JPH0384521A - パターニング法 - Google Patents
パターニング法Info
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- JPH0384521A JPH0384521A JP22038589A JP22038589A JPH0384521A JP H0384521 A JPH0384521 A JP H0384521A JP 22038589 A JP22038589 A JP 22038589A JP 22038589 A JP22038589 A JP 22038589A JP H0384521 A JPH0384521 A JP H0384521A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、液晶表示装置などに用いる透明電極のパタ
ーニング法に関するものである。
ーニング法に関するものである。
〈従来の技術〉
ガラス基板上に透明電極膜（ＩＴ○）を膜付けし、この
上にフォトリソグラフ法や印刷法により所定のパターン
のレジスト皮膜を形成後、エツチングにより不要ＩＴＯ
［を除去することにより、透明電極を得るのが一般的な
パターニング方法である。
上にフォトリソグラフ法や印刷法により所定のパターン
のレジスト皮膜を形成後、エツチングにより不要ＩＴＯ
［を除去することにより、透明電極を得るのが一般的な
パターニング方法である。
更に詳しく説明する。まず、フォトリソグラフ法による
場合は、 ■予めガラス基板上全面に均一に膜付けされた■ＴＯ膜
上に、ロールコータ−などを用いてフォトレジストを塗
布、乾燥。
場合は、 ■予めガラス基板上全面に均一に膜付けされた■ＴＯ膜
上に、ロールコータ−などを用いてフォトレジストを塗
布、乾燥。
■所定のマスクを密着し、露光。
■現像し、レジストの未硬化部分を除去する。
■酸などでエツチングし、ＩＴＯ膜の露出部分を除去。
■フォトレジストを除去。
以上の５工程よりなる。
次に印刷法の場合は、
■予めガラス基板上全面に均一に膜付けされたＩＴＯＷ
Ａ上に、レジストインキを所定パターンに印刷、乾燥。
Ａ上に、レジストインキを所定パターンに印刷、乾燥。
■酸などでエツチングし、ＩＴＯ膜の露出部分を除去。
■フォトレジストを除去。
以上の３工程からなる。
フォトリングラフ法では、解像度の高いパターニングが
できる反面、工程数が多く、また装置も高価で、製造費
用が高（なっているというのが現状である。
できる反面、工程数が多く、また装置も高価で、製造費
用が高（なっているというのが現状である。
一方、印刷法は、工程数が少なく、大量生産による安価
な製造ができることから開発された方法であるが、解像
度に限界があり、比較的中品位のものに使用されている
。
な製造ができることから開発された方法であるが、解像
度に限界があり、比較的中品位のものに使用されている
。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記のように、印刷法では解像度に限界があり、細かい
パターンはできないという欠点がある。また、最近の傾
向として○Ａａ器用の液晶表示パネルに使用される電極
は縦横の細長いストライブで、ストライブとストライブ
の間隙が一段と狭くなっており、その間隙は２０〜３０
μである。ところが、印刷法では全面ベタ刷りの中に細
い白線（白抜き）を残すのは、細い線を印刷するよりも
高度な技術を要し、５０〜７０μが限界であり、２０〜
３０μの間隙は印刷法では形威できないという欠点があ
る。
パターンはできないという欠点がある。また、最近の傾
向として○Ａａ器用の液晶表示パネルに使用される電極
は縦横の細長いストライブで、ストライブとストライブ
の間隙が一段と狭くなっており、その間隙は２０〜３０
μである。ところが、印刷法では全面ベタ刷りの中に細
い白線（白抜き）を残すのは、細い線を印刷するよりも
高度な技術を要し、５０〜７０μが限界であり、２０〜
３０μの間隙は印刷法では形威できないという欠点があ
る。
く課題を解決する手段〉
この発明は、上記の課題を解決し、従来より細かいパタ
ーンを印刷により形威し、安価に大量に生産を可能とす
るものである。
ーンを印刷により形威し、安価に大量に生産を可能とす
るものである。
まず、非１を種回路部分のポジ型印刷版を用意する。
イ、基板上に該印刷版を用いてレジストインキを所定の
パターンに印刷する工程。
パターンに印刷する工程。
口、該印刷済基板上全面に均一なｓｔａｇを膜付けし、
さらにこの上にＩＴＯ膜を形成する工程。
さらにこの上にＩＴＯ膜を形成する工程。
ハ、レジストインキを除去し、同時に電極間隙部分のＩ
ＴＯ膜を剥離する工程。
ＴＯ膜を剥離する工程。
以上の工程よりなるパターニング法。
レジストインキは、アルカリに弱いメラミンアルキッド
系のものを使用し、一般的な剥離用アルカリ溶液を用い
、ナイロンブラシにより剥離できる。この場合、膜付は
前の洗浄は中性のものが良く、アルコールやフロンのみ
でするのが望ましい。
系のものを使用し、一般的な剥離用アルカリ溶液を用い
、ナイロンブラシにより剥離できる。この場合、膜付は
前の洗浄は中性のものが良く、アルコールやフロンのみ
でするのが望ましい。
また、膜付は前の洗浄工程でアルカリを使用する場合は
、耐アルカリ性のインキを用いアセトンなど所定の溶剤
で洗浄し、除去することができる。
、耐アルカリ性のインキを用いアセトンなど所定の溶剤
で洗浄し、除去することができる。
汰
２工程六でＩＴＯ膜を形成する場合には、焼成する際の
高温（４００度以上）でレジストインキは炭化、気化、
除去できる。
高温（４００度以上）でレジストインキは炭化、気化、
除去できる。
〈作用〉
この発明では、面積の少ない部分すなわち、細い線のみ
を印刷するので、従来のように白抜き部分を残して印刷
するよりも細かい線の形成が可能で、２０〜３０μの間
隙を形成できる。
を印刷するので、従来のように白抜き部分を残して印刷
するよりも細かい線の形成が可能で、２０〜３０μの間
隙を形成できる。
〈発明の効果〉
レジストインキを除去する際に同時にレジストインキ上
のＩＴＯ膜を除去してもエツチングと同じ効果が得られ
、しかもエツチング工程がないため、レジストインキの
耐酸性が問題とならない。
のＩＴＯ膜を除去してもエツチングと同じ効果が得られ
、しかもエツチング工程がないため、レジストインキの
耐酸性が問題とならない。
従って、厚い膜でも長時間エツチングする必要がなく、
細かいパターンだけでなく、厚い膜のエツチングも印刷
によるレジスト皮膜でできるようになった。
細かいパターンだけでなく、厚い膜のエツチングも印刷
によるレジスト皮膜でできるようになった。
さらにエツチング装置も不要になるため、設備費の削減
や、工程数の削減により、製造費用も低く抑えられる。
や、工程数の削減により、製造費用も低く抑えられる。
第１図は断面図によるこの発明の工程説明図である。ａ
、はガラス基板、ｂ、は印刷によりレジストインキをパ
ターン形成した状態、Ｃ９はＩＴＯを膜付けした状態、
ｄ、はエツチング終了を示す図である。 ■はガラス基板、２はレジストインキ皮膜、３はＩＴＯ
ｇｉ
、はガラス基板、ｂ、は印刷によりレジストインキをパ
ターン形成した状態、Ｃ９はＩＴＯを膜付けした状態、
ｄ、はエツチング終了を示す図である。 ■はガラス基板、２はレジストインキ皮膜、３はＩＴＯ
ｇｉ
Claims (2)
- （１）イ、基板上にレジストインキにより所定のパター
ンを印刷し、印刷済の基板を作る工程。 ロ、該印刷済基板上全面に均一なＳｉＯ＿２膜及びＩＴ
Ｏ膜を形成する工程。 ハ、レジストインキを除去する工程。 以上の工程よりなるパターニング法。 - （２）レジストインキ除去を焼却により行うことを特徴
とする請求項１記載のパターニング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22038589A JPH0384521A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | パターニング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22038589A JPH0384521A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | パターニング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384521A true JPH0384521A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16750296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22038589A Pending JPH0384521A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | パターニング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384521A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003091788A2 (en) | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film conductive structure on a substrate |
| US6909532B2 (en) | 2002-04-24 | 2005-06-21 | Sipix Imaging, Inc. | Matrix driven electrophoretic display with multilayer back plane |
| US7156945B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-01-02 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| US7261920B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-08-28 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
| CN100461986C (zh) * | 2002-04-15 | 2009-02-11 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 印刷电路板的高速制造方法 |
| US7972472B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-07-05 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| US8002948B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-08-23 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP22038589A patent/JPH0384521A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100461986C (zh) * | 2002-04-15 | 2009-02-11 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 印刷电路板的高速制造方法 |
| WO2003091788A2 (en) | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film conductive structure on a substrate |
| WO2003091788A3 (en) * | 2002-04-24 | 2004-03-25 | Sipix Imaging Inc | Process for forming a patterned thin film conductive structure on a substrate |
| US6909532B2 (en) | 2002-04-24 | 2005-06-21 | Sipix Imaging, Inc. | Matrix driven electrophoretic display with multilayer back plane |
| JP2005524100A (ja) * | 2002-04-24 | 2005-08-11 | シピックス・イメージング・インコーポレーテッド | パターン形成された薄膜導体を基材上に形成する方法 |
| US7156945B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-01-02 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| US7261920B2 (en) | 2002-04-24 | 2007-08-28 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
| US7972472B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-07-05 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure for in-mold decoration |
| US8002948B2 (en) | 2002-04-24 | 2011-08-23 | Sipix Imaging, Inc. | Process for forming a patterned thin film structure on a substrate |
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