JPS6261931B2 - - Google Patents
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- JPS6261931B2 JPS6261931B2 JP59276491A JP27649184A JPS6261931B2 JP S6261931 B2 JPS6261931 B2 JP S6261931B2 JP 59276491 A JP59276491 A JP 59276491A JP 27649184 A JP27649184 A JP 27649184A JP S6261931 B2 JPS6261931 B2 JP S6261931B2
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3622—Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix
- G09G3/3629—Control of matrices with row and column drivers using a passive matrix using liquid crystals having memory effects, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
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- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
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- G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
- G09G2310/063—Waveforms for resetting the whole screen at once
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子や液晶一光シヤツター
アレイ等の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶
分子の初期配向状態を改善することにより表示な
らびに駆動特性を改善した液晶素子に関する。
アレイ等の液晶素子に関し、更に詳しくは、液晶
分子の初期配向状態を改善することにより表示な
らびに駆動特性を改善した液晶素子に関する。
従来の液晶素子としては、例えばエム・シヤツ
ト（M.Schadt）とダブリユー・ヘルフリツヒ
（W.Helfrich）著“アプライド・フイジイツク
ス・レターズ”ボリユーム18、ナンバー４
（1971.2.15）、ページ127〜128（“Applied
Physics Letters”Vo.18、No.４（1971.2.15）、
P.127〜128）の“ボルテージ・デイペンダント・
オプテイカル・アクテイビテイー・オブ・ア・ツ
イステツド・ネマチツク・リキツド・クリスタ
ル”（“Voltage Dependent Optical Activity of
ａ Twisted Nematic Liquid Crystal”）に示さ
れたテイー・エヌ（TN）〔ツイステツド・ネマチ
ツク（twisted nematic）〕液晶を用いたものが知
られている。このTN液晶は、画素密度を高くし
たマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、
クロストークを発生する問題点があるため、画素
数が制限されていた。
ト（M.Schadt）とダブリユー・ヘルフリツヒ
（W.Helfrich）著“アプライド・フイジイツク
ス・レターズ”ボリユーム18、ナンバー４
（1971.2.15）、ページ127〜128（“Applied
Physics Letters”Vo.18、No.４（1971.2.15）、
P.127〜128）の“ボルテージ・デイペンダント・
オプテイカル・アクテイビテイー・オブ・ア・ツ
イステツド・ネマチツク・リキツド・クリスタ
ル”（“Voltage Dependent Optical Activity of
ａ Twisted Nematic Liquid Crystal”）に示さ
れたテイー・エヌ（TN）〔ツイステツド・ネマチ
ツク（twisted nematic）〕液晶を用いたものが知
られている。このTN液晶は、画素密度を高くし
たマトリクス電極構造を用いた時分割駆動の時、
クロストークを発生する問題点があるため、画素
数が制限されていた。
又、各画素に薄膜トランジスタによるスイツチ
ング素子を接続し、各画素毎をスイツチングする
方式の表示素子が知られているが、基板上に薄膜
トランジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、
大面積の表示素子を作成することが難かしい問題
点がある。
ング素子を接続し、各画素毎をスイツチングする
方式の表示素子が知られているが、基板上に薄膜
トランジスタを形成する工程が極めて煩雑な上、
大面積の表示素子を作成することが難かしい問題
点がある。
これらの問題点を解決するものとして、クラー
ムとラガウエルにより米国特許第4367924号公報
で強誘電性液晶素子が発表された。
ムとラガウエルにより米国特許第4367924号公報
で強誘電性液晶素子が発表された。
この強誘電性液晶は、下述する様にメモリー効
果を有しているが、走査線とデータ線からなるマ
トリクス電極構造を組込んで時分割駆動を行なう
と、書込み時の電圧極性と逆極性の電圧で、その
電圧が閾値以下であつてもその書込み画素に印加
され続けると（例えば、書込みパルス幅の５倍以
上）、その書込み状態が反転してしまう（例え
ば、白に書込まれた画素が黒に反転する）現象が
本発明者らの実験によつて見い出された。
果を有しているが、走査線とデータ線からなるマ
トリクス電極構造を組込んで時分割駆動を行なう
と、書込み時の電圧極性と逆極性の電圧で、その
電圧が閾値以下であつてもその書込み画素に印加
され続けると（例えば、書込みパルス幅の５倍以
上）、その書込み状態が反転してしまう（例え
ば、白に書込まれた画素が黒に反転する）現象が
本発明者らの実験によつて見い出された。
従つて、本発明の目的は、走査線とデータ線を
有するマトリクス電極構造を用いた強誘電性液晶
素子の時分割駆動法を提供することにある。
有するマトリクス電極構造を用いた強誘電性液晶
素子の時分割駆動法を提供することにある。
本発明の別の目的は、前述の反転現象を防止し
た強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにあ
る。
た強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにあ
る。
本発明のかかる目的は、走査線とデータ線から
なるマトリクス電極構造と、強誘電性液晶とを有
する液晶素子の駆動法において、前記走査線に印
加した走査選択信号と同期させて前記データ線に
情報信号を印加する第１の期間と、前記データ線
に交番する補助信号を印加する第２の期間を有す
る液晶素子の駆動法によつて達成される。
なるマトリクス電極構造と、強誘電性液晶とを有
する液晶素子の駆動法において、前記走査線に印
加した走査選択信号と同期させて前記データ線に
情報信号を印加する第１の期間と、前記データ線
に交番する補助信号を印加する第２の期間を有す
る液晶素子の駆動法によつて達成される。
本発明の駆動法で用いることができる強誘電性
液晶としては、カイラルスメクテイツク液晶で、
特にＣ相（SmC*）、Ｈ相（SmH*）、Ｉ相
（SmI*）、Ｊ相（SmJ*）、Ｋ相（SmK*）、Ｇ相
（SmG*）、又はＦ相（SmF*）が適している。
この強誘電性液晶については、“ル・ジユルナー
ル・ド・フイジツク・レツトル”（“LE
JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS”）36
（Ｌ−69）1975，「フエロエレクトリツク・リキツ
ド・クリスタルス」（「Ferroelectric Liquid
Crystals」）；“アプライド・フイジイツクス・
レターズ”（“Applied Physics Letters”）36
（11）1980「サブミクロ・セカンド・バイステイ
ブル・エレクトロオプテイツク・スイツチング・
イン・リキツド・クリスタルス」（「Submicro
Second Bistable Electrooptic Switching in
Liquid Crystals」）；“固体物理”16（141）
1981「液晶」等に記載されており、本発明ではこ
れらに開示された強誘電性液晶を用いることがで
きる。
液晶としては、カイラルスメクテイツク液晶で、
特にＣ相（SmC*）、Ｈ相（SmH*）、Ｉ相
（SmI*）、Ｊ相（SmJ*）、Ｋ相（SmK*）、Ｇ相
（SmG*）、又はＦ相（SmF*）が適している。
この強誘電性液晶については、“ル・ジユルナー
ル・ド・フイジツク・レツトル”（“LE
JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS”）36
（Ｌ−69）1975，「フエロエレクトリツク・リキツ
ド・クリスタルス」（「Ferroelectric Liquid
Crystals」）；“アプライド・フイジイツクス・
レターズ”（“Applied Physics Letters”）36
（11）1980「サブミクロ・セカンド・バイステイ
ブル・エレクトロオプテイツク・スイツチング・
イン・リキツド・クリスタルス」（「Submicro
Second Bistable Electrooptic Switching in
Liquid Crystals」）；“固体物理”16（141）
1981「液晶」等に記載されており、本発明ではこ
れらに開示された強誘電性液晶を用いることがで
きる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描
いたものである。１１と１１′は、In2O3，SnO2
やITO（Indium−Tin Oxide）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に層
１２がガラス面に垂直になるよう配向した
SmC*相又はSmH*相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線１３が液晶分子を表わしてお
り、この液晶分子１３はその分子に直交した方向
に双極子モーメント１４（Ｐ）を有している。基
板１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上の電
圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント１４はすべて電界方向に
向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えること
ができる。液晶分子１３は細長い形状を有してお
り、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示
し、従つて例えば、ガラス面の上下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によつ
て光学特性が変わる液晶変調素子となることは、
容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分
に薄くした場合（例えば１μ）には、第２図に示
すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造はほどけ（非らせん構造）、その双
極子モーメントＰ又はP′は上向２４又は下向き２
４′のどちらかの状態をとる。このようなセルに
第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電
界Ｅ又はE′を与えてやると、双極子モーメント
は電界Ｅ又はE′の電界スペクトルに対応して上
向き２４又は下向き２４′と向きを変え、それに
応じて液晶分子は第１の安定状態２３かあるいは
第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光変調素子として用い
ることの利点は２つある。第１に応答速度が極め
て速いこと、第２に液晶分子の配向が双安定性を
有することである。第２の点を例えば第２図によ
つて説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は
第１の安定状態２３に配向するが、この状態は電
界を切つても安定である。又、逆向きの電界
E′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２
３′に配向してその分子の向きを変えるが、やは
り電界を切つてもこの状態に留つている。又、与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このよう
な、応答速度の速さと双安定性が有効に実現され
るにはセルとしては出来るだけ薄い方が好しく、
一般的には0.5〜20μ、特に１μ〜５μが適して
いる。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス
電極構造を有する液晶電気光学装置は、例えばク
ラークとラガバルにより米国特許第4367924号公
報で提案されている。
いたものである。１１と１１′は、In2O3，SnO2
やITO（Indium−Tin Oxide）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に層
１２がガラス面に垂直になるよう配向した
SmC*相又はSmH*相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線１３が液晶分子を表わしてお
り、この液晶分子１３はその分子に直交した方向
に双極子モーメント１４（Ｐ）を有している。基
板１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上の電
圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント１４はすべて電界方向に
向くよう、液晶分子１３は配向方向を変えること
ができる。液晶分子１３は細長い形状を有してお
り、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示
し、従つて例えば、ガラス面の上下に互いにクロ
スニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によつ
て光学特性が変わる液晶変調素子となることは、
容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分
に薄くした場合（例えば１μ）には、第２図に示
すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造はほどけ（非らせん構造）、その双
極子モーメントＰ又はP′は上向２４又は下向き２
４′のどちらかの状態をとる。このようなセルに
第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電
界Ｅ又はE′を与えてやると、双極子モーメント
は電界Ｅ又はE′の電界スペクトルに対応して上
向き２４又は下向き２４′と向きを変え、それに
応じて液晶分子は第１の安定状態２３かあるいは
第２の安定状態２３′の何れか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光変調素子として用い
ることの利点は２つある。第１に応答速度が極め
て速いこと、第２に液晶分子の配向が双安定性を
有することである。第２の点を例えば第２図によ
つて説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は
第１の安定状態２３に配向するが、この状態は電
界を切つても安定である。又、逆向きの電界
E′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態２
３′に配向してその分子の向きを変えるが、やは
り電界を切つてもこの状態に留つている。又、与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このよう
な、応答速度の速さと双安定性が有効に実現され
るにはセルとしては出来るだけ薄い方が好しく、
一般的には0.5〜20μ、特に１μ〜５μが適して
いる。この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス
電極構造を有する液晶電気光学装置は、例えばク
ラークとラガバルにより米国特許第4367924号公
報で提案されている。
以下、本発明の好ましい駆動例を図面に従つて
説明する。
説明する。
第３図は、中間に強誘電性液晶が挾まれたマト
リクス電極構造を有する液晶素子３１の模式図で
ある。３２は走査選択信号を順次印加する走査線
であり、３３は情報信号を印加するデータ線であ
る。
リクス電極構造を有する液晶素子３１の模式図で
ある。３２は走査選択信号を順次印加する走査線
であり、３３は情報信号を印加するデータ線であ
る。
第４図は、本発明の好ましい駆動法を時系列で
表わしたものである。
表わしたものである。
第４図に示す駆動法では、位相T1で走査選択
信号の2Voが走査線S1に印加され、次の位相T2で
−2Voが印加される。この走査選択信号と同期し
てデータ線（I1，I2、…）にはVoの情報信号（黒
に書込む信号）か、又は−Voの情報信号（白に
書込む信号）が印加され、位相T1で画素には3Vo
が印加されて、白に書込まれ、位相T2で画素に
は−3Voが印加されて黒に書込まれる。この時電
圧値VoはVo＜Vth1＜3Vo，−Vo＞−Vth2＞−3Vo
（Vth1；第１の安定配向状態の閾値電圧、Vth2；
第２の安定配向状態の閾値電圧）を満たす様に設
定される。
信号の2Voが走査線S1に印加され、次の位相T2で
−2Voが印加される。この走査選択信号と同期し
てデータ線（I1，I2、…）にはVoの情報信号（黒
に書込む信号）か、又は−Voの情報信号（白に
書込む信号）が印加され、位相T1で画素には3Vo
が印加されて、白に書込まれ、位相T2で画素に
は−3Voが印加されて黒に書込まれる。この時電
圧値VoはVo＜Vth1＜3Vo，−Vo＞−Vth2＞−3Vo
（Vth1；第１の安定配向状態の閾値電圧、Vth2；
第２の安定配向状態の閾値電圧）を満たす様に設
定される。
第４図中のＤとＣは、それぞれ第３図の画素Ｄ
とＣに対応しており、白に書込まれた態様を表わ
している。
とＣに対応しており、白に書込まれた態様を表わ
している。
次に、位相T3，T4，T5，T6で交番補助信号が
データ線に印加される。この交番補助信号を画素
に印加することにより、例えば白に書込まれた画
素にデータ線よりの黒の書込み信号が印加され続
けても、位相T3，T4，T5とT6からなる交番補助
信号の補助期間が導入されているので、上述の画
素に印加される黒の書込み信号と同極性電圧が最
大期間3To（To；パルス幅）で、実質上１フレ
ーム又は１フイールド期間中書込まれた画素はそ
の書込み状態が反転されることはない。
データ線に印加される。この交番補助信号を画素
に印加することにより、例えば白に書込まれた画
素にデータ線よりの黒の書込み信号が印加され続
けても、位相T3，T4，T5とT6からなる交番補助
信号の補助期間が導入されているので、上述の画
素に印加される黒の書込み信号と同極性電圧が最
大期間3To（To；パルス幅）で、実質上１フレ
ーム又は１フイールド期間中書込まれた画素はそ
の書込み状態が反転されることはない。
本発明の好ましい具体例では、データ線に印加
される交番補助信号と情報信号の１フレーム又は
１フイールド期間内におけるその積分された電位
は基準電圧（バイアス電圧が印加されている時
は、そのバイアス電圧値、又バイアス電圧が印加
されていない時は０ボルト）とすることが適して
いる。又、データ線に印加する交番補助信号は矩
形パルスであることが好ましく、そのパルス幅
Toは情報信号のパルス幅Ｔ（T1，T2）より短か
いことが好ましい。
される交番補助信号と情報信号の１フレーム又は
１フイールド期間内におけるその積分された電位
は基準電圧（バイアス電圧が印加されている時
は、そのバイアス電圧値、又バイアス電圧が印加
されていない時は０ボルト）とすることが適して
いる。又、データ線に印加する交番補助信号は矩
形パルスであることが好ましく、そのパルス幅
Toは情報信号のパルス幅Ｔ（T1，T2）より短か
いことが好ましい。
さて、双安定性を有する状態での強誘電性液晶
の電界によるスイツチングのメカニズムは微視的
には必ずしも明らかではないが、一般に所定の安
定状態に所要時間の強い電界でスイツチングした
後、全く電界が印加されない状態に放置する場合
には、ほぼ半永久的にその状態を保つことは可能
であるが、所定時間ではスイツチングしないよう
な弱い電界（先に説明した例で言う閾値以下の電
圧に対応）であつても、逆極性の電界が長時間に
亘つて印加される場合には、逆の安定状態へ再び
配向状態が反転してしまい、その結果正しい情報
の表示や変調が達成できない現象が生じ得る。本
発明者らは、この様な弱電界の長時間印加による
配向状態の転移反転現象（一種のクロストーク）
の生じ易さが基板の表面状態や液晶材料の種類等
によつて影響されることについては実験の上で確
認したが、その理論的な解析については十分に明
らかとなつていない。ただ、強誘電性液晶の素子
化に当つて、基板に対するラビング処理やSiO等
の斜方蒸着処理による液晶分子配向のための一軸
基板処理を行うと、前述した反転現象が一層顕著
に現われることが判明した。特に、その反転現象
は、低い温度の場合と比較して高い温度の場合の
方が、強く現われることも確認した。
の電界によるスイツチングのメカニズムは微視的
には必ずしも明らかではないが、一般に所定の安
定状態に所要時間の強い電界でスイツチングした
後、全く電界が印加されない状態に放置する場合
には、ほぼ半永久的にその状態を保つことは可能
であるが、所定時間ではスイツチングしないよう
な弱い電界（先に説明した例で言う閾値以下の電
圧に対応）であつても、逆極性の電界が長時間に
亘つて印加される場合には、逆の安定状態へ再び
配向状態が反転してしまい、その結果正しい情報
の表示や変調が達成できない現象が生じ得る。本
発明者らは、この様な弱電界の長時間印加による
配向状態の転移反転現象（一種のクロストーク）
の生じ易さが基板の表面状態や液晶材料の種類等
によつて影響されることについては実験の上で確
認したが、その理論的な解析については十分に明
らかとなつていない。ただ、強誘電性液晶の素子
化に当つて、基板に対するラビング処理やSiO等
の斜方蒸着処理による液晶分子配向のための一軸
基板処理を行うと、前述した反転現象が一層顕著
に現われることが判明した。特に、その反転現象
は、低い温度の場合と比較して高い温度の場合の
方が、強く現われることも確認した。
いずれにしても、正しい情報の表示や変調を達
成するために、一定方向の電界が長時間に亘つて
印加されることは、避けるのが好ましい。
成するために、一定方向の電界が長時間に亘つて
印加されることは、避けるのが好ましい。
第５図は、本発明の別の好ましい駆動例を示し
ている。
ている。
第５図に示す駆動例では、位相T1で書込みを
行なう走査線上の全画素に3Voの電気信号を印加
して、前のフイールド又はフレーム期間で書込ま
れた書込み状態が白の状態に消去される。位相
T2で−2Voの走査選択信号が走査線に印加され
る。この走査選択信号に同期させてデータ線には
黒に書込むVoの情報選択信号と白の状態を保持
させる−Voの情報非選択信号が印加される。
行なう走査線上の全画素に3Voの電気信号を印加
して、前のフイールド又はフレーム期間で書込ま
れた書込み状態が白の状態に消去される。位相
T2で−2Voの走査選択信号が走査線に印加され
る。この走査選択信号に同期させてデータ線には
黒に書込むVoの情報選択信号と白の状態を保持
させる−Voの情報非選択信号が印加される。
この走査線毎に消去−書込みにより画像を形成
する場合であつても、やはり前述した様な反転現
象を生じるため、本例ではデータ線に交番補助信
号を印加する位相T3，T4とT5を設けることによ
つて、上述の反転現象を防止することができる。
この交番補助信号は、位相T2でデータ線に印加
した情報信号に対して位相T3で逆極性、位相T4
で同一極性、位相T5で逆極性の電圧とすること
ができる。又、データ線に印加される電気信号の
１フイールド又は１フレーム期間におけるその積
分された電位は、第４図の駆動例の場合と同様で
バイアス電位又は０ボルトとすることが好まし
い。
する場合であつても、やはり前述した様な反転現
象を生じるため、本例ではデータ線に交番補助信
号を印加する位相T3，T4とT5を設けることによ
つて、上述の反転現象を防止することができる。
この交番補助信号は、位相T2でデータ線に印加
した情報信号に対して位相T3で逆極性、位相T4
で同一極性、位相T5で逆極性の電圧とすること
ができる。又、データ線に印加される電気信号の
１フイールド又は１フレーム期間におけるその積
分された電位は、第４図の駆動例の場合と同様で
バイアス電位又は０ボルトとすることが好まし
い。
又、本例では、第５図から明らかな様に、画素
に印加され続ける同極性電圧の最大期間は2To
（To；パルス幅）で、前述の反転現象は全く生じ
ない。
に印加され続ける同極性電圧の最大期間は2To
（To；パルス幅）で、前述の反転現象は全く生じ
ない。
第６図に示す波形は、もう１つの本発明の好ま
しい具体例である。
しい具体例である。
第６図に示す具体例では、前のフイールド又フ
レームで書込まれた画面の全部又は一部を一時に
消去し、次に書込みを行なう方法が明らかにされ
ている。すなわち、消去ステツプC1で走査線に
−2Vo、データ線にVoを一時に印加して、全画素
に印加される電圧を−3Voにして前の画面を黒の
状態に消去する。次の書込みステツプC2で走査
線に2Voの走査選択信号を順次印加し、この走査
選択信号に同期させて、データ線には白に書込む
−Voの情報選択信号と黒の状態を保持させるVo
の情報非選択信号が位相T1で印加される。
レームで書込まれた画面の全部又は一部を一時に
消去し、次に書込みを行なう方法が明らかにされ
ている。すなわち、消去ステツプC1で走査線に
−2Vo、データ線にVoを一時に印加して、全画素
に印加される電圧を−3Voにして前の画面を黒の
状態に消去する。次の書込みステツプC2で走査
線に2Voの走査選択信号を順次印加し、この走査
選択信号に同期させて、データ線には白に書込む
−Voの情報選択信号と黒の状態を保持させるVo
の情報非選択信号が位相T1で印加される。
さらに、本例では、データ線に交番補助信号を
印加する位相T2，T3とT4が設けられている。こ
の交番補助信号は、位相T1でデータ線に印加し
た情報信号に対して位相T2で逆極性、位相T3で
同一極性、位相T4で逆極性の信号である。この
交番補助信号をデータ線に位相T2，T3とT4で印
加することによつて、画素に印加され続ける同極
性電圧の最大期間を3To（To；パルス幅）とす
ることができ、このため前述した反転現象は生じ
ることがない。
印加する位相T2，T3とT4が設けられている。こ
の交番補助信号は、位相T1でデータ線に印加し
た情報信号に対して位相T2で逆極性、位相T3で
同一極性、位相T4で逆極性の信号である。この
交番補助信号をデータ線に位相T2，T3とT4で印
加することによつて、画素に印加され続ける同極
性電圧の最大期間を3To（To；パルス幅）とす
ることができ、このため前述した反転現象は生じ
ることがない。
尚、第５図のＤ及びＣと第６図のＡ及びＣは、
第３図中の画素Ｄ，Ｃ，Ａにそれぞれ対応してい
る。
第３図中の画素Ｄ，Ｃ，Ａにそれぞれ対応してい
る。
以上の実施例において、データ線に印加する交
番補助信号の各位相におけるパルス幅は互いに異
なつていてもよく、又そのパルス幅の変化に応じ
てパルス波高値を変化させることもできる。
番補助信号の各位相におけるパルス幅は互いに異
なつていてもよく、又そのパルス幅の変化に応じ
てパルス波高値を変化させることもできる。
本発明で用いる強誘電性液晶としては、デシロ
キシベンジリデン−P′−アミノ−２−メチルブチ
ルシンナメート（DOBAMBC）、ヘキシルオキシ
ベンジリデン−P′−アミノ−２−クロロプロピル
シンナメート（HOBACPC）や４−０−（２−メ
チル）−ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルア
ニリン（MBRA8）の他に、特開昭59−98051号
公報、同59−118744号公報、同59−128357号公報
に開示されたものを用いることができる。
キシベンジリデン−P′−アミノ−２−メチルブチ
ルシンナメート（DOBAMBC）、ヘキシルオキシ
ベンジリデン−P′−アミノ−２−クロロプロピル
シンナメート（HOBACPC）や４−０−（２−メ
チル）−ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルア
ニリン（MBRA8）の他に、特開昭59−98051号
公報、同59−118744号公報、同59−128357号公報
に開示されたものを用いることができる。
本発明によれば、走査非選択時の画素に印加さ
れる積分電圧を走査非選択電極への印加電圧、例
えば電圧Ｏと同一レベルの電圧に設定することが
できる。
れる積分電圧を走査非選択電極への印加電圧、例
えば電圧Ｏと同一レベルの電圧に設定することが
できる。
実施例 １
透明導電膜（ITO）が互いに500×500マトリク
スを構成するようパターニングされた１組のガラ
ス板に、スピンコートにより約300A°のポリイ
ミド膜を形成した。それぞれの基板を表面にテレ
ン布が巻きつけられたローラによつて、ラビング
処理を施し、ラビング方向が一致するようにして
貼りあわせてセルを作成した。このセルに強誘電
性液晶であるDOBAMBCを注入し、等方相状態
より徐冷することによりSmC*状態でモノドメ
イン状態を得た。セル温度を70℃にコントロール
し、第４図に示した駆動法に基づいて画像を形成
したところ、画像を形成している間、像の反転現
象による見にくさは全く観察されず、極めて良好
な画像であることが判明した。
スを構成するようパターニングされた１組のガラ
ス板に、スピンコートにより約300A°のポリイ
ミド膜を形成した。それぞれの基板を表面にテレ
ン布が巻きつけられたローラによつて、ラビング
処理を施し、ラビング方向が一致するようにして
貼りあわせてセルを作成した。このセルに強誘電
性液晶であるDOBAMBCを注入し、等方相状態
より徐冷することによりSmC*状態でモノドメ
イン状態を得た。セル温度を70℃にコントロール
し、第４図に示した駆動法に基づいて画像を形成
したところ、画像を形成している間、像の反転現
象による見にくさは全く観察されず、極めて良好
な画像であることが判明した。
本発明の方法は、液晶一光シヤツタなどの光学
シヤツタや液晶テレビなどのデイスプレイの分野
に広く応用することができる。
シヤツタや液晶テレビなどのデイスプレイの分野
に広く応用することができる。
第１図及び第２図は、本発明の駆動法で用いる
液晶素子を模式的に示す斜視図である。第３図
は、本発明の駆動法で用いるマトリクス電極構造
を示す平面図である。第４図、第５図及び第６図
は、本発明の駆動法を時系列で表わした説明図で
ある。
液晶素子を模式的に示す斜視図である。第３図
は、本発明の駆動法で用いるマトリクス電極構造
を示す平面図である。第４図、第５図及び第６図
は、本発明の駆動法を時系列で表わした説明図で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 走査電極群と信号電極群との交差部に強誘電
性液晶を配置した液晶装置において、 走査電極に、走査非選択電極への印加電圧を基
準にして、一方極性及び他方極性の電圧、並びに
走査非選択電極への印加電圧と同一レベルの電圧
を有する走査選択信号を印加し、 選択された信号電極に、前記一方極性の電圧と
同期して、強誘電性液晶の一方の閾値電圧を越え
た電圧を与える第１の電圧信号及び前記同一レベ
ルの電圧の印加期間内に、走査非選択電極への印
加電圧を基準にして、前記第１の電圧信号と逆極
性の電圧で始まる交番電圧信号を有し、前記走査
選択信号の印加期間内で、積分電圧を走査非選択
電極への印加電圧と同一レベルの電圧とした情報
信号を印加し、 他の信号電極に、前記他方極性の電圧と同期し
て、強誘電性液晶の他方の閾値電圧を越えた電圧
を与える第２の電圧信号及び前記同一レベルの電
圧の印加期間内に、走査非選択電極への印加電圧
を基準にして、前記第２の電圧信号と逆極性の電
圧で始まる交番電圧信号を有し、前記走査選択信
号の印加期間内で、積分電圧を走査非選択電極へ
の印加電圧と同一レベルの電圧とした情報信号を
印加する手段を有する液晶装置。 ２ 走査電極群と信号電極群との交差部に強誘電
性液晶を配置した液晶装置において、 走査電極に、走査非選択電極への印加電圧を基
準にして、一方極性及び他方極性の電圧、並びに
走査非選択電極への印加電圧と同一レベルの電圧
を有する走査選択信号を印加し、 選択された信号電極に、前記一方極性の電圧と
同期して、強誘電性液晶の一方の閾値電圧を越え
た電圧を与える第１の電圧信号、前記他方極性の
電圧と同期して、強誘電性液晶の他方の閾値電圧
を越えた電圧を与える第２の電圧信号及び前記同
一レベルの電圧の印加期間内に、走査非選択電極
への印加電圧を基準にして、前記第２の電圧信号
と逆極性の電圧で始まる交番電圧信号を有し、前
記走査選択信号の印加期間内で、積分電圧を走査
非選択電極への印加電圧と同一レベルの電圧とし
た情報信号を印加し、 他の信号電極に、前記一方極性の電圧と同期し
て、強誘電性液晶の一方の閾値電圧を越えた電圧
を与える第３の電圧信号、前記他方極性の電圧と
同期して、強誘電性液晶の閾値電圧を越えていな
い電圧を与える第４の電圧信号及び前記同一レベ
ルの電圧の印加期間内に、走査非選択電極への印
加電圧を基準にして、前記第４の電圧信号と逆極
性の電圧で始まる交番電圧信号を有し、前記走査
選択信号の印加期間内で、積分電圧を走査非選択
電極への印加電圧と同一レベルの電圧とした情報
信号を印加する手段を有する液晶装置。 ３ 走査電極群と信号電極群との交差部に強誘電
性液晶を配置した液晶装置において、 全又は所定数の走査電極と全又は所定数の信号
電極との交差部に、強誘電性液晶の一方の閾値電
圧を越えた電圧を印加し、 走査電極に、走査非選択電極への印加電圧を基
準にして、一方極性の電圧及び走査非選択電極へ
の印加電圧と同一レベルの電圧を有する走査選択
信号を印加し、 選択された信号電極に、前記一方極性の電圧と
同期して、強誘電性液晶の他方の閾値電圧を越え
た電圧を与える第１の電圧信号及び前記同一レベ
ルの電圧の印加期間内に、走査非選択電極への印
加電圧を基準にして、前記第１の電圧信号と逆極
性の電圧で始まる交番電圧信号を有し、前記走査
選択信号の印加期間内で、積分電圧を走査非選択
電極への印加電圧と同一レベルの電圧とした情報
信号を印加し、 他の信号電極に、前記一方極性の電圧と同期し
て、強誘電性液晶の閾値電圧を越えていない電圧
を与える第２の電圧信号及び前記同一レベルの電
圧の印加期間内に、走査非選択電極への印加電圧
を基準にして、前記第２の電圧信号と逆極性の電
圧で始まる交番電圧信号を有し、前記走査選択信
号の印加期間内で、積分電圧を走査非選択電極へ
の印加電圧と同一レベルの電圧とした情報信号を
印加する手段を有する液晶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276491A JPS61156229A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 液晶装置 |
| US06/813,239 US4800382A (en) | 1984-12-28 | 1985-12-24 | Driving method for liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276491A JPS61156229A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 液晶装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19439987A Division JPH063505B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156229A JPS61156229A (ja) | 1986-07-15 |
| JPS6261931B2 true JPS6261931B2 (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=17570193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59276491A Granted JPS61156229A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 液晶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4800382A (ja) |
| JP (1) | JPS61156229A (ja) |
Cited By (1)
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| JPH0263030U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4800382A (en) | 1989-01-24 |
| JPS61156229A (ja) | 1986-07-15 |
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