JPS601711A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS601711A JPS601711A JP10878583A JP10878583A JPS601711A JP S601711 A JPS601711 A JP S601711A JP 10878583 A JP10878583 A JP 10878583A JP 10878583 A JP10878583 A JP 10878583A JP S601711 A JPS601711 A JP S601711A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- insulating film
- resist
- forming
- Prior art date
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- Granted
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- Silicon Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ケイ素（Ｓｉｎ，）の絶縁膜を部分的に形成する方法に
関する。
関する。
Ｓｉｎ．の絶縁膜は、例えは液晶表示パネル用の透明電
極用配向膜をはじめ、電流カット用絶縁層の用途などに
広く適用されている。しかもこの絶縁膜は、全面一様に
施す形態もあるが、むしろ所望部分にパターン状に形成
することのほうが多い。
極用配向膜をはじめ、電流カット用絶縁層の用途などに
広く適用されている。しかもこの絶縁膜は、全面一様に
施す形態もあるが、むしろ所望部分にパターン状に形成
することのほうが多い。
しかしながら、Ｓ１０，膜はその化学的性質が極めて安
定であり、パターン化の手法として従来知られている方
法としては、 ■フッ化水素酸による湿式エッチング ■マスク蒸着法 ■リフトオフ法 等にすぎない。これらの従来法の欠点としては、■′フ
ッ化水素酸によりＳｉｎ．膜を除去することは可能であ
るが、フッ化水素酸は強烈な酸であり、これに耐えるレ
ジスト膜として実用的なものが見い出しにくい。
定であり、パターン化の手法として従来知られている方
法としては、 ■フッ化水素酸による湿式エッチング ■マスク蒸着法 ■リフトオフ法 等にすぎない。これらの従来法の欠点としては、■′フ
ッ化水素酸によりＳｉｎ．膜を除去することは可能であ
るが、フッ化水素酸は強烈な酸であり、これに耐えるレ
ジスト膜として実用的なものが見い出しにくい。
■′マスク蒸着法は、量産性に乏しくコスト高を招くほ
か、Ｓｉｎ，膜として得られるパターンの位置合わせ精
度およびパターン自体の精確さを出しにくい。
か、Ｓｉｎ，膜として得られるパターンの位置合わせ精
度およびパターン自体の精確さを出しにくい。
■′リフトオフ法は、その手法上、どうしてもＳ１０．
膜の端部に乱れが生じやすく、また、リフトオフ材の残
渣等で破着面が汚れており、この汚れのためＳ１０．膜
の被着面への密着性が劣るという欠点がある。
膜の端部に乱れが生じやすく、また、リフトオフ材の残
渣等で破着面が汚れており、この汚れのためＳ１０．膜
の被着面への密着性が劣るという欠点がある。
本発明は以上のような従来法に鑑み、パターン化された
二酸化ケイ素の絶縁膜を上記したような欠点を生ずるこ
となく形成する方法を提供するものである。
二酸化ケイ素の絶縁膜を上記したような欠点を生ずるこ
となく形成する方法を提供するものである。
すなわち、本発明は、二酸化ケイ素の絶縁膜を部分的に
形成すべき面の全面に、テトラアルコキシシランの単量
体もしくはポリマーの塗膜を形成する工程、続いて１０
０〜１４０°Ｃの仮焼成を行なって前記塗膜を硬膜とす
る工程、しかる後、該硬膜上に耐アルカリ性のレジスト
膜を所望部分に施し、レジスト膜が施されていない硬膜
をアルカリ液にてエツチング除去する工程、しかる後４
５０〜６００℃の本焼成を行なうことにより前記硬膜を
二酸化ケイ素の被膜とする工程を具備することを特徴と
する絶縁膜の形成方法である。
形成すべき面の全面に、テトラアルコキシシランの単量
体もしくはポリマーの塗膜を形成する工程、続いて１０
０〜１４０°Ｃの仮焼成を行なって前記塗膜を硬膜とす
る工程、しかる後、該硬膜上に耐アルカリ性のレジスト
膜を所望部分に施し、レジスト膜が施されていない硬膜
をアルカリ液にてエツチング除去する工程、しかる後４
５０〜６００℃の本焼成を行なうことにより前記硬膜を
二酸化ケイ素の被膜とする工程を具備することを特徴と
する絶縁膜の形成方法である。
本発明の方法の一例を示す図面の第１図から第６図に基
いて、以下詳細に説明する。この例ではガラス等の透明
基板の片面に透明導電膜を施した透明電極に対して絶縁
膜を施すものであるが、第１図において、透明基板（１
）の片面に透明導電膜（２）を所望の形状に施された面
の全面に、浸漬法、ロールコート法、スプレー法等の手
段により、テトラアルコキシシランの単量体もしくはポ
リマーの溶液を塗布して塗膜（３）を形成する。テトラ
アルコキシシランは、 一般式： Ｓ ｉ （ＯＲ）４ 〈Ｒはアルキル基〉 で表わされる有機ケイ素化合物であり、これの単量体も
しくは縮合した低分子ポリマーの溶液、例えばアルコー
ル溶液を用いることにより、塗膜（３）が形成される。
いて、以下詳細に説明する。この例ではガラス等の透明
基板の片面に透明導電膜を施した透明電極に対して絶縁
膜を施すものであるが、第１図において、透明基板（１
）の片面に透明導電膜（２）を所望の形状に施された面
の全面に、浸漬法、ロールコート法、スプレー法等の手
段により、テトラアルコキシシランの単量体もしくはポ
リマーの溶液を塗布して塗膜（３）を形成する。テトラ
アルコキシシランは、 一般式： Ｓ ｉ （ＯＲ）４ 〈Ｒはアルキル基〉 で表わされる有機ケイ素化合物であり、これの単量体も
しくは縮合した低分子ポリマーの溶液、例えばアルコー
ル溶液を用いることにより、塗膜（３）が形成される。
この状態では塗膜（３）は言わば有機質の軟質膜であり
、後加工に適さないうえに、アルカリ液に対するエツチ
ング適性も良好ではない。
、後加工に適さないうえに、アルカリ液に対するエツチ
ング適性も良好ではない。
そこで第２図に示すように、仮焼成を行ない、塗膜（３
）を硬膜（４）とする。温度ｉｏｏ〜１４０°Ｃ１焼成
時間２０〜６０焼成時間２暁〜６０ ６− より、前述のテトラアルコキシシランは、加水分解等を
生じ有機分が除去されＳｉ，Ｏ，Ｈを構成元素とする響
シロキサン化合物に変化すると考えられる。この仮焼成
により、膜の硬膜化と、アルカリ液に対するエツチング
適性が得られるものである。
）を硬膜（４）とする。温度ｉｏｏ〜１４０°Ｃ１焼成
時間２０〜６０焼成時間２暁〜６０ ６− より、前述のテトラアルコキシシランは、加水分解等を
生じ有機分が除去されＳｉ，Ｏ，Ｈを構成元素とする響
シロキサン化合物に変化すると考えられる。この仮焼成
により、膜の硬膜化と、アルカリ液に対するエツチング
適性が得られるものである。
次に、第３図に示すように、絶縁膜として残したい部分
に耐アルカリ性のレジスト膜（５）をパターン状に形成
する。形成手段としては、スクリーン印刷法によりレジ
ストインキを直刷りする手段が、簡便である。レジスト
インキは、エツチング終了後の．剥離性を考慮して有機
溶媒可溶型インキを用いると良い。レジスト膜（５）の
形成手段としては、上記のようなスクリーン印刷法のほ
かに、フォトレジストを用いる写真的手段により形成す
ることもできる。但し、この手段は、パターン精度が高
いが、手間を要する。
に耐アルカリ性のレジスト膜（５）をパターン状に形成
する。形成手段としては、スクリーン印刷法によりレジ
ストインキを直刷りする手段が、簡便である。レジスト
インキは、エツチング終了後の．剥離性を考慮して有機
溶媒可溶型インキを用いると良い。レジスト膜（５）の
形成手段としては、上記のようなスクリーン印刷法のほ
かに、フォトレジストを用いる写真的手段により形成す
ることもできる。但し、この手段は、パターン精度が高
いが、手間を要する。
続いて、アルカリ液による湿式エツチングを行ない、レ
ジスト膜（５）によって覆われていない部分の硬膜（４
）を溶解除去する。エツチング液としては、４− 水酸化ナトリウムや水酸化カリウムの２０〜３０重量％
溶液を用い、液温４０〜６０°Ｃ、エツチング時間は膜
厚に応じて設定すれば良い。エツチングの仕様は、浸漬
法やスプレーエツチング法等、通常の仕様を用いること
ができる。第４図は硬膜（４）に対するエツチングが終
了した時点を示している。
ジスト膜（５）によって覆われていない部分の硬膜（４
）を溶解除去する。エツチング液としては、４− 水酸化ナトリウムや水酸化カリウムの２０〜３０重量％
溶液を用い、液温４０〜６０°Ｃ、エツチング時間は膜
厚に応じて設定すれば良い。エツチングの仕様は、浸漬
法やスプレーエツチング法等、通常の仕様を用いること
ができる。第４図は硬膜（４）に対するエツチングが終
了した時点を示している。
次に、第５図に示すようにレジスト膜（５）を剥離する
。レジスト膜（５）がインキ膜の場合、インキ溶剤にて
溶解できるし、フォトレジスト膜にあっては所定の剥膜
液を用いれば良い。
。レジスト膜（５）がインキ膜の場合、インキ溶剤にて
溶解できるし、フォトレジスト膜にあっては所定の剥膜
液を用いれば良い。
以上のようにしてパターン化された硬膜（４）を４５０
〜６００℃の本焼成を行なうことにより、ここで始めて
二酸化ケイ素の絶縁膜（６）となりうる。
〜６００℃の本焼成を行なうことにより、ここで始めて
二酸化ケイ素の絶縁膜（６）となりうる。
焼成時間は２０〜６０分程度で充分であることが多い。
以下に本発明の実施例を述べるが、これによって本発明
が限定されるものではないことはもちろんである。
が限定されるものではないことはもちろんである。
ガラス基板上に酸化インジウム−酸化錫からなる透明導
電膜を所望の形状に形成した透明電極板を、テトラアル
コキシシランポリマーのメタノール溶液（日本曹達■製
、商品名ｒＮｓｉ３１ｏＪ ：Ｓｉｎ、換算含量５．９
重量％）に浸漬し、引き上げ速度１５ Ｃｍ ／ ｍｉ
ｎで約１ｏｏｏＸの塗膜が得られた。次に１２０℃、３
０分間の仮焼成を行ない、塗膜を硬膜化し、エツチング
適性をもたせた後、スクリーン印刷法にて、耐アルカリ
性インキ（太陽インキ■製、商品名「ケミカルインキ１
５０ＰＪを所望部分に約１０ミクロン厚に印刷し、レジ
スト膜とした。続いて、３０重量％の苛性ソーダ水溶液
（液温５５℃）に約３分間浸漬することで、レジスト膜
によって被覆されていない硬膜をエツチング除去した。
電膜を所望の形状に形成した透明電極板を、テトラアル
コキシシランポリマーのメタノール溶液（日本曹達■製
、商品名ｒＮｓｉ３１ｏＪ ：Ｓｉｎ、換算含量５．９
重量％）に浸漬し、引き上げ速度１５ Ｃｍ ／ ｍｉ
ｎで約１ｏｏｏＸの塗膜が得られた。次に１２０℃、３
０分間の仮焼成を行ない、塗膜を硬膜化し、エツチング
適性をもたせた後、スクリーン印刷法にて、耐アルカリ
性インキ（太陽インキ■製、商品名「ケミカルインキ１
５０ＰＪを所望部分に約１０ミクロン厚に印刷し、レジ
スト膜とした。続いて、３０重量％の苛性ソーダ水溶液
（液温５５℃）に約３分間浸漬することで、レジスト膜
によって被覆されていない硬膜をエツチング除去した。
水洗乾燥後、１，１，１．−）リクロロエタンによりレ
ジスト膜を溶解除去し、しかる後、５００’Ｃ３０分間
の本焼成を行ない、二酸化ケイ素の絶縁膜が得られた。
ジスト膜を溶解除去し、しかる後、５００’Ｃ３０分間
の本焼成を行ない、二酸化ケイ素の絶縁膜が得られた。
得られた絶縁膜は、パターン端部に乱れがなく、透明電
極板への密着性も良好で、透明導電膜と絶縁層の間に異
物が浸潤するような間隙もなかった。
極板への密着性も良好で、透明導電膜と絶縁層の間に異
物が浸潤するような間隙もなかった。
本発明の絶縁膜の形成方法は以上のようなものだ
であり、本発明によれば、化学的性質が安２であ：るた
めエツチング法によるパターン化が困難とされた二酸化
ケイ素の被膜をエツチング技術にて作成することに成功
したものであり、得られた絶縁膜は、位置合わせ精度が
高く、リフトオフ法にて作成した場合のように、パター
ン端部に乱れがなく、しかもＳ１０．膜は清浄な面に形
成されることになるので密着性が良好となり、絶縁性能
も一段と信頼の高いものとなる。本発明の方法は、途中
に仮焼成と本焼成の二回の操作が介在するが、レジスト
膜を印刷法で印刷する手段を用いるなど、量産性に適し
た方法であり、高い品質の絶縁層が得られる実用的な形
成方法である。
めエツチング法によるパターン化が困難とされた二酸化
ケイ素の被膜をエツチング技術にて作成することに成功
したものであり、得られた絶縁膜は、位置合わせ精度が
高く、リフトオフ法にて作成した場合のように、パター
ン端部に乱れがなく、しかもＳ１０．膜は清浄な面に形
成されることになるので密着性が良好となり、絶縁性能
も一段と信頼の高いものとなる。本発明の方法は、途中
に仮焼成と本焼成の二回の操作が介在するが、レジスト
膜を印刷法で印刷する手段を用いるなど、量産性に適し
た方法であり、高い品質の絶縁層が得られる実用的な形
成方法である。
第１図から第６図までは、本発明の絶縁膜の形成方法の
一実施例を工程順に示す説明断面図である。 ７− （１）・・・透明基板 （２）・・・透明導電膜（３）
・・・塗膜 （４）・・・硬膜 （５）・・・レジスト膜 （６）・・・絶縁膜特許出願
人 凸版印刷株式会社 代表者鈴木和夫 ８−
一実施例を工程順に示す説明断面図である。 ７− （１）・・・透明基板 （２）・・・透明導電膜（３）
・・・塗膜 （４）・・・硬膜 （５）・・・レジスト膜 （６）・・・絶縁膜特許出願
人 凸版印刷株式会社 代表者鈴木和夫 ８−
Claims (1)
- （１）絶縁膜を部分的に形成すべき面の全面に、テトラ
アルコキシシランの単量体もしくはポリマーの塗膜を形
成し、ｉｏｏ〜１４０’Ｃの仮焼成を行なって前記塗膜
を硬膜とし、しかる後、該硬膜上に耐アルカリ性のレジ
スト膜を所望部分に施し、レジスト膜が施されていない
硬膜をアルカリ液にてエツチング除去し、しかるのち４
５０〜６００℃の本焼成を行なうことにより前記硬膜を
二酸化ケイ素の被膜とすることを特徴とする絶縁膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10878583A JPS601711A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10878583A JPS601711A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601711A true JPS601711A (ja) | 1985-01-07 |
| JPH0118579B2 JPH0118579B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=14493415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10878583A Granted JPS601711A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601711A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3841255A1 (de) * | 1987-12-09 | 1989-06-22 | Central Glass Co Ltd | Verfahren zur bildung eines gemusterten filmes auf einer substratoberflaeche unter verwendung eines metallalkoxidsols |
| JP2001302227A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | シリカ粒子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191219A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-25 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of silica coating pattern |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10878583A patent/JPS601711A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191219A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-25 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of silica coating pattern |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3841255A1 (de) * | 1987-12-09 | 1989-06-22 | Central Glass Co Ltd | Verfahren zur bildung eines gemusterten filmes auf einer substratoberflaeche unter verwendung eines metallalkoxidsols |
| US4874462A (en) * | 1987-12-09 | 1989-10-17 | Central Glass Company, Limited | Method of forming patterned film on substrate surface by using metal alkoxide sol |
| DE3841255C2 (ja) * | 1987-12-09 | 1993-08-05 | Central Glass Co., Ltd., Yamaguchi, Jp | |
| JP2001302227A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | シリカ粒子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0118579B2 (ja) | 1989-04-06 |
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