JPS62112680A - 負の誘電異方性を示す液晶組成物及び液晶表示パネル - Google Patents
負の誘電異方性を示す液晶組成物及び液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JPS62112680A JPS62112680A JP25215385A JP25215385A JPS62112680A JP S62112680 A JPS62112680 A JP S62112680A JP 25215385 A JP25215385 A JP 25215385A JP 25215385 A JP25215385 A JP 25215385A JP S62112680 A JPS62112680 A JP S62112680A
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- Japan
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- liquid crystal
- dielectric anisotropy
- negative dielectric
- crystal composition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、負の誘電異方性を示す液晶材料及び液晶表示
パネルに関するものである。
パネルに関するものである。
従来の技術
強誘電性液晶はその速い応答速度、メモリー効果等ネマ
チック液晶にはない特性を有しており、光シャッタ、表
示装置への応用が考えられており、多方面から研究が進
められている。（オプトロニクス、１９８３．１ＩｋＬ
９）以下図面を見ながら従来の強誘電性液晶の動作原理
について説明する。
チック液晶にはない特性を有しており、光シャッタ、表
示装置への応用が考えられており、多方面から研究が進
められている。（オプトロニクス、１９８３．１ＩｋＬ
９）以下図面を見ながら従来の強誘電性液晶の動作原理
について説明する。
第２図は従来の強誘電性液晶の動作原理図である。
第２図ａは電圧無印加の状態、第２図すは紙面裏から表
方向に電圧を印加した場合、第２図Ｃは逆方向に電圧を
印加した場合の動作原理である。
方向に電圧を印加した場合、第２図Ｃは逆方向に電圧を
印加した場合の動作原理である。
１は層法線に対して分子長軸が＋θ度頭重た液晶分子、
２は−θ度頭重た液晶分子、３は紙面表方向を向いてい
る双楊子モーメント、４は紙面裏方向を向いている双極
子モーメント、５は２枚の偏光板の方向である。強誘電
性液晶を透明電極の付着したガラス基板にはさみ、その
パネルの厚さをら旋ピッチ以下にすると第２図ａのよう
にら旋がほどけ層に対して分子が＋θ度頭重た領域と＝
θ度頭重た領域に分かれる。上下電極間に電圧を印加す
ることにより第２図すのようにセル全体が＋θ度頭重た
モノドメインになる。又、逆電圧を印加すると第２図Ｃ
のようにセル全体が一θ頭重いたモノドメインになる。
２は−θ度頭重た液晶分子、３は紙面表方向を向いてい
る双楊子モーメント、４は紙面裏方向を向いている双極
子モーメント、５は２枚の偏光板の方向である。強誘電
性液晶を透明電極の付着したガラス基板にはさみ、その
パネルの厚さをら旋ピッチ以下にすると第２図ａのよう
にら旋がほどけ層に対して分子が＋θ度頭重た領域と＝
θ度頭重た領域に分かれる。上下電極間に電圧を印加す
ることにより第２図すのようにセル全体が＋θ度頭重た
モノドメインになる。又、逆電圧を印加すると第２図Ｃ
のようにセル全体が一θ頭重いたモノドメインになる。
従って電気光学効果による複屈折または２色性を利用す
れば±θ度頭重た２つの状態により明暗を表わすことが
できる。又第２図Ｃの状態で電圧を切ると第２図Ｃのま
ま分子の状態は保たれメモリー効果がある。従来は先程
も述べたようにセルの厚みをら旋ピッチ以下の厚みにま
で薄＜シ壁面との相互作用によってこのメモリー効果を
もたせていた。（竹添秀夫、福田敦夫、久世栄−；「工
業材料」第３１巻、第１０号、２２） 発明が解決し
ようとする問題点しかしながら上記のように薄セル化に
よりメモリー効果を持たせるためにはセル厚を１μｍ〜
３μｍ位に保つ必要があり均一なセル厚のセルを作製す
るのは困難であるという問題点を有していた。
れば±θ度頭重た２つの状態により明暗を表わすことが
できる。又第２図Ｃの状態で電圧を切ると第２図Ｃのま
ま分子の状態は保たれメモリー効果がある。従来は先程
も述べたようにセルの厚みをら旋ピッチ以下の厚みにま
で薄＜シ壁面との相互作用によってこのメモリー効果を
もたせていた。（竹添秀夫、福田敦夫、久世栄−；「工
業材料」第３１巻、第１０号、２２） 発明が解決し
ようとする問題点しかしながら上記のように薄セル化に
よりメモリー効果を持たせるためにはセル厚を１μｍ〜
３μｍ位に保つ必要があり均一なセル厚のセルを作製す
るのは困難であるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、厚セルにおいてもメモリー
効果を持つことが可能な常誘電異方性を利用する方式を
採用できる負の誘電異方性をもった液晶材料及び液晶表
示パネルを提供するものである。
効果を持つことが可能な常誘電異方性を利用する方式を
採用できる負の誘電異方性をもった液晶材料及び液晶表
示パネルを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の負の誘電異方性を
示す液晶組成物は、強誘電性液晶が低周波数に於いては
印加電圧に自発分極Ｐ、が応答するが高周波数に於いて
は自発分極は追ずいできなくなり常誘電異方性により配
向するという効果を利用し、厚セルに於いてもメモリー
効果を持つように誘電率異方性ΔΣが一１０≦ΔΣ≦−
２という負の値をもった液晶組成物及びこれを用いた液
晶表示パネルを提供するものである。
示す液晶組成物は、強誘電性液晶が低周波数に於いては
印加電圧に自発分極Ｐ、が応答するが高周波数に於いて
は自発分極は追ずいできなくなり常誘電異方性により配
向するという効果を利用し、厚セルに於いてもメモリー
効果を持つように誘電率異方性ΔΣが一１０≦ΔΣ≦−
２という負の値をもった液晶組成物及びこれを用いた液
晶表示パネルを提供するものである。
作用
本発明の負の誘電異方性をもった液晶材料は、以下のよ
うに作用する。常誘電異方性を利用するメモリー効果に
ついて第２図、第３図を参照しながら説明する。まず選
択時τ、に於いて第３図ａに示すよう低周波数電圧を印
加する。この低周波数電圧に自発分極Ｐｓが応答するの
で、第２図ａのような双安定状態をとっていた強誘電性
液晶分子はその電圧の印加方向により第２図ｂ、または
Ｃの様な状態になる。次に非選択時τ、に第２図すに示
すような高周波電圧を印加すると強誘電性液晶の自発分
極Ｐ、は応答できなくなり常誘電異方性が応答するよう
になる。用いる強誘電性液晶組成物は誘電異方性が負で
あるので液晶分子は非選択時に於いてはガラス基板に対
して平行状態に強制される。その結果、選択時に第２図
すまたはＣの状態をとっていた液晶分子は、非選択時に
もそのままの状態を保持することになりメモリー効果を
持つようになる。
うに作用する。常誘電異方性を利用するメモリー効果に
ついて第２図、第３図を参照しながら説明する。まず選
択時τ、に於いて第３図ａに示すよう低周波数電圧を印
加する。この低周波数電圧に自発分極Ｐｓが応答するの
で、第２図ａのような双安定状態をとっていた強誘電性
液晶分子はその電圧の印加方向により第２図ｂ、または
Ｃの様な状態になる。次に非選択時τ、に第２図すに示
すような高周波電圧を印加すると強誘電性液晶の自発分
極Ｐ、は応答できなくなり常誘電異方性が応答するよう
になる。用いる強誘電性液晶組成物は誘電異方性が負で
あるので液晶分子は非選択時に於いてはガラス基板に対
して平行状態に強制される。その結果、選択時に第２図
すまたはＣの状態をとっていた液晶分子は、非選択時に
もそのままの状態を保持することになりメモリー効果を
持つようになる。
以上のように、負の誘電異方性をもつ強誘電性液晶分子
を用いることにより、壁面との相互作用を利用すること
なしにメモリー効果を持たせることができる。
を用いることにより、壁面との相互作用を利用すること
なしにメモリー効果を持たせることができる。
実施例
次に本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
使用した液晶組成物は以下の構造式を有する負の誘電異
方性をもつ液晶化合物を２０ｍｏ １％含む工ステル系
の液晶組成物である。
方性をもつ液晶化合物を２０ｍｏ １％含む工ステル系
の液晶組成物である。
相転移温度
但し Ｉ、。二環方性液体
Ｃｈ ：コレステリック相
Ｓ＾ ：スメクチックＡ相
Ｓｃ“：カイラルスメクチックＣ相
上記強誘電性液晶の電気光学的特性に関して検討を行っ
た。測定方法は有機配向膜を塗布し一定方向にラビング
を行った上下基板間を上記強誘電性液晶組成物で満たし
、クロスニコル間で測定を行った。測定温度は３３℃で
あった。
た。測定方法は有機配向膜を塗布し一定方向にラビング
を行った上下基板間を上記強誘電性液晶組成物で満たし
、クロスニコル間で測定を行った。測定温度は３３℃で
あった。
第１図は本発明の負の誘電異方性を示す液晶組成物の電
気光学特性を示すものである。第１図ａは輝度変化すは
液晶に印加した電圧である。選択期間ｒＤにリセットパ
ルスを印加した後パルス幅２ｍ５ｅｃ波高値３０Ｖのパ
ルスを印加する。リセットパルスにより第２図Ｃの状態
になった液晶分子はこのパルス印加により第２図すの状
態をとるようになり輝度は第１図ａに示すように明から
暗に変化する。その後の非選択期間τ１にパルス幅１２
．５μｓｅｃ、波高値２０Ｖのパルスを連続的に印加す
ることにより第１図ａの輝度は暗の状態が保たれ液晶分
子は第２図すの状態が保持されている。
気光学特性を示すものである。第１図ａは輝度変化すは
液晶に印加した電圧である。選択期間ｒＤにリセットパ
ルスを印加した後パルス幅２ｍ５ｅｃ波高値３０Ｖのパ
ルスを印加する。リセットパルスにより第２図Ｃの状態
になった液晶分子はこのパルス印加により第２図すの状
態をとるようになり輝度は第１図ａに示すように明から
暗に変化する。その後の非選択期間τ１にパルス幅１２
．５μｓｅｃ、波高値２０Ｖのパルスを連続的に印加す
ることにより第１図ａの輝度は暗の状態が保たれ液晶分
子は第２図すの状態が保持されている。
以上のように本実施例によれば第１図すに示す様な駆動
波形で負の誘電異方性をもつ液晶組成物を用いることに
よりメモリー効果をもたせることができる。
波形で負の誘電異方性をもつ液晶組成物を用いることに
よりメモリー効果をもたせることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、負の誘電異方性を示す液晶分子
を用い、常誘電異方性の効果を利用することにより厚セ
ルに於いてもメモリー効果をもたせることができる。
を用い、常誘電異方性の効果を利用することにより厚セ
ルに於いてもメモリー効果をもたせることができる。
第１図は本発明の第１の実施例に於ける負の誘電異方性
を示す液晶組成物の電気光学の特性図、第２図は強誘電
性液晶の動作の原理図、第３図は常誘電異方性を利用し
たメモリー効果の作用の説明図である。 １・・・・・・層法線に対して分子の長軸が＋θ度頭重
た液晶分子、２・・・・・・層法線に対して分子の長軸
が一θ頭重いた液晶分子、３・・・・・・紙面表方向の
双楊子モーメント、４・・・・・・紙面裏方向の双極子
モーメント、５・・・・・・２枚の偏向板の方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名歎郊嗅−−
話） 巳貝製叫 第２図 Ｃ０−） （ｂ） 第 ３１！！ （ａ−） τ （′ｂ）
を示す液晶組成物の電気光学の特性図、第２図は強誘電
性液晶の動作の原理図、第３図は常誘電異方性を利用し
たメモリー効果の作用の説明図である。 １・・・・・・層法線に対して分子の長軸が＋θ度頭重
た液晶分子、２・・・・・・層法線に対して分子の長軸
が一θ頭重いた液晶分子、３・・・・・・紙面表方向の
双楊子モーメント、４・・・・・・紙面裏方向の双極子
モーメント、５・・・・・・２枚の偏向板の方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名歎郊嗅−−
話） 巳貝製叫 第２図 Ｃ０−） （ｂ） 第 ３１！！ （ａ−） τ （′ｂ）
Claims (3)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ｎ＝６〜１０ （式中Ｘは−ＣＬ、−ＣＮ、−Ｆ）で表わされる化合物
を少なくとも１種類含むことを特徴とする負の誘電異方
性を示す液晶組成物。 - （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ｎ＝６〜１０ （式中Ｘは−ＣＬ、−ＣＮ、−Ｆ）で表わされる化合物
をモル比１０〜５０％含むことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の負の誘電異方性を示す液晶組成物。 - （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ｎ＝６〜１０ （式中Ｘは−ＣＬ、−ＣＮ、−Ｆ）で表わされる化合物
が少なくとも１種類含まれた液晶組成物が一対の透明電
極間にはさまれており、これらの透明電極間に分子の配
列方向を変えるためのパルス電圧印加に続いて、高周波
電圧を印加する如く構成したことを特徴とする液晶表示
パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25215385A JPS62112680A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 負の誘電異方性を示す液晶組成物及び液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25215385A JPS62112680A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 負の誘電異方性を示す液晶組成物及び液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112680A true JPS62112680A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17233218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25215385A Pending JPS62112680A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 負の誘電異方性を示す液晶組成物及び液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0843797A (ja) * | 1995-07-19 | 1996-02-16 | Canon Inc | 液晶装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673860A (en) * | 1979-10-01 | 1981-06-18 | Duracell Int | Secondary chemical battery |
| JPS6049575A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池 |
| JPS60218774A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 再充電可能な負極の製造法 |
| US4613209A (en) * | 1982-03-23 | 1986-09-23 | At&T Bell Laboratories | Smectic liquid crystals |
| JPS61251639A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 液晶化合物及び液晶組成物 |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25215385A patent/JPS62112680A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673860A (en) * | 1979-10-01 | 1981-06-18 | Duracell Int | Secondary chemical battery |
| US4613209A (en) * | 1982-03-23 | 1986-09-23 | At&T Bell Laboratories | Smectic liquid crystals |
| JPS6049575A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非水電解質二次電池 |
| JPS60218774A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 再充電可能な負極の製造法 |
| JPS61251639A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 液晶化合物及び液晶組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0843797A (ja) * | 1995-07-19 | 1996-02-16 | Canon Inc | 液晶装置 |
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