該液晶の電圧−透過率特
性を安定にする工程、を備え、かつ、前記エージング用
電圧を印加するために前記アクティブ素子をオンにする
時間が、画像表示のために前記アクティブ素子をオンに
する時間よりも長い、ことを特徴とする。

【００１４】また本発明は、所定間隙を開けた状態に配
置された一対の基板と、これら一対の基板の間隙に配置
されたカイラルスメクチック液晶と、複数の画素を構成
すると共に該カイラルスメクチック液晶を挟み込むよう
に配置された一対の電極と、これらの一対の電極のいず
れか一方に接続されて各画素毎に配置された複数のアク
ティブ素子と、を備えた液晶素子を駆動する、液晶素子
の駆動方法において、画像表示をする場合よりも長い時
間前記アクティブ素子をオンにすることに基き、前記一
対の電極を介して前記カイラルスメクチック液晶にエー
ジング用電圧を印加し、該液晶の電圧−透過率特性を安
定にする、ことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図５を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。

【００１６】(1) まず、本実施の形態にて製造され駆動
される液晶素子の全体構成について図１を参照して説明
する。

【００１７】本実施の形態に係る液晶素子は、図１に符
号Ｐで示すように、所定間隙を開けた状態に配置された
一対の基板１ａ，１ｂと、これら一対の基板１ａ，１ｂ
の間隙に配置されたカイラルスメクチック液晶２と、複
数の画素を構成すると共に該カイラルスメクチック液晶
２を挟み込むように配置された一対の電極３ａ，３ｂ
と、これらの一対の電極のいずれか一方３ｂに接続され
た状態で各画素毎に配置された複数のアクティブ素子４
と、を備えており、前記一対の電極３ａ，３ｂを介して
前記カイラルスメクチック液晶２に電圧を印加すること
により駆動されるように構成されている。

【００１８】なお、カイラルスメクチック液晶２として
は、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステ
リック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
^*）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメ
クチックＣ相（ＳｍＣ^*）、の相転移系列を示すものを
挙げることができる。なお、かかる液晶２は、電圧を印
加していない状態で液晶分子が仮想コーンのエッジ、或
いは仮想コーンの内側の位置で安定化する状態で用いる
と良い。

【００１９】(2) 次に、本実施の形態に係る液晶素子の
製造方法について説明する。

【００２０】上述した液晶素子Ｐを製造するに際して
は、所定間隙を開けた状態に一対の基板１ａ，１ｂを配
置する工程と、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙にカ
イラルスメクチック液晶２を配置する工程と、該カイラ
ルスメクチック液晶２を挟み込むと共に複数の画素を構
成するように一対の電極３ａ，３ｂを配置する工程と、
アクティブ素子４を各画素毎に一方の電極３ｂに接続し
た状態に配置する工程と、を適切な順序で実施する。

【００２１】この場合、前記一対の電極３ａ，３ｂを介
して前記カイラルスメクチック液晶２にエージング用電
圧を印加することに基き、該液晶２の電圧−透過率特性
を安定にすると良い。ここで、エージング用電圧とは、
液晶２における電圧−透過率特性を安定にするために印
加する電圧をいう。また、このようにエージング用電圧
を印加して液晶２の電圧−透過率特性を安定にすること
を"エージング処理"とする。

【００２２】この場合、前記エージング用電圧を印加す
るために前記アクティブ素子４をオンにしておく時間
は、通常の画像表示のために前記アクティブ素子４をオ
ンにしておく時間（アクティブ素子にゲート電圧を印加
しておく選択期間Ｔonであって、線順次走査する場合に
は１本のゲート線Ｇ_ｉを介してゲート電圧が印加される
期間）よりも長くすると良く、好ましくは、 ＊ 液晶２の透過率が０％から１００％に変化するまで
の時間にほぼ等しい時間、 ＊ 液晶２の透過率が０％から５０％に変化するまでの
時間にほぼ等しい時間、或いは、 ＊ 液晶２の透過率が０％から３０％に変化するまでの
時間にほぼ等しい時間、にすると良く、また、液晶２の
透過率が０％から１００％に変化するまでの時間より長
くしても良い。さらには、前記エージング用電圧を印加
するために、前記アクティブ素子４を常に継続的にオン
しておいても良い。すなわち、アクティブ素子４を、１
フレーム期間のうちの一部だけオンにするのではなく、
全部をオンにして、エージング用電圧を印加するように
しても良い。

【００２３】いま、１つのフレーム期間（図４の符号Ｆ
_０参照）を２つのフィールド期間（図４の符号Ｆ_１，Ｆ
_２参照）に分割して駆動する場合であって、フレーム周
波数を６０Ｈｚとした場合、フィールド周波数は１２０
Ｈｚとなる。そして、１つのフィールド期間（８．３ｍ
ｓｅｃ）で１０００本のゲート線を順次走査しようとす
る場合、１本のゲート線の選択期間Ｔon（すなわち、
“通常の画像表示のために前記アクティブ素子４をオン
にしておく時間”）は８．３μｓｅｃとなる。本発明で
は、エージング処理のときにはこの時間よりも長くアク
ティブ素子をオンにするようになっている。

【００２４】なお、透過率が０％とは、暗い表示状態で
あることを意味し、透過率が１００％とは、実用駆動電
圧の範囲内で得られる最大透過率のことを表現するもの
である。本実施の形態では、最大透過率が１００％の液
晶素子を用いることが好ましいが、最大透過率が１００
％より多少低い液晶素子を用いても良い。

【００２５】また、かかるエージング用電圧の印加は、
前記カイラルスメクチック液晶２がカイラルスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ^*）を呈する状態のときに行うと良く、
液晶２を等方性液体相（ＩＳＯ．）又はコレステリック
相（Ｃｈ）を発現するまで昇温し、その後、カイラルス
メクチックＣ相（ＳｍＣ^*）に相転移するまで降温した
後に行うと良い。

【００２６】さらに、上述のようなエージング用電圧の
印加は、ほぼ全ての画素に対して行うと良い。

【００２７】またさらに、エージング用電圧は、アクテ
ィブ素子４やドライバＩＣなどの耐圧許容範囲内で、で
きるだけ大きい電圧にすると良い。

【００２８】なお、液晶２の電圧−透過率特性は、上述
のようなエージング処理によって安定状態に一旦推移し
た後は不安定状態に戻ることはほとんど有り得ず、その
意味からは、エージング処理は１度だけで足りる。但
し、液晶素子Ｐの環境温度が変化したような場合には例
外的に（安定状態に推移していた上記特性が）不安定状
態に戻ってしまうことがある。このような場合には、再
度エージング処理を行えば良い。

【００２９】(3) 次に、本実施の形態に係る液晶素子の
駆動方法について説明する。

【００３０】上述の場合のエージング処理は、液晶素子
を製造する製造ラインで（製品としての液晶素子が工場
から出荷される前に）行われるが、もちろんこれに限る
必要はなく、エージング処理を（製造ラインにおいては
行わず）出荷された後の液晶素子に対してのみ行うよう
にしても、或いは、製造ライン及び出荷後の両方で行う
ようにしても良い。なお、出荷後の液晶素子に対して行
うエージング処理は、"液晶素子の製造方法"ではなく"
液晶素子の駆動方法"と概念すべきであるため、駆動方
法として以下に説明する。

【００３１】出荷後においてエージング処理をする場
合、画像表示をする場合よりも長い時間、前記アクティ
ブ素子４をオンにすることに基き、前記一対の電極３
ａ，３ｂを介して前記カイラルスメクチック液晶２にエ
ージング用電圧を印加すると良い。前記エージング用電
圧を印加するために前記アクティブ素子４をオンにして
おく時間は、好ましくは、 ＊ 液晶２の透過率が０％から１００％に変化するまで
の時間にほぼ等しい時間、 ＊ 液晶２の透過率が０％から５０％に変化するまでの
時間にほぼ等しい時間、或いは、 ＊ 液晶２の透過率が０％から３０％に変化するまでの
時間にほぼ等しい時間、にすると良く、また、液晶２の
透過率が０％から１００％に変化するまでの時間より長
くしても良い。さらには、前記エージング用電圧を印加
するために、前記アクティブ素子４を常に継続的にオン
しておいても良い。すなわち、アクティブ素子４を、１
フレーム期間のうちの一部だけオンにするのではなく、
全部をオンにして、エージング用電圧を印加するように
しても良い。

【００３２】また、前記カイラルスメクチック液晶２が
カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ ^*）を呈する状態の
ときに前記エージング用電圧の印加を行う点や、ほぼ全
ての画素に対して電圧印加を行う点も同様である。

【００３３】なお、このようなエージング用電圧の印加
は、液晶素子に駆動シーケンスとして予め組み込んでお
き、電源がユーザによってオンされた後（装置がスター
トアップ状態にあるとき）に自動的に行われるようにし
ても良く、或いは、スクリーンセーバが起動されるとき
に自動的に行われるようにしても良い。この場合、照明
装置（バックライト装置やフロントライト装置）を有し
ている液晶装置においては、液晶素子に光照射がされて
いない状態（すなわち、照明装置が非点灯状態）でエー
ジング用電圧の印加が行われるようにすると良い。これ
により、エージング処理に伴う液晶駆動が画像として認
識されることを防止でき、ユーザが故障と誤認すること
を防止できる。

【００３４】(4) 次に、液晶素子Ｐの詳細構造について
説明する。

【００３５】(4-１) まず、カイラルスメクチック液晶
２について説明する。

【００３６】本実施の形態にて用いるカイラルスメクチ
ック液晶２は、上述のような相転移系列のもの、すなわ
ち、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステ
リック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
^*）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメ
クチックＣ相（ＳｍＣ^*）、の相転移系列を示すものが
好ましいが、具体的には、次の(1) 〜(4) に示す化合物
を挙げることができる。

【００３７】（１）

【化１】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ ｎ：０または１

【００３８】（２）

【化２】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ

【００３９】（３）

【化３】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ

【００４０】（４）

【化４】 Ｒ１，Ｒ２ ： 炭素原子数が１〜２０である置換基を
有していてもよい直鎖または分岐状のアルキル基 Ｘ１，Ｘ２ ： 単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４： ＨまたはＦ

【００４１】ところで、本実施の形態では、カイラルス
メクチック液晶２については、その液晶材料の組成を調
整し、更に液晶材料の処理や素子構成、例えば配向制御
膜６ａ，６ｂの材料、処理条件等を適宜設定することに
より、 駆動電圧が印加されていない場合には、該液晶の平
均分子軸（液晶分子）が単安定化されている配向状態を
示し、 一の極性の駆動電圧が印加されて駆動される場合に
は、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた
角度で前記単安定化された位置から一方の側にチルト
し、 他方の極性（前記一の極性に対する逆極性をいう。
以下、同じ）の電圧が印加されている場合には、液晶分
子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記
単安定化された位置から他方の側（すなわち、前記一の
極性の電圧を印加したときにチルトする側とは反対の
側）にチルトする、ような特性を示すようにすると良
い。つまり、本実施の形態に用いる液晶２は、例えば図
５に示す特性のものであって、カイラルスメクチック液
晶本来のメモリ性（双安定性）が消失されたものであっ
て、チルト角の大きさを印加電圧によって連続的に制御
することができ、それに伴って液晶素子の光量も連続的
に変化させることができ、階調表示を可能とするもので
ある。この場合、前記一の極性の駆動電圧を印加するこ
とによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角
は、前記他の極性の電圧を印加することによって最大チ
ルト状態とした場合におけるチルト角と異ならせると良
い。例えば、該他の極性の電圧を印加した場合、該電圧
の大きさにかかわらず、液晶の平均分子軸がほとんどチ
ルトしないような特性にしても良い。

【００４２】(4-2) 次に、カイラルスメクチック液晶２
以外の各構成部材等について説明する。

【００４３】上述した基板１ａ，１ｂには、ガラスやプ
ラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。

【００４４】また、電極３ａ，３ｂには、Ｉｎ_２Ｏ_３や
ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の材料を
用いれば良く、これらの電極３ａ，３ｂはそれぞれの基
板１ａ，１ｂに形成すると良い。なお、アクティブ素子
４を接続する方の電極３ｂは、ドット状にマトリクス状
に配置し、他方の電極３ａは、基板のほぼ全面（或いは
特定の領域）に形成すると良い。さらに、アクティブ素
子４としては、ＴＦＴやＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）等を用いれば良い。

【００４５】またさらに、各電極３ａ，３ｂの表面に
は、これらの電極間のショートを防止するための絶緑膜
を形成すると良く（図１には、一方の電極３ｂを覆う絶
縁膜５ｂのみ図示）、かかる絶緑膜は、ＳｉＯ_２、Ｔｉ
Ｏ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等にて形成すれば良い。

【００４６】また、カイラルスメクチック液晶２に接す
る位置には、その配向状態を制御するために一軸配向処
理を施した配向制御膜６ａ，６ｂを配置すると良い。か
かる配向制御膜６ａ，６ｂとしては、 ＊ ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリ
ビニルアルコール等の有機材料からなる溶液を塗布して
膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したもの
や、 ＊ ＳｉＯ等の酸化物や窒化物からなる無機材料を基板
１ａ，１ｂに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成
した斜方蒸着膜や、 ＊ 紫外線照射等によって一軸配向規制力を発生しうる
光配向膜を用いたもの、の少なくともいずれか一つを挙
げることができる。なお、この配向制御膜６ａ，６ｂの
材質や一軸配向処理の条件等により、液晶分子のプレチ
ルト角（すなわち、配向制御膜６ａ，６ｂの界面近傍に
おいて液晶分子が配向制御膜６ａ，６ｂに対してなす角
度）が調整される。

【００４７】このような配向制御膜６ａ，６ｂは、カイ
ラルスメクチック液晶２の両側に配置してそれらの両方
に一軸配向処理を施せば良く、その場合における一軸配
向処理方向（特にラビング方向）の関係は、用いる液晶
材料を考慮して、 ＊ アンチパラレル（両一軸配向処理方向が平行かつ逆
方向）、 ＊ パラレル（両一軸配向処理方向が平行かつ同方
向）、 ＊ ４５°以下の範囲でクロスする関係、のいずれかに
なるように設定すれば良い。なお、４５°以下の範囲で
クロスする関係とは、２つのベクトル（一軸配向処理方
向を示すベクトル）が４５°以下の範囲内でクロスする
場合であって、それぞれのベクトル方向が同方向（正確
には、４５°以下の角度ズレを有する。）である場合
や、それぞれのベクトル方向が逆方向である場合の両方
を挙げることができる。そして、互いのベクトルの交差
角度（狭い方の交差角度）の値が４５°以下で且つ０°
に近いような場合は、それぞれのベクトルの関係が実質
的にアンチパラレル乃至パラレルの関係とみなしてもよ
い。また、上述のアンチパラレル或いはパラレルの関係
もそれぞれベクトル同士が必ず平行である以外に、例え
ば数°程度ずれているような場合でも実質的にアンチパ
ラレル乃至パラレルの関係とみなしてもよい。本明細書
において配向制御膜とは、一軸配向処理された膜以外
に、液晶に直接接触されることによって液晶の配向に何
らかの影響を与える膜のことを言う。なお、両側の配向
制御膜に一軸配向処理を施さなくても、片側の配向制御
膜のみに一軸配向処理を施しても良い。

【００４８】さらに、基板１ａ，１ｂの間隙には、シリ
カビーズ等からなるスペーサー（不図示）を配置して、
かかるスペーサーによってその間隙寸法を規定するよう
にしてもよい。なお、間隙寸法は、液晶材料を考慮して
最適範囲になるように調整すれば良いが、均一な一軸配
向性を達成させたり、電圧が印加されていない状態での
液晶分子の平均分子軸を配向処理軸Ｒの平均方向の軸と
実質的に一致させるために、０．３〜１０μｍの範囲に
設定することが好ましい。

【００４９】またさらに、基板１ａ，１ｂの間隙にエポ
キシ樹脂等からなる接着粒子（不図示）を分散配置し
て、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐの耐衝撃
性を向上させると良い。

【００５０】さらに、液晶素子Ｐは、透過型としても良
く、反射型としても良い。なお、透過型の場合には両方
の基板１ａ，１ｂを透明にする必要があり、反射型の場
合には、基板１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機能を
付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能を付
与する方法としては、 ＊ 反射板や反射膜を、基板とは別体に設ける方法や、 ＊ 基板自体を反射部材で形成する方法や、等を挙げる
ことができる。ここで、透過型の液晶素子の場合には両
方の基板に偏光板を（それらの偏光軸が互いに直交する
ように）配置すれば良く、反射型の液晶素子の場合には
少なくとも一方の基板に偏光板を設ければ良い。

【００５１】ところで、上述した液晶素子Ｐを用いてカ
ラー表示を行うようにしても良い。このようなカラー表
示を行う方法としては、 ＊ 各画素にカラーフィルターを配置する方法や、 ＊ そのようなカラーフィルターを用いず、液晶素子に
対して異なる色の光を順次照射すると共に該光の照射に
同期させて画像を変更する方法（いわゆるフィールドシ
ーケンシャル方式）、を挙げることができる。

【００５２】また、上述した電極のいずれか一方３ｂに
は、駆動回路（図２の符号２１参照）を接続して階調信
号を入力し、該信号によってチルト角度（すなわち、液
晶の平均分子軸の単安定位置からのチルト角度）の大き
さを制御して光透過率を制御し、それによって階調表示
を行うようにすると良い。

【００５３】(4-3) 次に、本実施の形態に係る液晶素子
Ｐの詳細構成の一例について、図１及び図２を参照して
説明する。

【００５４】図１に示す液晶素子Ｐは、所定間隙を開け
た状態に配置した一対のガラス基板１ａ，１ｂ、を備え
ており、一方のガラス基板１ａの全面には、ほぼ均一な
厚みの共通電極３ａが形成され、共通電極３ａの表面に
は配向制御膜６ａが形成されている。

【００５５】また、他方のガラス基板１ｂの側には、図
２に示すように、ゲート線Ｇ_１，Ｇ _２，…が図示Ｘ方向
に多数配置され、ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…とは絶縁され
た状態のソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…が図示Ｙ方向に多数配
置されている。そして、これらのゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，
…及びソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…の各交点の画素には、ア
クティブ素子としての薄膜トランジスタ（アモルファス
ＳｉＴＦＴ）４や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる画
素電極３ｂ及び保持容量電極７等が配置されている。

【００５６】このうち、アモルファスＳｉＴＦＴ４は、
図１に示すように、ゲート電極１０と、窒化シリコン
（ＳｉＮx）からなる絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｂと、
半導体層であるａ−Ｓｉ層１１やｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，
１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、チャ
ネルを保護するチャネル保護膜１６と、によって構成さ
れている。すなわち、ガラス基板１ｂには各画素毎にゲ
ート電極１０が形成され、該ゲート電極１０の表面は絶
縁膜５ｂにて覆われ、絶縁膜５ｂの表面であってゲート
電極１０を形成した位置にはａ−Ｓｉ層１１が形成され
ている。また、このａ−Ｓｉ層１１の表面には、互いに
離間するようにｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，１３が形成されて
おり、各ｎ^＋ａ−Ｓｉ層１２，１３にはソース電極１４
やドレイン電極１５が互いに離間した状態に形成されて
いる。さらに、これらのａ−Ｓｉ層１１や電極１４，１
５を覆うようにチャネル保護膜１６が形成されている。

【００５７】そして、ＴＦＴ４のゲート電極１０は上述
したゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…を介して走査信号ドライバ
２０に接続され、ＴＦＴ４のソース電極１４はソース線
Ｓ_１，Ｓ_２，…を介して情報信号ドライバ２１に接続さ
れ、ＴＦＴ４のドレイン電極１５は画素電極３ｂに接続
されている。

【００５８】ところで、上述した保持容量電極７はガラ
ス基板１ｂの表面に形成されており、上述した絶縁膜５
ｂは、この保持容量電極７及びガラス基板１ｂを覆う位
置まで形成され、上述したソース電極１４や画素電極３
ｂはこの絶縁膜５ｂの表面に形成されている。これによ
り、保持容量電極７と画素電極３ｂとは、絶縁膜５ｂを
挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、
液晶２と並列の形で設けられた保持容量Ｃsが構成され
ることとなる（図３参照）。なお、この保持容量電極７
は、面積を大きくした場合における開口率低下を防止す
るため、透明なＩＴＯによって形成すると良い。

【００５９】また、図１に示すように、上述したＴＦＴ
４や画素電極３ｂの表面には配向制御膜６ｂが形成され
ており、その表面には一軸配向処理（ラビング処理）が
施されている。

【００６０】さらに、これらのガラス基板１ａ，１ｂの
間隙であって、画素電極３ｂと共通電極３ａとの間に
は、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶２が配
置されていて、液晶容量Ｃlcが構成されることとなる
（図３参照）。

【００６１】また、このような液晶素子Ｐの両側には、
互いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板（不図
示）が配置されている。

【００６２】なお、図１に示す液晶素子Ｐではアモルフ
ァスＳｉＴＦＴを用いているが、もちろんこれに限る必
要はなく、多結晶Ｓｉ（Ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴや単結晶Ｓｉ
（Ｃ−Ｓｉ）ＴＦＴを用いても良い。

【００６３】(4-4) 次に、上述した液晶素子Ｐの駆動方
法（通常の画像表示を行う場合の駆動方法）の一例につ
いて説明する。

【００６４】上述した液晶素子Ｐにおいては、走査信号
ドライバ２０から各ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…にはゲート
電圧が線順次に印加され、ＴＦＴ４はゲート電圧が印加
されることによってオン状態となる。

【００６５】一方、ゲート電圧の印加に同期して、情報
信号ドライバ２１からソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…にはソー
ス電圧（各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧）
が印加される。したがって、ＴＦＴ４がオン状態にある
画素では、ソース電圧がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介
して液晶２に印加され、液晶２のスイッチングが画素単
位で行われる。

【００６６】そして、このような駆動を一定期間（フレ
ーム期間）毎に繰り返し、画像の書き換えを行うように
なっている。

【００６７】(4-5) なお、図４に示すように、１つのフ
レーム期間Ｆ_０を複数のフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２，…
に分割し、各フィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２，…でそれぞれ
画像書き換えを行うようにしてもよい。以下、その駆動
方法について説明する。

【００６８】ここで、図４は、各フレーム期間Ｆ_０を２
つのフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２に分割した例を示す図で
あり、同図（ａ）は、ある１本のゲート線Ｇ_ｉにゲート
電圧Ｖgが印加される様子を示す図、同図（ｂ）は、あ
る１本のソース線Ｓ_ｊにソース電圧Ｖｓが印加される様
子を示す図、同図（ｃ）は、これらゲート線Ｇ_ｉ及びソ
ース線Ｓ_ｊの交差部の画素（すなわち、液晶２）に電圧
Ｖpixが印加される様子を示す図、同図（ｄ）は、当該
画素における透過光量の変化を示す図である。なお、液
晶２には、図５に示すような、電圧−透過率特性のもの
を用いている。

【００６９】いま、ある１本のゲート線Ｇ_ｉに一定期間
（選択期間Ｔon）だけゲート電圧Ｖgが印加され（同図
（ａ）参照）、ある１本のソース線Ｓ_ｊには、ゲート電
圧Ｖgの印加に同期した選択期間Ｔonに、共通電極３ａ
の電位Ｖcを基準電位としたソース電圧Ｖｓ（＝＋Ｖx）
が印加される（同図（ｂ）参照）。すると、当該画素の
ＴＦＴ４はゲート電圧Ｖgの印加によってオンされ、ソ
ース電圧ＶxがＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して印加
されて液晶容量Ｃlc及び保持容量Ｃsの充電がなされ
る。ところで、選択期間Ｔon以外の非選択期間Ｔoffに
は、ゲート電圧Ｖgは他のゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…に印
加されていて同図（ａ）に示すゲート線Ｇ_ｉには印加さ
れず（ゲート電圧Ｖgが印加されていないだけであっ
て、オフ電圧は印加されている）、当該画素のＴＦＴ４
はオフとなる。したがって、液晶容量Ｃlc及び保持容量
Ｃsは、この間、充電された電荷を保持することとなる
（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ
_１を通じて液晶２には電圧Ｖpix（＝＋Ｖx）が印加され
続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔxが維持される
こととなる（同図（ｄ）参照）。ここで、選択期間Ｔon
が比較的短い場合には、液晶分子反転が完了せず、液晶
容量Ｃlc及び保持容量Ｃsへの充電及び液晶２のスイッ
チングは非選択期間Ｔoffに行われる。かかる場合は、
自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液
晶２に印加される電圧Ｖpixは同図（ｃ）のように＋Ｖx
よりＶdだけ小さい値を取る。

【００７０】次のフィールド期間Ｆ_２においては、上述
したゲート線Ｇ_ｉには再びゲート電圧Ｖgが印加され
（同図（ａ）参照）、これと同期してソース線Ｓ_ｊに
は、先のものとは逆極性のソース電圧−Ｖxが印加され
る（同図（ｂ）参照）。これによって、ソース電圧−Ｖ
xが液晶容量Ｃlc及び保持容量Ｃsに充電されると共に、
非選択期間Ｔoffにおいてはその電荷が保持される（同
図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ_２を
通じて液晶２には電圧Ｖpix（＝−Ｖx）が印加され続け
ることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔyが維持されること
となる（同図（ｄ）参照）。ここで、選択期間Ｔonが比
較的短い場合には、液晶分子反転は完了しておらず、液
晶容量Ｃlc及び保持容量Ｃsへの充電及び液晶２のスイ
ッチングは非選択期間Ｔoffに行われる。かかる場合
は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺さ
れ、液晶２に印加される電圧Ｖpixは図４（ｃ）のよう
に−ＶxよりＶdだけ大きい値を取る。

【００７１】ところで、図４に示す駆動方法によれば、
各フィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２単位で印加電圧の大きさに
応じて液晶２がスイッチングされ、各フィールド期間Ｆ
_１，Ｆ_２単位で異なる階調表示状態（透過光量Ｔx，Ｔ
y）が得られ、フレ−ム期間Ｆ _０の全体でそれらＴx，Ｔ
yを平均した透過光量が得られる。

【００７２】なお、液晶２には図５に示す特性のものを
用いているため、２番目のフィールド期間Ｆ_２における
透過光量Ｔyは、Ｔxよりかなり小さくてほぼ０レベルで
あり、フレ−ム期間全体の透過光量は、上述のような透
過光量の平均化によって最初のフィールド期間Ｆ_１の透
過光量に比べて低下することとなる。したがって、実際
の駆動においては、フレ−ム期間全体で得たい透過光量
（表示画像の階調）に基づいて、最初のフィールド期間
Ｆ_１の透過光量Ｔxを（表示諧調よりも高めに）決定
し、該透過光量Ｔxを得るような電圧Ｖxを印加すれば良
い。

【００７３】また、上述のように駆動した場合、奇数フ
ィールド期間（例えばＦ_１）では正極性の電圧（＋Ｖ
x）が液晶２に印加され、偶数フィールド期間（例えば
Ｆ_２）では負極性の電圧（−Ｖx）が液晶２に印加され
ることとなるため、液晶２に実際に印加される電圧が時
間的に交流化され、液晶２の劣化が防止される。

【００７４】さらに、最初のフィールド期間Ｆ_１におい
ては高輝度表示を行い、次のフィールド期間Ｆ_２では低
輝度表示を行うため、時間開口率が５０％以下程度とな
る。したがって、かかる液晶素子で動画像を表示した場
合、その画質が良好なものとなる。

【００７５】ところで、コレステリック相からカイラル
スメクチックＣ相へと相転移する相転移過程を詳細に偏
光顕微鏡観測したとき、スメクチックＡ相と酷似した配
向状態が観測される場合がある。しかしながら本発明に
使用される素子の本質はＳｍＣ＊相でスメクチック層の
法線方向と一軸配向処理方向とが大きく異なっており電
圧無印加時に安定な分子位置がラビング方向に近い位置
にあることである。つまり、こうした関係の層形成方向
が実現されている場合には上記スメクチックＡ相的な液
晶相は配向には寄与しないこととなるため、本願におい
てはこうした材料についてもスメクチックＡ相を含まな
い材料と定義する。

【００７６】また、エージング処理を行う場合には、上
述した駆動方法と同じように、走査信号ドライバ２０か
ら各ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…にゲート電圧を印加し、こ
の電圧印加に同期するように、情報信号ドライバ２１か
らソース線Ｓ_１，Ｓ_２，…にエージング用電圧を印加す
る。かかる場合、ゲート電圧の印加時間を長くしてＴＦ
Ｔ４のオン期間を長くすることにより、エージング処理
を促進させれば良い。ここで、各ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，
…を１本ずつ線順次走査した場合には、ゲート電圧の印
加時間は短くなってしまうことから、該時間を長く取る
方法としては、ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…を１本ずつでは
なく複数本ずつ線順次走査したり（例えば、全てのゲー
ト線Ｇ_１，Ｇ_２，…を同時走査したり）、フレームレー
トを小さくして１フレーム期間自体を長くしたり、或い
は、それらの両方を実行したりする方法を挙げることが
できる。

【００７７】(5) 次に、本実施の形態の効果について説
明する。

【００７８】通常、アクティブマトリクス型の液晶素子
にエージング処理を施す場合には、液晶分子は、アクテ
ィブ素子４がオンされて電荷が供給されている間に反転
し、さらに、アクティブ素子４がオフされた後も液晶容
量Ｃlcに保持される電荷によって反転が継続される。

【００７９】しかし、液晶容量Ｃlcに保持される電荷
は、液晶分子の反転（すなわち、アクティブ素子４がオ
フされた後の反転）によって減少してしまうため、液晶
２に印加されるエージング用電圧のトータル量（すなわ
ち、アクティブ素子４がオンされたときからオフされた
後に液晶２に印加されるエージング用電圧の時間積分値
＝∫Ｖdt）は、アクティブ素子４がオフされた後におけ
る液晶分子の反転量が多い程小さくなり、該トータル量
が少なければ、１回のエージング処理では電圧−透過率
特性が完全には安定しないこととなる。

【００８０】しかし、本実施の形態によれば、アクティ
ブ素子４は長い時間オンされるようになっているため、
アクティブ素子４がオンであって電荷が供給されている
間における液晶分子の反転量を多くして、アクティブ素
子４がオフされた後における液晶分子の反転量を少なく
できる。これにより、液晶容量Ｃlcに保持される電荷の
減少、さらには、エージング用電圧のトータル量の減少
を防止でき、１回のエージング処理だけで電圧−透過率
特性を安定にできる。換言すれば、エージング処理を繰
り返す必要がなく、短時間で完了できる。このような効
果は、アクティブ素子４をオンにしておく時間を、「液
晶２の透過率が０％から３０％に変化するまでの時間に
ほぼ等しい時間」にすると顕著となり、「液晶２の透過
率が０％から５０％に変化するまでの時間にほぼ等しい
時間」にするとより顕著となり、「液晶２の透過率が０
％から１００％に変化するまでの時間にほぼ等しい時
間」にするとさらに顕著となり、「液晶２の透過率が０
％から１００％に変化するまでの時間より長い時間」に
するとさらに顕著となり、エージング用電圧を印加する
ために前記アクティブ素子４が継続的にオンされた場合
にはもっと顕著となる。

【００８１】そして、このようなエージング処理によっ
て液晶の電圧−透過率特性が安定し、通常の画像表示の
ために電圧が印加された場合においても特性が変化せ
ず、画像表示が焼き付いて見えてしまうこともない。な
お、本実施の形態によれば、エージング用電圧がアクテ
ィブ素子４の耐圧許容範囲内であるためアクティブ素子
４は破壊されることもない。

【００８２】

【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。

【００８３】（実施例１） （液晶組成物の調製）まず、下記液晶性化合物を、それ
ぞれの右側に併記した重量比率で混合し液晶組成物ＬＣ
−１を調製した。

【００８４】

【化５】

【００８５】上記液晶組成物ＬＣ−１の物性パラメータ
を以下に示す。 自発分極（３０℃）：Ｐｓ＝２．９ｎＣ／ｃｍ^２ コーン角（３０℃）：Θ＝23.3°（100Ｈｚ，±12.5Ｖ、基板間隙は1.4μｍ） ＳｍＣ^＊相でのらせんピッチ（３０℃） ：２０μｍ以上

【００８６】（液晶セルの作製）本実施例においては、
図１及び図２に示すアクティブマトリクス型液晶パネル
（液晶素子）Ｐを作成した。

【００８７】なお、基板１ａ，１ｂには厚さ１．１ｍｍ
のガラス基板を用い、それらには透明電極３ａ，３ｂを
７００Å厚のＩＴＯにて形成した。また、一方のガラス
基板１ａにはＲＧＢのカラーフィルター（不図示）を形
成した。そして、画面サイズは１０．４インチとし、画
素数（すなわち、ＲＧＢの色画素によって構成される画
素の数）は８００×６００とした。

【００８８】さらに、アクティブ素子４にはａ−ＳｉＴ
ＦＴを用い、該ＴＦＴ４のゲート絶縁膜５ｂには窒化シ
リコン膜を用いた。

【００８９】また、配向制御膜６ａ，６ｂは、ポリイミ
ド膜にて形成した。具体的には、市販のＴＦＴ用配向膜
（日産化学社製のＳＥ７９９２）をスピンコート法によ
り透明電極３ａ，３ｂを覆うように塗布し、その後、８
０℃の温度で５分間の前乾燥を行ない、さらに２００℃
の温度で１時間の加熱焼成を施すことによって形成し、
その膜厚を１５０Åとした。なお、これらの配向制御膜
６ａ，６ｂには、コットン布によるラビング処理（一軸
配向処理）を施した。このラビング処理には、外周面に
コットン布を貼り合わせた径１０ｃｍのラビングロール
を用い、押し込み量を０．７ｍｍ、送り速度を１０ｃｍ
／ｓｅｃとし、回転数を１０００ｒｐｍ、送り回数を４
回とした。

【００９０】続いて、一方の基板上には、平均粒径１．
５μｍのシリカビーズ（スペーサー）を散布し、各基板
のラビング処理方向が互いにアンチパラレルとなるよう
に貼り合わせ、均一な基板間隙のセルを得た。

【００９１】このようなプロセスで作製したセルに液晶
組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶がカイラ
ルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却し（但し、冷
却速度は１℃／ｍｉｎとした）、液晶がＣｈ相からＳｍ
Ｃ^*相に相転移する際に（Ｔｃ−２℃〜Ｔｃ＋２℃の温
度範囲内で）−２Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印
加し、液晶パネルＰを作製した。

【００９２】次に、作製した液晶パネルＰにエージング
処理を施した。具体的には、図４に示すように、１フレ
ーム期間Ｆ_０を２つのフィールド期間Ｆ_１，Ｆ_２に分割
し、前半のフィールド期間Ｆ_１では正のソース電圧（エ
ージング用電圧）Ｖｓ＝＋Ｖx＝＋５Ｖを印加し、後半
のフィールド期間Ｆ_２では負のソース電圧（エージング
用電圧）Ｖｓ＝−Ｖx＝−５Ｖを印加してエージング処
理を施した。

【００９３】なお、本実施例では、ゲート線Ｇ_１，
Ｇ_２，…は１本ずつではなく５０本ずつを同時に走査し
たため、ゲート選択期間Ｔon（１つのフィールド期間に
おける選択期間Ｔon）は、ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…を１
本ずつ走査する場合の５０倍となる。そして、選択期間
Ｔonは、液晶２の透過率が０％から９０％に変化するま
での時間にほぼ等しくなるように、６９４μｓとした
（１フレーム期間Ｆ_０を６０Ｈｚとし、１フィールド期
間Ｆ_１，Ｆ_２を１２０Ｈｚとした）。ここで、本実施例
における液晶パネルＰのゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…の総数
は６００本であるため、１２回の走査で全画面が走査さ
れることとなる。

【００９４】本実施例では、上述のように作製しエージ
ング処理を施した液晶パネルＰを１０個作製した。但
し、各液晶パネルＰのエージング処理時間は、１分、２
分、３分、４分、５分、１０分、１５分、２０分、２５
分、３０分と異ならせておき、３Ｖのソース電圧Ｖｓを
印加して図４に示す方法でそれぞれの液晶パネルを駆動
し、その透過率をオシロスコープで測定した。なおこの
実験における透過率１００％として、パネルを等方相に
加熱し、偏光板を平行ニコルに設定したときの輝度を１
００％とした。その透過率の測定結果とエージング処理
時間との関係を図６に示すが、５分程度のエージング処
理で、電圧−透過率特性が安定していることが理解でき
る。なお、図６の横軸は、３Ｖ（画像表示用電圧）では
なく５Ｖ（エージング用電圧）を印加した時間、すなわ
ち、エージング処理を施した時間を示しており、縦軸
は、３Ｖ（画像表示用電圧）を印加したときの透過率を
示す。なお、図４の駆動方法によれば、透過率は、符号
Ｔｘ、Ｔｙに明らかなように前半のフィールド期間Ｆ_１
と後半のフィールド期間Ｆ_２とで異なるが、図６の縦軸
の値は、透過率の積分値の時間平均として下式で算出し
たものを用いた。

【００９５】

【数１】 但し、τは任意のタイミング、Ｔは透過率、ｔは時間

【００９６】また、画像表示用電圧を３Ｖとしてエージ
ング用電圧の５Ｖと異ならせたのは、３Ｖ程度の中間調
表示電圧の方が、電圧−透過率特性の変化が透過率の差
として顕著に現れるため、エージング処理時間の影響が
現れ易いからである。

【００９７】ところで、ゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…を１本
ずつ走査し、選択期間Ｔonを１３．９μｓとしてエージ
ング処理を施した場合、電圧−透過率特性を安定させる
には１０分程度のエージング処理が必要であったが、本
実施例によれば、エージング処理を短時間できることが
分かった。

【００９８】ところで、１０分以上のエージング処理を
施して電圧−透過率特性を安定にさせた後の液晶パネル
（１０分、１５分、２０分、２５分、３０分のエージン
グ処理を施した液晶パネル）を用い、特定の画像（白黒
のチャートなどの固定パターン）を５時間程度連続表示
させたが、表示焼き付き現象は全く観測されなかった。
つまり、エージング処理によって、電圧−透過率特性が
完全に安定状態に移行して特性変化は全く発生せず、焼
き付きに対する信頼性が大きく向上したものと考えられ
る。

【００９９】なお、本実施例においては、特定パターン
の画像を継続表示（白黒のチャートなどの固定パターン
を５時間程度表示）させた後、所定の中間調電圧（例え
ば、最大輝度に対して５０％輝度が得られるような電
圧）を印加した場合において、中間調表示を行っている
状態で“特定パターンの画像”が目視にて視認されれば
焼きついていると判断し、“特定パターンの画像”が目
視にて視認されなければ焼きついていないものと判断す
ることとした。

【０１００】（実施例２）本実施例では、６００本全て
のゲート線Ｇ_１，Ｇ_２，…を同時走査し、全てのＴＦＴ
４は継続的にオンにし、これによってエージング用電圧
を印加するようにした。その他の構成は実施例１と同じ
にした。

【０１０１】本実施例によれば、３分程度の短時間でエ
ージング処理が完了し、電圧−透過率特性が安定した。

【０１０２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
アクティブ素子は長い時間オンされるようになっている
ため、エージング処理を繰り返す必要がなく、短時間で
完了できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示
す断面図。

【図２】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示
す回路図。

【図３】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示
す等価回路図。

【図４】アクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方法
を示すタイミングチャート図。

【図５】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性
の一例を示す図。

【図６】エージング処理時間と透過率との関係を示す
図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ ガラス基板（基板） ２ カイラルスメクチック液晶 ３ａ 共通電極（電極） ３ｂ 画素電極（電極） ４ ＴＦＴ（アクティブ素子） Ｐ 液晶パネル（液晶素子）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門叶 剛司 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森 秀雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 野口 幸治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 礒部 隆一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 GA03 GA04 GA17 HA03 HA06 HA08 MA20 2H093 NC34 NC35 NC66 ND06 ND53 ND58

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定間隙を開けた状態に一対の基板を配
   置する工程と、これら一対の基板の間隙にカイラルスメ
   クチック液晶を配置する工程と、該カイラルスメクチッ
   ク液晶を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一
   対の電極を配置する工程と、アクティブ素子を各画素毎
   に一方の電極に接続した状態に配置する工程と、からな
   る液晶素子の製造方法において、 前記一対の電極を介して前記カイラルスメクチック液晶
   にエージング用電圧を印加することに基き該液晶の電圧
   −透過率特性を安定にする工程、を備え、かつ、 前記エージング用電圧を印加するために前記アクティブ
   素子をオンにする時間が、画像表示のために前記アクテ
   ィブ素子をオンにする時間よりも長い、ことを特徴とす
   る液晶素子の製造方法。
2. 【請求項２】 前記エージング用電圧を印加するために
   前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から１０
   ０％に透過率が変化するまでの時間にほぼ等しい、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記エージング用電圧を印加するために
   前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から５０
   ％に透過率が変化するまでの時間にほぼ等しい、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記エージング用電圧を印加するために
   前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から３０
   ％に透過率が変化するまでの時間にほぼ等しい、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記エージング用電圧を印加するために
   前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から１０
   ０％に透過率が変化するまでの時間よりも長い、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記エージング用電圧を印加するために
   前記アクティブ素子が継続的にオンされる、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記カイラルスメクチック液晶が、高温
   側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相
   （Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）、又
   は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチック
   Ｃ相（ＳｍＣ^*）の相転移系列を示す液晶である、 ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載
   の液晶素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記エージング用電圧の印加は、前記カ
   イラルスメクチック液晶がカイラルスメクチックＣ相を
   呈する状態のときに行われる、 ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載
   の液晶素子の製造方法。
9. 【請求項９】 前記エージング用電圧の印加は、ほぼ全
   ての画素に対して行われる、 ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載
   の液晶素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 所定間隙を開けた状態に配置された一
    対の基板と、これら一対の基板の間隙に配置されたカイ
    ラルスメクチック液晶と、複数の画素を構成すると共に
    該カイラルスメクチック液晶を挟み込むように配置され
    た一対の電極と、これらの一対の電極のいずれか一方に
    接続されて各画素毎に配置された複数のアクティブ素子
    と、を備えた液晶素子を駆動する、液晶素子の駆動方法
    において、 画像表示をする場合よりも長い時間前記アクティブ素子
    をオンにすることに基き、前記一対の電極を介して前記
    カイラルスメクチック液晶にエージング用電圧を印加
    し、該液晶の電圧−透過率特性を安定にする、 ことを特徴とする液晶素子の駆動方法。
11. 【請求項１１】 前記エージング用電圧を印加するため
    に前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から１
    ００％に透過率が変化するまでの時間にほぼ等しい、 ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶素子の駆動方
    法。
12. 【請求項１２】 前記エージング用電圧を印加するため
    に前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から５
    ０％に透過率が変化するまでの時間にほぼ等しい、 ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶素子の駆動方
    法。
13. 【請求項１３】 前記エージング用電圧を印加するため
    に前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から３
    ０％に透過率が変化するまでの時間にほぼ等しい、 ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶素子の駆動方
    法。
14. 【請求項１４】 前記エージング用電圧を印加するため
    に前記アクティブ素子をオンにする時間が、０％から１
    ００％に透過率が変化するまでの時間よりも長い、 ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶素子の駆動方
    法。
15. 【請求項１５】 前記エージング用電圧を印加するため
    に前記アクティブ素子が継続的にオンされる、 ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶素子の駆動方
    法。
16. 【請求項１６】 前記カイラルスメクチック液晶が、高
    温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック
    相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）、
    又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチッ
    クＣ相（ＳｍＣ^*）の相転移系列を示す液晶である、 ことを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか１項に
    記載の液晶素子の駆動方法。
17. 【請求項１７】 前記エージング用電圧の印加は、前記
    カイラルスメクチック液晶がカイラルスメクチックＣ相
    を呈する状態のときに行われる、 ことを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれか１項に
    記載の液晶素子の駆動方法。
18. 【請求項１８】 前記エージング用電圧の印加は、ほぼ
    全ての画素に対して行われる、 ことを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか１項に
    記載の液晶素子の駆動方法。
19. 【請求項１９】 前記エージング用電圧の印加は、電源
    がオンされた後に自動的に行われる、 ことを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか１項に
    記載の液晶素子の駆動方法。
20. 【請求項２０】 前記エージング用電圧の印加は、スク
    リーンセーバが起動されるときに自動的に行われる、 ことを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか１項に
    記載の液晶素子の駆動方法。
21. 【請求項２１】 前記エージング用電圧の印加は、前記
    液晶素子に光照射がされていない状態で行われる、 ことを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか１項に
    記載の液晶素子の駆動方法。