JPH0146854B2 - - Google Patents
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- JPH0146854B2 JPH0146854B2 JP15048479A JP15048479A JPH0146854B2 JP H0146854 B2 JPH0146854 B2 JP H0146854B2 JP 15048479 A JP15048479 A JP 15048479A JP 15048479 A JP15048479 A JP 15048479A JP H0146854 B2 JPH0146854 B2 JP H0146854B2
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- Japan
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- substrate
- groove
- liquid crystal
- varistor
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- Expired
Links
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Description
【発明の詳細な説明】
複数の行電極と複数の列電極を備えた従来のマ
トリクス液晶表示パネルをマルチプレツクス駆動
方式により動作させるとき、非表示点に生じ易い
クロストークを防止する為に、マトリクスの交点
に構成された各絵素ごとにスイツチング素子を設
置する方法が採られている。
トリクス液晶表示パネルをマルチプレツクス駆動
方式により動作させるとき、非表示点に生じ易い
クロストークを防止する為に、マトリクスの交点
に構成された各絵素ごとにスイツチング素子を設
置する方法が採られている。
一例としてスイツチング素子にグレーズバリス
タを使用した液晶表示パネルの基本的な構成を第
１図に示す。同図においてａは上面図、ｂはその
Ａ―A′線における断面図である。下側基板１の
上に行電極３を形成し、更にバリスタ層５、金属
電極６を積層し、次に絵素となる電極７を形成す
る。上側基板２には下側基板の行電極３に直交し
て透明な列電極４が形成され、前記下側基板１と
スペーサが混入された封止材９で平行に離隔され
て封止されている。上側基板２と下側基板１によ
つてできた間隙には正の誘電異方性を持つ液晶８
及び吸収異方性を持つ色素１０が基板に平行に且
つ一方向に並んで充填されている。
タを使用した液晶表示パネルの基本的な構成を第
１図に示す。同図においてａは上面図、ｂはその
Ａ―A′線における断面図である。下側基板１の
上に行電極３を形成し、更にバリスタ層５、金属
電極６を積層し、次に絵素となる電極７を形成す
る。上側基板２には下側基板の行電極３に直交し
て透明な列電極４が形成され、前記下側基板１と
スペーサが混入された封止材９で平行に離隔され
て封止されている。上側基板２と下側基板１によ
つてできた間隙には正の誘電異方性を持つ液晶８
及び吸収異方性を持つ色素１０が基板に平行に且
つ一方向に並んで充填されている。
今、表示したい絵素の液晶層にはその動作電圧
以上の実効値を有する交流電圧を、そして非表示
絵素の液晶層にはそのしきい値電圧以下の実効値
を有する交流電圧を印加すると、表示絵素部の液
晶及び色素は基板に垂直になり、色素の持つ吸収
異方性によつて非表示部と色が異なつて見えるの
で表示をすることができる。
以上の実効値を有する交流電圧を、そして非表示
絵素の液晶層にはそのしきい値電圧以下の実効値
を有する交流電圧を印加すると、表示絵素部の液
晶及び色素は基板に垂直になり、色素の持つ吸収
異方性によつて非表示部と色が異なつて見えるの
で表示をすることができる。
良好な表示を得るには、前記液晶及び色素が一
様に基板に平行で且つ一定方向に配列されている
ことが肝要である。この一様な配列を得る方法と
して、基板の表面を一方向に綿筆等でこすり、
SiO2を斜方向から蒸着する等の配向処理方法が
ある。しかしバリスタの厚みは、電極層の厚みと
含めて５〜50μmとなる為に、例えば配向処理を
斜方向蒸着で行なうときは、バリスタの影になつ
て蒸着されない部分ができ、全面にわたつて良好
な配向を得ることができない。又、ラツピングを
行なう場合にもバリスタに研磨布が引掛かり、研
磨布が均一に基板に接触しないなどの問題があ
り、同様に良好な配向を得ることができない。
様に基板に平行で且つ一定方向に配列されている
ことが肝要である。この一様な配列を得る方法と
して、基板の表面を一方向に綿筆等でこすり、
SiO2を斜方向から蒸着する等の配向処理方法が
ある。しかしバリスタの厚みは、電極層の厚みと
含めて５〜50μmとなる為に、例えば配向処理を
斜方向蒸着で行なうときは、バリスタの影になつ
て蒸着されない部分ができ、全面にわたつて良好
な配向を得ることができない。又、ラツピングを
行なう場合にもバリスタに研磨布が引掛かり、研
磨布が均一に基板に接触しないなどの問題があ
り、同様に良好な配向を得ることができない。
ところで、半導体基板に拡散処理等の半導体プ
ロセスにより半導体スイツチング素子を形成する
ものであれば、例えば特開昭48−26095号公報に
示すようにスイツチング素子を基板中に形成する
ことができる。しかしながらグレーズバリスタ素
子は、上述の特開昭48−26095号公報に示された
ような拡散半導体プロセスで形成することができ
ない。これは、基板上にバリスタを印刷等の方法
で塗布して焼成する工程が欠くことができないた
めである。
ロセスにより半導体スイツチング素子を形成する
ものであれば、例えば特開昭48−26095号公報に
示すようにスイツチング素子を基板中に形成する
ことができる。しかしながらグレーズバリスタ素
子は、上述の特開昭48−26095号公報に示された
ような拡散半導体プロセスで形成することができ
ない。これは、基板上にバリスタを印刷等の方法
で塗布して焼成する工程が欠くことができないた
めである。
本発明は上述のような欠点をなくし、スイツチ
ング素子を用いた液晶表示パネルで良好な配向を
得ることを目的とするものである。
ング素子を用いた液晶表示パネルで良好な配向を
得ることを目的とするものである。
第２図は本発明の液晶表示パネルの片側基板の
断面図、第３図はその一製造工程を示す。まず、
第３図ａに示すように基板１に予め溝１１を設け
ておき、同図ｂに示すように行電極材料３をこの
溝１１中に塗布充填して焼成する。次に同図ｃに
示すように前の溝１１に重ねて新たな溝１２を設
け、その溝１２中に同図ｄに示すようにバリスタ
５を塗布、焼成して焼成バリスタ層を形成する。
次に同図ｅのようにバリスタ層５の上面をけずつ
て溝１３を作り、これに電極６を設けることによ
つて第３図ｆに示すように表面が平坦な基板を得
る。溝１１，１２，１３を作るには機械的な切削
或はエツチング等の技術が用いられる。
断面図、第３図はその一製造工程を示す。まず、
第３図ａに示すように基板１に予め溝１１を設け
ておき、同図ｂに示すように行電極材料３をこの
溝１１中に塗布充填して焼成する。次に同図ｃに
示すように前の溝１１に重ねて新たな溝１２を設
け、その溝１２中に同図ｄに示すようにバリスタ
５を塗布、焼成して焼成バリスタ層を形成する。
次に同図ｅのようにバリスタ層５の上面をけずつ
て溝１３を作り、これに電極６を設けることによ
つて第３図ｆに示すように表面が平坦な基板を得
る。溝１１，１２，１３を作るには機械的な切削
或はエツチング等の技術が用いられる。
このようにして得られた表面が平坦な基板を用
い、その上に第２図に示すように絵素電極７を設
ければ、上述の配向処理時の問題点がなくなり、
全面にわたつて均一な液晶の配向が得られる。
又、上述の溝１１，１２，１３の加工をする際、
溝の幅及び深さを精度良く制御することによつて
広い面積にわたつて特性にばらつきのないバリス
タを得ることができる。
い、その上に第２図に示すように絵素電極７を設
ければ、上述の配向処理時の問題点がなくなり、
全面にわたつて均一な液晶の配向が得られる。
又、上述の溝１１，１２，１３の加工をする際、
溝の幅及び深さを精度良く制御することによつて
広い面積にわたつて特性にばらつきのないバリス
タを得ることができる。
液晶の配向の均一性と各絵素に取付けられるス
イツチング素子の特性の均一性を高めることは、
高品質のマトリクス液晶表示パネルを得る上で最
も重要な要件であり、本発明はこの２つの均一性
の問題を同時に解決することができるものであ
る。
イツチング素子の特性の均一性を高めることは、
高品質のマトリクス液晶表示パネルを得る上で最
も重要な要件であり、本発明はこの２つの均一性
の問題を同時に解決することができるものであ
る。
第１図は従来の代表的なスイツチング素子を用
いた液晶表示パネルの構成を示す上面図ａとその
断面図ｂ、第２図は本発明による液晶表示パネル
の基板の断面図、第３図は本発明の基板の製造工
程を説明する図である。 １……下側基板、２……上側基板、３……行電
極、４……透明列電極、５……バリスタ層、６…
…金属電極、７……絵素電極、８……液晶、９…
…スペーサ混入封止材、１０……色素、１１，１
２，１３……溝。
いた液晶表示パネルの構成を示す上面図ａとその
断面図ｂ、第２図は本発明による液晶表示パネル
の基板の断面図、第３図は本発明の基板の製造工
程を説明する図である。 １……下側基板、２……上側基板、３……行電
極、４……透明列電極、５……バリスタ層、６…
…金属電極、７……絵素電極、８……液晶、９…
…スペーサ混入封止材、１０……色素、１１，１
２，１３……溝。
Claims (1)
- １ 基板に行電極配設用の第１の溝を形成し、こ
の第１の溝中に行電極材料を塗布充填して焼成す
る工程と、前記第１の溝に重ねてバリスタ層形成
用の第２の溝を設け、この第２の溝にバリスタを
塗布焼成してバリスタ層を形成する工程と、前記
バリスタ層を削つて第３の溝を作り、これに接続
用電極を基板表面が平面となるように配設する工
程と、前記接続用電極上に絵素電極を形成する工
程と、前記絵素電極の形成された基板表面を配向
処理する工程とを含む液晶表示パネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15048479A JPS5672421A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Liquid-crystal display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15048479A JPS5672421A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Liquid-crystal display panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5672421A JPS5672421A (en) | 1981-06-16 |
| JPH0146854B2 true JPH0146854B2 (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=15497878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15048479A Granted JPS5672421A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Liquid-crystal display panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5672421A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58113974A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2500231B2 (ja) * | 1985-02-26 | 1996-05-29 | シチズン時計株式会社 | 表示装置用基板 |
| US5070326A (en) * | 1988-04-13 | 1991-12-03 | Ube Industries Ltd. | Liquid crystal display device |
| US5250932A (en) * | 1988-04-13 | 1993-10-05 | Ube Industries, Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2000081636A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2007305468A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Omron Corp | 電磁継電器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826095A (ja) * | 1971-08-02 | 1973-04-05 | ||
| JPS5183794A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-22 | Shinshu Seiki Kk | Ekishohyojisochi |
-
1979
- 1979-11-19 JP JP15048479A patent/JPS5672421A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826095A (ja) * | 1971-08-02 | 1973-04-05 | ||
| JPS5183794A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-22 | Shinshu Seiki Kk | Ekishohyojisochi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5672421A (en) | 1981-06-16 |
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