JPH05158024A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH05158024A JPH05158024A JP32599691A JP32599691A JPH05158024A JP H05158024 A JPH05158024 A JP H05158024A JP 32599691 A JP32599691 A JP 32599691A JP 32599691 A JP32599691 A JP 32599691A JP H05158024 A JPH05158024 A JP H05158024A
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Abstract
膜硬度の信頼性および配向膜との密着性に優れた液晶表
示素子の製造方法を提供する。 【構成】 本発明の液晶表示素子の製造方法は、電極間
に液晶層が挟持された構造からなり、少なくとも一方の
電極上に絶縁層を有する液晶表示素子において絶縁層を
金属酸化物微粒子および金属アルコキシドを主原料と
する液状ゾルあるいは金属酸化物微粒子および金属アル
コキシドの加水分解溶液を主原料とする液状ゾルの塗
布、加熱により形成することを特徴とする。
Description
造安定性に優れた液晶表示素子の製造方法に関する。
る液晶表示素子においては、導電性の異物に起因する電
極間ショートを防ぐため、絶縁層の形成が不可欠となっ
ている。従来の液晶表示素子における電極上の絶縁層と
しては、SiO2 などのスパッタ膜や、アルコキシシラ
ンを加水分解したゾル(例えばNTL6008、日産化
学社製)をコーティングした後焼成した膜を用いてい
た。
いた従来の絶縁膜では、電極が変色する、エッジ部がボ
ケるなどの問題がある上、スループットの悪い高価な真
空装置を必要とするため特に大きな面積を必要とする用
途には、非常に高価なものとなってしまうという課題が
あった。
は、量産性や大面積対応には適するものの、500℃近
い温度での焼成が必要となるため、基板の変形や電極の
変質による高抵抗化が起こり大きな問題となっている。
また膜硬度の信頼性も十分ではなく、更に絶縁層上に形
成する配向膜との密着性が悪く、液晶の配向不良の原因
となっている。
つ基板との密着性、膜硬度の信頼性および配向膜との密
着性に優れた液晶表示素子の製造方法を提供することに
よって、上記の課題を解決することにある。
金属酸化物微粒子および金属アルコキシドを主原料とす
る液状ゾルの塗布、加熱により形成することで達成可能
となる。
め安定で膜硬度の信頼性が良好な膜が形成でき、金属ア
ルコキシドにより基板との密着性も確保される。また膜
表面には微細な凹凸が形成されるため積層する配向膜と
の密着性が向上するものである。
〜200Åのアルミナゾル(アルミナゾル520、日産
化学社製)を金属アルコキシドとしてエチルシリケート
を用い、メタノール、エタノール、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等の溶剤により固形分濃度5〜10w
t%に希釈したものを用いた。
スガラスあるいはソーダライムガラスを用いITOなど
の導電性膜をスパッターもしくは蒸着で形成しフォトエ
ッチングによってパターンを形成して電極としたものを
用いた。
るように制御してロールコーテイングにより前記液状ゾ
ルを塗布し、400℃で1時間、加熱し安定な絶縁層と
した。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
粒子径100〜200Åのシリカゾル(スノーテックス
O、日産化学社製)を用いた。また金属アルコキシドと
してエチルシリケートを用い、0.02規定の塩酸に混
合し激しく攪拌することにより加水分解溶液を調製し
た。次に上記シリカゾルと加水分解溶液を混合しメタノ
ール、エタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ等の溶剤により固形分濃度5〜10%wtに希釈し液
状ゾルとした。
研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガラ
スを用いITOなどの導電性膜をスパッターもしくは蒸
着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成し
て電極としたものを用いた。この基板上に800〜90
0Åの膜厚となるように制御してロールコーテイングに
より前記液状ゾルを塗布し、400℃で1時間、加熱し
安定な絶縁層とした。こうして形成した絶縁層は、大面
積ながら均質で、金属針の加圧による膜硬度試験におい
ても十分な信頼性が得られ基板との密着性も確保されて
いた。さらに配向膜を積層し、回転ラビングを行った
が、配向膜の剥離は生じなかった。液晶を挾持した液晶
表示素子にして、表示特性を評価したところ、長時間に
渡り極めて安定した表示特性を示した。
ルシリケート、エタノールまたはメタノール、水および
アンモニア水を混合、攪拌した後、減圧濃縮することに
より、平均粒子径50Åの単分散シリカ微粒子分散液を
調製した。なお出発原料の割合を調整することにより粒
子径および分散性の制御が可能である。またエチルシリ
ケートと0.02規定の塩酸を混合し激しく攪拌するこ
とにより加水分解溶液を調製した。次に上記シリカ微粒
子分散液と加水分解溶液を混合しメタノール、エタノー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等の溶剤によ
り固形分濃度5〜10%wtに希釈し状ゾルとした。
研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガラ
スを用いITOなどの導電性膜をスパッターもしくは蒸
着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成し
て電極としたものを用いた。この基板上に800〜90
0Åの膜厚となるように制御してロールコーテイングに
より前記液状ゾルを塗布し、350℃で1時間、加熱し
安定な絶縁層とした。ここでは単分散シリカ微粒子を用
いたが、平均粒子径のほぼ等しい多分散シリカ微粒子を
用いた場合には、より低温での安定な膜の形成が可能で
あった。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
粒子径100〜200Åのアルミナゾル(アルミナゾル
520、日産化学社製)を用いた。また金属アルコキシ
ドとしてエチルシリケートを用い、0.02規定の塩酸
に混合し激しく攪拌することにより加水分解溶液を調製
した。次に上記アルミナゾルと加水分解溶液を混合しメ
タノール、エタノール、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ等の溶剤により固形分濃度5〜10%wtに希釈
し液状ゾルとした。
学研磨したパイレックスガラスあるいはソーダライムガ
ラスを用いITOなどの導電性膜をスパッターもしくは
蒸着で形成しフォトエッチングによってパターンを形成
して電極としたものを用いた。
るように制御してロールコーテイングにより前記液状ゾ
ルを塗布し、400℃で1時間、加熱し安定な絶縁層と
した。こうして形成した絶縁層は、大面積ながら均質
で、金属針の加圧による膜硬度試験においても十分な信
頼性が得られ基板との密着性も確保されていた。さらに
配向膜を積層し、回転ラビングを行ったが、配向膜の剥
離は生じなかった。液晶を挾持した液晶表示素子にし
て、表示特性を評価したところ、長時間に渡り極めて安
定した表示特性を示した。
的低温で形成可能かつ基板との密着性、膜硬度の信頼
性、および配向膜との密着性に優れた液晶表示素子を提
供することで、安価で長期信頼性のある表示装置を作成
することが可能になる。本発明の液晶表示素子は絶縁層
形成が容易な上、配向不良をおこしにくいため、特に大
きな面積のものを作成するのには有利である。
Claims (2)
- 【請求項1】 電極間に液晶層が挟持された構造からな
り、少なくとも一方の電極上に絶縁層を有する液晶表示
素子において絶縁層を 金属酸化物微粒子および金属ア
ルコキシドを主原料とする液状ゾルの塗布、加熱により
形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1において絶縁層を主原料として
用いる金属アルコキシドを予め酸性あるいは塩基性触媒
により加水分解した後、混合し調製した液状ゾルの塗
布、加熱により形成することを特徴とする液晶表示素子
の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03325996A JP3077336B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法 |
JP2000108357A JP3605346B2 (ja) | 1991-12-10 | 2000-04-10 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03325996A JP3077336B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000108357A Division JP3605346B2 (ja) | 1991-12-10 | 2000-04-10 | 液晶素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05158024A true JPH05158024A (ja) | 1993-06-25 |
JP3077336B2 JP3077336B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=18182938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03325996A Expired - Lifetime JP3077336B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 液晶素子の製造方法、及び絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3077336B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7800702B2 (en) | 2004-01-06 | 2010-09-21 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display device, liquid crystal cell, transparent substrate, and method of manufacturing liquid crystal cell |
-
1991
- 1991-12-10 JP JP03325996A patent/JP3077336B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7800702B2 (en) | 2004-01-06 | 2010-09-21 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display device, liquid crystal cell, transparent substrate, and method of manufacturing liquid crystal cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3077336B2 (ja) | 2000-08-14 |
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