JPH0518735Y2 - - Google Patents
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- JPH0518735Y2 JPH0518735Y2 JP1989102530U JP10253089U JPH0518735Y2 JP H0518735 Y2 JPH0518735 Y2 JP H0518735Y2 JP 1989102530 U JP1989102530 U JP 1989102530U JP 10253089 U JP10253089 U JP 10253089U JP H0518735 Y2 JPH0518735 Y2 JP H0518735Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、液晶表示装置に使用して好適な液晶
セルに関する。
セルに関する。
以下、図面をもとに本考案を説明する。
第１図は、従来の液晶セルの構造を示す図で、
１はガラスなど絶縁基板上に透明電極、絶縁被膜
を形成した液晶セル基板である。従来の液晶セル
はアルミナビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ
などのスペーサー２を含有したエボキシ樹脂など
の接着剤３を用いて２枚の液晶セル基板１，１を
一定の間隔を保つて対向させ、接着させた構造と
なつていた。
１はガラスなど絶縁基板上に透明電極、絶縁被膜
を形成した液晶セル基板である。従来の液晶セル
はアルミナビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ
などのスペーサー２を含有したエボキシ樹脂など
の接着剤３を用いて２枚の液晶セル基板１，１を
一定の間隔を保つて対向させ、接着させた構造と
なつていた。
第２図は従来の液晶セル基板１の構造を詳しく
示した図である。１１はガラスなどの絶縁基板
で、該絶縁基板１１上に浸漬法、印刷法などによ
り有機シリコン化合物を塗布し、450〜500℃で約
15分間焼成し、前記絶縁基板１１中に含まれるア
ルカリイオン溶出防止のためにSiO2の絶縁被膜
１２を形成する。該絶縁被膜１２上に印刷法、蒸
着法などにより酸化インジウム等の金属酸化物か
らなる透明電極１３を所定形状に形成する。さら
に該透明電極１３を被つて、前記絶縁被膜１２と
同じ方法でSiO2の絶縁被膜１４を形成して、液
晶セル基板１を作成していた。
示した図である。１１はガラスなどの絶縁基板
で、該絶縁基板１１上に浸漬法、印刷法などによ
り有機シリコン化合物を塗布し、450〜500℃で約
15分間焼成し、前記絶縁基板１１中に含まれるア
ルカリイオン溶出防止のためにSiO2の絶縁被膜
１２を形成する。該絶縁被膜１２上に印刷法、蒸
着法などにより酸化インジウム等の金属酸化物か
らなる透明電極１３を所定形状に形成する。さら
に該透明電極１３を被つて、前記絶縁被膜１２と
同じ方法でSiO2の絶縁被膜１４を形成して、液
晶セル基板１を作成していた。
従来の液晶セルは、叙上のようにして作成した
２枚の液晶セル基板のうちの一方の基板周辺上
に、アルミナビーズなどのスペーサーを含有した
エボキシ樹脂などの接着材を、スクリーン印刷法
により塗布した後、他方の液晶セル基板を対向さ
せ加圧加熱して作成していた。このような液晶セ
ルの製造方法では、アルミナビーズなどのスペー
サーが、液晶セル基板の周辺上にしか存在しない
ため２枚の液晶セル基板を対向させ加圧したとき
に、液晶セル基板がへこんでしまう。そして、作
製された液晶セルへ液晶物質を注入して作製した
液晶表示装置にわずかな外圧が加わつても、液晶
表示装置が変形し、液晶セル基板上の液晶分子の
配向が乱れ表示品位が著しく低下する欠点があつ
た。さらに、特に大きな表示面積の液晶表示装置
を製作するときなど、液晶を液晶セル中に注入す
る際に、中央部で２枚の液晶セル基板が接触して
しまうこともあつた。
２枚の液晶セル基板のうちの一方の基板周辺上
に、アルミナビーズなどのスペーサーを含有した
エボキシ樹脂などの接着材を、スクリーン印刷法
により塗布した後、他方の液晶セル基板を対向さ
せ加圧加熱して作成していた。このような液晶セ
ルの製造方法では、アルミナビーズなどのスペー
サーが、液晶セル基板の周辺上にしか存在しない
ため２枚の液晶セル基板を対向させ加圧したとき
に、液晶セル基板がへこんでしまう。そして、作
製された液晶セルへ液晶物質を注入して作製した
液晶表示装置にわずかな外圧が加わつても、液晶
表示装置が変形し、液晶セル基板上の液晶分子の
配向が乱れ表示品位が著しく低下する欠点があつ
た。さらに、特に大きな表示面積の液晶表示装置
を製作するときなど、液晶を液晶セル中に注入す
る際に、中央部で２枚の液晶セル基板が接触して
しまうこともあつた。
叙上のような、液晶表示装置製作時の２枚の液
晶セル基板間のギヤツプに変化を防ぐため、スペ
ーサーを絶縁基板上にふりかけた後、液晶セルを
組立てる方法もあるが、絶縁基板上に均一にスペ
ーサーをふりかけることが困難で、少なすぎる
と、ギヤツプを均一に保つことができず、多すぎ
ると表示効果に悪影響を及ぼす欠点があつた。ま
た、他の方法として、有機金属化合物を主成分と
して、増粘剤を加えペースト化したものに、
SiO2，Al2O3などの金属酸化物の粒子よりなるス
ペーサーを混入して得られるペーストを、絶縁基
板上に塗布した後、焼成して、スペーサー入り絶
縁被膜を形成する方法もあるが、スペーサー粒子
の径が10μ前後あるのに比較し、焼成して得られ
る絶縁被膜の膜厚は、1μ以下、数千Ａ程度であ
るので、スペーサー粒子を絶縁基板上に固定する
力は弱く脱脂綿等によるラビングの工程において
粒子のほとんどが脱落してしまう欠点があつた。
晶セル基板間のギヤツプに変化を防ぐため、スペ
ーサーを絶縁基板上にふりかけた後、液晶セルを
組立てる方法もあるが、絶縁基板上に均一にスペ
ーサーをふりかけることが困難で、少なすぎる
と、ギヤツプを均一に保つことができず、多すぎ
ると表示効果に悪影響を及ぼす欠点があつた。ま
た、他の方法として、有機金属化合物を主成分と
して、増粘剤を加えペースト化したものに、
SiO2，Al2O3などの金属酸化物の粒子よりなるス
ペーサーを混入して得られるペーストを、絶縁基
板上に塗布した後、焼成して、スペーサー入り絶
縁被膜を形成する方法もあるが、スペーサー粒子
の径が10μ前後あるのに比較し、焼成して得られ
る絶縁被膜の膜厚は、1μ以下、数千Ａ程度であ
るので、スペーサー粒子を絶縁基板上に固定する
力は弱く脱脂綿等によるラビングの工程において
粒子のほとんどが脱落してしまう欠点があつた。
本考案の目的は、スペーサー粒子を強固に一方
のみの絶縁基板上に固着させ、ラビングによりス
ペーサーが脱落することのない液晶セルを提供
し、その結果、表示品位の良い液晶表示装置を提
供することである。
のみの絶縁基板上に固着させ、ラビングによりス
ペーサーが脱落することのない液晶セルを提供
し、その結果、表示品位の良い液晶表示装置を提
供することである。
本考案の特徴は、絶縁基板上の透明電極を被つ
て低融点ガラス粉末を含むペーストを塗布した
後、低融点ガラス粉末の融点より若干高い温度で
焼成して、低融点ガラス粉末を、絶縁基板上に溶
融固着した後、配向膜を形成したことにある。ス
ペーサーである低融点ガラス粉末を、融点より若
干高い温度で焼成して絶縁基板上に溶融固着する
ことにより、ラビング時にスペーサーが脱落する
ことがなくなる。
て低融点ガラス粉末を含むペーストを塗布した
後、低融点ガラス粉末の融点より若干高い温度で
焼成して、低融点ガラス粉末を、絶縁基板上に溶
融固着した後、配向膜を形成したことにある。ス
ペーサーである低融点ガラス粉末を、融点より若
干高い温度で焼成して絶縁基板上に溶融固着する
ことにより、ラビング時にスペーサーが脱落する
ことがなくなる。
第３図イ，ロは、本考案液晶セルに用いられる
基板の製造工程を示す図である。液晶セル基板の
製造方法は、次のとおりである。ガラスなどの絶
縁基板１１上に、絶縁被膜１２、透明電極１３を
形成する方法は、従来通りである。次に、第３図
イに示したように、絶縁基板１１上に形成された
透明電極１３を被つて、低融点ガラス４を含有し
たペースト１４ａを塗布する。該ペースト１４ａ
はエチルセルロース、ニトロセルロールなどの増
粘剤に、エタノール、ブチルカルビトール、ブチ
ルセロソルブなどの有機溶媒に、低融点ガラス粉
末を混合したもの、さらにAl，In，si等の有機金
属化合物を添加したものである。次に、前記ペー
スト１４ａを塗布した絶縁基板１１を低融点ガラ
ス粉末の融点より若干高い温度400℃〜500℃で約
く30分焼成すると、第３図ロに示したように、低
融点ガラス粉末は溶融し、山型の突起５となり、
絶縁基板に固着される。なお、１４ｂは焼成後に
形成された絶縁被膜である。
基板の製造工程を示す図である。液晶セル基板の
製造方法は、次のとおりである。ガラスなどの絶
縁基板１１上に、絶縁被膜１２、透明電極１３を
形成する方法は、従来通りである。次に、第３図
イに示したように、絶縁基板１１上に形成された
透明電極１３を被つて、低融点ガラス４を含有し
たペースト１４ａを塗布する。該ペースト１４ａ
はエチルセルロース、ニトロセルロールなどの増
粘剤に、エタノール、ブチルカルビトール、ブチ
ルセロソルブなどの有機溶媒に、低融点ガラス粉
末を混合したもの、さらにAl，In，si等の有機金
属化合物を添加したものである。次に、前記ペー
スト１４ａを塗布した絶縁基板１１を低融点ガラ
ス粉末の融点より若干高い温度400℃〜500℃で約
く30分焼成すると、第３図ロに示したように、低
融点ガラス粉末は溶融し、山型の突起５となり、
絶縁基板に固着される。なお、１４ｂは焼成後に
形成された絶縁被膜である。
以下、実施例をもとに更に詳しく本考案を説明
する。
する。
実施例 １
低融点ガラス粉末LS−0206（日本電気ガラス社
製）をふるい振とう機にかけ、325メツシユは通
過し、400メツシユでは残つた低融点ガラス粉末
を、エチルセルロースＨ−200（ハーキユリース社
製）のエタノール２％溶液に添加混合したペース
トを作製する。該ペースト中に、透明電極を表面
に形成した絶縁基板を浸し、引上げ後乾燥し、
400℃で30分間焼成して、液晶セル基板を作製し
た。次に、シラン系水平配向剤、例えば、アミノ
シランNH2（CH2）2NH（CH2）3Si（OCH3）3を、絶
縁基板上に塗布乾燥し、水平配向膜を形成した。
さらに、該被膜を脱脂綿で摩擦し、ラビングを行
つた後、絶縁基板端部にエボキシ樹脂接着剤を印
刷塗布した。最後にもう一枚の表面に透明電極を
有する絶縁基板を、前記エボキシ樹脂接着剤を塗
布した絶縁基板上に配置し、加圧、加熱し接着剤
を硬化させ、液晶セルを作製した。この液晶セル
のギヤツプは11μ〜13μの間にあり、均一な間隔
に形成されていた。
製）をふるい振とう機にかけ、325メツシユは通
過し、400メツシユでは残つた低融点ガラス粉末
を、エチルセルロースＨ−200（ハーキユリース社
製）のエタノール２％溶液に添加混合したペース
トを作製する。該ペースト中に、透明電極を表面
に形成した絶縁基板を浸し、引上げ後乾燥し、
400℃で30分間焼成して、液晶セル基板を作製し
た。次に、シラン系水平配向剤、例えば、アミノ
シランNH2（CH2）2NH（CH2）3Si（OCH3）3を、絶
縁基板上に塗布乾燥し、水平配向膜を形成した。
さらに、該被膜を脱脂綿で摩擦し、ラビングを行
つた後、絶縁基板端部にエボキシ樹脂接着剤を印
刷塗布した。最後にもう一枚の表面に透明電極を
有する絶縁基板を、前記エボキシ樹脂接着剤を塗
布した絶縁基板上に配置し、加圧、加熱し接着剤
を硬化させ、液晶セルを作製した。この液晶セル
のギヤツプは11μ〜13μの間にあり、均一な間隔
に形成されていた。
実施例 ２
主成分であるAl，In，Siの有機金属化合物で
あるアリミニウムアセチルアセトナート、インジ
ウムアセチルアセトナート、ビニルトリス（２−
メトキシエトキシ）シランに、増粘剤としてニト
ロセルロースＨ−80M（太平化学社製）と、有機
溶媒としてブチルセルソルブとブチルカルビトー
ルの混合溶剤とを添加混合してペースト化したも
のに、実施例１と同様の低融点ガラス粉末を添加
混合して得たペーストを、スクリーン印刷法を用
いて、絶縁基板上に所定形状に塗布し乾燥した
後、450℃で30分間焼成し液晶セル基板を作製し
た。次にアミノシランNH2（CH2）2NH（CH2）3Si
（OCH3）3を、絶縁基板上に塗布乾燥し、水平配
向膜を形成した。さらに、該被膜を脱脂綿でラビ
ングした後、絶縁基板端部にエボキシ樹脂接着剤
を印刷塗布した。最後に、もう一枚の絶縁基板を
前記エボキシ樹脂接着剤を塗布した絶縁基板上に
配置し、加圧加熱して接着剤を硬化させ、液晶セ
ルを作製した。この液晶セルのギヤツプは7.5μ〜
9.5μの間にあり、均一な間隔に形成していた。
あるアリミニウムアセチルアセトナート、インジ
ウムアセチルアセトナート、ビニルトリス（２−
メトキシエトキシ）シランに、増粘剤としてニト
ロセルロースＨ−80M（太平化学社製）と、有機
溶媒としてブチルセルソルブとブチルカルビトー
ルの混合溶剤とを添加混合してペースト化したも
のに、実施例１と同様の低融点ガラス粉末を添加
混合して得たペーストを、スクリーン印刷法を用
いて、絶縁基板上に所定形状に塗布し乾燥した
後、450℃で30分間焼成し液晶セル基板を作製し
た。次にアミノシランNH2（CH2）2NH（CH2）3Si
（OCH3）3を、絶縁基板上に塗布乾燥し、水平配
向膜を形成した。さらに、該被膜を脱脂綿でラビ
ングした後、絶縁基板端部にエボキシ樹脂接着剤
を印刷塗布した。最後に、もう一枚の絶縁基板を
前記エボキシ樹脂接着剤を塗布した絶縁基板上に
配置し、加圧加熱して接着剤を硬化させ、液晶セ
ルを作製した。この液晶セルのギヤツプは7.5μ〜
9.5μの間にあり、均一な間隔に形成していた。
以上説明したように、本願考案によれば対向配
置した液晶セル基板間の表示領域におけるスペー
サーが、低融点ガラス粉末が液晶セル基板のいず
れか一方のみに溶融固着された構成としたため、
スペーサーが液晶セル基板に強固に固定されかつ
スペーサーの頂部が変形してやや平坦化した形状
となるので、 配向膜を形成してラビングする際に、スペー
サーが脱落・移動しないようにすることができ
る。
置した液晶セル基板間の表示領域におけるスペー
サーが、低融点ガラス粉末が液晶セル基板のいず
れか一方のみに溶融固着された構成としたため、
スペーサーが液晶セル基板に強固に固定されかつ
スペーサーの頂部が変形してやや平坦化した形状
となるので、 配向膜を形成してラビングする際に、スペー
サーが脱落・移動しないようにすることができ
る。
スペーサーと対向する液晶セル基板とスペー
サーとの接触面積がより大きくなることによ
り、スペーサーの数を少なくして良好な配向膜
および良好な表示画像を得ることができる。
サーとの接触面積がより大きくなることによ
り、スペーサーの数を少なくして良好な配向膜
および良好な表示画像を得ることができる。
という顕著な効果を奏する。
第１図、第２図はそれぞれ従来の液晶セルと液
晶セル基板の段側面図、第３図イ，ロは本考案液
晶セルに用いられる基板の製造方法を示す図面で
ある。 １……液晶セル基板、２……スペーサー、３…
…接着剤、４……低融点ガラス粉末、５……山型
の突起、１１……絶縁基板、１２……絶縁被膜、
１３……透明電極、１４……絶縁被膜、１４ａ…
…ペースト、１４Ｂ……絶縁被膜。
晶セル基板の段側面図、第３図イ，ロは本考案液
晶セルに用いられる基板の製造方法を示す図面で
ある。 １……液晶セル基板、２……スペーサー、３…
…接着剤、４……低融点ガラス粉末、５……山型
の突起、１１……絶縁基板、１２……絶縁被膜、
１３……透明電極、１４……絶縁被膜、１４ａ…
…ペースト、１４Ｂ……絶縁被膜。
Claims (1)
- 対向配置した液晶セル基板間の表示領域にスペ
ーサーを有する液晶セルにおいて、前記スペーサ
ーが低融点ガラスであり、該低融点ガラスが前記
液晶セル基板のいずれか一方のみに溶融固着され
ており、該液晶セル基板および該基板上の低融点
ガラス表面に配向膜が形成されてなることを特徴
とする液晶セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989102530U JPH0518735Y2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989102530U JPH0518735Y2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251321U JPH0251321U (ja) | 1990-04-11 |
| JPH0518735Y2 true JPH0518735Y2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=31332522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989102530U Expired - Lifetime JPH0518735Y2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0518735Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5020745A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-03-05 | ||
| JPS5125095A (ja) * | 1974-08-26 | 1976-03-01 | Hitachi Ltd | Ekishohyojisoshi |
| JPS5271258A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of liquid crystal display device |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1989102530U patent/JPH0518735Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5020745A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-03-05 | ||
| JPS5125095A (ja) * | 1974-08-26 | 1976-03-01 | Hitachi Ltd | Ekishohyojisoshi |
| JPS5271258A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of liquid crystal display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251321U (ja) | 1990-04-11 |
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