JPS60211995A - 電極パタ−ン形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高分子フィルム上に蒸着等により施された金属
あるいは金属酸化物よりなる導電層のエツチングによる
電極パターン形成法に関するものである。

高分子フィルム上に導電層を設けた導電性高分子フィル
ムは、配線基板や、ヒーター、タッチ入カバネルの電極
、あるいは液晶表示用の電極等への利用が考えられるが
、一般にこのような用途に利用するためには導電性薄膜
の一部分を溶解し取除くこと即ち、所定のパターンにエ
ツチングすることが必要となる。

更に最近、導電性高分子フィルムを基板とする液晶表示
素子の開発が活発に行なわれておりそれに伴い、電極パ
ターンも微細（細線）に加工することが必要となってき
た。

基板上に形成された導電層をエツチングする方法として
は従来よりヌクリーン印刷法やフォトレジ７ト法によっ
てまず導電性薄膜」二に所定ツバターン状にマスクを形
成し、しかる後にエツチングし、その後剥離剤により該
パターン状マスクを溶解除去する方法が行なわれている
。

従来のパターン形成法について解像度、作業性等を比較
すると、例えば、スクリーン印刷法ｔこよる方法では、
所定のパターン形成スクリーン版によりマヌク剤を透明
導電性フィルム上に塗布し、その後エツチングすること
により所定のパターンが形成されるが、ヌクリーン版の
メノンユの関係上、表示用電極として用いられる微細パ
ターン形成（１００μ７ｎり下）は難しいという欠点が
ある。すなわちこの解像度は３００１ｂｍ程度が限界で
ある。フォトレジ７ト法には、塗布型と溶剤処理タイプ
感光性フィルム型とがある。この場合解像度に関して問
題はなく、かなり細いパターンまで形成される。したが
ってレジ７ト塗布型は、従来のネサガラス基板電極には
多く用いられていたが、基板が導電性高分子フィルムに
置きかえることにより、個々の高分子フィルムの特性に
合わせてレシヌトを調整、選択する必要がある。

また溶剤処理タイプ感光性フィルム型では特シこインジ
ウム〜ヌズ酸化物薄膜との密着性が悪く、定常的利用に
は困難があった。以上のことから高分子フィルム用微細
エツチングパターン形成法の開発が望まれていた。

本発明者らは、導電性フィルムの導電層を表示用！極と
して微細にエツチングする方法を鋭意検討した結果、本
発明ｔこ到達したもの、である。

すなわち、本発明は導電性高分子フィルムに表示用１ｆ
極パクーンを形成する際、多官能性単量体と光重合開始
剤とカルボキシル基を有するバインダー樹脂とを主たる
成分とするマスク層を用いることを特徴とする電極パタ
ーン形成法である。マスク層は予じめ必要に応じて別の
支持フィルム上に成膜しておいて被処理導電性高分の 子フィルム上に転着するが非常に１ハい易く、厚みも均
一であるので都合が良い。

本発明のマスク層はこの様に予じめフィルムにしておけ
はその使い方は、導電性高分子フィルムと重ね合せてラ
ミイ、−クーてラミネーションし、所定のパターンで露
光すれは良い。またマスク層フィルムの厚みをかえるこ
とをこよって微細の程度を父えることができる。

本発明で使用する多官能性単量体としては特ｔこ制約は
ないが、多官能アクリレートと呼ばれている多価アルコ
ールのアクリル酸エフチル、例えば、テトラエチレング
リコールジアクリレ−１・の如き三官能アクリレート、
　１．１．１−１−リメ千ロールプロパントリアクリレ
ートの如き三官能アクリレートが挙げられ、光によって
励起されてラジカルを生成する様な所謂光重合開始剤（
・こまって重合が開始する。光重合開始剤としてはベン
ゾフェノン、ベンゾフェノン□ミヒラーケトン、イミダ
ゾールニか体□ロイコクリヌタルバイオレノト、等を挙
げることが出来る。

本発明のマスク層にはベンゾ１−リアゾールの如き密着
性向上剤、トルエンヌルホンアミドの如きバインダー樹
脂の可塑剤或いは着色剤を添加してもよい。

本発明を適用する導電層としては銀、銅、アルミニウム
等の金属薄膜あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の金
属酸化物薄膜等がある。

中でも一般に透明導電層を与える酸化スズ、酸化インジ
ウム及び酸化ヌズを混合した酸化インジウムからなる層
ｅこ対して、本発明マスク層は多分含有する一カルボキ
シル基に起因すると思われるが極めて接着力が良く、マ
スク不良による断線が極めて少ない。

これらの薄膜は蒸着等により施され、通常その膜厚は１
００ＯＡ以下のものが好ましい。なお、蒸着方法として
は、真空蒸着法、ＲＦ及びＤＣヌパノタリング及びイオ
ンブレーティング法などを用いることができる。

エツチング方法としては、一般にエツチング液への浸漬
法が用いられる。しかしエツチング液を導電性膜に吹き
つけてエツチングするヌプレー法も、浸漬法のエツチン
グを加速する目的で用いることかできる。また、浸漬法
においても導電性膜を浸漬中に高速度でエツチング液を
攪拌してエツチングを加速する方法も用いることができ
る。

エツチング液は、公知のものが使用できるがエツチング
される導電性薄膜の拙頻によって適宜選定される。例え
ば、インジウムーヌズ酸化物の場合、塩酸の希薄溶液や
塩化第２鉄の酸性水溶液が用いられる。これらのエツチ
ング液の濃度は１重量％即上であれば良いが、好ましく
はエツチングの速度及び基板の損傷を考慮すると２０重
量％から５０重量％の間が好ましい。

また、本発明で用いられる導電性高分子フィルムの基板
フィルムｔこはポリエチレン、ポリアクリル酸メチル、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビーニル、アセテート、ポ
リエーテルサルホン、ポリサルホン、ポリエチレン、ポ
リプロピレンポリアミド、ポリテトラフロロエチレン、
ポリエーテルなどのプラヌチノク類が挙げられる。

本発明において水溶性処理タイプの感光性フィルムレシ
ヌトを用いれば、微細な表示用電極パターンが容易に形
成できる上で効果がある。

以下、本発明方法を実施例によって詳述する。

実施例１ 表面抵抗が３００Ω／口になるようにインジウム〜ヌズ
酸化物薄膜を蒸着したポリエチレンテレフタレートフィ
ルムに下記組成のマスク層を厚み２０１Ｌｍにフィルム
化したものをラミネートし、表示用微細マスク板（８０
字パターン）を用いて露光した。希薄アルカリ水溶液で
非露光部分を溶解除去したのち、２５体積％塩酸水溶液
（２５Ｃ）でエツチングした。乾燥後シクロルエクンて
レシヌト剤を剥離したところ、ラミネートしたレシヌト
剤は除去され、エツチングは達成されていた。しかも１
００　／Ｌｍ巾の微細エツチングバクーンも形成されて
おり、表示用電極として用いることができた。ポリエチ
レン、テレフタレートフィルムの外観には損傷はなかっ
た。

１、１．１−　）　ＩＪメチロールプロパン　３３重量
％トリアクリレート ベンゾフェノン　４ ミヒラーケトン　Ｏ０５ ベンゾトリアゾール　０．５ Ｐ−１ルエンヌルホンアミド　７ バインダー樹脂（ヌチレン、メタ　５５クリル酸メチル
、アクリル酸の等 モル共重合体） 比較例１ 実施例１と同様しこポリエチレンテレフタレートフィル
ムに表面抵抗が３００Ω／口のインジウム〜ヌズ酸化物
薄膜を蒸着した。このフィルムに黒インク　（ＳＳＣＴ
ＣＬ　９１１墨　東洋インク製造■）を用いて工、チジ
グ部゛分の巾が１．、００　Ｐ　ｍのパターン状マスク
をヌクリーン印刷法により施した後、２５体積％塩酸水
溶液（温度２５℃）でエツチングした。乾燥後クロロセ
ンでマスク剤を剥離したところ塗布したマスク剤は除去
されたが、この方法では３００μη２のパターンが限度
であるために、１００μη１のパターンは完全には形成
されず、スクリーン法では微細パターンが困難であるこ
とが判明した。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　多官能性単量体と光重合開始剤とカルボキシル
   基を有するバインダー樹脂とを主たる成分とする７７り
   層を表面に導電層を設けた高分子フィルム上に設は所定
   のパターンを焼付けた後アルカリ性水溶液で非露光部を
   除去することを特徴とする電極パターン形成法（２）　
   多官能性単量体が多価アルコールのアクリル酸エステル
   である特許請求の範囲第１項記載の電極パターン形成法 （３）　バインダー樹脂がアルカリ性水溶液可溶性且多
   官能性単量体に膨潤性乃至可溶性がある特許請求の範囲
   第１項記載の電極パターン形成法 （４）　バインダー樹脂がアクリル酸を必須成分とじヌ
   チレン、メタクリル酸エヌテル及びアクリル酸エステル
   から成る群より選ばれた単量体との共重合体である特許
   請求の範囲第１及び第３項記載の電極パターン形成法 （５）　バインダー樹脂がヌチレン、ツタクリル酸メチ
   ル及びアクリル酸の略々等モル共重合体又はヌチレン、
   ツタクリル酸メチル、アクリル酸エチル及びアクリル酸
   の略々等モル共重合体である特許請求の範囲第１項、第
   ３項及び第４項記載の電極パターン形成法 （６）　導電層が酸化ヌズ、酸化インジウム又は酸化ヌ
   ズを含有した酸化インジウムである特許請求の範囲第１
   項記載の電極パターン形成法