JPH05173154A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH05173154A JPH05173154A JP35628391A JP35628391A JPH05173154A JP H05173154 A JPH05173154 A JP H05173154A JP 35628391 A JP35628391 A JP 35628391A JP 35628391 A JP35628391 A JP 35628391A JP H05173154 A JPH05173154 A JP H05173154A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- transparent electrode
- display element
- surface roughness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明電極の表面粗度が大きいことに起因す
る、液晶表示素子のショートやコントラストの低下など
の問題点を解消する。 【構成】 液晶表示パネル基板に形成する透明電極の表
面最大粗度を８０ｎｍ以下とする。または透明電極の表
面平均粗度を２０ｎｍ以下とする。
る、液晶表示素子のショートやコントラストの低下など
の問題点を解消する。 【構成】 液晶表示パネル基板に形成する透明電極の表
面最大粗度を８０ｎｍ以下とする。または透明電極の表
面平均粗度を２０ｎｍ以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示素子の透明
電極を平滑に形成した液晶表示素子に関する。
電極を平滑に形成した液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、一般に、ガラス基板上
に透明電極、配向膜を形成した一対のパネル基板間に液
晶層を挟み込んだ構造を有する液晶セル、あるいはこの
ようなパネル基板と他の電極基板間との間に液晶層を挟
み込んだ構造を有する液晶セルからなるが、このような
液晶表示素子のコントラスト、応答速度、視角などの諸
特性は液晶層の厚さと密接に関係している。このため、
液晶表示素子の透明電極には表面の平面性が必要とされ
る。また、透明電極の表面の凹凸は、液晶表示素子を組
み立てた際に２枚の基板間のショートの原因となるの
で、このようなショートの防止のためにも透明電極には
表面の平面性が必要とされる。
に透明電極、配向膜を形成した一対のパネル基板間に液
晶層を挟み込んだ構造を有する液晶セル、あるいはこの
ようなパネル基板と他の電極基板間との間に液晶層を挟
み込んだ構造を有する液晶セルからなるが、このような
液晶表示素子のコントラスト、応答速度、視角などの諸
特性は液晶層の厚さと密接に関係している。このため、
液晶表示素子の透明電極には表面の平面性が必要とされ
る。また、透明電極の表面の凹凸は、液晶表示素子を組
み立てた際に２枚の基板間のショートの原因となるの
で、このようなショートの防止のためにも透明電極には
表面の平面性が必要とされる。
【０００３】そこで、従来の透明電極の形成方法として
は、一般に、まずパネル基板に使用するガラス基板とし
て、平面性の高いガラス板を選択し、さらに必要により
そのガラス板に表面研磨加工を施し、その上に、蒸着
法、スパッタ法、熱分解スプレイ法等により透明電極を
形成していた。
は、一般に、まずパネル基板に使用するガラス基板とし
て、平面性の高いガラス板を選択し、さらに必要により
そのガラス板に表面研磨加工を施し、その上に、蒸着
法、スパッタ法、熱分解スプレイ法等により透明電極を
形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示素子の作製に際し、透明電極の表面の粗度を直接規定
していなかっために、従来使用されていた透明電極の表
面は最大粗度が１２０ｎｍ程度以上あるのが実情であ
り、そのために液晶表示素子の２枚の基板間にショート
が発生し、製品の歩留まりが低下することが問題となっ
ていた。このようなショートの発生を防止する方法とし
ては、透明電極上に絶縁層を形成することもなされてい
るが、液晶表示素子の製造工程が増え、製造コストが増
加するという問題点があった。
示素子の作製に際し、透明電極の表面の粗度を直接規定
していなかっために、従来使用されていた透明電極の表
面は最大粗度が１２０ｎｍ程度以上あるのが実情であ
り、そのために液晶表示素子の２枚の基板間にショート
が発生し、製品の歩留まりが低下することが問題となっ
ていた。このようなショートの発生を防止する方法とし
ては、透明電極上に絶縁層を形成することもなされてい
るが、液晶表示素子の製造工程が増え、製造コストが増
加するという問題点があった。
【０００５】また、従来使用されていた透明電極はその
平均粗度についても３０ｎｍ程度以上あるのが実情であ
り、そのために液晶を一様に配向させることが困難とな
り、コントラストなどの液晶表示素子の諸特性の低下が
問題となっていた。特に、配向膜として厚さ８０ｎｍ程
度以下のものを形成する場合には、透明電極の表面が平
滑でないために配向膜を均一に形成することが困難とな
るので、例えば液晶表示素子の実用上必要とされるコン
トラスト１０以上を達成できないということが問題とな
っていた。
平均粗度についても３０ｎｍ程度以上あるのが実情であ
り、そのために液晶を一様に配向させることが困難とな
り、コントラストなどの液晶表示素子の諸特性の低下が
問題となっていた。特に、配向膜として厚さ８０ｎｍ程
度以下のものを形成する場合には、透明電極の表面が平
滑でないために配向膜を均一に形成することが困難とな
るので、例えば液晶表示素子の実用上必要とされるコン
トラスト１０以上を達成できないということが問題とな
っていた。
【０００６】この発明は、このような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、液晶表示素子の透明電極
の表面粗度を規定し、表面粗度が大きいことに起因する
種々の問題点を解消することを目的としている。
解決しようとするものであり、液晶表示素子の透明電極
の表面粗度を規定し、表面粗度が大きいことに起因する
種々の問題点を解消することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明者は、透明電極
の表面最大粗度を８０ｎｍ以下、表面平均粗度を２０ｎ
ｍ以下にすると、液晶表示素子のコントラストの低下や
ショートの発生などの問題点を解消できることを見出し
この発明を完成させるに至った。
の表面最大粗度を８０ｎｍ以下、表面平均粗度を２０ｎ
ｍ以下にすると、液晶表示素子のコントラストの低下や
ショートの発生などの問題点を解消できることを見出し
この発明を完成させるに至った。
【０００８】即ち、この発明は、液晶表示パネル基板に
形成する透明電極の表面最大粗度が８０ｎｍ以下である
ことを特徴とする液晶表示素子を提供する。
形成する透明電極の表面最大粗度が８０ｎｍ以下である
ことを特徴とする液晶表示素子を提供する。
【０００９】また、この発明は、液晶表示パネル基板に
形成する透明電極の表面平均粗度が２０ｎｍ以下である
ことを特徴とする液晶表示素子を提供する。
形成する透明電極の表面平均粗度が２０ｎｍ以下である
ことを特徴とする液晶表示素子を提供する。
【００１０】このように、この発明は液晶表示パネル基
板に形成する透明電極の表面粗度を規定することを特徴
としており、それ以外の点については従来の液晶表示素
子と同様に作製することができる。
板に形成する透明電極の表面粗度を規定することを特徴
としており、それ以外の点については従来の液晶表示素
子と同様に作製することができる。
【００１１】
【作用】この発明の液晶表示素子は、液晶表示パネル基
板に形成する透明電極の表面最大粗度が８０ｎｍ以下で
あるので、透明電極上に絶縁層を形成しなくても基板間
のショートの発生を防止できる。
板に形成する透明電極の表面最大粗度が８０ｎｍ以下で
あるので、透明電極上に絶縁層を形成しなくても基板間
のショートの発生を防止できる。
【００１２】また、この発明の液晶表示素子は、液晶表
示パネル基板に形成する透明電極の表面平均粗度が２０
ｎｍ以下であるので、液晶が均一に配向するようにな
り、コントラストなどの諸特性が向上し、液晶表示素子
を動作させるのに必要な印加電圧を低下させることも可
能となる。
示パネル基板に形成する透明電極の表面平均粗度が２０
ｎｍ以下であるので、液晶が均一に配向するようにな
り、コントラストなどの諸特性が向上し、液晶表示素子
を動作させるのに必要な印加電圧を低下させることも可
能となる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。
説明する。
【００１４】まず、表面研磨加工した２枚のガラス基板
（幅２５ｍｍ、長さ４０ｍｍ、厚さ３ｍｍ）上に、透明
電極としてスパッタ法によりＩＴＯ膜（厚さ５００オン
グストローム、幅１０ｍｍ）を形成し、さらにＳｉＯ斜
方蒸着法により配向膜を形成して２枚のテストセル用の
パネル基板を形成した。この場合、ＩＴＯ膜の表面最大
粗度はＡＦＭ測定により３９．８ｎｍであり、表面平均
粗度は６．４ｎｍであった。
（幅２５ｍｍ、長さ４０ｍｍ、厚さ３ｍｍ）上に、透明
電極としてスパッタ法によりＩＴＯ膜（厚さ５００オン
グストローム、幅１０ｍｍ）を形成し、さらにＳｉＯ斜
方蒸着法により配向膜を形成して２枚のテストセル用の
パネル基板を形成した。この場合、ＩＴＯ膜の表面最大
粗度はＡＦＭ測定により３９．８ｎｍであり、表面平均
粗度は６．４ｎｍであった。
【００１５】次に、その一方のパネル基板上に粒径１．
４０μｍのスペーサ（商品名、真し球、触媒化成工業社
製）をアルコールに分散させて常法により一様に散布
し、次いで粒径５μｍの球形接着剤（商品名、トレパー
ル、東レ（株）製）を散布した。そしてもう一方のパネ
ル基板の周辺部に接着剤（商品名、ストラクトボンド、
三井東圧化学製）を塗布し、スペーサを散布したパネル
基板の上から、透明電極の重なり部分が１０ｍｍ×１０
ｍｍとなるようにこれら２枚のパネル基板を重ね合わ
せ、加熱加圧してテストセルを形成し、強誘電性液晶
（商品名、ＣＳ−１０１４、チッソ（株）製）を使用し
て液晶表示素子を作製した。
４０μｍのスペーサ（商品名、真し球、触媒化成工業社
製）をアルコールに分散させて常法により一様に散布
し、次いで粒径５μｍの球形接着剤（商品名、トレパー
ル、東レ（株）製）を散布した。そしてもう一方のパネ
ル基板の周辺部に接着剤（商品名、ストラクトボンド、
三井東圧化学製）を塗布し、スペーサを散布したパネル
基板の上から、透明電極の重なり部分が１０ｍｍ×１０
ｍｍとなるようにこれら２枚のパネル基板を重ね合わ
せ、加熱加圧してテストセルを形成し、強誘電性液晶
（商品名、ＣＳ−１０１４、チッソ（株）製）を使用し
て液晶表示素子を作製した。
【００１６】このようにして作製した液晶表示素子１０
個について、ショートの発生数とコントラスト（液晶表
示素子を白色にした場合と黒色にした場合とのハロゲン
ランプを光源とした透過強度の比）とを測定した。その
結果、ショートの発生数は皆無であり、コントラストは
平均５０であった。
個について、ショートの発生数とコントラスト（液晶表
示素子を白色にした場合と黒色にした場合とのハロゲン
ランプを光源とした透過強度の比）とを測定した。その
結果、ショートの発生数は皆無であり、コントラストは
平均５０であった。
【００１７】表面粗度が異なる透明電極を使用する以外
は同様にしてテストセルを形成し、液晶表示素子を作製
してそれらのコントラストとショートの発生数を測定し
た。
は同様にしてテストセルを形成し、液晶表示素子を作製
してそれらのコントラストとショートの発生数を測定し
た。
【００１８】得られた結果に基づき、ショートの発生率
を透明電極の最大粗度に対してプロットしたものを図１
に示す。また、コントラストを透明電極の平均粗度に対
してプロットしたものを図２に示す。図１から、透明電
極の最大粗度が大きくなるのに伴ってショートの発生率
が増加し、最大粗度が８０ｎｍを超えると急激にショー
トの発生率が高くなることが確認できた。また、図２か
ら透明電極の平均粗度が大きくなるのに伴ってコントラ
ストがほぼ直線的に低下し、実用上支障のないコントラ
スト１０以上が得られるのは、平均粗度が２０ｎｍ以下
であることが確認できた。
を透明電極の最大粗度に対してプロットしたものを図１
に示す。また、コントラストを透明電極の平均粗度に対
してプロットしたものを図２に示す。図１から、透明電
極の最大粗度が大きくなるのに伴ってショートの発生率
が増加し、最大粗度が８０ｎｍを超えると急激にショー
トの発生率が高くなることが確認できた。また、図２か
ら透明電極の平均粗度が大きくなるのに伴ってコントラ
ストがほぼ直線的に低下し、実用上支障のないコントラ
スト１０以上が得られるのは、平均粗度が２０ｎｍ以下
であることが確認できた。
【００１９】
【発明の効果】この発明の液晶表示素子によれば、ショ
ートの発生やコントラストの低下などの透明電極の表面
粗さに起因する問題点が解消する。
ートの発生やコントラストの低下などの透明電極の表面
粗さに起因する問題点が解消する。
【図１】ショートの発生率と透明電極の最大粗度との関
係図である。
係図である。
【図２】コントラストと透明電極の平均粗度との関係図
である。
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高梨 英彦 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 宮下 真由美 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 片岡 延江 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶表示パネル基板に形成する透明電極
の表面最大粗度が８０ｎｍ以下であることを特徴とする
液晶表示素子。 - 【請求項２】 液晶表示パネル基板に形成する透明電極
の表面平均粗度が２０ｎｍ以下であることを特徴とする
液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35628391A JPH05173154A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35628391A JPH05173154A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05173154A true JPH05173154A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18448255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35628391A Pending JPH05173154A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05173154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210890A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-08-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP35628391A patent/JPH05173154A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210890A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-08-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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