JP2728636B2 - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子の製造方法
に関し、特に液晶表示素子の上、下ガラス板のそれぞれ
の透明電極膜が互いに交叉しない部分である透明電極膜
パターン外側と密封材内側との間に積層厚さの差を補償
する補償層やダミーパターンを備えることにより表示品
質を向上させることができる液晶表示素子の製造方法に
関するものである。
に関し、特に液晶表示素子の上、下ガラス板のそれぞれ
の透明電極膜が互いに交叉しない部分である透明電極膜
パターン外側と密封材内側との間に積層厚さの差を補償
する補償層やダミーパターンを備えることにより表示品
質を向上させることができる液晶表示素子の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に液晶(Liquid Crystal)とは、液体
の流動性と結晶の光学的性質を併せ備えた液体と固体の
中間的性質を有する物質である。前記液晶に電界又は熱
を加えるとその光学的異方性を変化させることができ、
この性質を利用したものが液晶表示素子(LCD:Liquid Cr
ystal Device) である。前記液晶表示素子はプラズマデ
ィスプレーや、発光装置と共に平板表示装置の代表的な
ものである。
の流動性と結晶の光学的性質を併せ備えた液体と固体の
中間的性質を有する物質である。前記液晶に電界又は熱
を加えるとその光学的異方性を変化させることができ、
この性質を利用したものが液晶表示素子(LCD:Liquid Cr
ystal Device) である。前記液晶表示素子はプラズマデ
ィスプレーや、発光装置と共に平板表示装置の代表的な
ものである。
【０００３】液晶は１８８８年オーストラリアの植物学
者レイニチャ(Reinitzer) により発見され、その後も液
晶に対する物理化学的研究が続き、１９６３年ファーガ
ソン(Fergason)がコレステリック液晶を用いたサーモグ
ラフィを開発してから液晶が大きく活気を取り戻した。
者レイニチャ(Reinitzer) により発見され、その後も液
晶に対する物理化学的研究が続き、１９６３年ファーガ
ソン(Fergason)がコレステリック液晶を用いたサーモグ
ラフィを開発してから液晶が大きく活気を取り戻した。
【０００４】特に１９６８年ELパネルの性質の限界に目
覚め、それに代わる表示装置を求めていたRCA 社のヘイ
ルメイア(Heilmeier) により、ネマチィック液晶の透明
薄層が電界中で白濁する現象を発見し、今日の液晶表示
素子に近接する水準に発展した。
覚め、それに代わる表示装置を求めていたRCA 社のヘイ
ルメイア(Heilmeier) により、ネマチィック液晶の透明
薄層が電界中で白濁する現象を発見し、今日の液晶表示
素子に近接する水準に発展した。
【０００５】図１及び図２は従来の液晶表示素子を表わ
す図面等であり、これら図面を参照して従来の液晶表示
素子を説明する。
す図面等であり、これら図面を参照して従来の液晶表示
素子を説明する。
【０００６】図１及び図２を参照すれば、従来技術によ
る液晶表示素子は上、下ガラス板（９，１０）と、アル
カリイオン付着を防止する酸化膜（１１）及び、一定の
パターンを成しながら電圧が印加されるITO(Indum Tin
Oxide)層でなる透明電極膜（１２）と、前記透明電極膜
（１２）のショート(Short）を防止するためのトップコ
ーティング(Top Coating) 膜（１３）と、液晶（１５）
を配設するための配向膜（１４）が順次形成され構成さ
れていることが分かる。
る液晶表示素子は上、下ガラス板（９，１０）と、アル
カリイオン付着を防止する酸化膜（１１）及び、一定の
パターンを成しながら電圧が印加されるITO(Indum Tin
Oxide)層でなる透明電極膜（１２）と、前記透明電極膜
（１２）のショート(Short）を防止するためのトップコ
ーティング(Top Coating) 膜（１３）と、液晶（１５）
を配設するための配向膜（１４）が順次形成され構成さ
れていることが分かる。
【０００７】上、下ガラス板（９，１０）の各々の配向
膜（１４）の間には液晶（１５）とスペーサ（１７）が
配設され、上、下ガラス板（９，１０）は密封材（１
６）により密封されている。前記上、下ガラス板（９，
１０）の間の空間に液晶（１５）が充填されており、各
々の表面には偏光板（１８）が一体に付着している。
膜（１４）の間には液晶（１５）とスペーサ（１７）が
配設され、上、下ガラス板（９，１０）は密封材（１
６）により密封されている。前記上、下ガラス板（９，
１０）の間の空間に液晶（１５）が充填されており、各
々の表面には偏光板（１８）が一体に付着している。
【０００８】ここで、上、下ガラス板（９，１０）に形
成されている透明電極膜（１２）は各々直角に交叉して
おり、上、下ガラス板（９，１０）は密封線に従い密封
材（１６）で密封される。前記上、下ガラス板（９，１
０）の透明電極膜（１２）が重なる部分がディスプレー
領域（Ａ）となり、ディスプレー領域（Ａ）の他の折り
重ならない部分のうち、密封材（１６）の内側部分
（Ｂ）は上、下ガラス板（９，１０）の少なくとも一箇
所だけに透明電極膜（１２）が形成されている。
成されている透明電極膜（１２）は各々直角に交叉して
おり、上、下ガラス板（９，１０）は密封線に従い密封
材（１６）で密封される。前記上、下ガラス板（９，１
０）の透明電極膜（１２）が重なる部分がディスプレー
領域（Ａ）となり、ディスプレー領域（Ａ）の他の折り
重ならない部分のうち、密封材（１６）の内側部分
（Ｂ）は上、下ガラス板（９，１０）の少なくとも一箇
所だけに透明電極膜（１２）が形成されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示素子
は、上述したような構成となっているので、もう少し正
確なセルギャップ（Cell gap) の均一度が要求されるス
ーパーツイスティッド ネマチィック（以下STN とい
う）液晶表示素子等では、セル内の全体積層厚さに一層
の透明電極膜厚さ程度の差が現れ液晶表示素子のカラー
(Color) が異なるようになる。
は、上述したような構成となっているので、もう少し正
確なセルギャップ（Cell gap) の均一度が要求されるス
ーパーツイスティッド ネマチィック（以下STN とい
う）液晶表示素子等では、セル内の全体積層厚さに一層
の透明電極膜厚さ程度の差が現れ液晶表示素子のカラー
(Color) が異なるようになる。
【００１０】即ち、前記STN 液晶素子の透明電極膜（１
２）は数Ω／□の抵抗が必要であり、数百〜数千オング
ストロームのITO で形成されるので、透明電極膜（１
２）が上下で重なり液晶のツィストが変化するディスプ
レー部分(Display area ；A)と、その他の部分（Ｂ）即
ち、透明電極膜（１２）が折り重ならない部分の間で、
一層の透明電極膜（１２）厚さ程度の差が現れることに
なる。
２）は数Ω／□の抵抗が必要であり、数百〜数千オング
ストロームのITO で形成されるので、透明電極膜（１
２）が上下で重なり液晶のツィストが変化するディスプ
レー部分(Display area ；A)と、その他の部分（Ｂ）即
ち、透明電極膜（１２）が折り重ならない部分の間で、
一層の透明電極膜（１２）厚さ程度の差が現れることに
なる。
【００１１】したがって、透明電極膜（１２）の厚さの
差により正確なセルギャップ(Callgap)を維持しにく
く、ディスプレー部分とその他の部分の間の厚さの差に
よるセルギャップの差により液晶表示素子のカラーが異
なり、表示品質を落とす問題点がある。
差により正確なセルギャップ(Callgap)を維持しにく
く、ディスプレー部分とその他の部分の間の厚さの差に
よるセルギャップの差により液晶表示素子のカラーが異
なり、表示品質を落とす問題点がある。
【００１２】本発明は前記のような問題点を解決するた
めのものであり、本発明の目的は上、下ガラス板の透明
電極膜が交叉しない部分に透明電極膜とほぼ等しい厚さ
の補償層や、ダミーパターンを備えてセルギャップを一
定にし表示品質を向上させることができる液晶表示素子
の製造方法を提供することにある。
めのものであり、本発明の目的は上、下ガラス板の透明
電極膜が交叉しない部分に透明電極膜とほぼ等しい厚さ
の補償層や、ダミーパターンを備えてセルギャップを一
定にし表示品質を向上させることができる液晶表示素子
の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】このような目的を達成
するために、本発明による液晶表示素子の製造方法は、
互いに離間している２枚のガラス板であって、各ガラス
板の内側面にはそれぞれ酸化膜、透明電極膜、トップコ
ーティング膜および配向膜がこの順番で形成されている
一対のガラス板を用意する工程と、この一対のガラス板
上の膜構造側を密封する工程と、２枚のガラス板の間に
形成された空間に液晶を注入する工程とを有し、一対の
ガラス板を用意する工程は、透明電極膜が互いに重なり
合う表示領域以外の少なくとも１つの領域に補償層を形
成する工程を含み、この補償層を形成する工程は、オフ
セットロールコーティング方法を用いて表示領域以外の
少なくとも１つの領域にＳｉＯ２系物質を転写する工程
と、この転写工程により形成された転写膜を８０℃から
１２０℃の温度範囲内で乾燥させる工程と、この乾燥工
程を経た転写膜を１４０℃±２０℃の温度を維持したま
ま赤外線に晒し、ついで、紫外線ランプで少なくとも５
００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線エネルギを維持したまま紫外
線に晒す工程と、その後、転写膜を２００℃から４００
℃の温度範囲に維持された焼成炉で焼成する工程とを含
むことを特徴とするものである。
するために、本発明による液晶表示素子の製造方法は、
互いに離間している２枚のガラス板であって、各ガラス
板の内側面にはそれぞれ酸化膜、透明電極膜、トップコ
ーティング膜および配向膜がこの順番で形成されている
一対のガラス板を用意する工程と、この一対のガラス板
上の膜構造側を密封する工程と、２枚のガラス板の間に
形成された空間に液晶を注入する工程とを有し、一対の
ガラス板を用意する工程は、透明電極膜が互いに重なり
合う表示領域以外の少なくとも１つの領域に補償層を形
成する工程を含み、この補償層を形成する工程は、オフ
セットロールコーティング方法を用いて表示領域以外の
少なくとも１つの領域にＳｉＯ２系物質を転写する工程
と、この転写工程により形成された転写膜を８０℃から
１２０℃の温度範囲内で乾燥させる工程と、この乾燥工
程を経た転写膜を１４０℃±２０℃の温度を維持したま
ま赤外線に晒し、ついで、紫外線ランプで少なくとも５
００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線エネルギを維持したまま紫外
線に晒す工程と、その後、転写膜を２００℃から４００
℃の温度範囲に維持された焼成炉で焼成する工程とを含
むことを特徴とするものである。
【００１６】
【００１７】以下、図面を参照して本発明の適切な実施
例を詳しく説明すれば次の通りである。
例を詳しく説明すれば次の通りである。
【００１８】図３乃至図５は、本発明の一実施例による
液晶表示素子の製造工程図で、透明電極膜（１２）パタ
ーン外部のトップコーティング膜（１３）と配向膜（１
４）の間に透明な補償膜（２０）を形成した例である。
液晶表示素子の製造工程図で、透明電極膜（１２）パタ
ーン外部のトップコーティング膜（１３）と配向膜（１
４）の間に透明な補償膜（２０）を形成した例である。
【００１９】図３を参照すれば、上、下ガラス板（９，
１０）にアルカリイオン防止膜である酸化膜（１１）を
ディッピング(dipping) 又はスパッタ−リング(Sputter
ing)方法で３００−１０００オングストローム程の厚さ
に形成する。その後、ITO である透明電極膜（１２）を
スパッタ−リング又は電子ビーム蒸発器を用いて数百〜
数千オングストローム程の厚さで蒸着させ、イメージプ
ロセッサー(image Process)により必要なパターンに写
真エッチングする。
１０）にアルカリイオン防止膜である酸化膜（１１）を
ディッピング(dipping) 又はスパッタ−リング(Sputter
ing)方法で３００−１０００オングストローム程の厚さ
に形成する。その後、ITO である透明電極膜（１２）を
スパッタ−リング又は電子ビーム蒸発器を用いて数百〜
数千オングストローム程の厚さで蒸着させ、イメージプ
ロセッサー(image Process)により必要なパターンに写
真エッチングする。
【００２０】その後、透明電極膜（１２）が形成された
上、下ガラス板（９，１０）の上に異物質、微粒子等に
よる透明電極膜（１２）パターン同士のショート(Shor
t) を防止するトップコーティング膜（１３）をオフセ
ット ロール コーティング法(Off-Set Roll Coating
Method) で数百オングストローム程の厚さに形成する。
この際、このトップコーティング膜（１３）には透過度
の良いＳｉＯ2 系物質を用い、このトップコーティング
工程はトップコーティング製の転写印刷、乾燥、紫外線
照射、焼成順により成される。
上、下ガラス板（９，１０）の上に異物質、微粒子等に
よる透明電極膜（１２）パターン同士のショート(Shor
t) を防止するトップコーティング膜（１３）をオフセ
ット ロール コーティング法(Off-Set Roll Coating
Method) で数百オングストローム程の厚さに形成する。
この際、このトップコーティング膜（１３）には透過度
の良いＳｉＯ2 系物質を用い、このトップコーティング
工程はトップコーティング製の転写印刷、乾燥、紫外線
照射、焼成順により成される。
【００２１】その次に、図４を参照すれば、上、下ガラ
ス板（９，１０）の透明電極膜（１２）が折り重ならな
い部分（図１のＢ部分）に透明電極膜（１２）と同一厚
さの補償層（２０）をコーティングする。補償層（２
０）を上、下ガラス板のうち、いずれか一方だけに形成
されれば十分なので、本明細書の説明ではこれを特定せ
ずに説明するものとする。従って、補償層が上、下ガラ
ス板（９，１０）に形成されるとすれば、上、下ガラス
層のいずれか一方に形成されることを意味するものとす
る。補償層（２０）はトップコーティング膜（１３）形
成の際と同じオフセット ロール コーティング方法を
ＳｉＯ2 系物質をもとにしてコーティングする。具体的
には、転写器で透明電極膜（１２）のITO 電極が折り重
ならない部分にＳｉＯ2 系を転写させ８０−１２０℃の
間で数分間乾燥させた後、１４０℃±２０℃になる赤外
線領域（IR Zone)を経て紫外線（UV) ランプを利用しUV
エナージが最少５００ｍＪ／ｃｍ2 になる紫外線領域
（UV Zone)を経て、続いて所定温度、例えば２００℃〜
４００℃になる焼成炉で熱処理し透明な補償層（２０）
を形成する。
ス板（９，１０）の透明電極膜（１２）が折り重ならな
い部分（図１のＢ部分）に透明電極膜（１２）と同一厚
さの補償層（２０）をコーティングする。補償層（２
０）を上、下ガラス板のうち、いずれか一方だけに形成
されれば十分なので、本明細書の説明ではこれを特定せ
ずに説明するものとする。従って、補償層が上、下ガラ
ス板（９，１０）に形成されるとすれば、上、下ガラス
層のいずれか一方に形成されることを意味するものとす
る。補償層（２０）はトップコーティング膜（１３）形
成の際と同じオフセット ロール コーティング方法を
ＳｉＯ2 系物質をもとにしてコーティングする。具体的
には、転写器で透明電極膜（１２）のITO 電極が折り重
ならない部分にＳｉＯ2 系を転写させ８０−１２０℃の
間で数分間乾燥させた後、１４０℃±２０℃になる赤外
線領域（IR Zone)を経て紫外線（UV) ランプを利用しUV
エナージが最少５００ｍＪ／ｃｍ2 になる紫外線領域
（UV Zone)を経て、続いて所定温度、例えば２００℃〜
４００℃になる焼成炉で熱処理し透明な補償層（２０）
を形成する。
【００２２】
【００２３】その後、図５を参照すれば、補償層（２
０）とトップコーティング膜（１３）が積層された上、
下ガラス板（９，１０）の上に一般方法で配向膜（１
４）を形成し、液晶が一定方向に配設できるようにラッ
ビング(Rubbing) を実施する。この際のラッビング布(R
ubbing Cloth) のパイル(Pile)の長さは全体的な基板の
表面が一定なのでパイルの長さはいかなる値でもよい。
しかし、１．５〜２．０ｍｍのパイル長さが好ましい。
０）とトップコーティング膜（１３）が積層された上、
下ガラス板（９，１０）の上に一般方法で配向膜（１
４）を形成し、液晶が一定方向に配設できるようにラッ
ビング(Rubbing) を実施する。この際のラッビング布(R
ubbing Cloth) のパイル(Pile)の長さは全体的な基板の
表面が一定なのでパイルの長さはいかなる値でもよい。
しかし、１．５〜２．０ｍｍのパイル長さが好ましい。
【００２４】その次に、上又は下ガラス板（９，１０）
にスペーサ（１７）とセルギャップを維持するための密
封材（１６）をスクリン プリンティング方法で形成さ
せ、その間の空間に液晶（１５）を注入し、次に必要な
角度により偏光板（１８）を付着して液晶表示素子を完
成する。
にスペーサ（１７）とセルギャップを維持するための密
封材（１６）をスクリン プリンティング方法で形成さ
せ、その間の空間に液晶（１５）を注入し、次に必要な
角度により偏光板（１８）を付着して液晶表示素子を完
成する。
【００２５】図６ないし図８は、本発明の他の実施例に
よる液晶表示素子の製造工程図である。
よる液晶表示素子の製造工程図である。
【００２６】先ず、上、下ガラス板（９，１０）のアル
カリイオン防止膜であるＳｉＯ2 膜をディッピング(dip
ping) 又はスパッタ−リング(spputtering）方法で３０
０〜１０００オングストローム厚さに蒸着し酸化膜（１
１）を形成した後、ITO をスパッタ−リング又は電子ビ
ーム蒸発器を用いて数百〜数千オングストローム厚さに
蒸着し、写真エッチングしてディスプレー領域（Ａ）内
の透明電極膜（１２）と補償層機能のダミーパターン(D
umy or Redundancy Pattern;21) を形成する。この際、
ダミーパターン（２１）は既存の透明電極膜（１２）外
部と密封材（１６）の内側の間に形成される（図６参
照）。
カリイオン防止膜であるＳｉＯ2 膜をディッピング(dip
ping) 又はスパッタ−リング(spputtering）方法で３０
０〜１０００オングストローム厚さに蒸着し酸化膜（１
１）を形成した後、ITO をスパッタ−リング又は電子ビ
ーム蒸発器を用いて数百〜数千オングストローム厚さに
蒸着し、写真エッチングしてディスプレー領域（Ａ）内
の透明電極膜（１２）と補償層機能のダミーパターン(D
umy or Redundancy Pattern;21) を形成する。この際、
ダミーパターン（２１）は既存の透明電極膜（１２）外
部と密封材（１６）の内側の間に形成される（図６参
照）。
【００２７】その次に、透明電極膜（１２）が形成され
た上、下ガラス板（９，１０）の上に異物質、微粒子等
による透明電極膜（１２）パターン同士のショ−トを防
止するため、オフセット ロール コーティング法（Of
f-Set Roll Coating method)で数百オングストロームの
トップコーティング膜（１３）を形成する。この際、前
記トップコーティング材料には透過度のよいＳｉＯ2 系
物質を用いる（図７参照）。
た上、下ガラス板（９，１０）の上に異物質、微粒子等
による透明電極膜（１２）パターン同士のショ−トを防
止するため、オフセット ロール コーティング法（Of
f-Set Roll Coating method)で数百オングストロームの
トップコーティング膜（１３）を形成する。この際、前
記トップコーティング材料には透過度のよいＳｉＯ2 系
物質を用いる（図７参照）。
【００２８】その後、上、下ガラス板（９，１０）のト
ップコーティング膜（１３）の上に配向膜（１４）を各
々形成し、液晶が一定方向に配設することができるよう
ラッビングを実施し、上又は下ガラス板（９，１０´）
にスペーサ（１７）及びセルギャップを維持するための
密封材（１６）をスクリン プリンティング方法で形成
する。その後、上、下ガラス板（９，１０）を結合し、
前記上、下ガラス板（９，１０）の配向膜（１４）の間
に液晶（１５）を注入して必要な角度に従い偏光板（１
８）を付着して液晶表示素子を完成する（図８参照）。
ップコーティング膜（１３）の上に配向膜（１４）を各
々形成し、液晶が一定方向に配設することができるよう
ラッビングを実施し、上又は下ガラス板（９，１０´）
にスペーサ（１７）及びセルギャップを維持するための
密封材（１６）をスクリン プリンティング方法で形成
する。その後、上、下ガラス板（９，１０）を結合し、
前記上、下ガラス板（９，１０）の配向膜（１４）の間
に液晶（１５）を注入して必要な角度に従い偏光板（１
８）を付着して液晶表示素子を完成する（図８参照）。
【００２９】図９及び図１０は、図６及び図７の製造工
程により形成される上、下ガラス板（９，１０）の平面
図であり、上、下ガラス板（９，１０）の既存透明電極
膜（１２）外部と密封材（１６）内側部分の間に透明電
極膜でなるダミーパターン（２１）を形成した例であ
る。
程により形成される上、下ガラス板（９，１０）の平面
図であり、上、下ガラス板（９，１０）の既存透明電極
膜（１２）外部と密封材（１６）内側部分の間に透明電
極膜でなるダミーパターン（２１）を形成した例であ
る。
【００３０】透明電極膜（１２）は、上、下ガラス板
（９，１０）が相互に直交するよう形成され、前記ダミ
ーパターン（２１）は透明電極膜（１２）と同じ方向に
延長されており、外部に露出せず、密封材（１６）と接
触しないようにすることが好ましい。
（９，１０）が相互に直交するよう形成され、前記ダミ
ーパターン（２１）は透明電極膜（１２）と同じ方向に
延長されており、外部に露出せず、密封材（１６）と接
触しないようにすることが好ましい。
【００３１】図１１は図９及び図１０の上、下ガラス板
（９，１０）の結合状態平面図であり、図８の工程を進
めて形成した本発明の他の実施例による液晶表示素子の
平面図であり、図１２は部分切取断面図である。本図面
等でディスプレー領域（Ａ）内は従来の液晶表示素子と
同一構造を有するが、ディスプレー領域（Ａ）と密封材
（１６）の間の部分（Ｂ）に透明導電膜（１２）と同時
に形成されるダミーパターン（２１）を備え、全体的に
同一パターンが形成されてセルギャップ(CellGap)の差
がなくなりカラーの二元化現象を除去することができ
る。
（９，１０）の結合状態平面図であり、図８の工程を進
めて形成した本発明の他の実施例による液晶表示素子の
平面図であり、図１２は部分切取断面図である。本図面
等でディスプレー領域（Ａ）内は従来の液晶表示素子と
同一構造を有するが、ディスプレー領域（Ａ）と密封材
（１６）の間の部分（Ｂ）に透明導電膜（１２）と同時
に形成されるダミーパターン（２１）を備え、全体的に
同一パターンが形成されてセルギャップ(CellGap)の差
がなくなりカラーの二元化現象を除去することができ
る。
【００３２】本発明は単純マトリックス液晶表示素子に
対して説明したが、アクティブメトリックス又はその他
の液晶表示素子においても透明電極膜が折り重なるディ
スプレー領域と、重ならない部分に現われる透明電極膜
の厚さの差を補償することができる補償層やダミーパタ
ーンを作り、密封材内側に全体的に均等なセルギャップ
を有することができ、特にセルギャップが６μｍ以下の
場合には本発明がさらに効果を発揮する。
対して説明したが、アクティブメトリックス又はその他
の液晶表示素子においても透明電極膜が折り重なるディ
スプレー領域と、重ならない部分に現われる透明電極膜
の厚さの差を補償することができる補償層やダミーパタ
ーンを作り、密封材内側に全体的に均等なセルギャップ
を有することができ、特にセルギャップが６μｍ以下の
場合には本発明がさらに効果を発揮する。
【００３３】前述の説明の如く、本発明の製造方法によ
り作製された液晶表示素子は、セル内に積層されている
層等の厚さの差を補償することができる補償層を形成し
ているので、均一なセルギャップを製造することができ
ると共に収率を向上させ、さらに上下ガラス板にディス
プレーパターンのような大きさ及び厚さを有するダミー
パターンを形成した場合、密封材（１６）ライン内に透
明電極の厚さの差がなく、同じ透明電極膜が同一態様に
形成されることにより全体的に同一パターンが形成され
セルギャップの差がなくなり、従ってカラーの二元化現
象を除去することができる。
り作製された液晶表示素子は、セル内に積層されている
層等の厚さの差を補償することができる補償層を形成し
ているので、均一なセルギャップを製造することができ
ると共に収率を向上させ、さらに上下ガラス板にディス
プレーパターンのような大きさ及び厚さを有するダミー
パターンを形成した場合、密封材（１６）ライン内に透
明電極の厚さの差がなく、同じ透明電極膜が同一態様に
形成されることにより全体的に同一パターンが形成され
セルギャップの差がなくなり、従ってカラーの二元化現
象を除去することができる。
【００３４】尚、トップコーティング膜、又は配向膜コ
ーティングの際にも密封材ライン内には均一な透明電極
パターンが形成されることにより、ディスプレー領域と
隅領域の境界地域で現われる斑点(Discoloration) を完
全になくすことができると共に、表示品質の向上をもた
らすことができ、セル内のカラー差による不良（色の斑
点）を除去して収率を向上させることができる。
ーティングの際にも密封材ライン内には均一な透明電極
パターンが形成されることにより、ディスプレー領域と
隅領域の境界地域で現われる斑点(Discoloration) を完
全になくすことができると共に、表示品質の向上をもた
らすことができ、セル内のカラー差による不良（色の斑
点）を除去して収率を向上させることができる。
【図１】従来の液晶表示素子の平面図。
【図２】図１での線Ｉ−Ｉによる断面図。
【図３】本発明の一実施例による液晶表示素子の製造工
程図。
程図。
【図４】本発明の一実施例による液晶表示素子の製造工
程図。
程図。
【図５】本発明の一実施例による液晶表示素子の製造工
程図。
程図。
【図６】本発明の他の実施例による液晶表示素子の製造
工程図。
工程図。
【図７】本発明の他の実施例による液晶表示素子の製造
工程図。
工程図。
【図８】本発明の他の実施例による液晶表示素子の製造
工程図。
工程図。
【図９】図６に示された状態の上、下ガラス板の平面
図。
図。
【図１０】図６に示された状態の上、下ガラス板の平面
図。
図。
【図１１】図９及び図１０に示した上部及び下部基板が
結合した状態を示す結合状態の平面図。
結合した状態を示す結合状態の平面図。
【図１２】本発明のさらに他の実施例による液晶表示素
子の部分切取断面図。
子の部分切取断面図。
９…下ガラス板(lower glass) 、１０…上ガラス板(Upp
er glass) 、１１…酸化膜、１２…透明電極膜、１３…
トップコーティング膜、１４…配向膜(polyimid layer
）、１５…液晶、１６…密封材(seal)、１７…スペー
サ、１８…偏光膜、２０…補償層(compensation layer
）、２１…ダミーパターン(dumy pattern)。
er glass) 、１１…酸化膜、１２…透明電極膜、１３…
トップコーティング膜、１４…配向膜(polyimid layer
）、１５…液晶、１６…密封材(seal)、１７…スペー
サ、１８…偏光膜、２０…補償層(compensation layer
）、２１…ダミーパターン(dumy pattern)。
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶表示素子の製造方法において、 互いに離間している２枚のガラス板であって、各ガラス
板の内側面にはそれぞれ酸化膜、透明電極膜、トップコ
ーティング膜および配向膜がこの順番で形成されている
一対のガラス板を用意する工程と、 この一対のガラス板の前記膜構造側を密封する工程と、 前記２枚のガラス板の間に形成された空間に液晶を注入
する工程とを有し、 前記一対のガラス板を用意する工程は、前記透明電極膜
が互いに重なり合う表示領域以外の少なくとも１つの領
域に補償層を形成する工程を含み、 この補償層を形成する工程は、 オフセットロールコーティング方法を用いて前記表示領
域以外の少なくとも１つの領域にＳｉＯ２系物質を転写
する工程と、 この転写工程により形成された転写膜を８０℃から１２
０℃の温度範囲内で乾燥させる工程と、 この乾燥工程を経た前記転写膜を１４０℃±２０℃の温
度を維持したまま赤外線に晒し、ついで、紫外線ランプ
で少なくとも５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線エネルギを維
持したまま紫外線に晒す工程と、 その後、前記転写膜を２００℃から４００℃の温度範囲
に維持された焼成炉で焼成する工程とを含むことを特徴
とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184770A JP2728636B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 液晶表示素子の製造方法 |
| US08/608,955 US5574583A (en) | 1994-08-02 | 1996-02-29 | Liquid crystal display device having a compensation layer and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6184770A JP2728636B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 液晶表示素子の製造方法 |
| US08/608,955 US5574583A (en) | 1994-08-02 | 1996-02-29 | Liquid crystal display device having a compensation layer and method for fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862605A JPH0862605A (ja) | 1996-03-08 |
| JP2728636B2 true JP2728636B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=26502704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6184770A Expired - Fee Related JP2728636B2 (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-05 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2728636B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289024A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH0430123A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH0533128B2 (ja) * | 1984-06-18 | 1993-05-18 | Fuiritsupusu Furuuiranpenfuaburiken Nv |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290827U (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-18 | ||
| JPH0533128U (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-30 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示素子 |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP6184770A patent/JP2728636B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0533128B2 (ja) * | 1984-06-18 | 1993-05-18 | Fuiritsupusu Furuuiranpenfuaburiken Nv | |
| JPH0289024A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH0430123A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0862605A (ja) | 1996-03-08 |
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