JP3077336B2 - 液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゾルゲル法を用いた絶
縁膜の形成方法に関し、特に基板上に形成された電極上
に絶縁膜を形成する工程を有する液晶素子の製造方法に
関する。
縁膜の形成方法に関し、特に基板上に形成された電極上
に絶縁膜を形成する工程を有する液晶素子の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電極間に液晶層が挟持された構造からな
る液晶表示素子においては、導電性の異物に起因する電
極間ショートを防ぐため、絶縁層の形成が不可欠となっ
ている。従来の液晶表示素子における電極上の絶縁層と
しては、ＳｉＯ2 などのスパッタ膜や、アルコキシシラ
ンを加水分解したゾル（例えばＮＴＬ６００８、日産化
学社製）をコーティングした後焼成した膜を用いてい
た。
る液晶表示素子においては、導電性の異物に起因する電
極間ショートを防ぐため、絶縁層の形成が不可欠となっ
ている。従来の液晶表示素子における電極上の絶縁層と
しては、ＳｉＯ2 などのスパッタ膜や、アルコキシシラ
ンを加水分解したゾル（例えばＮＴＬ６００８、日産化
学社製）をコーティングした後焼成した膜を用いてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、スパッタを用
いた従来の絶縁膜では、電極が変色する、エッジ部がボ
ケるなどの問題がある上、スループットの悪い高価な真
空装置を必要とするため特に大きな面積を必要とする用
途には、非常に高価なものとなってしまうという課題が
あった。
いた従来の絶縁膜では、電極が変色する、エッジ部がボ
ケるなどの問題がある上、スループットの悪い高価な真
空装置を必要とするため特に大きな面積を必要とする用
途には、非常に高価なものとなってしまうという課題が
あった。
【０００４】また、従来のゾルゲル法を用いた絶縁膜
は、量産性や大面積対応には適するものの、５００℃近
い温度での焼成が必要となるため、基板の変形や電極の
変質による高抵抗化が起こり大きな問題となっている。
また膜硬度の信頼性も十分ではなく、更に絶縁層上に形
成する配向膜との密着性が悪く、液晶の配向不良の原因
となっている。
は、量産性や大面積対応には適するものの、５００℃近
い温度での焼成が必要となるため、基板の変形や電極の
変質による高抵抗化が起こり大きな問題となっている。
また膜硬度の信頼性も十分ではなく、更に絶縁層上に形
成する配向膜との密着性が悪く、液晶の配向不良の原因
となっている。
【０００５】本発明の目的は，比較的低温で形成可能か
つ基板との密着性，膜硬度の信頼性および配向膜との密
着性に優れた液晶素子の製造方法を提供することによっ
て，上記の課題を解決することにある。
つ基板との密着性，膜硬度の信頼性および配向膜との密
着性に優れた液晶素子の製造方法を提供することによっ
て，上記の課題を解決することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶素子の製造
方法は、基板に絶縁膜を形成する工程を有する液晶素子
の製造方法において、金属アルコキシドの加水分解液、
及び金属酸化物粒子を含む液状ゾルを基板上に塗布し、
該液状ゾルを加熱して絶縁膜とする工程、及び前記絶縁
膜上に配向膜を形成する工程、を具備することを特徴と
する。また、前記金属アルコキシドはエチルシリケート
を含むことを特徴とする。また、前記液状ゾルは、アル
ミナゾル及びシリカゾルを含む群から選ばれる金属酸化
物粒子を含むことを特徴とする。本発明の絶縁膜の製造
方法は、金属アルコキシドの加水分解液、及び金属酸化
物粒子を含む液状ゾルを基板上に塗布する工程、及び
前記液状ゾルを加熱して絶縁膜とする工程を具備するこ
とを特徴とする。
方法は、基板に絶縁膜を形成する工程を有する液晶素子
の製造方法において、金属アルコキシドの加水分解液、
及び金属酸化物粒子を含む液状ゾルを基板上に塗布し、
該液状ゾルを加熱して絶縁膜とする工程、及び前記絶縁
膜上に配向膜を形成する工程、を具備することを特徴と
する。また、前記金属アルコキシドはエチルシリケート
を含むことを特徴とする。また、前記液状ゾルは、アル
ミナゾル及びシリカゾルを含む群から選ばれる金属酸化
物粒子を含むことを特徴とする。本発明の絶縁膜の製造
方法は、金属アルコキシドの加水分解液、及び金属酸化
物粒子を含む液状ゾルを基板上に塗布する工程、及び
前記液状ゾルを加熱して絶縁膜とする工程を具備するこ
とを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明の液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形
成方法によれば、金属アルコキシドの加水分解液、及び
金属酸化物粒子を含む液状ゾルから絶縁膜が作られるた
め安定した膜硬度の信頼性が良好な膜が形成できる。ま
た、本発明の液晶素子の製造方法によれば、金属酸化物
粒子により絶縁膜上に微細な凹凸が形成されるので、絶
縁膜と、絶縁膜上に形成される配向膜との密着性が向上
する。
成方法によれば、金属アルコキシドの加水分解液、及び
金属酸化物粒子を含む液状ゾルから絶縁膜が作られるた
め安定した膜硬度の信頼性が良好な膜が形成できる。ま
た、本発明の液晶素子の製造方法によれば、金属酸化物
粒子により絶縁膜上に微細な凹凸が形成されるので、絶
縁膜と、絶縁膜上に形成される配向膜との密着性が向上
する。
【０００８】
【実施例】 （実施例１）金属酸化物微粒子として平均粒子径１００
〜２００Åのアルミナゾル（アルミナゾル５２０、日産
化学社製）を金属アルコキシドとしてエチルシリケート
を用い、メタノール、エタノール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等の溶剤により固形分濃度５〜１０ｗ
ｔ％に希釈したものを用いた。
〜２００Åのアルミナゾル（アルミナゾル５２０、日産
化学社製）を金属アルコキシドとしてエチルシリケート
を用い、メタノール、エタノール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等の溶剤により固形分濃度５〜１０ｗ
ｔ％に希釈したものを用いた。
【０００９】基板として表面を光学研磨したパイレック
スガラスあるいはソーダライムガラスを用いＩＴＯなど
の導電性膜をスパッターもしくは蒸着で形成しフォトエ
ッチングによってパターンを形成して電極としたものを
用いた。
スガラスあるいはソーダライムガラスを用いＩＴＯなど
の導電性膜をスパッターもしくは蒸着で形成しフォトエ
ッチングによってパターンを形成して電極としたものを
用いた。
【００１０】この基板上に８００〜９００Åの膜厚とな
るように制御してロールコーテイングにより前記液状ゾ
ルを塗布し、４００℃で１時間、加熱し安定な絶縁層と
した。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
るように制御してロールコーテイングにより前記液状ゾ
ルを塗布し、４００℃で１時間、加熱し安定な絶縁層と
した。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
【００１１】（実施例２）金属酸化物微粒子として平均
粒子径１００〜２００Åのシリカゾル（スノーテックス
Ｏ、日産化学社製）を用いた。また金属アルコキシドと
してエチルシリケートを用い、０．０２規定の塩酸に混
合し激しく攪拌することにより加水分解溶液を調製し
た。次に上記シリカゾルと加水分解溶液を混合しメタノ
ール、エタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ等の溶剤により固形分濃度５〜１０％ｗｔに希釈し液
状ゾルとした。
粒子径１００〜２００Åのシリカゾル（スノーテックス
Ｏ、日産化学社製）を用いた。また金属アルコキシドと
してエチルシリケートを用い、０．０２規定の塩酸に混
合し激しく攪拌することにより加水分解溶液を調製し
た。次に上記シリカゾルと加水分解溶液を混合しメタノ
ール、エタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ等の溶剤により固形分濃度５〜１０％ｗｔに希釈し液
状ゾルとした。
【００１２】実施例１と同様に、基板として表面を光学
研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガラ
スを用いＩＴＯなどの導電性膜をスパッターもしくは蒸
着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成し
て電極としたものを用いた。この基板上に８００〜９０
０Åの膜厚となるように制御してロールコーテイングに
より前記液状ゾルを塗布し、４００℃で１時間、加熱し
安定な絶縁層とした。こうして形成した絶縁層は、大面
積ながら均質で、金属針の加圧による膜硬度試験におい
ても十分な信頼性が得られ基板との密着性も確保されて
いた。さらに配向膜を積層し、回転ラビングを行った
が、配向膜の剥離は生じなかった。液晶を挾持した液晶
表示素子にして、表示特性を評価したところ、長時間に
渡り極めて安定した表示特性を示した。
研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガラ
スを用いＩＴＯなどの導電性膜をスパッターもしくは蒸
着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成し
て電極としたものを用いた。この基板上に８００〜９０
０Åの膜厚となるように制御してロールコーテイングに
より前記液状ゾルを塗布し、４００℃で１時間、加熱し
安定な絶縁層とした。こうして形成した絶縁層は、大面
積ながら均質で、金属針の加圧による膜硬度試験におい
ても十分な信頼性が得られ基板との密着性も確保されて
いた。さらに配向膜を積層し、回転ラビングを行った
が、配向膜の剥離は生じなかった。液晶を挾持した液晶
表示素子にして、表示特性を評価したところ、長時間に
渡り極めて安定した表示特性を示した。
【００１３】（実施例３）エチルシリケートまたはメチ
ルシリケート、エタノールまたはメタノール、水および
アンモニア水を混合、攪拌した後、減圧濃縮することに
より、平均粒子径５０Åの単分散シリカ微粒子分散液を
調製した。なお出発原料の割合を調整することにより粒
子径および分散性の制御が可能である。またエチルシリ
ケートと０．０２規定の塩酸を混合し激しく攪拌するこ
とにより加水分解溶液を調製した。次に上記シリカ微粒
子分散液と加水分解溶液を混合しメタノール、エタノー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等の溶剤によ
り固形分濃度５〜１０％ｗｔに希釈し状ゾルとした。
ルシリケート、エタノールまたはメタノール、水および
アンモニア水を混合、攪拌した後、減圧濃縮することに
より、平均粒子径５０Åの単分散シリカ微粒子分散液を
調製した。なお出発原料の割合を調整することにより粒
子径および分散性の制御が可能である。またエチルシリ
ケートと０．０２規定の塩酸を混合し激しく攪拌するこ
とにより加水分解溶液を調製した。次に上記シリカ微粒
子分散液と加水分解溶液を混合しメタノール、エタノー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等の溶剤によ
り固形分濃度５〜１０％ｗｔに希釈し状ゾルとした。
【００１４】前記実施例と同様に基板として表面を光学
研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガラ
スを用いＩＴＯなどの導電性膜をスパッターもしくは蒸
着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成し
て電極としたものを用いた。この基板上に８００〜９０
０Åの膜厚となるように制御してロールコーテイングに
より前記液状ゾルを塗布し、３５０℃で１時間、加熱し
安定な絶縁層とした。ここでは単分散シリカ微粒子を用
いたが、平均粒子径のほぼ等しい多分散シリカ微粒子を
用いた場合には、より低温での安定な膜の形成が可能で
あった。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガラ
スを用いＩＴＯなどの導電性膜をスパッターもしくは蒸
着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成し
て電極としたものを用いた。この基板上に８００〜９０
０Åの膜厚となるように制御してロールコーテイングに
より前記液状ゾルを塗布し、３５０℃で１時間、加熱し
安定な絶縁層とした。ここでは単分散シリカ微粒子を用
いたが、平均粒子径のほぼ等しい多分散シリカ微粒子を
用いた場合には、より低温での安定な膜の形成が可能で
あった。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
【００１５】（実施例４）金属酸化物微粒子として平均
粒子径１００〜２００Åのアルミナゾル（アルミナゾル
５２０、日産化学社製）を用いた。また金属アルコキシ
ドとしてエチルシリケートを用い、０．０２規定の塩酸
に混合し激しく攪拌することにより加水分解溶液を調製
した。次に上記アルミナゾルと加水分解溶液を混合しメ
タノール、エタノール、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ等の溶剤により固形分濃度５〜１０％ｗｔに希釈
し液状ゾルとした。
粒子径１００〜２００Åのアルミナゾル（アルミナゾル
５２０、日産化学社製）を用いた。また金属アルコキシ
ドとしてエチルシリケートを用い、０．０２規定の塩酸
に混合し激しく攪拌することにより加水分解溶液を調製
した。次に上記アルミナゾルと加水分解溶液を混合しメ
タノール、エタノール、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ等の溶剤により固形分濃度５〜１０％ｗｔに希釈
し液状ゾルとした。
【００１６】前記実施例と同様に、基板として表面を光
学研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガ
ラスを用いＩＴＯなどの導電性膜をスパッターもしくは
蒸着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成
して電極としたものを用いた。
学研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガ
ラスを用いＩＴＯなどの導電性膜をスパッターもしくは
蒸着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成
して電極としたものを用いた。
【００１７】この基板上に８００〜９００Åの膜厚とな
るように制御してロールコーテイングにより前記液状ゾ
ルを塗布し、４００℃で１時間、加熱し安定な絶縁層と
した。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
るように制御してロールコーテイングにより前記液状ゾ
ルを塗布し、４００℃で１時間、加熱し安定な絶縁層と
した。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
【００１８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の液晶
素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法は、金属アルコ
キシドの加水分解液、及び金属酸化物粒子を含む液状ゾ
ルを基板上に塗布し、その液状ゾルを加熱して絶縁膜と
するので、絶縁膜中に含まれる金属酸化物粒子により安
定した膜硬度の信頼性が良好な絶縁膜が形成できる。ま
た本発明の液晶素子の製造方法は、金属アルコキシドの
加水分解液、及び金属酸化物粒子を含む液状ゾルを基板
上に塗布し、その液状ゾルを加熱して形成した絶縁膜上
に、配向膜を形成するので、金属酸化物粒子によって絶
縁膜上に微細な凹凸が形成される。そのため、絶縁膜と
配向膜との密着性が良好となり、配向不良が生じにくい
液晶素子を製造することが可能となる。
素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法は、金属アルコ
キシドの加水分解液、及び金属酸化物粒子を含む液状ゾ
ルを基板上に塗布し、その液状ゾルを加熱して絶縁膜と
するので、絶縁膜中に含まれる金属酸化物粒子により安
定した膜硬度の信頼性が良好な絶縁膜が形成できる。ま
た本発明の液晶素子の製造方法は、金属アルコキシドの
加水分解液、及び金属酸化物粒子を含む液状ゾルを基板
上に塗布し、その液状ゾルを加熱して形成した絶縁膜上
に、配向膜を形成するので、金属酸化物粒子によって絶
縁膜上に微細な凹凸が形成される。そのため、絶縁膜と
配向膜との密着性が良好となり、配向不良が生じにくい
液晶素子を製造することが可能となる。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板に絶縁膜を形成する工程を有する液
晶素子の製造方法において、 金属アルコキシドの加水分解液、及び金属酸化物粒子を
含む液状ゾルを基板上に塗布し、該液状ゾルを加熱して
絶縁膜とする工程、及び前記絶縁膜上に配向膜を形成す
る工程、を具備することを特徴とする液晶素子の製造方
法。 - 【請求項２】請求項１に記載の液晶素子の製造方法にお
いて、 前記金属アルコキシドはエチルシリケートを含むことを
特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の
製造方法において、 前記液状ゾルは、アルミナゾル及びシリカゾルを含む群
から選ばれる金属酸化物粒子を含むことを特徴とする液
晶素子の製造方法。 - 【請求項４】金属アルコキシドの加水分解液、及び金属
酸化物粒子を含む液状ゾルを基板上に塗布する工程、及
び前記液状ゾルを加熱して絶縁膜とする工程を具備する
ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03325996A JP3077336B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法 |
| JP2000108357A JP3605346B2 (ja) | 1991-12-10 | 2000-04-10 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03325996A JP3077336B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000108357A Division JP3605346B2 (ja) | 1991-12-10 | 2000-04-10 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158024A JPH05158024A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3077336B2 true JP3077336B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18182938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03325996A Expired - Lifetime JP3077336B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077336B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3916161B2 (ja) | 2004-01-06 | 2007-05-16 | 日本アイ・ビー・エム株式会社 | 液晶表示装置および液晶セル |
-
1991
- 1991-12-10 JP JP03325996A patent/JP3077336B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05158024A (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
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