JPH04331918A - 活性マトリックス液晶表示装置 - Google Patents
活性マトリックス液晶表示装置Info
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- JPH04331918A JPH04331918A JP3288665A JP28866591A JPH04331918A JP H04331918 A JPH04331918 A JP H04331918A JP 3288665 A JP3288665 A JP 3288665A JP 28866591 A JP28866591 A JP 28866591A JP H04331918 A JPH04331918 A JP H04331918A
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- G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マトリックス液晶表示
装置（ｍａｔｒｉｘ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ
ｄｉｓｐｌａｙ −ＬＣＤ−ｄｅｖｉｃｅ）のうち、画
素電極のアレイ（ａｒｒａｙ ｏｆ ｐｉｘｅｌ ｅｌ
ｅｃｔｒｏｄｅｓ） によって定義された表示セル（ｄ
ｉｓｐｌａｙ ｃｅｌｌｓ） のアレイを有する装置に
関するものであり、更に特定して云えばこの種装置のう
ち暗い画素間領域（ｄａｒｋ ｉｎｔｅｒｐｉｘｅｌ
ａｒｅａｓ） を有するものに関連が深く、また、この
種の装置の製造方法にも関する。
装置（ｍａｔｒｉｘ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ
ｄｉｓｐｌａｙ −ＬＣＤ−ｄｅｖｉｃｅ）のうち、画
素電極のアレイ（ａｒｒａｙ ｏｆ ｐｉｘｅｌ ｅｌ
ｅｃｔｒｏｄｅｓ） によって定義された表示セル（ｄ
ｉｓｐｌａｙ ｃｅｌｌｓ） のアレイを有する装置に
関するものであり、更に特定して云えばこの種装置のう
ち暗い画素間領域（ｄａｒｋ ｉｎｔｅｒｐｉｘｅｌ
ａｒｅａｓ） を有するものに関連が深く、また、この
種の装置の製造方法にも関する。
【０００２】現在テレビジョン用として開発の進んでい
る液晶装置というのは活性マトリックス（ａｃｔｉｖｅ
ｍａｔｒｉｘ） 型のものであり、この型では、表示
セルのアレイは装置の１個の壁上に存在する画素電極の
アレイにより定義され、且つこれらの表示セルは、例え
ば薄膜トランジスタのようなスイッチを経由して画素電
極に接続された行（ｒｏｗ） 電極と列（ｃｏｌｕｍｎ
）電極とのマトリックスにより制御される。
る液晶装置というのは活性マトリックス（ａｃｔｉｖｅ
ｍａｔｒｉｘ） 型のものであり、この型では、表示
セルのアレイは装置の１個の壁上に存在する画素電極の
アレイにより定義され、且つこれらの表示セルは、例え
ば薄膜トランジスタのようなスイッチを経由して画素電
極に接続された行（ｒｏｗ） 電極と列（ｃｏｌｕｍｎ
）電極とのマトリックスにより制御される。
【０００３】
【従来の技術】このような活性マトリックス液晶表示装
置のうち好適な型の１つに、ねじれネマティック表示装
置（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ
ｄｅｖｉｃｅ） と称するものがあり、この種の装置
では、装置の内壁に設けられた２つの配向層（ａｌｉｇ
ｎｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ）の配向方向（ａｌｉｇｎｍｅ
ｎｔ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎｓ）が互いに直交し、それに
より、隣接するネマティック液晶分子（ｍｏｌｅｃｕｌ
ｅｓ ｏｆ ａ ｎｅｍａｔｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒ
ｙｓｔａｌ） を配向して、２つの壁の間で液晶に９０
度のねじれ（ｔｗｉｓｔ） を与えている。
置のうち好適な型の１つに、ねじれネマティック表示装
置（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ
ｄｅｖｉｃｅ） と称するものがあり、この種の装置
では、装置の内壁に設けられた２つの配向層（ａｌｉｇ
ｎｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ）の配向方向（ａｌｉｇｎｍｅ
ｎｔ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎｓ）が互いに直交し、それに
より、隣接するネマティック液晶分子（ｍｏｌｅｃｕｌ
ｅｓ ｏｆ ａ ｎｅｍａｔｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒ
ｙｓｔａｌ） を配向して、２つの壁の間で液晶に９０
度のねじれ（ｔｗｉｓｔ） を与えている。
【０００４】作動状態においては、変調すべき入射光は
偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ） を経由して装置に入る
が、この偏光子の偏光方向はこれに隣接する配向層で配
向される。こうして直線偏光した（ｌｉｎｅａｒｌｙ
ｐｏｌａｒｉｚｅｄ）光は液晶を通過する間に９０度回
転し、装置の出口で検光子（ａｎａｌｙｚｅｒ）を通る
が、この検光子の偏光方向は、上記配向層と対向する配
向層により配向される。液晶分子のねじれを戻す（ｕｎ
ｔｗｉｓｔ） に足る電圧が加わると、光の回転が消滅
するため検光子で遮断され、「オン」なら暗いという条
件（ａ ｄａｒｋ ”ｏｎ” ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）
が成立する。中間の電圧値なら中間の明るさすなわち「
灰色”ｇｒｅｙ”」に見える。
偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ） を経由して装置に入る
が、この偏光子の偏光方向はこれに隣接する配向層で配
向される。こうして直線偏光した（ｌｉｎｅａｒｌｙ
ｐｏｌａｒｉｚｅｄ）光は液晶を通過する間に９０度回
転し、装置の出口で検光子（ａｎａｌｙｚｅｒ）を通る
が、この検光子の偏光方向は、上記配向層と対向する配
向層により配向される。液晶分子のねじれを戻す（ｕｎ
ｔｗｉｓｔ） に足る電圧が加わると、光の回転が消滅
するため検光子で遮断され、「オン」なら暗いという条
件（ａ ｄａｒｋ ”ｏｎ” ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）
が成立する。中間の電圧値なら中間の明るさすなわち「
灰色”ｇｒｅｙ”」に見える。
【０００５】こうした装置の画面のコントラストは、画
素電極の間隙（以下これを「画素間領域 ”ｉｎｔｅｒ
ｐｉｘｅｌ ａｒｅａ”」と称する）を暗くすることに
より増大することが知られている。例えば特開昭第６２
−９１９２０号では、マトリックスを暗くするのにその
領域の液晶配向層を除去する方法が採られている。すな
わち、これに隣接する液晶分子は配向されず光は散乱す
るのである。
素電極の間隙（以下これを「画素間領域 ”ｉｎｔｅｒ
ｐｉｘｅｌ ａｒｅａ”」と称する）を暗くすることに
より増大することが知られている。例えば特開昭第６２
−９１９２０号では、マトリックスを暗くするのにその
領域の液晶配向層を除去する方法が採られている。すな
わち、これに隣接する液晶分子は配向されず光は散乱す
るのである。
【０００６】特開昭第６２−１４４，１３３号では、ラ
ビングを施した（ｒｕｂｂｅｄ）配向層の画素間領域を
紫外光線で照射してこの層の配向能力を中和（ｎｅｕｔ
ｒａｌｉｚｅ）することにより、同様な効果を収めてい
る。
ビングを施した（ｒｕｂｂｅｄ）配向層の画素間領域を
紫外光線で照射してこの層の配向能力を中和（ｎｅｕｔ
ｒａｌｉｚｅ）することにより、同様な効果を収めてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記２つの方法に共通
する１つの問題点は、光を遮断するのでなく散乱させて
いるため、幾分かの光が検光子を通過することである。 このため画素間領域を完全に暗くした場合ほど表示のコ
ントラストは増大しない。
する１つの問題点は、光を遮断するのでなく散乱させて
いるため、幾分かの光が検光子を通過することである。 このため画素間領域を完全に暗くした場合ほど表示のコ
ントラストは増大しない。
【０００８】その他画素間領域を暗くするための既知の
方法には、光吸収物質又は光反射物質の層を、アレイ又
は対立電極（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）
の何れかの上に蒸着すなわちスパッタリングする方法が
ある。アレイ上にこうした層を形成すると、電気的に短
絡を起こして光吸収による装置の加熱を招く可能性があ
る。また対立電極上にこうした層を形成するには、この
層と画素電極アレイとの間の精密位置合わせ技術（ｐｒ
ｅｃｉｓｉｏｎ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｔｅｃｈｎｉｑ
ｕｅｓ）が必要となる。
方法には、光吸収物質又は光反射物質の層を、アレイ又
は対立電極（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）
の何れかの上に蒸着すなわちスパッタリングする方法が
ある。アレイ上にこうした層を形成すると、電気的に短
絡を起こして光吸収による装置の加熱を招く可能性があ
る。また対立電極上にこうした層を形成するには、この
層と画素電極アレイとの間の精密位置合わせ技術（ｐｒ
ｅｃｉｓｉｏｎ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｔｅｃｈｎｉｑ
ｕｅｓ）が必要となる。
【０００９】従って本発明の１つの目的は、マトリック
ス液晶表示装置のコントラストを増大するため、画素間
領域の光を遮断することである。
ス液晶表示装置のコントラストを増大するため、画素間
領域の光を遮断することである。
【００１０】本発明のもう１つの目的は、画素間領域の
光を遮断する手段を含んだマトリックス液晶表示装置の
実現であり、しかもその手段は、電気的短絡や光吸収に
よる発熱の危険を増大したり画素電極と対向電極との精
密位置合わせを要するものであってはならない。
光を遮断する手段を含んだマトリックス液晶表示装置の
実現であり、しかもその手段は、電気的短絡や光吸収に
よる発熱の危険を増大したり画素電極と対向電極との精
密位置合わせを要するものであってはならない。
【００１１】本発明のもう１つの目的は、そのような装
置を製造する方法の実現である。
置を製造する方法の実現である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、入射光
を変調するためのマトリックス液晶表示装置は、対向す
る壁（ｏｐｐｏｓｉｎｇ ｗａｌｌｓ）を含み、それら
の壁の少なくとも一方は光学的に透明であり、それらの
壁の間には液晶物質（ａ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａ
ｌ ｍａｔｅｒｉａｌ） がサンドウィッチ状に挟まれ
、片方の壁の内側の面には画素電極のアレイ（ａｎ ａ
ｒｒａｙ ｏｆ ｐｉｘｅｌｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）が
存在し、これと対向する壁の内側の面には少なくとも１
個の対向電極（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）
があり、画素電極により液晶物質中の離散的な表示セ
ル（ｄｉｓｃｒｅｔｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｃｅｌｌｓ）
のアレイが定義され、更にこれらの電極を蔽う配向層が
液晶物質に接触し、その各層はこれと隣接する液晶分子
を配向する（ａｌｉｇｎ）ための単一の配向方向を有し
、これら配向層はそれぞれ配向方向が互いに相違するよ
うに配向処理（ｏｒｉｅｎｔ）され、これにより層間の
液晶分子にねじれ（ｔｗｉｓｔ） を与えるように仕組
まれた液晶表示装置において、一方の壁上にある画素電
極の周囲の画素間領域（ｉｎｔｅｒｐｉｘｅｌ ａｒｅ
ａ） の少なくとも一部分は、その配向方向が対向する
壁上の配向層の配向方向とほぼ同一な配向層を持ち、こ
れにより画素間領域内では対向する層間の液晶分子には
互いに平行した配向を生じさせることを特徴とする。か
ような装置では、これを偏光子と検光子との間での動作
させるにあたり、変調すべき入射光の通路に置いた偏光
子の偏光方向を１つの配向層の配向方向と一致させ、液
晶物質を透過した光の通路に置いた検光子の偏光方向を
他の配向層の配向方向と一致させると、画素間領域では
光が遮断される。
を変調するためのマトリックス液晶表示装置は、対向す
る壁（ｏｐｐｏｓｉｎｇ ｗａｌｌｓ）を含み、それら
の壁の少なくとも一方は光学的に透明であり、それらの
壁の間には液晶物質（ａ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａ
ｌ ｍａｔｅｒｉａｌ） がサンドウィッチ状に挟まれ
、片方の壁の内側の面には画素電極のアレイ（ａｎ ａ
ｒｒａｙ ｏｆ ｐｉｘｅｌｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）が
存在し、これと対向する壁の内側の面には少なくとも１
個の対向電極（ｃｏｕｎｔｅｒ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）
があり、画素電極により液晶物質中の離散的な表示セ
ル（ｄｉｓｃｒｅｔｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｃｅｌｌｓ）
のアレイが定義され、更にこれらの電極を蔽う配向層が
液晶物質に接触し、その各層はこれと隣接する液晶分子
を配向する（ａｌｉｇｎ）ための単一の配向方向を有し
、これら配向層はそれぞれ配向方向が互いに相違するよ
うに配向処理（ｏｒｉｅｎｔ）され、これにより層間の
液晶分子にねじれ（ｔｗｉｓｔ） を与えるように仕組
まれた液晶表示装置において、一方の壁上にある画素電
極の周囲の画素間領域（ｉｎｔｅｒｐｉｘｅｌ ａｒｅ
ａ） の少なくとも一部分は、その配向方向が対向する
壁上の配向層の配向方向とほぼ同一な配向層を持ち、こ
れにより画素間領域内では対向する層間の液晶分子には
互いに平行した配向を生じさせることを特徴とする。か
ような装置では、これを偏光子と検光子との間での動作
させるにあたり、変調すべき入射光の通路に置いた偏光
子の偏光方向を１つの配向層の配向方向と一致させ、液
晶物質を透過した光の通路に置いた検光子の偏光方向を
他の配向層の配向方向と一致させると、画素間領域では
光が遮断される。
【００１３】本発明の好適な実施例の１つによれば、液
晶物質はネマティック液晶物質であり、異なる配向方向
の間の角度が９０度をなすようにして、表示領域におけ
る層間の液晶物質に９０度のねじれを生じさせている。
晶物質はネマティック液晶物質であり、異なる配向方向
の間の角度が９０度をなすようにして、表示領域におけ
る層間の液晶物質に９０度のねじれを生じさせている。
【００１４】交差偏光子（ｃｒｏｓｓｅｄ ｐｏｌａｒ
ｉｚｅｒｓ）を有するねじれネマティック・セルを動作
させるにあたり、画素電極上の配向方向を画素間領域お
よび対立電極上の配向方向と直交させると、入射光は先
ず偏光子により直線偏光（ｌｉｎｅａｒｌｙ ｐｏｌａ
ｒｉｚｅｄ）し、次いでこの光のうち表示セルを通過す
る部分は、９０度のねじれを受けた後で検光子を通過す
る。画素間領域では液晶分子は平行に配向（ｐａｒａｌ
ｌｅｌ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）しているので、この領域
を通過する光はねじれを起こさず、従って検光子により
遮断される。 表示セルにおいてねじれを減少する電圧を加えても、画
素間領域における液晶分子の平行配向には影響が及ばず
、この領域の光は依然検光子により遮断を継続する。 このように画素間領域では光が遮断され散乱しないので
高いコントラストが得られるのである。
ｉｚｅｒｓ）を有するねじれネマティック・セルを動作
させるにあたり、画素電極上の配向方向を画素間領域お
よび対立電極上の配向方向と直交させると、入射光は先
ず偏光子により直線偏光（ｌｉｎｅａｒｌｙ ｐｏｌａ
ｒｉｚｅｄ）し、次いでこの光のうち表示セルを通過す
る部分は、９０度のねじれを受けた後で検光子を通過す
る。画素間領域では液晶分子は平行に配向（ｐａｒａｌ
ｌｅｌ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）しているので、この領域
を通過する光はねじれを起こさず、従って検光子により
遮断される。 表示セルにおいてねじれを減少する電圧を加えても、画
素間領域における液晶分子の平行配向には影響が及ばず
、この領域の光は依然検光子により遮断を継続する。 このように画素間領域では光が遮断され散乱しないので
高いコントラストが得られるのである。
【００１５】本発明の今一つの態様では、マトリックス
液晶表示装置の１番目の製造方法として、次の諸段階す
なわち： ａ．基板上に画素電極のアレイを形成する段階、ｂ．こ
の画素アレイ上に第１の配向方向を有する第１の液晶配
向層を形成する段階、 ｃ．画素電極の上を蔽う第１配向層上に１個のパターン
を有するマスクを光リトグラフ技術で（ｐｈｏｔｏｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｉｃａｌｌｙ） 形成する段階、 ｄ．このマスクおよび第１層の露出部分の上に第２の配
向方向を有する第２の配向層を形成する段階、及びｅ．
このマスクを除去し画素領域の周りの画素間領域に第２
の層を残す段階、の諸段階を含むものが実現できる。
液晶表示装置の１番目の製造方法として、次の諸段階す
なわち： ａ．基板上に画素電極のアレイを形成する段階、ｂ．こ
の画素アレイ上に第１の配向方向を有する第１の液晶配
向層を形成する段階、 ｃ．画素電極の上を蔽う第１配向層上に１個のパターン
を有するマスクを光リトグラフ技術で（ｐｈｏｔｏｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｉｃａｌｌｙ） 形成する段階、 ｄ．このマスクおよび第１層の露出部分の上に第２の配
向方向を有する第２の配向層を形成する段階、及びｅ．
このマスクを除去し画素領域の周りの画素間領域に第２
の層を残す段階、の諸段階を含むものが実現できる。
【００１６】マトリックス液晶表示装置の２番目の製造
方法には、次の諸段階すなわち： ａ．基板上に画素電極のアレイを形成する段階、ｂ．こ
の画素アレイ上に第１の配向方向を有する第１の液晶配
向層を形成する段階、 ｃ．画素電極の周りの画素間領域を蔽う第１の配向層上
に１個のパターンを有するマスクを光リトグラフ技術で
形成する段階、 ｄ．このマスクおよび第１層の露出部分の上に第２の配
向方向を有する第２の配向層を形成する段階、及びｅ．
このマスクを除去し画素領域に第２の層を残す段階、 の諸段階が含まれる。
方法には、次の諸段階すなわち： ａ．基板上に画素電極のアレイを形成する段階、ｂ．こ
の画素アレイ上に第１の配向方向を有する第１の液晶配
向層を形成する段階、 ｃ．画素電極の周りの画素間領域を蔽う第１の配向層上
に１個のパターンを有するマスクを光リトグラフ技術で
形成する段階、 ｄ．このマスクおよび第１層の露出部分の上に第２の配
向方向を有する第２の配向層を形成する段階、及びｅ．
このマスクを除去し画素領域に第２の層を残す段階、 の諸段階が含まれる。
【００１７】両製造方法ともに画素電極と同一基板上に
光吸収層が作られるので、この層が存在しても両基板の
相対位置関係が問題となることはない。
光吸収層が作られるので、この層が存在しても両基板の
相対位置関係が問題となることはない。
【００１８】これらの製造方法の代替案の１つとして、
第２の配向層を形成するに先立ち、第１配向層の露出部
分を除去する方法もある。
第２の配向層を形成するに先立ち、第１配向層の露出部
分を除去する方法もある。
【００１９】またこれらの製造方法によれば、対向電極
と第３の配向方向を有する第３の配向層とを別の基板上
に形成し、液晶物質をこれら基板の間にサンドウィッチ
状に挾んで、第２の配向方向と第３の配向方向がほぼ同
一になるようにすることもできる。
と第３の配向方向を有する第３の配向層とを別の基板上
に形成し、液晶物質をこれら基板の間にサンドウィッチ
状に挾んで、第２の配向方向と第３の配向方向がほぼ同
一になるようにすることもできる。
【００２０】これらの製造方法に関する好適な実施例の
１つでは、液晶物質はネマティック（ｎｅｍａｔｉｃ）
であり、第１の配向方向と第２の配向方向の差は９０
度である。
１つでは、液晶物質はネマティック（ｎｅｍａｔｉｃ）
であり、第１の配向方向と第２の配向方向の差は９０
度である。
【００２１】
【実施例】透過モード（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ｍ
ｏｄｅ） で動作する、従来の技術によるねじれネマテ
ィックＬＣＤ（液晶表示）の断面を図１に示した。２つ
のガラス支持板１および２のうち、支持板１の内面上に
は、行（ｒｏｗ） 電極と列（ｃｏｌｕｍｎ）電極のパ
ターン及び画素電極とこれに伴う薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ） のアレイを設け、層３として図式的に表示され
ている。支持板２には透明な対立電極（ｃｏｕｎｔｅｒ
ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）４が設けられている。層３と対立
電極４の内面上にはそれぞれ配向層（ｏｒｉｅｎｔｉｎ
ｇ ｌａｙｅｒ） ５と６とが存在して、これらの配向
層は、例えば一酸化珪素（ＳｉＯ） を面の法線に対し
斜めの角度で蒸着（ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）することにより形成される。ネマティック（ｎｅｍａ
ｔｉｃ） 液晶物質７が前記支持板の間に存在しており
、該ネマティック液晶物質７としては、ドイツ国 Ｄａ
ｒｍｓｔａｄｔに所在する Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製の Ｚ
ＬＩ ８４−４６０ と称する専売組成を有する材料に
対し、キラル添加物（ｃｈｉｒａｌ ａｄｄｉｔｉｏｎ
） として例えば「ｎ−シアノ−４’− （２−メチル
）−イソブチール−ビフェニール」（英国 Ｐｏｏｌｅ
に所在する ＢＨＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から ＣＢ
１５ として入手可能）を含有させたもの、などがある
。支持板の間隔は通常 ６−８ ミクロンで、この間隔
を維持するためにビーズ型間隔子（ｓｐａｃｅｒ ｂｅ
ａｄｓ，図示せず）が支持板の表面上に規則的に分散配
置してある。 両支持板は封入ガスケット８でつないでいる。
ｏｄｅ） で動作する、従来の技術によるねじれネマテ
ィックＬＣＤ（液晶表示）の断面を図１に示した。２つ
のガラス支持板１および２のうち、支持板１の内面上に
は、行（ｒｏｗ） 電極と列（ｃｏｌｕｍｎ）電極のパ
ターン及び画素電極とこれに伴う薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ） のアレイを設け、層３として図式的に表示され
ている。支持板２には透明な対立電極（ｃｏｕｎｔｅｒ
ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）４が設けられている。層３と対立
電極４の内面上にはそれぞれ配向層（ｏｒｉｅｎｔｉｎ
ｇ ｌａｙｅｒ） ５と６とが存在して、これらの配向
層は、例えば一酸化珪素（ＳｉＯ） を面の法線に対し
斜めの角度で蒸着（ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）することにより形成される。ネマティック（ｎｅｍａ
ｔｉｃ） 液晶物質７が前記支持板の間に存在しており
、該ネマティック液晶物質７としては、ドイツ国 Ｄａ
ｒｍｓｔａｄｔに所在する Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製の Ｚ
ＬＩ ８４−４６０ と称する専売組成を有する材料に
対し、キラル添加物（ｃｈｉｒａｌ ａｄｄｉｔｉｏｎ
） として例えば「ｎ−シアノ−４’− （２−メチル
）−イソブチール−ビフェニール」（英国 Ｐｏｏｌｅ
に所在する ＢＨＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から ＣＢ
１５ として入手可能）を含有させたもの、などがある
。支持板の間隔は通常 ６−８ ミクロンで、この間隔
を維持するためにビーズ型間隔子（ｓｐａｃｅｒ ｂｅ
ａｄｓ，図示せず）が支持板の表面上に規則的に分散配
置してある。 両支持板は封入ガスケット８でつないでいる。
【００２２】２つの一酸化珪素の層はそれぞれ１つの配
向方向（ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｏｆ ｏｒｉｅｎｔａｔ
ｉｏｎ）を示し、これに沿って隣接の液晶分子が自ら整
列（ａｌｉｇｎ） しようとする。これらの分子にはま
た、互いに整列しようとする傾向もあるので、これら２
つの一酸化珪素層の配向方向を互いに直交させることに
より、結果として液晶分子はセルの厚み方向に約９０度
の回転を受ける。キラル添加物は液晶分子のねじれ方向
を決定するものであり、上記 ＣＢ１５ によれば反時
計方向のねじれが生じる。
向方向（ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ ｏｆ ｏｒｉｅｎｔａｔ
ｉｏｎ）を示し、これに沿って隣接の液晶分子が自ら整
列（ａｌｉｇｎ） しようとする。これらの分子にはま
た、互いに整列しようとする傾向もあるので、これら２
つの一酸化珪素層の配向方向を互いに直交させることに
より、結果として液晶分子はセルの厚み方向に約９０度
の回転を受ける。キラル添加物は液晶分子のねじれ方向
を決定するものであり、上記 ＣＢ１５ によれば反時
計方向のねじれが生じる。
【００２３】支持板１及び２の外側の面には、それぞれ
直線偏光子（ｌｉｎｅａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）が更
に装着される。偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ） ９は図
の矢印で示すような入射光を受けとめ（ｉｎｔｅｒｃｅ
ｐｔ） 、検光子（ａｎａｌｙｚｅｒ）１０は装置を透
過した光を受けとめる。
直線偏光子（ｌｉｎｅａｒ ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）が更
に装着される。偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ） ９は図
の矢印で示すような入射光を受けとめ（ｉｎｔｅｒｃｅ
ｐｔ） 、検光子（ａｎａｌｙｚｅｒ）１０は装置を透
過した光を受けとめる。
【００２４】偏光子と検光子の偏光方向（ｏｒｉｅｎｔ
ａｔｉｏｎ） が互いに直交しているので、直線偏光し
た入射光は液晶セルにより９０度回転し検光子を通過す
る。電圧をかけると、液晶分子のねじれが戻り光は遮断
されるが、遮光の量はねじれの度合い、従って加えた電
圧の大きさに左右される。
ａｔｉｏｎ） が互いに直交しているので、直線偏光し
た入射光は液晶セルにより９０度回転し検光子を通過す
る。電圧をかけると、液晶分子のねじれが戻り光は遮断
されるが、遮光の量はねじれの度合い、従って加えた電
圧の大きさに左右される。
【００２５】図２に示したのは、透過モードで動作する
活性マトリックス薄膜トランジスタ切り替え型（ＴＦＴ
−ｓｗｉｔｃｈｅｄ）液晶表示装置に関する、１個の画
素とその周辺領域を含む従来技術による配置の一部分で
あり、茲ではインジウム錫酸化物（ＩＴＯ） を成分と
する薄い透明な画素電極１１のアレイが、ガラス基板（
図示せず）上で行電極１２と列電極１４のマトリックス
内に配置され、またこれらの両電極は、茲では化学的に
蒸着した（ＣＶＤ） 酸化物の交差誘電体（ｃｒｏｓｓ
−ｏｖｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）１６ により互い
に分離している。各画素電極１１への接続は、ＴＦＴ
のような薄膜スイッチ１８（図２には１個のみ図示）を
経由して行なわれる。このスイッチにはポリシリコン層
２０、１個またはそれ以上のゲート電極２２及び２４を
含み、これらゲート電極は層２０のチャネル領域（図示
せず）上に位置してポリシリコンの行電極１２（ゲート
線とも称される）、ゲート電極の下にあるゲート誘電体
（図示せず）、およびソース領域２６とドレイン領域２
８とに接続し、これらの領域はそれぞれアルミニウムの
列電極１４（ソース線とも称される）および画素電極１
１に接続している。
活性マトリックス薄膜トランジスタ切り替え型（ＴＦＴ
−ｓｗｉｔｃｈｅｄ）液晶表示装置に関する、１個の画
素とその周辺領域を含む従来技術による配置の一部分で
あり、茲ではインジウム錫酸化物（ＩＴＯ） を成分と
する薄い透明な画素電極１１のアレイが、ガラス基板（
図示せず）上で行電極１２と列電極１４のマトリックス
内に配置され、またこれらの両電極は、茲では化学的に
蒸着した（ＣＶＤ） 酸化物の交差誘電体（ｃｒｏｓｓ
−ｏｖｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）１６ により互い
に分離している。各画素電極１１への接続は、ＴＦＴ
のような薄膜スイッチ１８（図２には１個のみ図示）を
経由して行なわれる。このスイッチにはポリシリコン層
２０、１個またはそれ以上のゲート電極２２及び２４を
含み、これらゲート電極は層２０のチャネル領域（図示
せず）上に位置してポリシリコンの行電極１２（ゲート
線とも称される）、ゲート電極の下にあるゲート誘電体
（図示せず）、およびソース領域２６とドレイン領域２
８とに接続し、これらの領域はそれぞれアルミニウムの
列電極１４（ソース線とも称される）および画素電極１
１に接続している。
【００２６】次に、図３は図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線
に沿った断面であり、画素１１および列電極１４が透明
な基板１に支持されているが、この基板は例えば石英ま
たはシリカ系ガラスなどである。
に沿った断面であり、画素１１および列電極１４が透明
な基板１に支持されているが、この基板は例えば石英ま
たはシリカ系ガラスなどである。
【００２７】本発明における第１の製造方法によれば、
配向層（ｏｒｉｅｎｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ） ３０は、
例えば一酸化珪素の斜方蒸着（ｏｂｌｉｑｕｅ ｖａｐ
ｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により生成されるのであ
るが、図３に示すように、図の平面に垂直な配向方向が
得られるような方法でアレイ上に蒸着する。次に、図４
に示すように、フォトレジスト層４０を、画素電極１１
は蔽うが画素間領域Ａは露出したまま、というパターン
で配向層３０の上に蒸着する。次に、第２の配向層５０
を上記フォトレジスト層４０の上に形成するが、その配
向方向は、図５の矢印で示すように、配向層３０とは互
いに直交するようにする。次いでフォトレジスト層４０
を除去するが、これは通常の方法すなわち、この面を「
現像液 ”ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ”」と称する選択溶剤で
処理して除去し、画素間領域Ａには図６に示すようなパ
ターンの配向層５０が生成されるようにする。
配向層（ｏｒｉｅｎｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ） ３０は、
例えば一酸化珪素の斜方蒸着（ｏｂｌｉｑｕｅ ｖａｐ
ｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により生成されるのであ
るが、図３に示すように、図の平面に垂直な配向方向が
得られるような方法でアレイ上に蒸着する。次に、図４
に示すように、フォトレジスト層４０を、画素電極１１
は蔽うが画素間領域Ａは露出したまま、というパターン
で配向層３０の上に蒸着する。次に、第２の配向層５０
を上記フォトレジスト層４０の上に形成するが、その配
向方向は、図５の矢印で示すように、配向層３０とは互
いに直交するようにする。次いでフォトレジスト層４０
を除去するが、これは通常の方法すなわち、この面を「
現像液 ”ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ”」と称する選択溶剤で
処理して除去し、画素間領域Ａには図６に示すようなパ
ターンの配向層５０が生成されるようにする。
【００２８】本発明のこの第１の製造方法の１つの代替
実施例では、図５に示したような配向層５０を生成する
に先立ち、図７に示すように、画素間領域Ａから配向層
３０の露出部分を除去する。酸化珪素の場合、溶剤とし
ては弗酸緩衝液（ｂｕｆｆｅｒｅｄ ＨＦ） が適当で
あろう。次いで配向層８０を図８に示すように形成し、
フォトレジストのパターンを除去することにより図９に
示すような構造を生成する。
実施例では、図５に示したような配向層５０を生成する
に先立ち、図７に示すように、画素間領域Ａから配向層
３０の露出部分を除去する。酸化珪素の場合、溶剤とし
ては弗酸緩衝液（ｂｕｆｆｅｒｅｄ ＨＦ） が適当で
あろう。次いで配向層８０を図８に示すように形成し、
フォトレジストのパターンを除去することにより図９に
示すような構造を生成する。
【００２９】図１０は組み上がった液晶表示セルを示し
、この中では、液晶物質７が透明な基板１及び２の間に
サンドウィッチ状に挟まれている。基板１は図９に示し
た構造を搭載し、基板２は対立電極４と配向層６を搭載
し、これらは、層６が画素間領域Ａ内の層８０と同一配
向方向を有するように組み立てられている。表示セルを
横切り対向壁に向って領域Ａを投影すると、図１０の破
線で示すように体積Ｖが形成される。画素間領域におい
ては、層６の配向方向と層８０の配向方向が同一なので
、体積Ｖの内部では液晶物質のねじれは起こらない。従
って、光が偏光子と検光子の間を横切る場合、偏光子に
より直線偏光した光は、体積Ｖ通過中回転を起こさず検
光子により遮断される。
、この中では、液晶物質７が透明な基板１及び２の間に
サンドウィッチ状に挟まれている。基板１は図９に示し
た構造を搭載し、基板２は対立電極４と配向層６を搭載
し、これらは、層６が画素間領域Ａ内の層８０と同一配
向方向を有するように組み立てられている。表示セルを
横切り対向壁に向って領域Ａを投影すると、図１０の破
線で示すように体積Ｖが形成される。画素間領域におい
ては、層６の配向方向と層８０の配向方向が同一なので
、体積Ｖの内部では液晶物質のねじれは起こらない。従
って、光が偏光子と検光子の間を横切る場合、偏光子に
より直線偏光した光は、体積Ｖ通過中回転を起こさず検
光子により遮断される。
【００３０】本発明による第２の製造法においては、図
１１に矢印で示すような配向方向を有する配向層１１０
をアレイ上に形成する。次いで画素間領域を蔽うよう
なパターンによりフォトレジスト層１１２ を蒸着する
。これに次いで図１２に示すように第２の配向層１２０
を形成し、その配向方向を画面に垂直で層１１０ の
それと直交するようにする。これに次いで、図１３に示
すように、残った配向層１２０ が画素領域を蔽うよう
なパターンを用いて、フォトレジスト層１１２ を除去
する。
１１に矢印で示すような配向方向を有する配向層１１０
をアレイ上に形成する。次いで画素間領域を蔽うよう
なパターンによりフォトレジスト層１１２ を蒸着する
。これに次いで図１２に示すように第２の配向層１２０
を形成し、その配向方向を画面に垂直で層１１０ の
それと直交するようにする。これに次いで、図１３に示
すように、残った配向層１２０ が画素領域を蔽うよう
なパターンを用いて、フォトレジスト層１１２ を除去
する。
【００３１】本発明の第２の製造法を代替する１実施例
においては、配向層１１０ の形成およびフォトレジス
ト層１１２ のパターン除去の後、画素電極を蔽う配向
層１１０ の露出部分を除去し図１４に示すような構造
を生成する。これに次いで、配向層１５０ を図１５に
示すように蒸着し、その配向方向は図１５に示すように
層１１０ とは直交方向とし、フォトレジスト層１１２
を除去して図９に示したような構造を残し、層１１０
は層８０に、また層１５０ は図９の層３０に一致さ
せるようにする。結果として得られた構造を、図１０に
示した方法で液晶表示セルに組み立てることにより、こ
こでも再び画素間領域における層の配向方向と対立電極
４の配向層６の配向方向とを一致させることができる。
においては、配向層１１０ の形成およびフォトレジス
ト層１１２ のパターン除去の後、画素電極を蔽う配向
層１１０ の露出部分を除去し図１４に示すような構造
を生成する。これに次いで、配向層１５０ を図１５に
示すように蒸着し、その配向方向は図１５に示すように
層１１０ とは直交方向とし、フォトレジスト層１１２
を除去して図９に示したような構造を残し、層１１０
は層８０に、また層１５０ は図９の層３０に一致さ
せるようにする。結果として得られた構造を、図１０に
示した方法で液晶表示セルに組み立てることにより、こ
こでも再び画素間領域における層の配向方向と対立電極
４の配向層６の配向方向とを一致させることができる。
【００３２】これまで本発明の記述は限られた数の実施
例について行なってきた。本発明の範囲内で、その他の
実施例および付随的な諸請求項の出現することは当然予
想できる。例えば、アレイの画素は薄膜トランジスタの
ような３端子素子でなく２端子素子、例えばダイオード
やＭＩＭ というような非線形スイッチによる切り替え
が可能である。このほか電気光学媒体は９０度ねじれネ
マティック液晶である必要はなく、超ねじれ液晶（ｓｕ
ｐｅｒｔｗｉｓｔ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）
というような他の型の液晶も利用できよう。更に表示装
置は透過モードで動作する光管（ｌｉｇｈｔ ｖａｌｖ
ｅ） である必要はなく、反射モードで動作してもよい
。
例について行なってきた。本発明の範囲内で、その他の
実施例および付随的な諸請求項の出現することは当然予
想できる。例えば、アレイの画素は薄膜トランジスタの
ような３端子素子でなく２端子素子、例えばダイオード
やＭＩＭ というような非線形スイッチによる切り替え
が可能である。このほか電気光学媒体は９０度ねじれネ
マティック液晶である必要はなく、超ねじれ液晶（ｓｕ
ｐｅｒｔｗｉｓｔ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ）
というような他の型の液晶も利用できよう。更に表示装
置は透過モードで動作する光管（ｌｉｇｈｔ ｖａｌｖ
ｅ） である必要はなく、反射モードで動作してもよい
。
【００３３】また、本発明のこれまでの説明では、画素
領域と画素間領域とに別々の配向層を形成するとしてき
たが、単一の配向層を利用して、そのままの状態で各領
域ごとに異なる配向方向を持たせるよう配向処理する方
法も想定できる。
領域と画素間領域とに別々の配向層を形成するとしてき
たが、単一の配向層を利用して、そのままの状態で各領
域ごとに異なる配向方向を持たせるよう配向処理する方
法も想定できる。
【図１】図１は、従来の技術によるマトリックス液晶表
示（ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ）の断面の概略図である。
示（ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ）の断面の概略図である。
【図２】図２は、従来の技術による活性マトリックス薄
膜トランジスタ切り替え式液晶表示構造（ａｃｔｉｖｅ
ｍａｔｒｉｘ ＴＦＴ−Ｓｗｉｔｃｈｅｄ ＬＣＤ）
の一部分の概略斜視図である。
膜トランジスタ切り替え式液晶表示構造（ａｃｔｉｖｅ
ｍａｔｒｉｘ ＴＦＴ−Ｓｗｉｔｃｈｅｄ ＬＣＤ）
の一部分の概略斜視図である。
【図３】図３は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿った
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
【図４】図４は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿った
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
【図５】図５は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿った
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
【図６】図６は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿った
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
【図７】図７は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿った
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
【図８】図８は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿った
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
【図９】図９は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿った
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本発明
のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示してい
る。
【図１０】図１０は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
【図１１】図１１は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
【図１２】図１２は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
【図１３】図１３は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
【図１４】図１４は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
【図１５】図１５は、図２の ＩＩＩ−ＩＩＩ 線に沿
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
った断面概略図であって、本発明の製造方法に基づく本
発明のＬＣＤ の製造の諸段階のうちの１つをを図示し
ている。
１，２ ガラス支持板
３ 行電極と列電極のパターン及び画素電極とこれに
伴う薄膜トランジスタのアレイが設けられた層４ 対
立電極 ５，６，３０， ５０， ８０， １１０， １２０，
１５０ 配向層７ ネマティック液晶物質 ８ 封入ガスケット ９ 偏光子 １０ 検光子 １１ 画素電極 １２ 行電極 １４ 列電極 １６ 交差誘電体 １８ 薄膜スイッチ ２０ ポリシリコン層 ２２， ２４ ゲート電極 ２６ ソース領域 ２８ ドレイン領域 ４０， １１２ フォトレジスト層Ａ 画素間領
域
伴う薄膜トランジスタのアレイが設けられた層４ 対
立電極 ５，６，３０， ５０， ８０， １１０， １２０，
１５０ 配向層７ ネマティック液晶物質 ８ 封入ガスケット ９ 偏光子 １０ 検光子 １１ 画素電極 １２ 行電極 １４ 列電極 １６ 交差誘電体 １８ 薄膜スイッチ ２０ ポリシリコン層 ２２， ２４ ゲート電極 ２６ ソース領域 ２８ ドレイン領域 ４０， １１２ フォトレジスト層Ａ 画素間領
域
Claims (10)
- 【請求項１】 電気的に装置の透過度を変化させるこ
とにより入射光を変調するマトリックス液晶表示装置で
あって、その装置は、少なくともそのうちの一方が光学
的に透明な対向する壁と、それらの壁の間にサンドウィ
ッチ状に挟まれた液晶物質と、片方の壁の内面上の画素
電極アレイと、これと対向する壁の内面上の少なくとも
１個の対立電極と、液晶物質内で離散的な表示セルのア
レイを定義する画素電極と、これらの電極を蔽い且つ液
晶物質に接触する第１の配向層及び第２の配向層とを含
んで成り、さらに、各配向層はそれに隣接する液晶分子
を配向するための配向方向を有し、また、これらの配向
層はそれぞれの配向方向が互いに相違するように配向処
理され、それによって配向層間の液晶物質にねじれを発
生させているマトリックス液晶表示装置において、片方
の壁上の画素電極の周りの画素間領域の少なくとも一部
に、画素電極に対する配向方向とは異なり且つ対向壁に
対する配向方向とはほぼ同一の配向方向を有する配向層
が設けられ、このことにより画素間領域では対向する層
間の液晶の分子の配向方向が互いに平行な配向になるよ
うにしてあることを特徴とするマトリックス液晶表示装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の装置において、互い
に異なる２種類の配向層が、画素電極を支持する壁上に
設けられていることを特徴とするマトリックス液晶表示
装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の装置において、液晶
物質がネマティック液晶物質であり、２つの配向方向が
９０度の角度を形成し、画素領域における対向層間の液
晶分子に９０度のねじれを生じていることを特徴とする
マトリックス液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の装置において、偏光
子と検光子が設けられ、偏光子は変調すべき入射光の通
路に置かれ、その偏光方向は１つの配向方向のそれと一
致し、検光子は液晶物質を透過した光の通路に置かれ、
その偏光方向は他の１つの配向方向のそれと一致するこ
とを特徴とする装置。 - 【請求項５】 マトリックス液晶表示装置の製造方法
であって、該方法は ａ．基板上に画素電極のアレイを形成する段階、ｂ．こ
の画素アレイを蔽う形で、第１の配向方向を有する第１
の液晶配向層を形成する段階、 ｃ．画素電極を蔽うこの第１の配向層の上に１個のパタ
ーンを有するマスクを光リトグラフ技術により形成する
段階、 ｄ．このマスクおよび第１の層の露出部分の上に第２の
配向方向を有する第２の配向層を形成する段階、及びｅ
．マスクを除去して画素領域の周りの画素間領域に第２
の層が残るようにする段階、という各段階を含むことを
特徴とする製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の製造方法において、
第２の配向層の形成に先立ち、第１の配向層の露出部分
を除去することを特徴とする製造方法。 - 【請求項７】 請求項５に記載の製造方法において、
対向電極、及び第３の配向方向を有する第３の配向層を
別の基板上に形成し、液晶物質をこれら基板の間にサン
ドウィッチ状に挾み、この結果、第２の配向方向と第３
の配向方向がほぼ同一になるようにすることを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項８】 マトリックス液晶表示装置の製造方法
であって、該方法は ａ．基板上に画素電極のアレイを形成する段階、ｂ．第
１の配向方向を有する第１の液晶配向層をこの画素アレ
イ上に形成する段階、 ｃ．画素電極の周りの画素間領域の上に１個のパターン
を有するマスクを光リトグラフ技術により形成する段階
、 ｄ．このマスクおよび第１の層の露出部分の上に、第２
の配向方向を有する第２の配向層を形成する段階、及び
ｅ．このマスクを除去して画素領域には第２の層が残る
ようにする段階、という各段階を含むことを特徴とする
製造方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の製造方法において、
第２の配向層の形成に先立ち第１の配向層の露出部分を
除去することを特徴とする製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の製造方法において
、対向電極、及び第３の配向方向を有する第３の配向層
を別の基板上に形成し、液晶物質をこれら基板の間にサ
ンドウィッチ状に挾んで、第２の配向方向と第３の配向
方向がほぼ同一になるようにすることを特徴とする製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61018990A | 1990-11-07 | 1990-11-07 | |
| US07/610189 | 1990-11-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04331918A true JPH04331918A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=24444047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3288665A Pending JPH04331918A (ja) | 1990-11-07 | 1991-11-05 | 活性マトリックス液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0485017A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04331918A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0559137B1 (en) * | 1992-03-03 | 1998-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix type twisted nematic liquid crystal display |
| US6320639B1 (en) * | 1996-03-11 | 2001-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and process for production thereof |
| JP3099812B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2000-10-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN1386210A (zh) * | 2000-07-10 | 2002-12-18 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| EP1696260B1 (de) * | 2005-02-08 | 2013-09-25 | BMG Gesellschaft für moderne Informationssysteme mbH | Flüssigkristallanzeigeeinrichtung sowie Flüssigkristallanzeigeanordnung mit einer Mehrzahl von solchen Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen |
| DE102011052626A1 (de) * | 2011-08-12 | 2013-02-14 | Seereal Technologies S.A. | Flüssigkristalleinrichtung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH620774A5 (ja) * | 1978-06-22 | 1980-12-15 | Ebauches Sa | |
| CA1152618A (en) * | 1978-11-13 | 1983-08-23 | Mao-Jin Chern | Bimodally orienting half-cells and process |
| JPS57136620A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-23 | Canon Inc | Liquid crystal display device |
| JPS62144133A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-10-31 EP EP19910202817 patent/EP0485017A3/en not_active Ceased
- 1991-11-05 JP JP3288665A patent/JPH04331918A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0485017A3 (en) | 1992-10-21 |
| EP0485017A2 (en) | 1992-05-13 |
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