JPH10228114A - メタルマスクの製造方法 - Google Patents
メタルマスクの製造方法Info
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- JPH10228114A JPH10228114A JP2887197A JP2887197A JPH10228114A JP H10228114 A JPH10228114 A JP H10228114A JP 2887197 A JP2887197 A JP 2887197A JP 2887197 A JP2887197 A JP 2887197A JP H10228114 A JPH10228114 A JP H10228114A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
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Abstract
メッシュパターンに相当するメッキ層4と印刷パターン
に相当するメッキ層4′をスパッタリング法による導電
性の薄膜5を介して積層するように形成し、基板1を剥
離した後でフォトレジスト2,2′及び薄膜5の露出部
分を除去してメタルマスクを製造する。
Description
用いられるメタルマスクの製造方法に関するものであ
る。
るメタルマスクを製造する技術として、例えば、図13
に示されるような技術が知られている。即ち、(a)に
示すように導体基板100上にフォトリソグラフィーの
技術でレジスト105が形成されたメタルマスク101
を設け、該メタルマスク101上に微細な導電性メッシ
ュ102を重ねて密着させる(b)。そして、メタルマ
スク101と導電性メッシュ102とをメッキ液中で同
時に電鋳し、析出した金属103によって一体化する
(c)。最後に(d)のように導体基板100を剥離し
て、メタルマスク104を作成する。この製法で制作し
たメタルマスク104は通常のエッチングで作成された
メタルマスクでは不可能な程、高精度なものが作成でき
る。しかも他と孤立している形状のメタルマスク101
があっても、導電性メッシュ102と一体化しているの
で、上記メタルマスク101が使用中に剥離することも
ない。
メタルマスクの製造方法では、析出した金属103が不
要に突出したりブリッジ状になったりして、いわゆるオ
ーバーハング103aを生じ、本来の精度が確保できな
いという問題を生じていた。また、析出した金属103
によって導電性メッシュ102の開孔率が低下してしま
い、析出した金属103の厚さを厚くすればメタルマス
ク104が強固なものになる反面、導電性メッシュ10
2を詰まらせることになり、スクリーン印刷等には不適
なものとなっていた。
案されたものであり、導電性を有する基板上に第1の感
光性樹脂層を形成し、メッシュパターンが形成された第
1のフォトマスクを上記第1の感光性樹脂層上に重ねて
露光し、現像処理をおこなって不要部分を除去し、該除
去部分に上記基板を一方の電極として電鋳により、厚さ
が上記第1の感光性樹脂層を越えないように第1のメッ
キ層を形成し、該第1のメッキ層及び上記第1の感光樹
脂層の表面にスパッタリング法によって導電性の薄膜を
形成し、該薄膜の表面に第2の感光性樹脂層を形成し、
印刷パターンが形成された第2のフォトマスクを上記第
2の感光性樹脂層上に重ねて露光し、現像処理をおこな
って不要部分を除去し、該除去部分に上記薄膜を一方の
電極として電鋳により、厚さが上記第2の感光性樹脂層
を越えないように第2のメッキ層を形成した後に上記基
板を剥離し、かつ上記第1の感光性樹脂層、上記第2の
感光性樹脂層、及び上記薄膜の露出部分を除去して成る
メタルマスクの製造方法を提供するものである。
性樹脂層が共にポジ型フォトレジストであるメタルマス
クの製造方法を提供するものである。
の厚さを、上記メッシュパターンの幅や間隔に応じて適
宜に設定するメタルマスクの製造方法を提供するもので
ある。
体的な構成を図面に従い説明する。先ず、図1は金属等
の導電性の部材からなる基板1上に、紫外線を吸収して
化学変化するポジ型のフォトレジスト2を例えばスピナ
ー等を用いてコーティングし、乾燥させた状態を示して
いる。
刷されたフォトマスク3を、パターン面がフォトレジス
ト2側に向くようにして重ねあわせ、更にフォトマスク
3の背面から、キセノン−水銀ランプ等を用いて一様に
紫外線(UV線)を照射し、フォトレジスト2を感光さ
せる。
現像すると図3に示すようにメッシュパターン3aに対
応した平面視メッシュ状の除去部分2aがフォトレジス
ト2に形成される。更に、基板1を一方の電極として硫
酸ニッケル溶液等のメッキ溶液中で電鋳をおこなうと、
図4に示すように除去部分2aに平面視メッシュ状のメ
ッキ層4が形成される。尚、この際、メッキ層4の厚さ
がフォトレジスト2の厚さを越えない程度となるように
電鋳の際に注意する必要がある。
及びメッキ層4上にスパッタリング法でニッケルか若し
くは銅の薄膜5を形成する。この際、薄膜5の厚さは約
0.5μm以上とする。そして、図6に示すようにこの
薄膜5上に、紫外線を吸収して化学変化するポジ型のフ
ォトレジスト2′を例えばスピナー等を用いてコーティ
ングして乾燥させる。
されたフォトマスク3′を、パターン面がフォトレジス
ト2′側に向くようにして重ねあわせ、更にフォトマス
ク3′の背面から、キセノン−水銀ランプ等を用いて紫
外線(UV線)を照射し、フォトレジスト2′を感光さ
せる。
で現像すると図8に示すように印刷パターン3a′に対
応した除去部分2a′がフォトレジスト2′に形成され
る。更に、薄膜5を一方の電極として硫酸ニッケル溶液
等のメッキ溶液中で電鋳をおこなうと、図9に示すよう
に除去部分2a′にメタルマスクに対応するメッキ層
4′が形成される。尚、この際、メッキ層4′の厚さが
フォトレジスト2′の厚さを越えない程度となるように
電鋳の際に注意する必要がある。
積層体6を基板1から剥離すると図10に示すように積
層体6が独立して形成される。更に積層体6を有機溶剤
中に放置すると、フォトレジスト2,2′が溶解して図
11に示す構造となる。
5がメッキ層4,4′間の全面に介在しており、この薄
膜5が存在するとメタルマスクとして機能できないの
で、エッチング法を用いて薄膜5の露出部分を除去す
る。尚、薄膜5の素材によってエッチング液及びその時
間を適宜選択し、メッキ層4,4′の浸食を最小限にく
い止める必要がある。
メッキ層4とメタルマスク状のメッキ層4′とが薄膜5
を介して一体に結合したメッシュ付きのメタルマスク7
が完成する。
徴は、例えば回路パターン作成用のメタルマスクを例に
とれば、フォトレジストの高解像度をそのままメタルマ
スクの解像度とすることが可能であり、超微細な回路パ
ターンが形成できる。また、サイドエッチングがなく側
壁はほゞ鏡面状となっており、かつメッシュの目詰まり
や開孔率の低下も見られないので、回路パターンを印刷
時に断線や回路幅が狭くなる等といった問題が生じな
い。
たが、本発明は上記した実施形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限
り、どのようにでも実施できる。例えば、上記実施形態
において、フォトレジストはポジ型のフォトレジストを
採用したが、ネガ型のフォトレジストを使用しても本発
明は実施可能である。
ルマスクの製造方法においては、従来にない微小幅を再
現できるメタルマスクが製造でき、フォトレジストの高
解像度をそのままメタルマスクの解像度とすることが可
能であり、これによって超微細な印刷をおこなうことが
できる。また、サイドエッチングがなく側壁はほゞ鏡面
状となっているのでインクの通りがよく、かつメッシュ
の目詰まりや開孔率の低下も見られないので、長期間に
わたって非常に安定した印刷をおこなうことができる
等、多大な効果を奏する。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
工程を示す要部概略縦断面図である。
造工程を示す要部概略縦断面図である。
造工程を示す要部概略縦断面図である。
造工程を示す要部概略縦断面図である。
造工程を示す要部概略縦断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 導電性を有する基板上に第1の感光性樹
脂層を形成し、メッシュパターンが形成された第1のフ
ォトマスクを上記第1の感光性樹脂層上に重ねて露光
し、現像処理をおこなって不要部分を除去し、該除去部
分に上記基板を一方の電極として電鋳により、厚さが上
記第1の感光性樹脂層を越えないように第1のメッキ層
を形成し、該第1のメッキ層及び上記第1の感光樹脂層
の表面にスパッタリング法によって導電性の薄膜を形成
し、該薄膜の表面に第2の感光性樹脂層を形成し、印刷
パターンが形成された第2のフォトマスクを上記第2の
感光性樹脂層上に重ねて露光し、現像処理をおこなって
不要部分を除去し、該除去部分に上記薄膜を一方の電極
として電鋳により、厚さが上記第2の感光性樹脂層を越
えないように第2のメッキ層を形成した後に上記基板を
剥離し、かつ上記第1の感光性樹脂層、上記第2の感光
性樹脂層、及び上記薄膜の露出部分を除去して成ること
を特徴とするメタルマスクの製造方法。 - 【請求項2】 上記第1及び第2の感光性樹脂層は、共
にポジ型フォトレジストであることを特徴とする請求項
1に記載のメタルマスクの製造方法。 - 【請求項3】 上記第1の感光性樹脂層の厚さは、上記
メッシュパターンの幅や間隔に応じて適宜に設定するこ
とを特徴とする請求項1または請求項2の何れかに記載
のメタルマスクの製造方法。
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