JPH01170903A - 膜パターン形成方法 - Google Patents
膜パターン形成方法Info
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- JPH01170903A JPH01170903A JP62333548A JP33354887A JPH01170903A JP H01170903 A JPH01170903 A JP H01170903A JP 62333548 A JP62333548 A JP 62333548A JP 33354887 A JP33354887 A JP 33354887A JP H01170903 A JPH01170903 A JP H01170903A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
- C08L23/08—Copolymers of ethene
- C08L23/0807—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons only containing more than three carbon atoms
- C08L23/0815—Copolymers of ethene with aliphatic 1-olefins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2314/00—Polymer mixtures characterised by way of preparation
- C08L2314/06—Metallocene or single site catalysts
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
基板上の一定の表面領域を二種類の膜パターンで重なり
やすき間なしに所定の位置関係に埋め尽くすことに関す
る。
やすき間なしに所定の位置関係に埋め尽くすことに関す
る。
〈従来の技術〉
多層干渉膜フィルターのパターンを平面基板上に形成す
る例について述べる。特にプリズム等への貼り合わせを
良好に行なう目的で目標とするパターンの周辺をＳｉＯ
□等の物質で埋めて平坦化する場合について述べる。
る例について述べる。特にプリズム等への貼り合わせを
良好に行なう目的で目標とするパターンの周辺をＳｉＯ
□等の物質で埋めて平坦化する場合について述べる。
基板上の一定の表面領域を二種類の膜パターンで埋め尽
くすに際して、通常の方法は個々のバターニング方法が
エツチング法であるかりフトオフ法であるかを問わず、
それぞれ別個のパターニングを繰り返すものであった。
くすに際して、通常の方法は個々のバターニング方法が
エツチング法であるかりフトオフ法であるかを問わず、
それぞれ別個のパターニングを繰り返すものであった。
上記の例で言えば、先ずガラス基板上にリフト材パター
ン（例えばＣＵ）を目標とする多層干渉膜パターンの逆
パターンに形成する。その具体的方法はリフト材を全面
に形成した後に感光性樹脂とフォトマスクを用いて写真
的にレジストパターンを形成し、その後リフト材のエツ
チングとレジスト剥膜を行なうものである、その上から
多層干渉膜を蒸着法等で堆積したのち、リフトオフして
目標とする多層干渉膜パターンを得る０次いで第二リフ
ト材パターンを多層干渉膜パターン上に同形に第一リフ
ト材パターンと同様の方法で形成する。第二リフト材パ
ターン形成後、平坦化のための物Ｗ（例えばＳｉｎｇ）
を蒸着法等で成膜し、次いでリフトオフすることによっ
て、第一種の膜パターン以外の領域を埋め尽くすように
第二種の膜パターンを形成することができる。
ン（例えばＣＵ）を目標とする多層干渉膜パターンの逆
パターンに形成する。その具体的方法はリフト材を全面
に形成した後に感光性樹脂とフォトマスクを用いて写真
的にレジストパターンを形成し、その後リフト材のエツ
チングとレジスト剥膜を行なうものである、その上から
多層干渉膜を蒸着法等で堆積したのち、リフトオフして
目標とする多層干渉膜パターンを得る０次いで第二リフ
ト材パターンを多層干渉膜パターン上に同形に第一リフ
ト材パターンと同様の方法で形成する。第二リフト材パ
ターン形成後、平坦化のための物Ｗ（例えばＳｉｎｇ）
を蒸着法等で成膜し、次いでリフトオフすることによっ
て、第一種の膜パターン以外の領域を埋め尽くすように
第二種の膜パターンを形成することができる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
従来の方法では以下のような問題点があった。
（１）写真的な位置合わせによって二種の膜パターンの
位置を決めるため、位置合わせのズレやマスクパターン
サイズの不一致等により、パターンの重なりやすき間を
完全になくすることは困難である。
位置を決めるため、位置合わせのズレやマスクパターン
サイズの不一致等により、パターンの重なりやすき間を
完全になくすることは困難である。
（２）二回の写真工程を必要としており、工程が長くな
る。
る。
〈問題を解決するための手段〉
本発明は上記の従来技術の問題点を解決するものである
。即ち、リフトオフ法による第一種の膜パターンの形成
に先立ち、第二種の膜パターンに対するリフト材を形成
しておき、第一種の膜パターン形成と第二リフト材パタ
ーン形成とを同時工程で為すことにより、二種類のパタ
ーンの重なりやすき間を全くない埋め尽くしパターンを
短い工程で形成するものである。
。即ち、リフトオフ法による第一種の膜パターンの形成
に先立ち、第二種の膜パターンに対するリフト材を形成
しておき、第一種の膜パターン形成と第二リフト材パタ
ーン形成とを同時工程で為すことにより、二種類のパタ
ーンの重なりやすき間を全くない埋め尽くしパターンを
短い工程で形成するものである。
具体的には、基板上の一定の表面領域を二種類の膜パタ
ーンで埋め尽くすに際して、基板上の所定の位置に第一
種の膜を第一リフト材パターンを含む全領域に形成した
後に第二リフト材を同じく全領域に形成し、第一リフト
材のみを溶解する液を用いて第一リフト材パターン上の
第一種の膜と第二リフト材とをリフトオフし、その結果
残った第一種の膜パターンと該膜パターン上の第二リフ
ト材パターンとを含む全領域に第二種の膜を形成し、最
後に第二リフト材のみを溶解する液を用いて第一種の膜
パターン上の第二種の膜をリフトオフして膜パターンを
形成するという事である。
ーンで埋め尽くすに際して、基板上の所定の位置に第一
種の膜を第一リフト材パターンを含む全領域に形成した
後に第二リフト材を同じく全領域に形成し、第一リフト
材のみを溶解する液を用いて第一リフト材パターン上の
第一種の膜と第二リフト材とをリフトオフし、その結果
残った第一種の膜パターンと該膜パターン上の第二リフ
ト材パターンとを含む全領域に第二種の膜を形成し、最
後に第二リフト材のみを溶解する液を用いて第一種の膜
パターン上の第二種の膜をリフトオフして膜パターンを
形成するという事である。
本発明において重要な点は第一の膜パターン形成と第二
のリフト材パターン形成とを第一のリフト材をエツチン
グする一回のリフトオフ工程で同時に行なうことにあり
、それぞれの膜形成手段や材料の種類は任意に選択でき
るという普遍的な工程順を提供するものである。膜形成
手段としては、真空蒸着やスパッタ等の物理的蒸着法の
ほかに化学的蒸着法も可能であるばかりでなく、厚膜ペ
ーストの塗布や液状物質の回転塗布、引き上げ塗布など
の各種コーティング方式が適用できる。
のリフト材パターン形成とを第一のリフト材をエツチン
グする一回のリフトオフ工程で同時に行なうことにあり
、それぞれの膜形成手段や材料の種類は任意に選択でき
るという普遍的な工程順を提供するものである。膜形成
手段としては、真空蒸着やスパッタ等の物理的蒸着法の
ほかに化学的蒸着法も可能であるばかりでなく、厚膜ペ
ーストの塗布や液状物質の回転塗布、引き上げ塗布など
の各種コーティング方式が適用できる。
材料の種類は二回のリフトオフ工程でエツチングの選択
条件をそれぞれ満たす材料の組合わせであれば、任意に
選択可能である。
条件をそれぞれ満たす材料の組合わせであれば、任意に
選択可能である。
〈実施例１〉
（ａ）ガラスの基板１上に銅よりなる第一リフト材２を
イオンブレーティング法で厚さ４μｍ形成する。
イオンブレーティング法で厚さ４μｍ形成する。
その後、偏光分離膜を残そうとする部分のみパターン除
去する。
去する。
（ｂ）有効領域全体にＴｉ（ｈとＳｉＯ□よりなる偏光
分離膜３を蒸着により厚さ４．５ μｍ形成する。
分離膜３を蒸着により厚さ４．５ μｍ形成する。
（Ｃ）有効領域全体にＣｒよりなる第二リフト材４をス
パッタリング法で厚さ０．７ μｍ形成する。
パッタリング法で厚さ０．７ μｍ形成する。
（ｄ）全体を塩化第二鉄溶液に漬け、第一リフト材２に
よりリフトオフし、偏光分離膜を設けない部分上の膜を
全て除去する。
よりリフトオフし、偏光分離膜を設けない部分上の膜を
全て除去する。
（ｅ）有効領域全体に５ｉ（ｈからなる平坦化膜５を真
空蒸着で約４．５ μｍ形成する。
空蒸着で約４．５ μｍ形成する。
（ｆ）全体を硝酸第二セリウムアンモンに漬け、第二リ
フト材４によりリフトオフし、その上にある平坦化膜５
も同時に除去する。
フト材４によりリフトオフし、その上にある平坦化膜５
も同時に除去する。
〈実施例２〉
（ａ）アルミナ等の基板１上に銅よりなる第一リフト材
２をイオンブレーティング法で６μｍ厚さ形成する。そ
の後、導電膜を残そうとする部分のみパターン除去する
。
２をイオンブレーティング法で６μｍ厚さ形成する。そ
の後、導電膜を残そうとする部分のみパターン除去する
。
（ロ）有効領域全体にＡｇとＰｄの混合ペーストを約５
μｍ厚スキージ塗布した後乾燥する。
μｍ厚スキージ塗布した後乾燥する。
（Ｃ）有効領域全体に感光性樹脂を１μｍ厚全回定スピ
ンコード塗布した後乾燥し、第二リフト材４を形成する
。
ンコード塗布した後乾燥し、第二リフト材４を形成する
。
（ｄ）全体を過硫酸アンモニウム溶液に漬け、第一リフ
ト材２によりリフトオフし、導電膜を設けない部分の膜
を全て除去する。
ト材２によりリフトオフし、導電膜を設けない部分の膜
を全て除去する。
（ｅ）有効領域全体にガラスフリットよりなる平坦化膜
５を全面塗布し・た後乾燥する。
５を全面塗布し・た後乾燥する。
（ｆ）焼成炉に入れ、第二リフト材４を分解して、その
上の平坦化膜５をリフトオフすると共に導電膜３と平坦
化膜５をそれぞれ固めて平坦な構造の厚膜配線基板を形
成する。
上の平坦化膜５をリフトオフすると共に導電膜３と平坦
化膜５をそれぞれ固めて平坦な構造の厚膜配線基板を形
成する。
〈発明の効果〉
二種の膜パターンのずれが全くなく、完全な埋め尽し平
面が得られる。これに付随して、二回目のアライメント
が不要となり、−回目のアライメントのみで成膜できる
。
面が得られる。これに付随して、二回目のアライメント
が不要となり、−回目のアライメントのみで成膜できる
。
また、二種の膜パターンを各々別個に形成する場合に比
べて工程が短縮される。
べて工程が短縮される。
第１図は、本発明の一実施例を工程順に示す部分断面図
である。 １・・・基板 ２・・・第一リフト材３・・・
第一種層（多層干渉膜、導電ペースト等）４・・・第二
リフト材 ５・・・第二種膜（Ｓｉｎｇ、ガラスフリット等）特
許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
である。 １・・・基板 ２・・・第一リフト材３・・・
第一種層（多層干渉膜、導電ペースト等）４・・・第二
リフト材 ５・・・第二種膜（Ｓｉｎｇ、ガラスフリット等）特
許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
Claims (1)
- （１）基板上の一定の表面領域を二種類の膜パターンで
埋め尽くすに際して、基板上の所定の位置に第一種の膜
パターンの逆パターンを第一リフト材で形成し、第一種
の膜を第一リフト材パターンを含む全領域に形成した後
に第二リフト材を同じく全領域に形成し、第一リフト材
のみを溶解する液を用いて第一リフト材パターン上の第
一種の膜と第二リフト材とをリフトオフし、その結果残
った第一種の膜パターンと該膜パターン上の第二リフト
材パターンとを含む全領域に第二種の膜を形成し、最後
に第二リフト材のみを溶解する液を用いて第一種の膜パ
ターン上の第二種の膜をリフトオフすることを特徴とす
る膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333548A JPH01170903A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62333548A JPH01170903A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 膜パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170903A true JPH01170903A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18267280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62333548A Pending JPH01170903A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01170903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009271398A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタおよびその製造方法、ならびにそれを用いた液晶表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172102A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-08-02 | Canon Inc | カラ−フイルタ−の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62333548A patent/JPH01170903A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172102A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-08-02 | Canon Inc | カラ−フイルタ−の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009271398A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタおよびその製造方法、ならびにそれを用いた液晶表示装置 |
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