JPH01291489A - 導電性フイルムのパターン加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、導電性フィルムのパターン形成方法に関し、
詳しくは基板としての高分子フィルム上に蒸着等により
施された金属る必いは金属酸化物からなる導体あるいは
半導体簿膜の特に極微細パターン形成に適したドツトマ
トリックスパターン加工方法に関するものでおる。

高分子フィルム上に導電性Ｍ膜を設けた導電性高分子フ
ィルムは、配線基板、ヒーター、タッチパネルの電極、
あるいは液晶表示用の電極等への利用が考えられるが、
一般にこのような用途に利用するためには広範囲、普通
は全面的に設けた導電性膜の必要部分を残し、その他の
部分を溶解し取り除くこと、即ち、所定のパターンにエ
ツチングすることが必要となる。

最近、導電性高分子イフルムを電極とする液晶表示素子
の開発が活発に行なわれているが、特にドツトマトリッ
クス表示タイプの場合は電極パターンも極微細（細線３
０〜５０μｍ）に加工することか必要となってぎている
。

（従来の技術） 基板上に形成された導電性膜をエツチングする方法とし
ては、従来より°スクリーン印刷法やフォトレジスト法
によって、まず導電性薄膜上に所定のパターン状にマス
クを形成し、しかる後にエツチングし、その後剥離剤に
より該パターン状マスクを溶解除去する方法が行なわれ
ている。

従来のパターン形成法について、解像度、作業性等を比
較すると例えばスクリーン印刷法にょる方法では、所定
のパターンスクリーン版によりマスク剤を導電性フィル
ム上にパターン通りに塗布し、その後エツチングするこ
とにより、所定のパターンが形成されるが、スクリーン
版のメツシュの関係上解像度は３００μｍが限界でドツ
トマトリックス表示用電極として用いられるような極微
細パターン形成（３０〜５０μｍ）には極めて不向きで
ある。フォトレジスト法には塗布型とレジスト・フィル
ム貼着型とがある。この場合スクリーン版を使用した塗
布型のように解像度に関する根本的な問題はなく、かな
り細いパターンまで形成される。したがって、レジスト
塗布型は従来ネサカラスには多く用いられていたが、基
板がガラスから高分子フィルムに置き換えられると一般
的に導電性膜との密着性が悪いためと思われるか、正確
な微細パターンの形成か困難である。特にインジウム−
スズ酸化物から成る半導体と膜レジストとの密着性が悪
いことも加わり、正確な微細パターンの形成は困難であ
った。

以上のことから高分子フィルム用微細ドツトマトリック
スエツチングパターン形成（３０〜５０μｍ）法の開発
が望まれていた。

（発明の目的） 本発明者らは導電性フィルムをドラ１フマトリツクス表
示用電極としても使用できる微細にかつラインに凹凸の
ないようにエツチングする方法の生産性向上の開発を目
的とする。

（発明の構成） すなわち本発明は表面に導電性膜を有する高分子フィル
ムの導電性膜を感光性レジストでマスキングし、所定の
パターンに露光、現像、エツチングする際に、現像後の
乾燥を先ずエアナイフで水を切り、その後、フィルムの
裏面（レジスト面との反対面）のみから温風を吹きつけ
て行ない、直ちにエツチング工程に入ることを特徴とす
る導電性フィルムのパターン加工方法である。

本発明における現像後の乾燥条件としては、先ずエアナ
イフで水をきりその必と７０’Ｃ以上の温風で吹きつけ
れば良い。

基板として代表的なポリエチレンテレフタレートフィル
ムの場合には、７０’Ｃ〜９０’Ｃ程度で好ましくは７
５°Ｃ前後でおる。かかる温度の場合、本発明の目的を
達成するのに必要な処理時間は２〜３分間程度である。

このような裏面乾燥させることにより、感光性レジスト
と導電膜との密着性は通常の両面乾燥させたときよりも
はるかに向上し精密なエツチングラインが出来る。

本発明の導電性膜としては、銀、胴、アルミニウム等の
金属薄膜おるいは酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸
化物薄膜等が挙げられる。これらの薄膜は通常蒸着等に
より施され、その膜圧は１０００Å以下のものが好まし
い。なお蒸着方法としては、真空蒸着法、ＲＦおよびＤ
Ｃスパッタリングおよびイオンブレーティング法などい
づれの方法によってもよい。

感光性レジストの種類は何でもよい。

これらは通常現像の方式で二つに大別されていて、露光
されなかった部分を溶剤で除去する溶剤タイプと水系の
もので除去する水溶性タイプとがあるが、感光メカニズ
ムに差はないので、本発明の場合いづれのタイプを使用
してもよい。感光したレジスト部分の導電性膜への密る
一性などをベースに選定すればよく、例えば透明導電膜
を与える酸化インジウム及び／又は酸化スズの場合水溶
性タイプが好ましい。

現像はレジストに固有の現像法でよい。

エツチング方法としては、一般にエツチング液への浸漬
法が用いられる。しかしエツチング液を導電性膜に吹き
つけてエツチングするスプレー法も浸漬法のエツチング
を加速する目的で用いることができる。また浸漬法にお
いても導電性膜を浸漬中に高速度でエツチング液を攪拌
してエツチングを加速づる方法も用いる事ができる。

エツチング液は、公知の６が使用できるが、エツチング
される導電性薄膜の種類によって適宜選定される。例え
ば、インジウム・スズ酸化物の場合、塩酸の希薄溶液や
塩化第二鉄の酸性水溶液が用いられる。これらのエツチ
ング液の濃度は、１型組％以上であれば良いが、好まし
くはエツチングの速度および基板の損傷を考慮すると２
０重足％から５０重量％の間が好ましい。

また、本発明で用いられる高分子フィルムには、ポリス
チレン、ポリアクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポ
リ塩化ビニル、アセテート、ポリエーテルサルホン、ポ
リサルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミ
ド、ボリテ１−ラフロロエチレン、ポリエステルなどの
プラスチック類が挙げられる （効果） 本発明において現像後の乾燥を表面から温風を必てる方
法で行えば３０μｍ程度の微細なかつラインエツジに凹
凸がない直線性の良いドツトマトリックス表示用電極パ
ターンが容易に形成できる上で効果がおる。また、現像
乾燥後、直ちにエツチング工程に入れるので、生産性が
向上する上でも効果がある。

以下、本発明方法を実施例によって詳述する。

実施例１ ポリエチレンテレフタレートフィルムに表面抵抗が３０
０Ω／口になるようにインジウム−スズ酸化物薄膜を蒸
着した。このフィルムに水溶性処理タイプの感光性フィ
ルムレジスト（日立化成ＰＨ０ＴＥＣ８６２−ＡＦ−２
５）をラミネートし、表示用微細フォトマスク（３０μ
、４０μ、５０μ、６０μ、７０μ、８０μ、１００μ
の細線パターン）を用いて露光した。露光後＃ＪＲアル
カリ水溶液で非露光部分を溶解除去した。

乾燥は、エアナイフで先ず水をきりそのあと８０°Ｃの
温風を２分間裏面から吹きつけて行なった。

この後直ちに２５体積％塩酸水溶液（２５°Ｃ）でエツ
チングした。乾燥俊弱アルカリ溶液でレジスト剤を剥離
したところ、ラミネートしたレジスト剤は除去され、エ
ツチングは達成されていた。しかも３０μｍ巾から１０
０μｍ巾の微細エツチングパターンがラインのエツジに
凹凸もなく、非常に直線性が良いパターンとして形成さ
れた。この様に形成された表示電極はドツトマトリマッ
クス用として用いることができた。ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの外観には損傷はなかった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　透明導電性プラスチックフィルムの透明導電層を感
   光性フィルムレジストを用いてマスクし、所定のパター
   ンに露光、現像、エッチングする際に、現像後の乾燥を
   先ずエアナイフで水を切り、その後フィルムの裏面のみ
   から温風を吹きつけて行ない、直ちにエツチング工程に
   入ることを特徴とする導電性フィルムのパターン加工方
   法