JPS63163821A - 強透電性液晶表示素子 - Google Patents
強透電性液晶表示素子Info
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- JPS63163821A JPS63163821A JP31496886A JP31496886A JPS63163821A JP S63163821 A JPS63163821 A JP S63163821A JP 31496886 A JP31496886 A JP 31496886A JP 31496886 A JP31496886 A JP 31496886A JP S63163821 A JPS63163821 A JP S63163821A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は強誘電性液晶表示素子において、強誘電性液晶
の均一な配向を得るために、パネルを構成する２枚の等
板に、ポリフッ化ビニリデンの薄膜を形成し、その片方
の基板上の薄膜のみにラビングを施すことを特徴とする
。本発ＢＡＶｃよれば、強誘電性液晶を大面積にわたっ
て均一に配向させることが可能となゆ、さらに電界除去
後も電界印加時の状態を維持するメモリ性を持つ強誘電
性液晶表示素子を得ることができる。
の均一な配向を得るために、パネルを構成する２枚の等
板に、ポリフッ化ビニリデンの薄膜を形成し、その片方
の基板上の薄膜のみにラビングを施すことを特徴とする
。本発ＢＡＶｃよれば、強誘電性液晶を大面積にわたっ
て均一に配向させることが可能となゆ、さらに電界除去
後も電界印加時の状態を維持するメモリ性を持つ強誘電
性液晶表示素子を得ることができる。
本発明は強誘電性液晶表示素子における液晶分子の配向
方法に関する。
方法に関する。
現在の液晶表示の主流であるツィステッド・・ネマティ
、り（ＴＮ）！液晶表示においては、表示の高精細化や
大容量化が限界に近づきつつある。強誘′を性液晶は、
メモリ性（双安定性）およびｍｓ以下の高速応答性とい
うＴＮ型液晶には黒い特徴を有する。従って、情報表示
能力のより高い素子を作ることが可能である。
、り（ＴＮ）！液晶表示においては、表示の高精細化や
大容量化が限界に近づきつつある。強誘′を性液晶は、
メモリ性（双安定性）およびｍｓ以下の高速応答性とい
うＴＮ型液晶には黒い特徴を有する。従って、情報表示
能力のより高い素子を作ることが可能である。
強誘電性液晶表示は、１−傳造を持つカイラルスメクテ
ィックＣ（Ｓｃ“）相金用いる丸めに、ラビングによる
配向膜表面の局部的な方向の乱れにより層臂ａｌＣ欠陥
が発生し易く、パネル全体シＣわたり均一に配向させる
ことが困難である。このため、強誘電性液晶の層構造を
損なわずに均一ンこ配向させる技術が必快である、 〔従来の技術〕 従来の液晶表示素子はＴＮ型液晶表示が主流である。Ｔ
Ｎ型液晶を用いた重線マトリクスやディスプレイでは、
表示画素数が増加するに連れて表示コントラストが低下
するという問題点がある。
ィックＣ（Ｓｃ“）相金用いる丸めに、ラビングによる
配向膜表面の局部的な方向の乱れにより層臂ａｌＣ欠陥
が発生し易く、パネル全体シＣわたり均一に配向させる
ことが困難である。このため、強誘電性液晶の層構造を
損なわずに均一ンこ配向させる技術が必快である、 〔従来の技術〕 従来の液晶表示素子はＴＮ型液晶表示が主流である。Ｔ
Ｎ型液晶を用いた重線マトリクスやディスプレイでは、
表示画素数が増加するに連れて表示コントラストが低下
するという問題点がある。
これはＴＮ型液晶のしきい値特性が急峻でないために、
非表示部分も半表示状暢になるというクロストークを生
じてしまうためである。また、ＴＮ型液、ｌ’＆表示は
、見る方向によりコントラストが著しく変化するという
視角依存性が大舞いことによっても大面積表示が困難で
ある。
非表示部分も半表示状暢になるというクロストークを生
じてしまうためである。また、ＴＮ型液、ｌ’＆表示は
、見る方向によりコントラストが著しく変化するという
視角依存性が大舞いことによっても大面積表示が困難で
ある。
〔発明が解決しようとする問題点３
強誘電性液晶を用いれば、革純マトリクスでも大容量表
示を実現することが可能である。それは、Ｓｅ”相では
液晶自体がメモリ性（双安定性）を有するためにクロス
トークの問題が無いからであり、さらに印加電圧に対す
る光透過率の応答が急峻なためである、また、強誘電性
液晶表示では、ＴＮのような視角依存性が無いので大面
積表示が可能である。
示を実現することが可能である。それは、Ｓｅ”相では
液晶自体がメモリ性（双安定性）を有するためにクロス
トークの問題が無いからであり、さらに印加電圧に対す
る光透過率の応答が急峻なためである、また、強誘電性
液晶表示では、ＴＮのような視角依存性が無いので大面
積表示が可能である。
しかし、この強誘電性液晶表示素子を有効に作動させる
ために→、液晶パネル中の液晶分子を均一に配向させ、
パネル全体に巣−のドメインを形成することが必要であ
る。大面積表示を考慮した強誘電性液晶の配向制御方法
としては、ＴＮ型液晶の配向制御方法として用いられて
いる樹脂配向膜のラビング法が有効であるが、この方法
では強制的に液晶分子を一方向に並べようとするために
、Ｓｃ“相の層構造を乱し、欠陥を生じさせてしまうと
いう問題点がある。
ために→、液晶パネル中の液晶分子を均一に配向させ、
パネル全体に巣−のドメインを形成することが必要であ
る。大面積表示を考慮した強誘電性液晶の配向制御方法
としては、ＴＮ型液晶の配向制御方法として用いられて
いる樹脂配向膜のラビング法が有効であるが、この方法
では強制的に液晶分子を一方向に並べようとするために
、Ｓｃ“相の層構造を乱し、欠陥を生じさせてしまうと
いう問題点がある。
また、従来技術として知られている配向膜材料としては
、ポリイミドがあるが、これを配向膜として用い、ラビ
ング処理を施し作製した液晶パネルでは、パネル全体に
わたって均一な液晶の配向を得るのは困難であり、コン
トラスト比も５：ｌと満足のいく表示特性が得られてい
ないのが現状である。
、ポリイミドがあるが、これを配向膜として用い、ラビ
ング処理を施し作製した液晶パネルでは、パネル全体に
わたって均一な液晶の配向を得るのは困難であり、コン
トラスト比も５：ｌと満足のいく表示特性が得られてい
ないのが現状である。
本発明は、液晶配向膜としてポリフッ化ビニリデンを用
いるものとする。配向制御方法は、パネルの大面積表示
化にとって有効であるラビング法を用い、ラビングが液
晶層構造へ及ぼす悪影響を小さくするために、パネルを
構成する２枚の基板上に形成したポリフッ化ビニリデン
薄膜の片方のみにラビングを施すものである。
いるものとする。配向制御方法は、パネルの大面積表示
化にとって有効であるラビング法を用い、ラビングが液
晶層構造へ及ぼす悪影響を小さくするために、パネルを
構成する２枚の基板上に形成したポリフッ化ビニリデン
薄膜の片方のみにラビングを施すものである。
本発明の強誘電性液晶表示素子は、比較的表面ｊ性が強
く、誘１体であるポリフッ化ビニリデンを用いているた
めに、自発分極を有する強誘電性液晶の配向を制御する
ためには効果的である。また、片方の基板にしかラビン
グを施さないために、ラビングにより生じる液晶層構造
の乱れを両側にラビングを施す場合よゆも小さくしてい
る。
く、誘１体であるポリフッ化ビニリデンを用いているた
めに、自発分極を有する強誘電性液晶の配向を制御する
ためには効果的である。また、片方の基板にしかラビン
グを施さないために、ラビングにより生じる液晶層構造
の乱れを両側にラビングを施す場合よゆも小さくしてい
る。
透明電極膜（ＩＴＯ）付きガラス等板を洗浄した後、ボ
リア、化ビニリデン（Ａｌｄｒｉｃｈ製）の溶液をスピ
ンコードし、１６０℃において１時間焼成を行い薄膜を
形成した。パネルを形成する２枚の基板の片方のみにラ
ビングを施し、ｏ、７μｍのアルミナ粉末をスペーサと
し液晶パネルを作製した。
リア、化ビニリデン（Ａｌｄｒｉｃｈ製）の溶液をスピ
ンコードし、１６０℃において１時間焼成を行い薄膜を
形成した。パネルを形成する２枚の基板の片方のみにラ
ビングを施し、ｏ、７μｍのアルミナ粉末をスペーサと
し液晶パネルを作製した。
作製したパネルに第１図に示したエステル系の２成分強
誘電性液晶混合物を封入し、クロスニコル下での透過光
量とコントラスト比の測定上２７℃に固定して行った。
誘電性液晶混合物を封入し、クロスニコル下での透過光
量とコントラスト比の測定上２７℃に固定して行った。
大面積にわたり均一な液晶の配向が得られ、コントラス
ト比は１：８となりポリイミドを用いた場合のｌ：５よ
りも良好な値となった。また、メモリ性については、ｌ
Ｏｖで３．４ｍｓのパルス波を印加し、３０ｔ）経過し
た後も透過率の変化は見られなかった。
ト比は１：８となりポリイミドを用いた場合のｌ：５よ
りも良好な値となった。また、メモリ性については、ｌ
Ｏｖで３．４ｍｓのパルス波を印加し、３０ｔ）経過し
た後も透過率の変化は見られなかった。
強誘電性液晶として第１図以外の化合物も適用しうる。
本発明によれば、強誘電性液晶の層構造を乱すことなく
液晶分子１に基板に平行に均一配向させるる。
液晶分子１に基板に平行に均一配向させるる。
第１図は、本発明で使用した強ａｉＩ性液晶混合物の嘴
造認ｔよび混合ｒを示した図、 １４２図は、本発明による強ｖｊ這性液晶表示素子のＫ
ｔｒｆｆｉｉ図である。 ・ ′ 、
造認ｔよび混合ｒを示した図、 １４２図は、本発明による強ｖｊ這性液晶表示素子のＫ
ｔｒｆｆｉｉ図である。 ・ ′ 、
Claims (2)
- （１）液晶分子を基板に平行に配向させる強誘電性液晶
表示素子において、液晶分子を平行配向させる配向膜と
してポリフッ化ビニリデン薄膜を用いることを特徴とす
る強誘電性液晶表示素子。 - （２）ポリフッ化ビニリデン薄膜の片方のみがラビング
されたことを特徴とする第１項記載の強誘電性液晶表示
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31496886A JPS63163821A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 強透電性液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31496886A JPS63163821A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 強透電性液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63163821A true JPS63163821A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18059830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31496886A Pending JPS63163821A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 強透電性液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63163821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7864151B1 (en) | 1986-07-07 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP31496886A patent/JPS63163821A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7864151B1 (en) | 1986-07-07 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Portable electronic device |
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