JP4983021B2 - 透明導電積層体とそれを用いた有機el素子、及びそれらの製造方法 - Google Patents
透明導電積層体とそれを用いた有機el素子、及びそれらの製造方法 Download PDFInfo
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Description
例えば、導電性微粒子としてITO微粒子を分散させた透明導電膜形成用塗布液を用いて透明導電膜を得る方法(例えば、特許文献5参照)、あるいは、導電性微粒子として金や銀等の貴金属含有微粒子を分散させた透明導電膜形成用塗布液を用いて、抵抗値や透過率等の膜特性の面でさらに優れた透明導電膜を得る方法(例えば、特許文献6参照)が挙げられる。
そのため、有機EL素子の透明導電アノード電極層として、塗布法で形成された透明導電膜を適用することは困難であった。
2 透明導電アノード電極層
3 接着剤層
4 透明基材
5 ホール注入層
6 ポリマー発光層
7 カソード電極層
8 透明コート層
9 突起部
10 補助電極層
11 脱水剤、および/又は脱酸素剤
本発明の透明導電積層体は、第1の態様では、平滑な基板と、該平滑な基板上に塗布法により形成された、導電性微粒子を主成分とする透明導電アノード電極層と、該透明導電アノード電極層に接着剤層により接合された透明基材とを備え、かつ前記平滑な基板は、透明導電アノード電極層から剥離可能とされている。
このように透明導電アノード電極層を形成する前に、導電性高分子からなるホール注入層を設けることで、有機EL素子の発光効率及び耐久性を向上させることができる。
透明コート層形成用塗布液は、溶媒とバインダーとで構成される。バインダーとしては、透明導電アノード電極層形成用塗布液に添加するバインダーと同様のものであってよく、有機及び/又は無機バインダーを用いることができ、中でもシリカゾルを主成分とするバインダーが好ましい。透明コート層の形成により、透明導電アノード電極層中の導電性微粒子を強固に結合させ、膜抵抗値を低下させる効果が得られる。
本発明の透明導電積層体の製造方法は、平滑な基板上に、溶媒と導電性微粒子を主成分とする透明導電アノード電極層形成用塗布液を塗布する工程、塗布液を乾燥させて透明導電アノード電極層を形成する工程、得られた透明導電アノード電極層上に接着剤を用いて透明基材を接合する工程を含んでいる。
また、前記の通り、有機EL素子の発光効率及び耐久性を向上させるために、透明導電アノード電極層を形成する前に、導電性高分子からなるホール注入層を設けることもできる。
接着剤の硬化は、熱硬化性樹脂を用いた場合は加熱により行うが、紫外線硬化樹脂を用いた場合には、平滑な基板側又は透明基材側から紫外線照射を行うため、平滑な基板又は透明基材のいずれか一方は、紫外線を透過する材質のものでなければならない。
次に、平滑な基板上又はホール注入層上に、透明導電アノード電極層を形成する方法を具体的に説明する。
まず、導電性微粒子として貴金属含有微粒子を用いた場合を説明する。貴金属含有微粒子を用いた透明導電アノード電極層形成用塗布液は、得られる膜の透過率が幾分低下するものの、膜抵抗値を低くすることが可能となるため、透明導電アノード電極層の導電性を優先する場合には好適である。
まず、既知の方法[例えば、カレー−リー(Carey−Lea)法:Am.J.Sci.,37,38,47(1889)参照]により、単分散銀微粒子のコロイド分散液を調製する。具体的には、硝酸銀水溶液に硫酸鉄(II)水溶液とクエン酸ナトリウム水溶液の混合液を加えて反応させ、沈降物を濾過・洗浄した後、純水を加えることによって、単分散銀微粒子のコロイド分散液が得られる。
N2H4+2H2O2→4H2O+N2↑
次に、導電性微粒子に導電性酸化物微粒子を用いて透明導電アノード層を形成する場合について説明する。上記導電性酸化物微粒子には、酸化インジウム、酸化錫、または酸化亜鉛から選ばれる1種を含む微粒子が適用できる。
例えば、水、メタノール(MA)、エタノール(EA)、1−プロパノール(NPA)、イソプロパノール(IPA)、ブタノール、ペンタノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール(DAA)等のアルコール系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル(MCS)、エチレングリコールモノエチルエーテル(ECS)、エチレングリコールイソプロピルエーテル(IPC)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGM)、プロピレングリコールエチルエーテル(PE)、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGM−AC)、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート(PE−AC)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコール誘導体;ホルムアミド(FA)、N−メチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフォキシド(DMSO)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン(THF)、クロロホルム、メシチレン、ドデシルベンゼン等のベンゼン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機EL素子は、こうして得られた透明導電積層体から平滑な基板を剥離除去した後、透明導電アノード電極層又はホール注入層の剥離面上に、溶媒と高分子発光材料又はその前駆体とを含むポリマー発光層形成用塗布液を塗布・乾燥してポリマー発光層を形成し、引き続き該ポリマー発光層上にカソード電極層を形成して製造される。
高分子発光材料を用いる場合は、ポリマー発光層形成用塗布液を塗布・乾燥するだけで、簡単にポリマー発光層を形成することができる。高分子発光材料としては、例えば、ポリ−p−フェニレンビニレン(PPV)系、ポリフェニレン系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール系等の高分子、これらに低分子蛍光色素(例えば、クマリン、ペリレン、ローダミン、又はそれらの誘導体)を加えたもの等があるが、溶媒に溶解し且つ塗布形成できるものであれば良く、これらに限定されない。
本発明の有機EL素子は、本発明に係る透明導電積層体を用い、上記の製造方法によって得られるものであり、平滑な基板の表面が転写された剥離面上に、塗布法により形成されたポリマー発光層と、該ポリマー発光層上に設けたカソード電極層とを備えた構造を有している。
前述の方法に従って、まず、カレー−リー(Carey−Lea)法により銀微粒子のコロイド分散液を調製し、銀微粒子表面への金のコーティング、脱塩処理、凝集処理、濃縮処理、成分調整等を行って、金コート銀微粒子を含む透明導電アノード電極層形成用塗布液を得た。
[計算式1]
透明導電アノード電極層の透過率(%)=[(透明導電アノード電極層形成後の積層体ごと測定した透過率)/(透明導電アノード電極層形成前の積層体又は基板)の透過率]]×100
[計算式2]
透明導電アノード電極層のヘイズ値(%)=(透明導電アノード電極層形成後の積層体ごと測定したヘイズ値)−(透明導電アノード電極層形成前の積層体又は基板のヘイズ値)
ポリスチレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT:PSS)分散液(バイエル社製、バイトロンP−VP−CH8000)を、有機溶媒に希釈してホール注入層形成用塗布液を調整した。このホール注入層形成用塗布液の組成は、バイトロンP−VP−CH8000:20.0%、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン:1.0%、N−メチル−2−ピロリドン:1.5%、PGM:5.0%、イソプロピルアルコール(IPA):72.5%であった。
実施例2と同様に、平滑な基板上にホール注入層と透明導電アノード電極層を形成した後、更に続けてシリカゾル液を主成分とする透明コート層形成用塗布液をスピンコーティング(130rpm、80秒間)し、120℃で10分間加熱処理して、透明コート層を形成した。この透明導電アノード電極層/透明コート層からなる2層膜の膜特性は、実施例1と同様の方法で測定した結果、可視光透過率=76%、ヘイズ値=0.2%、表面抵抗値=180Ω/□であった。
40℃に予熱したガラス基板(ソーダライムガラス、厚さ1mm)上に、実施例1で用いた透明導電アノード電極層形成用塗布液をスピンコーティング(130rpm、100秒間)し、120℃で10分間加熱処理して、ガラス基板上に透明導電アノード電極層を形成した。この透明導電アノード電極層の膜特性は、可視光透過率=77%、ヘイズ値=0.1%、表面抵抗値=125Ω/□であった。
平均粒径30nmのITO微粒子(商品名:SUFP−HX、住友金属鉱山(株)製)60gを溶剤としてのイソホロン40gと混合した後、分散処理を行い、平均分散粒径110nmのITO微粒子が分散した透明導電アノード電極層形成用塗布液を得た。
実施例2と同様の方法で、平滑な基板としてのPETフィルム(帝人(株)製、厚さ100μm)上に、ホール注入層を形成した。
平均粒径30nmのITO微粒子(商品名:SUFP−HX、住友金属鉱山(株)製)60gを溶剤としてのイソホロン70gと混合した後、ポリエステル樹脂(東洋紡績株式会社製、商品名バイロン200)10gを添加し、分散処理を行い、平均分散粒径130nmのITO微粒子が分散した透明導電アノード電極層形成用塗布液を得た。
平均長さ250nmで、平均幅30nmの針状ITO微粒子(同和鉱業(株)製)60gを溶剤としてのイソホロン70gと混合した後、アクリル樹脂(三菱レイヨン株式会社製、商品名ダイヤナールBR83)20gを添加し、分散処理を行い、平均分散粒径180nmのITO微粒子が分散した透明導電アノード電極層形成用塗布液を得た。
それ以外は、実施例5と同様に行い、平滑な基板/ホール注入層/透明導電アノード電極層/接着剤層/透明基材からなる実施例7に係る透明導電積層体を得た。この透明導電積層体において、平滑な基板としてのPETフィルムは、ホール注入層との接着界面で簡単に剥離することができた。また、上記平滑な透明導電アノード電極層(平滑な基板が剥離された剥離面)の平坦度はRa:5.6nmであった。
実施例5において、接着剤に脱水剤としてシリカゲル微粒子を添加し、その接着剤を平均100μmの厚さで塗布した以外は、実施例5と同様に行い、平滑な基板/ホール注入層/透明導電アノード電極層/接着剤層/透明基材からなる実施例8に係る透明導電積層体を得た。この透明導電積層体において、平滑な基板としてのPETフィルムは、ホール注入層との接着界面で簡単に剥離することができた。なお、脱水剤の添加により、接着剤中の水分が実質的に存在しなくなったのを確認している。また、上記平滑な透明導電アノード電極層(平滑な基板が剥離された剥離面)の平坦度はRa:5.6nmであった。
ガラス基板(ソーダライムガラス、厚さ1mm)上に、実施例4(参考例)で用いた透明導電アノード電極層形成用塗布液をワイヤーバーコーティング(線径:0.3mm)し、40℃で15分間、および120℃で30分間加熱処理して、平滑な基板上にITO微粒子で構成される透明導電アノード電極層(膜厚:3μm)を形成した。この透明導電アノード電極層の膜特性は、可視光透過率:80.5%、ヘイズ値:3.1%、表面抵抗値:4200Ω/□であった。
一方、本発明の実施例1〜8に係わる有機EL素子は、塗布法により形成された透明導電アノード電極層を備えているにもかかわらず、特定の透明導電積層体を用いているため、直流電圧の印加により安定した発光を確認することができた。
Claims (15)
- 平滑な基板と、該平滑な基板上に塗布法により形成された、導電性微粒子を主成分とする透明導電アノード電極層と、該透明導電アノード電極層に接着剤層により接合された透明基材とを備え、かつ前記平滑な基板は、透明導電アノード電極層から剥離可能であり、前記接着剤層は、有機樹脂以外に、さらに、脱水剤および/又は脱酸素剤を含有することを特徴とする透明導電積層体。
- 平滑な基板と透明導電アノード電極層の間に、さらに塗布法により形成されたホール注入層を有し、かつ前記平滑な基板は、ホール注入層から剥離可能であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電積層体。
- 前記透明導電アノード電極層上の一部分に、さらに、金属補助電極が塗布・形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電積層体。
- 前記透明導電アノード電極層と接着剤層の間に、さらに、塗布法により形成された透明コート層を備えることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電積層体。
- 前記導電性微粒子は、平均粒径1〜100nmの貴金属含有微粒子であり、かつ透明導電アノード電極層内で網目状構造を呈することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電積層体。
- 前記貴金属含有微粒子は、金および/又は銀を含有する金属微粒子であることを特徴とする、請求項5に記載の透明導電積層体。
- 前記導電性微粒子は、導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電積層体。
- 前記導電性酸化物微粒子は、酸化インジウム、酸化錫、または酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする、請求項7に記載の透明導電積層体。
- 前記接着剤層は、透明導電アノード電極層の表面を形成する導電性微粒子の突起部を覆うのに十分な厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電積層体。
- その上に積層される塗布層から剥離可能で十分に平滑な基板上に、溶媒中に導電性微粒子を含む透明導電アノード電極層形成用塗布液を塗布し、乾燥させて透明導電アノード電極層を形成し、その後、得られた透明導電アノード電極層上に、有機樹脂以外に、さらに、脱水剤および/又は脱酸素剤を含有する接着剤を用いて透明基材を接合することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電積層体の製造方法。
- 平滑な基板上に、溶媒中にホール注入性物質を含むホール注入層形成用塗布液を塗布・乾燥させてホール注入層を形成した後、該ホール注入層上に、溶媒中に導電性微粒子を含む透明導電アノード電極層形成用塗布液を塗布することを特徴とする、請求項10に記載の透明導電積層体の製造方法。
- 透明導電アノード電極層を形成した後、その表面上の一部分に、溶媒中に金属微粒子を含む金属補助電極形成用ペーストを印刷・硬化させて、金属補助電極を形成することを特徴とする、請求項10に記載の透明導電積層体の製造方法。
- 透明導電アノード電極層を形成した後、その上に、溶媒中にバインダーを含む透明コート層形成用塗布液を塗布・乾燥させて、透明コート層を形成し、次いで、該透明コート層上に接着剤を用いて透明基材を接合することを特徴とする、請求項10に記載の透明導電積層体の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の透明導電積層体から平滑な基板を剥離除去した透明導電アノード電極層又はホール注入層の剥離面上に、塗布法により形成されたポリマー発光層と、該ポリマー発光層上に設けたカソード電極層とを備えることを特徴とする有機EL素子。
- 請求項10〜14のいずれかに記載の製造方法で得られた透明導電積層体から平滑な基板を剥離除去した後、透明導電アノード電極層又はホール注入層の剥離面上に、溶媒中に高分子発光材料又はその前駆体を含むポリマー発光層形成用塗布液を塗布・乾燥してポリマー発光層を形成し、該ポリマー発光層上にカソード電極層を形成することを特徴とする、請求項14に記載の有機EL素子の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102945693A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-27 | 清华大学 | 提高ito透明导电薄膜表面功函数的方法及其应用 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7431866B2 (en) | 2002-09-24 | 2008-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids |
US7317047B2 (en) | 2002-09-24 | 2008-01-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof |
CN1681869B (zh) | 2002-09-24 | 2010-05-26 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于电子器件用聚合物酸胶体制成的可水分散的聚苯胺 |
KR101021749B1 (ko) * | 2002-09-24 | 2011-03-15 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법 |
US7390438B2 (en) | 2003-04-22 | 2008-06-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids |
US7351358B2 (en) | 2004-03-17 | 2008-04-01 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications |
US8147962B2 (en) | 2004-04-13 | 2012-04-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive polymer composites |
EP1897096A4 (en) | 2005-06-28 | 2009-08-12 | Du Pont | TRANSPARENT CONDUCTORS WITH HIGH EXTRACTION WORK |
EP1913604A4 (en) * | 2005-06-28 | 2011-07-20 | Du Pont | ANODE BICOUCHE |
WO2007002740A2 (en) | 2005-06-28 | 2007-01-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Buffer compositions |
TWI347614B (en) * | 2006-01-11 | 2011-08-21 | Dowa Electronics Materials Co | Silver electroconductive film and manufacturing method of the same |
US8216680B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-07-10 | E I Du Pont De Nemours And Company | Transparent composite conductors having high work function |
KR101202345B1 (ko) | 2006-02-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 고전도성 습식 코팅 조성물 및 이로부터 제조된 고전도성박막 |
KR20080110756A (ko) * | 2006-02-22 | 2008-12-19 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 유기 발광 장치 및 유기 발광 장치의 투명 전기 전도층의 용도 |
WO2008078648A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネセンスパネル、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ、有機エレクトロルミネセンス照明、及び、それらの製造方法 |
US20080191172A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-08-14 | Che-Hsiung Hsu | High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers |
US8241526B2 (en) * | 2007-05-18 | 2012-08-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives |
US8456005B2 (en) | 2007-10-26 | 2013-06-04 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Transparent conductive film and method for producing the same |
JP5136039B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2013-02-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 導電性材料の製造方法、透明導電膜、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101586619B1 (ko) * | 2007-12-20 | 2016-01-21 | 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 | 충전제 재료를 포함하는 투명한 전도성 코팅 |
JP2011513890A (ja) * | 2007-12-20 | 2011-04-28 | シーマ ナノ テック イスラエル リミティド | 微細構造化材料及びその製造方法 |
US8766239B2 (en) | 2008-12-27 | 2014-07-01 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
US8785913B2 (en) * | 2008-12-27 | 2014-07-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
JP5363125B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2013-12-11 | 戸田工業株式会社 | 透明導電性膜積層基板とその製造方法 |
US8945426B2 (en) | 2009-03-12 | 2015-02-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrically conductive polymer compositions for coating applications |
CN102395628B (zh) | 2009-04-21 | 2016-01-20 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 导电聚合物组合物和由其制得的膜 |
TW201100482A (en) | 2009-04-24 | 2011-01-01 | Du Pont | Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom |
JP2011060617A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電性積層体およびその製造方法並びに静電容量タッチパネル |
JP5333142B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2013-11-06 | コニカミノルタ株式会社 | パターン電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、およびパターン電極の製造方法 |
KR20120123431A (ko) * | 2010-01-20 | 2012-11-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 도전성 요소, 도전성 요소 형성용 감광 재료 및 전극 |
JP2012023020A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び発光装置 |
KR101489161B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2015-02-06 | 주식회사 잉크테크 | 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막 |
CN102403131B (zh) * | 2010-09-08 | 2013-10-16 | 中国科学院物理研究所 | 一种制备柔性光阳极的方法 |
WO2012060621A2 (ko) | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 주식회사 엘지화학 | 접착 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 방법 |
JPWO2013141190A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-08-03 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用封止要素、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US9991463B2 (en) * | 2012-06-14 | 2018-06-05 | Universal Display Corporation | Electronic devices with improved shelf lives |
JP6145259B2 (ja) * | 2012-11-07 | 2017-06-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2014157639A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 有機el素子及びその製造方法 |
WO2016170943A1 (ja) * | 2015-04-21 | 2016-10-27 | 東レ株式会社 | 積層部材及びタッチパネル |
CN108305952B (zh) * | 2018-01-13 | 2020-10-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管及其制作方法、显示器 |
JP7494583B2 (ja) | 2020-06-08 | 2024-06-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物及びそれを含む厚膜抵抗ペースト |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03192215A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パネル基板とそのパネル基板の作成方法 |
JPH04186229A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 補助電極付透明電極およびその製造方法 |
JPH05325646A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-12-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性基板及びその製造方法 |
JPH0673374A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-03-15 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH1036832A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-10 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
JP2000124662A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜および表示装置 |
JP2001093673A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001229731A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電層形成用塗液 |
JP2003017267A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス表示素子および製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4539507A (en) * | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
GB8909011D0 (en) * | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
JP2987865B2 (ja) * | 1990-02-23 | 1999-12-06 | 住友化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP0443861B2 (en) * | 1990-02-23 | 2008-05-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescence device |
JPH0426768A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Tohoku Kako Kk | 透明電極膜の製造方法及び透明電極形成用インキ |
US5411792A (en) * | 1992-02-27 | 1995-05-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive substrate |
DE19627071A1 (de) * | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
JP4035934B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2008-01-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電性基材とその製造方法および透明導電性基材の製造に用いられる透明導電層形成用塗液とその製造方法 |
US6447909B1 (en) * | 1999-01-14 | 2002-09-10 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive layered structure and method of producing the same, and coating liquid for forming transparent conductive layer used in production of transparent conductive layered structure and method of producing the same |
DE60023614T2 (de) * | 1999-08-26 | 2006-07-27 | Sumitomo Metal Mining Co. Ltd. | Transparente, electrisch leitende Struktur und Verfahren zu ihrer Herstellung, Beschichtungs-Fluid dafür und Anzeigevorrichtung mit dieser Struktur |
JP4531913B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2010-08-25 | 株式会社クレハ | 有機el素子用透明電極板および有機el素子 |
JP2002163931A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電性フィルムおよびその製造方法、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100944886B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
-
2004
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03192215A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パネル基板とそのパネル基板の作成方法 |
JPH04186229A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 補助電極付透明電極およびその製造方法 |
JPH05325646A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-12-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性基板及びその製造方法 |
JPH0673374A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-03-15 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH1036832A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-10 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
JP2000124662A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜および表示装置 |
JP2001093673A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001229731A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電層形成用塗液 |
JP2003017267A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス表示素子および製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102945693A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-27 | 清华大学 | 提高ito透明导电薄膜表面功函数的方法及其应用 |
CN102945693B (zh) * | 2012-10-31 | 2016-03-16 | 清华大学 | 提高ito透明导电薄膜表面功函数的方法及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US8040042B2 (en) | 2011-10-18 |
CN1846281A (zh) | 2006-10-11 |
CN100587857C (zh) | 2010-02-03 |
US20080258605A1 (en) | 2008-10-23 |
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