JPS61147232A - 液晶素子 - Google Patents
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- JPS61147232A JPS61147232A JP59269886A JP26988684A JPS61147232A JP S61147232 A JPS61147232 A JP S61147232A JP 59269886 A JP59269886 A JP 59269886A JP 26988684 A JP26988684 A JP 26988684A JP S61147232 A JPS61147232 A JP S61147232A
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- phase
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツターアレイ等
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を改善することにより表示ならびに駆動特性を改善
した液晶素子に関する。
の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶分子の初期配向
状態を改善することにより表示ならびに駆動特性を改善
した液晶素子に関する。
従来の液晶素子としては、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ
、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著“Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ”Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４（１９
７１，２，１５）、Ｐ、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａ
ｇｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌＡｃｔｉ
ｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔ・ａｌ″に示されたＴ Ｎ
（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたもの
が知られている。このＴＮ液晶は、画素密度を高くした
マ） ＩＪクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロ
ストークを発生する問題点があるため、画素数が制限さ
れていた。
、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著“Ａｐｐｌ ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ”Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４（１９
７１，２，１５）、Ｐ、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａ
ｇｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌＡｃｔｉ
ｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔ・ａｌ″に示されたＴ Ｎ
（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたもの
が知られている。このＴＮ液晶は、画素密度を高くした
マ） ＩＪクス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロ
ストークを発生する問題点があるため、画素数が制限さ
れていた。
又、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素子
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難かしい問題点がある。
を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素子
が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成す
る工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成する
ことが難かしい問題点がある。
これらの問題点を解決するものとして、クラークらによ
り米国特許第４３６７９２４号公報で強誘電性液晶素子
が発表された。しかしながら、この強誘電性液晶素子が
所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間
に配置される強誘電性液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起る
ような分子配列状態にあることが必要である。たとえば
カイラルスメクティック相を有する強誘電性液晶につい
ては、カイラルスメクテイツク相の液晶分子層が基板面
に対して垂直で、したがって液晶分子軸が基板面にほぼ
平行に配列した領域（モノドメイン）が形成される必要
がある。しかしながら、これまでの強誘電性液晶素子に
おいては、このようなモノドメイン構造を有する液晶の
配向状態が、必ずしも満足に形成されなかったために、
充分な特性が得られなかったのが実情である。
り米国特許第４３６７９２４号公報で強誘電性液晶素子
が発表された。しかしながら、この強誘電性液晶素子が
所定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間
に配置される強誘電性液晶が、電界の印加状態とは無関
係に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起る
ような分子配列状態にあることが必要である。たとえば
カイラルスメクティック相を有する強誘電性液晶につい
ては、カイラルスメクテイツク相の液晶分子層が基板面
に対して垂直で、したがって液晶分子軸が基板面にほぼ
平行に配列した領域（モノドメイン）が形成される必要
がある。しかしながら、これまでの強誘電性液晶素子に
おいては、このようなモノドメイン構造を有する液晶の
配向状態が、必ずしも満足に形成されなかったために、
充分な特性が得られなかったのが実情である。
特に、上述する様に基板上に形成したマド、リフスミ極
が高密度で配線されると、−極線の低抵抗化のために、
電極線が比較的厚い（例えば１０００Å〜３０００人）
膜厚となるため、基板自体の面と電極面との間で１００
０Å以上の大きな段差を形成し、この段差が強誘電性液
晶に対する配向欠陥を発生させる原因となっていること
が、本発明者の実験により明らかとなった。
が高密度で配線されると、−極線の低抵抗化のために、
電極線が比較的厚い（例えば１０００Å〜３０００人）
膜厚となるため、基板自体の面と電極面との間で１００
０Å以上の大きな段差を形成し、この段差が強誘電性液
晶に対する配向欠陥を発生させる原因となっていること
が、本発明者の実験により明らかとなった。
従って、本発明の目的は配向欠陥の発生を防止した強誘
電性液晶素子を提供することにある。
電性液晶素子を提供することにある。
又、本発明の別の目的は、高密度で画素を形成した強誘
電性液晶素子を提供することにある。
電性液晶素子を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的、まこれまでの強誘電性液晶
素子で問題となっていたモノドメイン形成性ないしは初
期配向性を改善することにより、強誘電性液晶素子が本
来もっている高速応答性とメモリー効果特性を充分に発
揮させ得る強誘電性液晶素子を提供することにある。
素子で問題となっていたモノドメイン形成性ないしは初
期配向性を改善することにより、強誘電性液晶素子が本
来もっている高速応答性とメモリー効果特性を充分に発
揮させ得る強誘電性液晶素子を提供することにある。
本発明者らは、上述の目的で更に研究した結果、とくに
液晶が等吉相（高温状態）より液晶相（低温状態）へ移
行する降温過程に於ける初期配向性に着目し、液晶の双
安定性に基づく素子の作動特性と液晶層のモノドメイン
性を両立し得る構造を有する液晶素子を提供することが
可能となった。すなわち、本発明の液晶素子は、このよ
うな知見に基づくものであり、より詳しくは、液晶層と
接する面に段差がなく、つまり液晶層の膜厚に急激な変
化を生じさせなくすることにより降温過程に於ける初期
配向性が良好な状態をなしており、配向欠陥のないモノ
ドメインを形成している点に特徴を有している〇従って
、本発明は一対の平行基板間に強誘電性液晶を有する液
晶素子において、前記一対の平行基板のうち少なくとも
一方の基板が電極を有しているとともに、かかる基板と
電極を覆う平担化層を有しており、前記強誘電性液晶を
平担化層の面に接して配置した液晶素子に特徴を有して
いる。このように平面性のよい基板に挾持された液晶層
は等吉相より、液晶相に移行する降温過程において、徐
冷することにより、液晶相領域が次第に広がりモノドメ
インの液晶相を形成するようになる。
液晶が等吉相（高温状態）より液晶相（低温状態）へ移
行する降温過程に於ける初期配向性に着目し、液晶の双
安定性に基づく素子の作動特性と液晶層のモノドメイン
性を両立し得る構造を有する液晶素子を提供することが
可能となった。すなわち、本発明の液晶素子は、このよ
うな知見に基づくものであり、より詳しくは、液晶層と
接する面に段差がなく、つまり液晶層の膜厚に急激な変
化を生じさせなくすることにより降温過程に於ける初期
配向性が良好な状態をなしており、配向欠陥のないモノ
ドメインを形成している点に特徴を有している〇従って
、本発明は一対の平行基板間に強誘電性液晶を有する液
晶素子において、前記一対の平行基板のうち少なくとも
一方の基板が電極を有しているとともに、かかる基板と
電極を覆う平担化層を有しており、前記強誘電性液晶を
平担化層の面に接して配置した液晶素子に特徴を有して
いる。このように平面性のよい基板に挾持された液晶層
は等吉相より、液晶相に移行する降温過程において、徐
冷することにより、液晶相領域が次第に広がりモノドメ
インの液晶相を形成するようになる。
例えば、液晶として強誘電液晶相を示す上述のＤＯＢＡ
ＭＢＣを例にあげて説明するとＤＯＢＡＭＢＣの等吉相
より徐冷していくとき約１１５°０でスメクテイツク人
相（ＳｍＡ相）に相転移する。
ＭＢＣを例にあげて説明するとＤＯＢＡＭＢＣの等吉相
より徐冷していくとき約１１５°０でスメクテイツク人
相（ＳｍＡ相）に相転移する。
このとき、基板にラビングあるいは８ｉ０！斜め蒸着な
どの配向処理が施さ、れていると、液晶分子の分子軸が
基板に平行で、かつ一方向に配向したモノドメインが形
成される。さらに、冷却を進めていくと、液晶層の厚み
に依存する約９０〜７５℃の間の特定温度でカイラルス
メクテイツクＣ相（ＳｍＣ“相）に相転移する。又、液
晶層の厚みを約２μ以下とした場合は、ＳｍＣ”相のら
せんが解け、双安定性を示す。
どの配向処理が施さ、れていると、液晶分子の分子軸が
基板に平行で、かつ一方向に配向したモノドメインが形
成される。さらに、冷却を進めていくと、液晶層の厚み
に依存する約９０〜７５℃の間の特定温度でカイラルス
メクテイツクＣ相（ＳｍＣ“相）に相転移する。又、液
晶層の厚みを約２μ以下とした場合は、ＳｍＣ”相のら
せんが解け、双安定性を示す。
本発明で用いる液晶材料とくに適したものは双安定性を
有する液晶であって、強誘電性を有するものであり、具
体的には前述のＳｍＣ”の他に、カイラルスメクテイツ
クＨ相（８ｍＨ” ）、Ｉ相（ＳｍＩ”）、Ｊ相（Ｓｍ
Ｊ来）、Ｋ相（ＳｍＫ”）、Ｇ相（８ｍＧ’）又はＦ相
（ＳｍＦ”）の液晶を用いることができる。
有する液晶であって、強誘電性を有するものであり、具
体的には前述のＳｍＣ”の他に、カイラルスメクテイツ
クＨ相（８ｍＨ” ）、Ｉ相（ＳｍＩ”）、Ｊ相（Ｓｍ
Ｊ来）、Ｋ相（ＳｍＫ”）、Ｇ相（８ｍＧ’）又はＦ相
（ＳｍＦ”）の液晶を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえばＬｇ ＪＯ
ＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＱＵＩＤＬＥＴＴＢ
Ｒ８３６（Ｌ−６９）１９７５、「Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；“
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ”
３６ （１１）、１９８０ 「Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５
ｅｃｏｎｄ Ｂ１５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔ
ｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ；“固体物理” １６（１４１）１９
８１１’一液晶」等に記載されており、本発明ではこれ
らに開示された強誘電性液晶を用いることができる。
ＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＱＵＩＤＬＥＴＴＢ
Ｒ８３６（Ｌ−６９）１９７５、「Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；“
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ”
３６ （１１）、１９８０ 「Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５
ｅｃｏｎｄ Ｂ１５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔ
ｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ；“固体物理” １６（１４１）１９
８１１’一液晶」等に記載されており、本発明ではこれ
らに開示された強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（ＤＯＢＡＭＢＣ）、ヘキシルオキシベンジリデン−
Ｐ′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯ
ＢＡＣＰＣ）、４−Ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾル
シリダン−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）が挙
げられる。
ジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（ＤＯＢＡＭＢＣ）、ヘキシルオキシベンジリデン−
Ｐ′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯ
ＢＡＣＰＣ）、４−Ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾル
シリダン−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）が挙
げられる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
がカイラルスメクテイツク相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
ブロック等により支持することができる。
がカイラルスメクテイツク相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
ブロック等により支持することができる。
以下、本発明を図面に従って説明する。
第１図は従来の強誘電性液晶素子の断面図を表わし、第
２図は従来の強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の状
態を表わす図面である。
２図は従来の強誘電性液晶素子に現われた配向欠陥の状
態を表わす図面である。
すなわち、第１図に示す従来の強誘電性液晶素子１０は
、一対の平行基板１１と１２を有しており、基板１１と
１２にはそれぞれマトリクス電極構造をなすストライプ
状の電極線１３と１４が設けられている。このストライ
プ状の電極ｌ５１３と１４は、一般にＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎ
ｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ ）などの透明導電膜によ
って形成されているが、例えば電極線を１６ ｐｅｔ
（１６本／ｍｍ）で配線する場合では、電極線の線幅が
極端に細くなって高抵抗となるため、通常の電卓やウォ
ッチなどで使用されているセグメント電極に較べ肉厚に
、具体的には１００ＯＡ〜３０００λ程度とすることが
、低抵抗化とする上で必要となっている。
、一対の平行基板１１と１２を有しており、基板１１と
１２にはそれぞれマトリクス電極構造をなすストライプ
状の電極線１３と１４が設けられている。このストライ
プ状の電極ｌ５１３と１４は、一般にＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎ
ｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ ）などの透明導電膜によ
って形成されているが、例えば電極線を１６ ｐｅｔ
（１６本／ｍｍ）で配線する場合では、電極線の線幅が
極端に細くなって高抵抗となるため、通常の電卓やウォ
ッチなどで使用されているセグメント電極に較べ肉厚に
、具体的には１００ＯＡ〜３０００λ程度とすることが
、低抵抗化とする上で必要となっている。
従って、高密度画素の液晶素子では、基板の面と電極の
面との間に電極の膜部分（１０００Å〜３０００人）の
段差Ａが形成されて、降温過程を利用して配向制御を行
なう時、上述の段差Ａが原因となって、その段差Ａを堺
にして強誘電性液晶１７に配向欠陥を生じることになる
。又、この段差Ａが存在する基板１１と１２の上にそれ
ぞれ配向制御膜１５と１６を設けると、この配向制御膜
にも段差Ａに応じて形成された段差Ｂが電極のほぼ膜部
分で生じ、上述の同様に強誘電性液晶１７に配向欠陥を
生じていた。
面との間に電極の膜部分（１０００Å〜３０００人）の
段差Ａが形成されて、降温過程を利用して配向制御を行
なう時、上述の段差Ａが原因となって、その段差Ａを堺
にして強誘電性液晶１７に配向欠陥を生じることになる
。又、この段差Ａが存在する基板１１と１２の上にそれ
ぞれ配向制御膜１５と１６を設けると、この配向制御膜
にも段差Ａに応じて形成された段差Ｂが電極のほぼ膜部
分で生じ、上述の同様に強誘電性液晶１７に配向欠陥を
生じていた。
第２図は、上述の比較例で示す強誘電性液晶素子をクロ
スニコルの偏光顕微鏡で観察した時のスケッチで、図中
の白線２１は液晶素子に使用したスペーサ（第１図の１
８）のラインに対応し、線２２は第１図の基板１１上の
段差Ｂに、１／ｓ２３は第１図の基板１２上の段差Ｂに
対応して観察されている。又、図中の部分２４は対向電
極間に挾まれた強誘電性液晶である。偏光顕微鏡中に多
数現出した刃状線２５は、強誘電性液晶の配向欠陥を表
わしている。
スニコルの偏光顕微鏡で観察した時のスケッチで、図中
の白線２１は液晶素子に使用したスペーサ（第１図の１
８）のラインに対応し、線２２は第１図の基板１１上の
段差Ｂに、１／ｓ２３は第１図の基板１２上の段差Ｂに
対応して観察されている。又、図中の部分２４は対向電
極間に挾まれた強誘電性液晶である。偏光顕微鏡中に多
数現出した刃状線２５は、強誘電性液晶の配向欠陥を表
わしている。
この様に強誘電性液晶の接する面で１・０００Å以上の
段差が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘
電性液晶のモノドメイン形成は阻害される。
段差が存在すると、その段差から配向欠陥を生じ、強誘
電性液晶のモノドメイン形成は阻害される。
第３第（Ａ）は、本発明の好ましい強誘電性液晶素子の
断面図で、第３図（Ｂ）はこの素子で用いた片側基板の
態様を表わした斜視図である。
断面図で、第３図（Ｂ）はこの素子で用いた片側基板の
態様を表わした斜視図である。
第３図で示された素子３０は、ガラス板又はプラスチッ
ク板などの透明板を用いた基板３１と３２を有し、その
間に強誘電性液晶３３が挾まれている。各基板３１と３
２にはマトリクス電極構造を形成するストライプ形状の
電極！３４と３５がそれぞれ配線されている。
ク板などの透明板を用いた基板３１と３２を有し、その
間に強誘電性液晶３３が挾まれている。各基板３１と３
２にはマトリクス電極構造を形成するストライプ形状の
電極！３４と３５がそれぞれ配線されている。
基板３１は第３図（Ｂ）に示す様な構造を有している。
すなわち、基板３１にはマトリクス電極構造を形成する
に必要な電極線３４がストライプ形状で配列され、基板
３１自体及び電極線３４を覆う配向制御膜３６がスペー
サ部材３８と一体構成となって設けられている。この際
、電極３４を設けた基板３１の上に全面に亘って絶縁物
質をスピンナー塗布法などの方法を用いて厚膜形成した
後、所定のフォトリソグラフィー技術を用いてスペーサ
部材３８を除いてエツチングすることにより、配向制御
膜３６とスペーサ部材３８とを一体構成とすることがで
き上、この配向制御膜３６を平担化層として形成するこ
とができるので前述で問題となっていた段差を解消する
ことができる。この配向制御膜３６は、強誘電性液晶の
膜厚にも依存するが、一般的には１０Å〜１μ、好適に
はｌｏｏÅ〜３０００人の範囲に設定する。又、スペー
サ部材３８の膜厚は、強誘電性液晶３３の膜厚を決定す
ることができるので、従って液晶材料の種類や要求され
る応答速度などにより変化するが、一般的には０．２μ
〜２０μ、好適には０．５μ〜１０μの範囲に設定され
る。
に必要な電極線３４がストライプ形状で配列され、基板
３１自体及び電極線３４を覆う配向制御膜３６がスペー
サ部材３８と一体構成となって設けられている。この際
、電極３４を設けた基板３１の上に全面に亘って絶縁物
質をスピンナー塗布法などの方法を用いて厚膜形成した
後、所定のフォトリソグラフィー技術を用いてスペーサ
部材３８を除いてエツチングすることにより、配向制御
膜３６とスペーサ部材３８とを一体構成とすることがで
き上、この配向制御膜３６を平担化層として形成するこ
とができるので前述で問題となっていた段差を解消する
ことができる。この配向制御膜３６は、強誘電性液晶の
膜厚にも依存するが、一般的には１０Å〜１μ、好適に
はｌｏｏÅ〜３０００人の範囲に設定する。又、スペー
サ部材３８の膜厚は、強誘電性液晶３３の膜厚を決定す
ることができるので、従って液晶材料の種類や要求され
る応答速度などにより変化するが、一般的には０．２μ
〜２０μ、好適には０．５μ〜１０μの範囲に設定され
る。
片側の基板３２にも、この基板自体と電極３５を覆う配
向制御Ｍ３７を形成することが好ましい。この際配向制
御膜３７はやはり絶縁物質をスピンナー塗布法などの方
法を用いて厚膜形成した後、均一な全面エツチングによ
り平担化層として形成されることができる。。又、この
基板３２とも必要に応じてスペーサ部材を形成すること
ができるが、この際このスペーサ部材は前述の基板３１
の場合と同様の方法で得ることができる。
向制御Ｍ３７を形成することが好ましい。この際配向制
御膜３７はやはり絶縁物質をスピンナー塗布法などの方
法を用いて厚膜形成した後、均一な全面エツチングによ
り平担化層として形成されることができる。。又、この
基板３２とも必要に応じてスペーサ部材を形成すること
ができるが、この際このスペーサ部材は前述の基板３１
の場合と同様の方法で得ることができる。
本発明で用いる平担化層は、電極面と基板面の間で生じ
る段差を隠ペソするのに十分な肉厚膜で絶縁物質（特に
下達するスペーサ部材や配向制御膜に利用しうる樹脂類
）の被膜をスピンナー塗布法などの方法により形成した
後、プラズマ・エツチングなどの均一なドライ・エツチ
ング法により所定の膜厚となるまでエツチングすること
により得ることができる。例えば、前述の段差が１００
０人となっていた場合では２μ以上、好ましくは５μ以
上の膜厚で絶縁物質をスピンナー塗布法により被膜形成
すると、この被膜表面では段差を５００λ以下とするこ
とができ、この被膜をさらにドライ・エツチングすると
この表面での段差が３００Å〜５００λ程度までに平担
化され、電極面と基板面で生じていた段差を十分に隠ペ
ノすることができる。
る段差を隠ペソするのに十分な肉厚膜で絶縁物質（特に
下達するスペーサ部材や配向制御膜に利用しうる樹脂類
）の被膜をスピンナー塗布法などの方法により形成した
後、プラズマ・エツチングなどの均一なドライ・エツチ
ング法により所定の膜厚となるまでエツチングすること
により得ることができる。例えば、前述の段差が１００
０人となっていた場合では２μ以上、好ましくは５μ以
上の膜厚で絶縁物質をスピンナー塗布法により被膜形成
すると、この被膜表面では段差を５００λ以下とするこ
とができ、この被膜をさらにドライ・エツチングすると
この表面での段差が３００Å〜５００λ程度までに平担
化され、電極面と基板面で生じていた段差を十分に隠ペ
ノすることができる。
本発明では、前述の平担化層は基板自体を覆う被膜面と
電極部を覆う被膜面との段差をｔｏｏ。
電極部を覆う被膜面との段差をｔｏｏ。
λ以下とすることができ、好ましくは５００λ以下とす
るのが適している。この段差が１０００λ以上、特に１
２００λ以上で形成された非平担化層を用いた液晶素子
は前述の第２図又は下達の比較例で示された刃状線の配
向欠陥を生じることになる。
るのが適している。この段差が１０００λ以上、特に１
２００λ以上で形成された非平担化層を用いた液晶素子
は前述の第２図又は下達の比較例で示された刃状線の配
向欠陥を生じることになる。
本発明の平担化層を形成する際に使用するプラズマ・エ
ツチングのエツチングガスとしては、単独でも有機物に
対してエツチングが一応可能であるＯ、 、 ＣＯ，、
Ｈ，、Ｎ、等の灰化ガスあるいはＨｅ ｔ Ａｒ ｅ
Ｘｅ等の希ガスと、それらのガスに添加することにより
望ましい特性が生ずるＣＦ’、 。
ツチングのエツチングガスとしては、単独でも有機物に
対してエツチングが一応可能であるＯ、 、 ＣＯ，、
Ｈ，、Ｎ、等の灰化ガスあるいはＨｅ ｔ Ａｒ ｅ
Ｘｅ等の希ガスと、それらのガスに添加することにより
望ましい特性が生ずるＣＦ’、 。
ＣｔＦｓ 、 Ｃ５Ｆａ 、 ＣＨＦ’、等の７７化炭
素ＳｉＦ’ａ、ＸｅＦ、。
素ＳｉＦ’ａ、ＸｅＦ、。
ＮＦＩｌ等の他の７フ化化合物からなるフッ素系ガスあ
るいはＣｅｔ、 ＣＣｅ、 、 ＢＣｅｓ等の塩素を含
む化合物からなる塩素系ガスとを混合させたものが適し
ている。
るいはＣｅｔ、 ＣＣｅ、 、 ＢＣｅｓ等の塩素を含
む化合物からなる塩素系ガスとを混合させたものが適し
ている。
その具体例を挙げれば、２０．とＣＦ４からなる混合ガ
ス、ｃＯ，とＣＦ、からなる混合ガス、０．とｃｃｇ。
ス、ｃＯ，とＣＦ、からなる混合ガス、０．とｃｃｇ。
からなる混合ガス、ＡｒとＣＦ４からなる混合ガス、Ｎ
、とＣＦ４からなる混合ガス等がある。
、とＣＦ４からなる混合ガス等がある。
フッ素系ガスあるいは塩素系ガスの添加量は、全容積に
対して０．１〜４５％好ましくは２０〜３０％の範囲で
ある。添加量が０．１％以下では添加による効果が充分
でなく、４５％以上では、灰化ガスあるいは希ガスの特
性が充分環れず好ましくない。
対して０．１〜４５％好ましくは２０〜３０％の範囲で
ある。添加量が０．１％以下では添加による効果が充分
でなく、４５％以上では、灰化ガスあるいは希ガスの特
性が充分環れず好ましくない。
また、この配向制御膜３６と３７の材料としては、例、
えば、ポリビニルアルコール、ポリイミ ドウポリアミ
ドイミド、ポリエステルイミ ド。
えば、ポリビニルアルコール、ポリイミ ドウポリアミ
ドイミド、ポリエステルイミ ド。
ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹肪、メ
ラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、
あるいは感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴ
ム系フォトレジスト、フェノールノボラック系フォトレ
ジストあるいは電子線フォトレジスト（ポリメチルメタ
クリレート、エポキシ化−１，４−ポリブタジェンなど
）などから選択して形成することが好ましい。
、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹肪、メ
ラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、
あるいは感光性ポリイミド、感光性ポリアミド、環化ゴ
ム系フォトレジスト、フェノールノボラック系フォトレ
ジストあるいは電子線フォトレジスト（ポリメチルメタ
クリレート、エポキシ化−１，４−ポリブタジェンなど
）などから選択して形成することが好ましい。
又、本発明の液晶素子は、画素を薄膜トランジスタによ
りスイッチングする方式にも適用することができる。す
なわち、基板上に画素電極と薄膜トランジスタがアレイ
状に配置されているが、この上に前述と同様の方法で平
担化層を形成し、且つこの平担化層を配向制御膜として
機能させることにより、配向欠陥のないモノドメインの
強誘電性液晶層を形成することができる。
りスイッチングする方式にも適用することができる。す
なわち、基板上に画素電極と薄膜トランジスタがアレイ
状に配置されているが、この上に前述と同様の方法で平
担化層を形成し、且つこの平担化層を配向制御膜として
機能させることにより、配向欠陥のないモノドメインの
強誘電性液晶層を形成することができる。
この様な薄膜トランジスタで強誘電性液晶画素をスイッ
チングする方式は、高精細ディスプレイの場合に適して
おり、この際の配線数を減少させることができる。
チングする方式は、高精細ディスプレイの場合に適して
おり、この際の配線数を減少させることができる。
本発明の別の好ましい具体例では、第４図及び第５図に
示す平担化層を有する液晶素子によって、°強誘電性液
晶に現出する配向欠陥の発生を改善することができる。
示す平担化層を有する液晶素子によって、°強誘電性液
晶に現出する配向欠陥の発生を改善することができる。
第４図（Ａ）は、本発明の別の液晶素子の断面図であり
、第４図（Ｂ）はその一部の斜視図である。第４図に示
す液晶素子はガラス又はプラスチック板などからなる基
板４１及び４２と、所定のパターン（この例ではストラ
イブ状）にエツチング等により形成されている電極群４
３及び４４（たとえばマトリックス電極構造）が形成さ
れている。これら電極群４３と４４（４４１゜４４２）
を覆って配向制御膜４５と４６が形成され、さらに上記
の電極４４１と４４２の間隔の全体に亘って液晶４７の
層厚を設定するストライブ状スペーサ一部材４８が形成
されている。
、第４図（Ｂ）はその一部の斜視図である。第４図に示
す液晶素子はガラス又はプラスチック板などからなる基
板４１及び４２と、所定のパターン（この例ではストラ
イブ状）にエツチング等により形成されている電極群４
３及び４４（たとえばマトリックス電極構造）が形成さ
れている。これら電極群４３と４４（４４１゜４４２）
を覆って配向制御膜４５と４６が形成され、さらに上記
の電極４４１と４４２の間隔の全体に亘って液晶４７の
層厚を設定するストライブ状スペーサ一部材４８が形成
されている。
ストライブ状スペーサー４８の形成方法としては、電気
絶縁性物質をスピナー塗布などにより液晶層厚に必要な
厚みに塗布し、電極間の間隔にストライブスペーサ一部
材４８が配置されるようにフォトエツチングを行なうこ
とによって形成することができる。配向制御膜４５と４
６の形成方法としては、電極群４３と４３上にそれぞれ
スピナー塗布により、薄膜を形成することができる。
絶縁性物質をスピナー塗布などにより液晶層厚に必要な
厚みに塗布し、電極間の間隔にストライブスペーサ一部
材４８が配置されるようにフォトエツチングを行なうこ
とによって形成することができる。配向制御膜４５と４
６の形成方法としては、電極群４３と４３上にそれぞれ
スピナー塗布により、薄膜を形成することができる。
配向制御膜４５と４６の透明′＆極上での膜厚は液晶層
４７の厚さにも依存するか、通常１０人〜１μ好適には
１００Å〜３０００人の間で設定される。
４７の厚さにも依存するか、通常１０人〜１μ好適には
１００Å〜３０００人の間で設定される。
又、この配向制御膜の材料としては、例えば、ポリビニ
ルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セル
ロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂
などの樹脂類、あるいは感光性ポリイミド、感光性ポリ
アミド、環化ゴム系フォトレジスト、フェノールノボラ
ック糸フォトレジストあるいは′重子線フォトレジスト
（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−１，４−ポ
リブタジェンなど）などから選択して形成することが好
ましい。
ルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セル
ロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂
などの樹脂類、あるいは感光性ポリイミド、感光性ポリ
アミド、環化ゴム系フォトレジスト、フェノールノボラ
ック糸フォトレジストあるいは′重子線フォトレジスト
（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−１，４−ポ
リブタジェンなど）などから選択して形成することが好
ましい。
液晶層の層厚は液晶材料に特有の配向のし易さと、素子
として要求される応答速度に依存するが、スペーサ一部
材の高さによって決定され、通常０．２μ〜２００μ好
適には０．５μ〜１０μの範囲で設定される。
として要求される応答速度に依存するが、スペーサ一部
材の高さによって決定され、通常０．２μ〜２００μ好
適には０．５μ〜１０μの範囲で設定される。
第５図は、第３図に示す液晶素子の変形例で、スペーサ
一部材３８がストライプ状電極線３４１と３４２の内側
まで形成されている。図中、第３Ｍと同一符号のものは
同一部材を表わしている。
一部材３８がストライプ状電極線３４１と３４２の内側
まで形成されている。図中、第３Ｍと同一符号のものは
同一部材を表わしている。
第６図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。６１と６１′は、Ｉｎ、
Ｏ，、ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）等の薄ＩＪＩからなる透明’＋１１極で被
覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層
６２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”相又
は８ ｍ Ｈ”相の液晶が封入されている。
を模式的に描いたものである。６１と６１′は、Ｉｎ、
Ｏ，、ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）等の薄ＩＪＩからなる透明’＋１１極で被
覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子層
６２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”相又
は８ ｍ Ｈ”相の液晶が封入されている。
太線で示した線６３が液晶分子を表わしており、この液
晶分子６３はその分子に直交した方向に双極子モーメン
）（Ｐ±）６４を有している。基板６１と６１’上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子６
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン）（Ｐ土）６
４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子６３は配向方
向を変えることができる。液晶分子６３は、細長い形状
を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性
を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニ
フルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解さ
れる。
晶分子６３はその分子に直交した方向に双極子モーメン
）（Ｐ±）６４を有している。基板６１と６１’上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子６
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン）（Ｐ土）６
４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子６３は配向方
向を変えることができる。液晶分子６３は、細長い形状
を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性
を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニ
フルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解さ
れる。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第７図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子
モーメントＰまたはＰ′は上向き（７４）又は下向き（
７４’）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、
第７図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ又
はＥ′を電圧印加手段７１と７１′により付与すると、
双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに
対応して上向き７４又は下向き７４′と向きを変え、イ
・れに応じて液晶分子は、第１の安定状態７３か、ある
いは第２の安定状態７３′の何れか１方に配向する。
の厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）することがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第７図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子
モーメントＰまたはＰ′は上向き（７４）又は下向き（
７４’）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、
第７図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ又
はＥ′を電圧印加手段７１と７１′により付与すると、
双極子モーメントは、電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに
対応して上向き７４又は下向き７４′と向きを変え、イ
・れに応じて液晶分子は、第１の安定状態７３か、ある
いは第２の安定状態７３′の何れか１方に配向する。
このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先に述べたが２つある。その第１は、応答速度が極
めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定性
を有することである。第２の点を、例えば第７図によっ
て更に説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１
の安定状態７３に配向するが、この状態は電界を切って
も安定である。又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液
晶分子は第２の安定状態７３′に配向してその分子の向
きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留って
いる。又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、
それぞれの配向状態にやはり維持されている。このよう
な応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
セルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。
は、先に述べたが２つある。その第１は、応答速度が極
めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双安定性
を有することである。第２の点を、例えば第７図によっ
て更に説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１
の安定状態７３に配向するが、この状態は電界を切って
も安定である。又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液
晶分子は第２の安定状態７３′に配向してその分子の向
きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留って
いる。又、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、
それぞれの配向状態にやはり維持されている。このよう
な応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
セルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。
第８図〜第１０図は、本発明の液晶素子の駆動例を示し
ている。
ている。
第８図は、中間に強誘電性液晶化合物が挾まれたマ）
ＩＪクス電極構造を有するセル８１の模式図である。８
２は走査電極群であり、８３は信号電極群である。第９
図（ａ）と（ｂ）は、それぞれ選択された走査′電極８
２（ｓｌに与えられる電気信号とそれ以外の走査電極（
選択されない走査電極＞ ８２ （ｎ）に与えられる電
気信号を示し、第９図（Ｃ）と（ｄ）はそれぞれ選択さ
れた信号電極Ｓａ（Ｓ）に与えられる電気信号と選択さ
れない信号電極８３（ｎ）に与えられる電気信号を表わ
す。第９図（ａ）〜（ｄ）においては、それぞれ横軸が
時間を、縦軸が電圧を表わす。例えば、動画を表示する
ような場合には、走査電極群８２は逐次、周期的に選択
される。今、双安定性を有する液晶セルの第１の安定状
態を与えるため闇値電圧をｖｔｈｌとし、第２の安定状
態を与えるための閾値電圧を−Ｖｔｈ、とすると、選択
された走査電極８２（Ｓ）に与えられる電気信号は、第
９図（ａ）に示される如く、位相（時間）１１ではＶを
、位相（時間）ｔ、では−■となるような交番する電圧
である。
ＩＪクス電極構造を有するセル８１の模式図である。８
２は走査電極群であり、８３は信号電極群である。第９
図（ａ）と（ｂ）は、それぞれ選択された走査′電極８
２（ｓｌに与えられる電気信号とそれ以外の走査電極（
選択されない走査電極＞ ８２ （ｎ）に与えられる電
気信号を示し、第９図（Ｃ）と（ｄ）はそれぞれ選択さ
れた信号電極Ｓａ（Ｓ）に与えられる電気信号と選択さ
れない信号電極８３（ｎ）に与えられる電気信号を表わ
す。第９図（ａ）〜（ｄ）においては、それぞれ横軸が
時間を、縦軸が電圧を表わす。例えば、動画を表示する
ような場合には、走査電極群８２は逐次、周期的に選択
される。今、双安定性を有する液晶セルの第１の安定状
態を与えるため闇値電圧をｖｔｈｌとし、第２の安定状
態を与えるための閾値電圧を−Ｖｔｈ、とすると、選択
された走査電極８２（Ｓ）に与えられる電気信号は、第
９図（ａ）に示される如く、位相（時間）１１ではＶを
、位相（時間）ｔ、では−■となるような交番する電圧
である。
又、それ以外の走査電極８２（ｎ）は、第９図（ｂ）に
示す如くアース状態となっており、電気信号Ｏである。
示す如くアース状態となっており、電気信号Ｏである。
一方、選択された信号電極８３（ｓ）に与えられる電気
信号は第９図（Ｃ）に示される如くＶであり、又選択さ
れない信号電極８３（ｎ）に与えられる電気信号は第９
図（ｄ）に示される如＜−Ｖである。以上に於て、電圧
Ｖは Ｖ（Ｖｔｈ、＜ ２ Ｖト−Ｖ＞−Ｖｔｈ、＞−２Ｖを
満足する所望の値に設定される。このような電気信号が
与えられたときの各画素に印加される電圧波形を第１０
図に示す。第１０図（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ第８図
中の画素Ａ、Ｂ、ＣおよびＤと対応している。すなわち
、第１０図より明らかな如く、選択された走査線上にあ
る画素人では、位相ｔ、に於て閾値ｖ ｔｈ、を越える
電圧２■が印加される。又、同一走査線上に存在する画
素Ｂでは位相１．で閾値−ｖｔｈ、を越える電圧−２Ｖ
が印加される。従って、選択された走査電極線上に於て
信号！極が選択されたか否かに応じて、選択された場合
には液晶分子は第１の安定状態に配向を揃え、選択され
ない場合には第２の安定状態に配向を揃える。いずれに
しても各画素の前歴には、関係することはない。
信号は第９図（Ｃ）に示される如くＶであり、又選択さ
れない信号電極８３（ｎ）に与えられる電気信号は第９
図（ｄ）に示される如＜−Ｖである。以上に於て、電圧
Ｖは Ｖ（Ｖｔｈ、＜ ２ Ｖト−Ｖ＞−Ｖｔｈ、＞−２Ｖを
満足する所望の値に設定される。このような電気信号が
与えられたときの各画素に印加される電圧波形を第１０
図に示す。第１０図（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ第８図
中の画素Ａ、Ｂ、ＣおよびＤと対応している。すなわち
、第１０図より明らかな如く、選択された走査線上にあ
る画素人では、位相ｔ、に於て閾値ｖ ｔｈ、を越える
電圧２■が印加される。又、同一走査線上に存在する画
素Ｂでは位相１．で閾値−ｖｔｈ、を越える電圧−２Ｖ
が印加される。従って、選択された走査電極線上に於て
信号！極が選択されたか否かに応じて、選択された場合
には液晶分子は第１の安定状態に配向を揃え、選択され
ない場合には第２の安定状態に配向を揃える。いずれに
しても各画素の前歴には、関係することはない。
一方、画素ＣとＤに示される如く、選択されない走査線
上では、すべての画素ＣとＤに印加される電圧は＋Ｖ又
は−■であって、いずれも閾値電圧を越えない。従って
、各画素ＣとＤにおける液晶分子は、配向状態を変える
ことなく前回走査されたときの信号状態に対応した配向
を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択され
たときにその一ライン分の信号の書き込みが行われ、−
フレームが終了して次回選択されるまでの間は、その信
号状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が
増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラ
ストの低下とクロストーク等は全く生じない。この際、
電圧値■の値及び位相（ｔ、＋ｔ、）＝Ｔの値としては
、用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存するが、通
常３ボルト〜７０ボルトで０、１μｓｅｃ〜２ ｍ ｓ
ｅｃの範囲が用いられる。従って、この場合では選択さ
れた走査電極に与えられる電気信号が第１の安定状態（
光信号に変換されたとき「明」状態であるとする）から
第２の安定状態（光信号に変換されたとき「暗」状態で
あるとする）へ、又はその逆のいずれの変化をも起すこ
とができる。
上では、すべての画素ＣとＤに印加される電圧は＋Ｖ又
は−■であって、いずれも閾値電圧を越えない。従って
、各画素ＣとＤにおける液晶分子は、配向状態を変える
ことなく前回走査されたときの信号状態に対応した配向
を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択され
たときにその一ライン分の信号の書き込みが行われ、−
フレームが終了して次回選択されるまでの間は、その信
号状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が
増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラ
ストの低下とクロストーク等は全く生じない。この際、
電圧値■の値及び位相（ｔ、＋ｔ、）＝Ｔの値としては
、用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存するが、通
常３ボルト〜７０ボルトで０、１μｓｅｃ〜２ ｍ ｓ
ｅｃの範囲が用いられる。従って、この場合では選択さ
れた走査電極に与えられる電気信号が第１の安定状態（
光信号に変換されたとき「明」状態であるとする）から
第２の安定状態（光信号に変換されたとき「暗」状態で
あるとする）へ、又はその逆のいずれの変化をも起すこ
とができる。
第１１図は、本発明の液晶素子の別の好ましい具体例を
示している。第１１図に示す動画表示用液晶表示素子に
は、第３ないし第５図に示すと同様な液晶セル１１１が
配置されている。
示している。第１１図に示す動画表示用液晶表示素子に
は、第３ないし第５図に示すと同様な液晶セル１１１が
配置されている。
この液晶セルの両側には、直線偏光子１１３と１１４が
クロスニコルの状態で配置され、又直線偏光子１１４の
背後には、反射体（アルミニウム蒸着又は乱反射体−梨
地面をもつアルミニウム蒸着膜）（図示せず）を配置す
ることができる。
クロスニコルの状態で配置され、又直線偏光子１１４の
背後には、反射体（アルミニウム蒸着又は乱反射体−梨
地面をもつアルミニウム蒸着膜）（図示せず）を配置す
ることができる。
これらの構成をもつ液晶セルは、ネサ膜１１６を設けた
１対のガラス板１１５の間にサンドイッチされ、加熱電
源１１７によってネサ膜９６に電流を流すことにより、
液晶セル１１１の温度コントルールを可能にすることが
できる。この際、液晶セル１１１は、走査信号源１１８
と情報信号源１１９に印加された信号によって良好に動
作することができる。
１対のガラス板１１５の間にサンドイッチされ、加熱電
源１１７によってネサ膜９６に電流を流すことにより、
液晶セル１１１の温度コントルールを可能にすることが
できる。この際、液晶セル１１１は、走査信号源１１８
と情報信号源１１９に印加された信号によって良好に動
作することができる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
１２００λの膜厚をもち、線幅８０μがピッチ２０μで
形成されたＩＴＯのストライプ状電極パターン（１０ｐ
ｅ／）を有するガラス板の上にポリイミド形成溶液（日
立化成工業（株）製のｒＰＩＱに不揮発分濃度１４．５
ｗｔ、％）を３００ Ｏｒｐｍで回転するスピンナー塗
布機で３０分間塗布し、１２０“Ｏで３０分間加熱を行
って２μのｙ ＩＪイミドの被膜を形成した。次いで、
ポジ型レジスト溶液（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製の“ＡＺ１３
５０″１）をスピナー塗布し、プリベークした。このレ
ジスト層上に、■ＴＯ電極線間の中間付近にマスクが位
置する様にマスク幅８μ、マスク部のピッチ１．ＯＯμ
のストライプ状マスクを用いて露光した。次いで現像液
“ＭＦ３１２″１で現像することにより、露光部分のレ
ジスト膜をエツチングにより除去した。その後、Ｏ，ガ
スとＣＦ、ガスとを単位時間当り流量比で３：１に混合
したエツチングガスを導入したプラズマ・エツチングに
より非マスク部のポリイミド膜をその膜厚が１０００人
となるまで灰化除去してスペーサ部材と一体化された平
担化層を形成した。しかる後に、レジストマスクを除去
し、２００’Ｏで６０分間、次いで３５０℃で３０分間
の加熱でポリイミド膜を完全硬化し、スペーサ部材と平
行方向にラビング処理して（Ａ）電極板を作成した。
形成されたＩＴＯのストライプ状電極パターン（１０ｐ
ｅ／）を有するガラス板の上にポリイミド形成溶液（日
立化成工業（株）製のｒＰＩＱに不揮発分濃度１４．５
ｗｔ、％）を３００ Ｏｒｐｍで回転するスピンナー塗
布機で３０分間塗布し、１２０“Ｏで３０分間加熱を行
って２μのｙ ＩＪイミドの被膜を形成した。次いで、
ポジ型レジスト溶液（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製の“ＡＺ１３
５０″１）をスピナー塗布し、プリベークした。このレ
ジスト層上に、■ＴＯ電極線間の中間付近にマスクが位
置する様にマスク幅８μ、マスク部のピッチ１．ＯＯμ
のストライプ状マスクを用いて露光した。次いで現像液
“ＭＦ３１２″１で現像することにより、露光部分のレ
ジスト膜をエツチングにより除去した。その後、Ｏ，ガ
スとＣＦ、ガスとを単位時間当り流量比で３：１に混合
したエツチングガスを導入したプラズマ・エツチングに
より非マスク部のポリイミド膜をその膜厚が１０００人
となるまで灰化除去してスペーサ部材と一体化された平
担化層を形成した。しかる後に、レジストマスクを除去
し、２００’Ｏで６０分間、次いで３５０℃で３０分間
の加熱でポリイミド膜を完全硬化し、スペーサ部材と平
行方向にラビング処理して（Ａ）電極板を作成した。
一方、１２００人の膜厚をもち、線幅８０μがピッチ２
０μで形成されたＩＴＯのストライプ電極パターンを有
するガラス板上に前述のフォトリソグラフィ一工程を省
略したほかは、前述と同様の方法で膜厚１０００λのポ
リイミド膜を形成した後、ラビング処理して（Ｂ）電極
板を作成した。
０μで形成されたＩＴＯのストライプ電極パターンを有
するガラス板上に前述のフォトリソグラフィ一工程を省
略したほかは、前述と同様の方法で膜厚１０００λのポ
リイミド膜を形成した後、ラビング処理して（Ｂ）電極
板を作成した。
この様にして作製した（Ａ）″［極板と（Ｂ）電極板の
表面状態を小板研究所製の万能表面形状測定器１’−８
Ｅ −３ＣＪにより測定したところ、何れの電極板も電
極部に対応したポリイミド膜面と電極未形成部に対応し
たポリイミド膜面の段差は約４００Å〜５００人であっ
た。
表面状態を小板研究所製の万能表面形状測定器１’−８
Ｅ −３ＣＪにより測定したところ、何れの電極板も電
極部に対応したポリイミド膜面と電極未形成部に対応し
たポリイミド膜面の段差は約４００Å〜５００人であっ
た。
（Ａ） ！極板と（Ｂ）電極板のストライプ状パターン
電極が直交し、ラビング方向が互いに平行となる様にセ
ル組みし、ＤＯＢＡＭＢＣを１ｓｏｔｒｏｐｉｃ相にな
るまで加熱して、上記セルに封入した。
電極が直交し、ラビング方向が互いに平行となる様にセ
ル組みし、ＤＯＢＡＭＢＣを１ｓｏｔｒｏｐｉｃ相にな
るまで加熱して、上記セルに封入した。
セルの温度を除々に冷却し、モノドメイン液晶素子全作
製した。この液晶素子をクロスニコルの偏光顕微貌で観
察したところ、下達の比較例で現われていた刃状線の配
向欠陥を全く生じていないことが判明した。
製した。この液晶素子をクロスニコルの偏光顕微貌で観
察したところ、下達の比較例で現われていた刃状線の配
向欠陥を全く生じていないことが判明した。
尚、前述“ＰＩＱ″はポリイミドイソインドロキナゾリ
ンジオンを表わしている。
ンジオンを表わしている。
比較例１
実施例１と同様の方法で１２００λ膜厚のＩＴＯパター
ン′！１！極板上に２μ厚のポリイミド膜を形成した。
ン′！１！極板上に２μ厚のポリイミド膜を形成した。
次いで、実施例１と同様のポジ型レジスト溶液（５ｈｉ
ｐｌｅｙ社製の“ＡＺ１３５０″′）をスピナー塗布し
、プリベークした。このレジスト層上に、マスク幅８μ
、マスク部のピッチ１００μのストライプ状マスクを用
いてＭ光した。次いでテトラメチルアンモニウムハイド
ルオキサイド含有の現像液“ＭＰ３１２″′で現像する
ことにより、露光部分のレジスト膜とその下層のポリイ
ミド膜全厚のエツチングを行なった後、水洗、乾燥を行
なった後、レジストマスク膜を除去した。しかる後、２
００“Ｏで６０分間、３５０°Ｃで３０分間の加熱によ
り硬化を行ない、スペーサ部材を形成した。
ｐｌｅｙ社製の“ＡＺ１３５０″′）をスピナー塗布し
、プリベークした。このレジスト層上に、マスク幅８μ
、マスク部のピッチ１００μのストライプ状マスクを用
いてＭ光した。次いでテトラメチルアンモニウムハイド
ルオキサイド含有の現像液“ＭＰ３１２″′で現像する
ことにより、露光部分のレジスト膜とその下層のポリイ
ミド膜全厚のエツチングを行なった後、水洗、乾燥を行
なった後、レジストマスク膜を除去した。しかる後、２
００“Ｏで６０分間、３５０°Ｃで３０分間の加熱によ
り硬化を行ない、スペーサ部材を形成した。
しかる後、前述と同様のＰＩＱを１０００λの膜厚とな
る様に被膜形成した後、前述と同様の条件下で加熱し、
その表面をスペーサ部材と平行方向にラビング（Ａ０電
極板を作成した。
る様に被膜形成した後、前述と同様の条件下で加熱し、
その表面をスペーサ部材と平行方向にラビング（Ａ０電
極板を作成した。
次いで、前述の（Ａ′）電極板を作製する時に使用した
スペーサ部材の形成工程を省略したほかは、前述と同様
の方法で（Ｂ′）電極板を作製した。
スペーサ部材の形成工程を省略したほかは、前述と同様
の方法で（Ｂ′）電極板を作製した。
この様にして作成した（Ａ０電極板と（Ｂ′）電極板の
表面状態を実施例１と同様の方法で測定したところ、１
２００人の段差が生じていた。
表面状態を実施例１と同様の方法で測定したところ、１
２００人の段差が生じていた。
これらの電極板を用いて実施例１と同様の方法で液晶素
子を作製し、クロスニコルの偏光顕微鏡で観察したとこ
ろ、第２図に示す刃状線の配向欠陥部が多数形成されて
いることが判明した。
子を作製し、クロスニコルの偏光顕微鏡で観察したとこ
ろ、第２図に示す刃状線の配向欠陥部が多数形成されて
いることが判明した。
実施例２
１５００人の膜厚をもち、線幅５０μがピッチ１２．５
μで形成されたＩＴＯのストライプ電極パターン（１６
ｐｅｔ ）を有するガラス板の上に実施例１で用いたＰ
ＩＱを２μ厚で塗布してポリイミドの被膜を形成した。
μで形成されたＩＴＯのストライプ電極パターン（１６
ｐｅｔ ）を有するガラス板の上に実施例１で用いたＰ
ＩＱを２μ厚で塗布してポリイミドの被膜を形成した。
次いで、このポリイミド膜の上に実施例１で用いたレジ
スト層を形成した後、■ＴＯ電極間の全面にマスクが位
置する様にマスク幅１２．５μマスク部のピッチ５０μ
のストライプ状マスクを用いて露光した。次いで、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド含有の現像液
“ＭＦ３１２”で現像して露光部のレジスト膜とポリイ
ミド膜を除去し、しかる後にレジストマスクを除去して
ポリイミドの硬化条件下で加熱硬化させて、■ＴＯ電極
線の間を完全に覆った形状のスペーサ部材を形成させた
。
スト層を形成した後、■ＴＯ電極間の全面にマスクが位
置する様にマスク幅１２．５μマスク部のピッチ５０μ
のストライプ状マスクを用いて露光した。次いで、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド含有の現像液
“ＭＦ３１２”で現像して露光部のレジスト膜とポリイ
ミド膜を除去し、しかる後にレジストマスクを除去して
ポリイミドの硬化条件下で加熱硬化させて、■ＴＯ電極
線の間を完全に覆った形状のスペーサ部材を形成させた
。
次いで、このスペーサ部材を形成した基板の上に前述と
同様のＰＩＱを１０００人厚で被膜形成して所定の硬化
条件下で硬化させてポリイミド膜からなる平担化層を形
成した。しがる後にポリイミド膜の表面をストライプス
ペーサ部材と平行方向にラビング処理して（Ｃ）電極板
とした。
同様のＰＩＱを１０００人厚で被膜形成して所定の硬化
条件下で硬化させてポリイミド膜からなる平担化層を形
成した。しがる後にポリイミド膜の表面をストライプス
ペーサ部材と平行方向にラビング処理して（Ｃ）電極板
とした。
一方、１５００人の膜厚をもち、線幅５０μがピッチ１
２．５μで形成されたＩＴＯストライプ′電極パターン
を有するガラス板上に実施例１で用いたＰＩＱを１０μ
厚で塗布してポリイミドの被膜を形成した。次いで、こ
のポリイミド膜を実施例１と同様のエツチングガスを用
いて、膜厚が１０００人となる所までプラズマ、エツチ
ングにより灰化除去した。しかる後、この表面をラビン
グ処理して（Ｄ） ’ｔ４！極板とした。
２．５μで形成されたＩＴＯストライプ′電極パターン
を有するガラス板上に実施例１で用いたＰＩＱを１０μ
厚で塗布してポリイミドの被膜を形成した。次いで、こ
のポリイミド膜を実施例１と同様のエツチングガスを用
いて、膜厚が１０００人となる所までプラズマ、エツチ
ングにより灰化除去した。しかる後、この表面をラビン
グ処理して（Ｄ） ’ｔ４！極板とした。
これらの電極板に形成されたポリイミド膜の表面状態を
実施例１と同様の方法で測定したところ、（Ｃ）′ＩＬ
極板については゛電極線ａ４ｆｆの間隔が全体に亘って
スペーサ部材を配置しているため実質的な段差はなく、
又（Ｄ）電極板でも電極部のポリイミド膜面と電極未形
成部のポリイミド膜面との段差は約３００Å〜６００λ
程度であった。
実施例１と同様の方法で測定したところ、（Ｃ）′ＩＬ
極板については゛電極線ａ４ｆｆの間隔が全体に亘って
スペーサ部材を配置しているため実質的な段差はなく、
又（Ｄ）電極板でも電極部のポリイミド膜面と電極未形
成部のポリイミド膜面との段差は約３００Å〜６００λ
程度であった。
（Ｃ）電極板と（Ｄ）電極板のストライプ状パターン電
極が直交し、ラビング方向が互いに平行となる様にセル
組みし、ＤＯＢＡＭＢＣを１ｓｏｔｒｏｐｉｃ相になる
まで加熱して、上記セルに封入した。
極が直交し、ラビング方向が互いに平行となる様にセル
組みし、ＤＯＢＡＭＢＣを１ｓｏｔｒｏｐｉｃ相になる
まで加熱して、上記セルに封入した。
セルの温度を除々に冷却し、モノドメイン液晶索子を作
製した。
製した。
この液晶素子をクロスニコルの偏光顕微鏡で観察したと
ころ、上述の比較例の配向欠陥を生じていないことが判
明した。
ころ、上述の比較例の配向欠陥を生じていないことが判
明した。
第１図は、従来の強誘電性液晶素子の断面図である。第
２図は、従来の強誘電性液晶素子をクロスニコルの偏光
顕微鏡で観察した時のステッチを示す説明図である。第
３図（Ａ）は本発明の強誘電性液晶素子の断面図で、第
３図（Ｂ）はその片側基板の斜視図である。第４図（Ａ
）は本発明の別の強誘電性液晶素子の断面図で、第４図
（Ｂ）はその片側基板の斜視図である。第５図は、本発
明の他の強誘電性液晶素子の斜視図である。第６図及び
第７図は、本発明で用いる強誘電性液晶を模式〆に表わ
した斜視図である。 第８図は、本発明で用いるマ） ＩＪクス電極構造を表
わした平面図である。第９図（ａｌ〜（ｄ）は、本発明
の液晶素子を駆動するための信号を示す説明図である。 第１０図（ａ）〜（ｄｌは、各画素に印加される電圧波
形を示す説明図である。第１１図は、本発明の実施態様
例を示す断面図である。 特許出願人 キャノン株式会社 （コ ＣＩ）） （ｄ−）（し） （Ｃ） 一一一、−レｔｌ−ｔ （ｄ） −−−−−−Ｖｔ／Ｌｚ 手続補正盲動式） 昭和６０年 ５月１６日 昭和５９年特許願第２６９８８６号 ２、発明の名称 液晶素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称 （１００
） キャノン株式会社代表者 賀 来 龍 三
部 ４、代理人 居所 〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正命令の
日付（発送日） 昭和６０年４月３０日 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１）明細書第３頁第７行〜第１２行のｒＭ、 ５ｃｈ
ａｄｔ −−−（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）Ｊ
を「エム、シー？−／ト（Ｍ、５ｃｈａｄｔ）とダブリ
ュー、ヘルフリッヒ（Ｗ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著“ア
プライド・フィジイックス・レターズボリューム１８、
ナンバー４（１，９７１，２，１５）、ページ１２７〜
１２８（”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ″ Ｖｏ、１８ 、 Ｔｈ、 ４（１
９７１，２，１５）Ｐ、１２７〜１２８）の“ボルテー
ジ・ディペンダント・オプティカル・アクティビティ−
ｅオブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・ク
リスタル” （“Ｖｏｌｔａｇｅ Ｉ）ｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａＴｗ
ｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ”）に示されたティー・エヌ（ＴＮ） （ツィス
テッド・ネマチック （ｔｗｉｓｔｅｄｎｅ■ａｔｉｃ
）） Ｊと訂正する。 し 、 ト ル （ＬＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＩＣＥ
Ｐ）ＩＹｓＩＱＵＥ ｌ、ＥＴＴＥＲ３） セ
１６（Ｌ −６９） １９７５．ｒフェロエレクトリッ
ク・リキッド・クリスタルスＪ （ｒＦｅｒｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ ＬｉｑｕｅｄＧｒｙｓｔａｌｓＪ ）
； ”アプライド・フイジイ・ンクス・レターズ′（
“Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″
）１旦（１１）。 ＋９８Ｏｒザブミクロ拳セカンド・バイスティプル・エ
レクトロオプティック・スイッチング・イン・リキッド
・クリスタルスＪ （Ｓｎｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎ
ｄ Ｂ１５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓＪ ）； Ｊと訂正する。
２図は、従来の強誘電性液晶素子をクロスニコルの偏光
顕微鏡で観察した時のステッチを示す説明図である。第
３図（Ａ）は本発明の強誘電性液晶素子の断面図で、第
３図（Ｂ）はその片側基板の斜視図である。第４図（Ａ
）は本発明の別の強誘電性液晶素子の断面図で、第４図
（Ｂ）はその片側基板の斜視図である。第５図は、本発
明の他の強誘電性液晶素子の斜視図である。第６図及び
第７図は、本発明で用いる強誘電性液晶を模式〆に表わ
した斜視図である。 第８図は、本発明で用いるマ） ＩＪクス電極構造を表
わした平面図である。第９図（ａｌ〜（ｄ）は、本発明
の液晶素子を駆動するための信号を示す説明図である。 第１０図（ａ）〜（ｄｌは、各画素に印加される電圧波
形を示す説明図である。第１１図は、本発明の実施態様
例を示す断面図である。 特許出願人 キャノン株式会社 （コ ＣＩ）） （ｄ−）（し） （Ｃ） 一一一、−レｔｌ−ｔ （ｄ） −−−−−−Ｖｔ／Ｌｚ 手続補正盲動式） 昭和６０年 ５月１６日 昭和５９年特許願第２６９８８６号 ２、発明の名称 液晶素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子３−３０−２名称 （１００
） キャノン株式会社代表者 賀 来 龍 三
部 ４、代理人 居所 〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正命令の
日付（発送日） 昭和６０年４月３０日 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１）明細書第３頁第７行〜第１２行のｒＭ、 ５ｃｈ
ａｄｔ −−−（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）Ｊ
を「エム、シー？−／ト（Ｍ、５ｃｈａｄｔ）とダブリ
ュー、ヘルフリッヒ（Ｗ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著“ア
プライド・フィジイックス・レターズボリューム１８、
ナンバー４（１，９７１，２，１５）、ページ１２７〜
１２８（”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ″ Ｖｏ、１８ 、 Ｔｈ、 ４（１
９７１，２，１５）Ｐ、１２７〜１２８）の“ボルテー
ジ・ディペンダント・オプティカル・アクティビティ−
ｅオブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・ク
リスタル” （“Ｖｏｌｔａｇｅ Ｉ）ｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａＴｗ
ｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ”）に示されたティー・エヌ（ＴＮ） （ツィス
テッド・ネマチック （ｔｗｉｓｔｅｄｎｅ■ａｔｉｃ
）） Ｊと訂正する。 し 、 ト ル （ＬＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＩＣＥ
Ｐ）ＩＹｓＩＱＵＥ ｌ、ＥＴＴＥＲ３） セ
１６（Ｌ −６９） １９７５．ｒフェロエレクトリッ
ク・リキッド・クリスタルスＪ （ｒＦｅｒｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ ＬｉｑｕｅｄＧｒｙｓｔａｌｓＪ ）
； ”アプライド・フイジイ・ンクス・レターズ′（
“Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″
）１旦（１１）。 ＋９８Ｏｒザブミクロ拳セカンド・バイスティプル・エ
レクトロオプティック・スイッチング・イン・リキッド
・クリスタルスＪ （Ｓｎｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎ
ｄ Ｂ１５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓＪ ）； Ｊと訂正する。
Claims (10)
- （１）一対の平行基板間に強誘電性液晶を有する液晶素
子において、前記一対の平行基板のうち少なくとも一方
の基板が電極を有しているとともに、かかる基板と電極
を覆う平担化層を有しており、前記強誘電性液晶を平担
化層の面に接して配置したことを特徴とする液晶素子。 - （２）前記電極が膜厚１０００Å〜３０００Åの透明導
電膜によつて形成されている特許請求の範囲第１項記載
の液晶素子。 - （３）前記平担化層が基板自体を覆う被膜面と電極部分
を覆う被膜面との間隔を１０００Å以下とした平担性を
有する被膜である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子
。 - （４）前記平担化層が基板自体を覆う被膜面と電極部分
を覆う被膜面との間隔を５００Å以下とした平担性を有
する被膜である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （５）前記平担化層が絶縁物質によつて形成されている
特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （６）前記平担化層が配向制御膜としての機能を有して
いる特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （７）前記平担化層がスペーサ部材と一体構成となつて
いる特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （８）前記強誘電性液晶がカイラルスメクテイツク液晶
である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （９）前記カイラルスメクテイツク液晶がＣ相、Ｈ相、
Ｉ相、Ｊ相、Ｋ相、Ｇ相又はＦ相である特許請求の範囲
第８項記載の液晶素子。 - （１０）前記カイラルスメクテイツク液晶が非らせん構
造となつている特許請求の範囲第８項記載の液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269886A JPS61147232A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 液晶素子 |
| US06/809,722 US4744639A (en) | 1984-12-20 | 1985-12-17 | Ferroelectric liquid crystal device having a flattening layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269886A JPS61147232A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147232A true JPS61147232A (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=17478579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59269886A Pending JPS61147232A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 液晶素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4744639A (ja) |
| JP (1) | JPS61147232A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124236U (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | ||
| JPS6413584A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Sharp Kk | Color liquid crystal panel |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799419B2 (ja) * | 1985-10-18 | 1995-10-25 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPS62112128A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| GB8616165D0 (en) * | 1986-07-02 | 1986-08-06 | Stc Plc | Liquid crystal cell |
| US5379139A (en) * | 1986-08-20 | 1995-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
| US5963288A (en) | 1987-08-20 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device having sealant and spacers made from the same material |
| JPS6363020A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置作製方法 |
| US5029983A (en) * | 1986-12-06 | 1991-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a smectic chiral liquid crystal |
| JPS63237031A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS6459318A (en) * | 1987-08-18 | 1989-03-07 | Ibm | Color liquid crystal display device and manufacture thereof |
| US4906074A (en) * | 1987-09-28 | 1990-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | FLC liquid crystal electro-optical device having microdomains within pixels |
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