JPH04116620A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH04116620A JPH04116620A JP2237451A JP23745190A JPH04116620A JP H04116620 A JPH04116620 A JP H04116620A JP 2237451 A JP2237451 A JP 2237451A JP 23745190 A JP23745190 A JP 23745190A JP H04116620 A JPH04116620 A JP H04116620A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、液晶表示装置に関する。ことに強誘電性液
晶を使用した液晶表示装置に関する。
晶を使用した液晶表示装置に関する。
（ロ）従来の技術
近年、コンピュータを中心とする情報機器の発達に伴い
、情報の伝達手段としての表示装置の果ｆコす役割か重
要になってきている。従来の表示装置として代表的なも
のは、ＣＲＴ （陰極線管）であるが、構成の小型化お
よび消費電力の低減か可能であるという点から、最近で
は液晶表示装置が広く利用されている。さろに、大面積
かつ大容量の液晶表示装置に対する要求は強く、その実
現が強く望まれている。
、情報の伝達手段としての表示装置の果ｆコす役割か重
要になってきている。従来の表示装置として代表的なも
のは、ＣＲＴ （陰極線管）であるが、構成の小型化お
よび消費電力の低減か可能であるという点から、最近で
は液晶表示装置が広く利用されている。さろに、大面積
かつ大容量の液晶表示装置に対する要求は強く、その実
現が強く望まれている。
上記液晶表示装置を実現する乙のとして、強誘電性液晶
を使用した液晶表示装置が注目されている。強誘電性液
晶に：よ、通常力イラルスメクテインク液晶か用いられ
ろ。一般に強誘電性液晶はカイラルスメクティック相で
は、螺旋構造を取るか、薄いセルに注入すると界面の影
響でその螺旋構造かほどけ、第６図（ａ）に示すように
液晶分子１８がスメクティｙり層法線１７から千〇だけ
傾いたドメインと、逆方向に−６だけ傾いたドメインと
が混在するようになる。これに電圧を印加すると、第６
図（ｂ）に示すように自発分極の向きか揃った、すなわ
ち分子配向か一定の状啓であるドメインか得ろれる。ま
ｆニこれに電圧を逆印加すると、第６図（ｃ）に示すよ
うに分子配向が第６図（ｂ）とは逆方向の一定の状態で
あるドメインか得られる。このように電圧の印加および
逆印加に伴い複屈折が変化するので、偏光板を用いて液
晶表示装置を形成することができる。
を使用した液晶表示装置が注目されている。強誘電性液
晶に：よ、通常力イラルスメクテインク液晶か用いられ
ろ。一般に強誘電性液晶はカイラルスメクティック相で
は、螺旋構造を取るか、薄いセルに注入すると界面の影
響でその螺旋構造かほどけ、第６図（ａ）に示すように
液晶分子１８がスメクティｙり層法線１７から千〇だけ
傾いたドメインと、逆方向に−６だけ傾いたドメインと
が混在するようになる。これに電圧を印加すると、第６
図（ｂ）に示すように自発分極の向きか揃った、すなわ
ち分子配向か一定の状啓であるドメインか得ろれる。ま
ｆニこれに電圧を逆印加すると、第６図（ｃ）に示すよ
うに分子配向が第６図（ｂ）とは逆方向の一定の状態で
あるドメインか得られる。このように電圧の印加および
逆印加に伴い複屈折が変化するので、偏光板を用いて液
晶表示装置を形成することができる。
この液晶表示装置では、第６図（ｄ）でしめすように電
界を切っても、界面の配向規制力によって電界を切る前
のその分子配向か維持され、高い記憶効果を得ろことか
可能である。高いデユーティ−のマルチプレックス駆動
表示を行う場合、上記の記憶効果か非常に有効である。
界を切っても、界面の配向規制力によって電界を切る前
のその分子配向か維持され、高い記憶効果を得ろことか
可能である。高いデユーティ−のマルチプレックス駆動
表示を行う場合、上記の記憶効果か非常に有効である。
このような電界を切っｆ二後も分子配向が維持される記
憶効果を傾き角−θと一θとの２状態で得るｆこめには
、上下透光性基板での配向規制力の差を少なくし、液晶
分子の配向非対称性を小さくして÷θ傾いたドメインと
一〇傾いたドメインとか混在するようにしなければなら
ない。
憶効果を傾き角−θと一θとの２状態で得るｆこめには
、上下透光性基板での配向規制力の差を少なくし、液晶
分子の配向非対称性を小さくして÷θ傾いたドメインと
一〇傾いたドメインとか混在するようにしなければなら
ない。
典型的な先行技術を第７図を参照して説明する。
一対の透光性基板２１．２２の対向する表面にマトリク
ス電極構造をなすストライブ状に線状透明電極２３．２
４か設置され、その上に絶縁膜２５゜２６を介して配向
膜２７２８か形成される。透光性基板２１．２２の間に
ｊよ強誘電性液晶２９が充填され、透光性基板２１．２
２の外方向側表面には偏光板３０．３１か設置され、強
誘電性液晶表示装置３２か構成される。
ス電極構造をなすストライブ状に線状透明電極２３．２
４か設置され、その上に絶縁膜２５゜２６を介して配向
膜２７２８か形成される。透光性基板２１．２２の間に
ｊよ強誘電性液晶２９が充填され、透光性基板２１．２
２の外方向側表面には偏光板３０．３１か設置され、強
誘電性液晶表示装置３２か構成される。
この液晶表示装置では、＋θおよび一〇の２状態の記憶
効果を得ろＬめに、液晶分子の配向の非対称性が小ざく
なっている。
効果を得ろＬめに、液晶分子の配向の非対称性が小ざく
なっている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
このような先行技術の液晶表示装置て：よ、線状透明電
極２３及び２４の並設方向の交叉部（絵素部）以外の領
域（非絵素部）では電圧が印加されず、また配向の非対
称性が小さいため、前述のｉθ傾いたドメインと一〇傾
いたドメインとが混在している。このために第８図に示
すように液晶表示装置の表示画面の非絵素部３５では光
か通ると明るい領域と暗い領域（斜線を付して示す）と
か混在し、表示画面がざらついているように見えて、い
わゆる均一な抜けが得られず、表示品位が下がるという
問題点があった。
極２３及び２４の並設方向の交叉部（絵素部）以外の領
域（非絵素部）では電圧が印加されず、また配向の非対
称性が小さいため、前述のｉθ傾いたドメインと一〇傾
いたドメインとが混在している。このために第８図に示
すように液晶表示装置の表示画面の非絵素部３５では光
か通ると明るい領域と暗い領域（斜線を付して示す）と
か混在し、表示画面がざらついているように見えて、い
わゆる均一な抜けが得られず、表示品位が下がるという
問題点があった。
また、このような先行技術の液晶表示装置を駆動する場
合、電圧は線状透明電極の一端部から印加される。この
とき線状透明電極の電気抵抗が大きいと、線状透明電極
の他端部においては電圧が大幅に減衰してしまう。その
結果、液晶層に印加される電圧か不均一となり、液晶表
示装置の表示特性が不均一になるという問題点がある。
合、電圧は線状透明電極の一端部から印加される。この
とき線状透明電極の電気抵抗が大きいと、線状透明電極
の他端部においては電圧が大幅に減衰してしまう。その
結果、液晶層に印加される電圧か不均一となり、液晶表
示装置の表示特性が不均一になるという問題点がある。
この問題点を解決するために、線状透明電極より電気抵
抗の小さい金属等の低抵抗導電膜を線状透明電極に接触
させて線状透明電極の長手方向に沿って配設し、電極の
電気抵抗を小さくするなどの方法が採られている（特開
平２−６３０１９号公報）。また、先行技術の強誘電液
晶素子においては画素内のメモリ状態の反転という問題
点も存在する。これは、例えば第６図（ｄ）の様な状態
に電界を印加して第６図（ｂ）のようにスイッチングさ
せたあと、電界てしまうという現象である。この現象は
強誘電性液晶の自発分極によって生じる逆電場のために
生ずると説明されているが［吉日、他；第１３回液晶討
論会予稿集、２ Ｚ １５ （１９８７） ］より詳細
な検討により、電極のエツジ部分からこのようなメモリ
の反転が生じやすいことが調べられており（特開平１−
１７９９１５号公報）、この反転の防止対策としても金
属配線が有効であることが報告されている（特開平１−
１７９９１５号公報、特開平１−２８０１２４号公報、
特開平２−６３１９号公報など）。この場合、金属等を
線状透明電極上に配設すると線状透明電極の透明部分が
狭くなり、表示装置の実質開口率が落ちるという問題が
あり、また開口率を落とさないように非表示部にも金属
等を配設すると隣接する線状透明電極と接触しやすくな
り、選択電極以外の線状透明電極にも電圧が印加される
可能性が大きくなり、表示品位が下がるという問題があ
った。
抗の小さい金属等の低抵抗導電膜を線状透明電極に接触
させて線状透明電極の長手方向に沿って配設し、電極の
電気抵抗を小さくするなどの方法が採られている（特開
平２−６３０１９号公報）。また、先行技術の強誘電液
晶素子においては画素内のメモリ状態の反転という問題
点も存在する。これは、例えば第６図（ｄ）の様な状態
に電界を印加して第６図（ｂ）のようにスイッチングさ
せたあと、電界てしまうという現象である。この現象は
強誘電性液晶の自発分極によって生じる逆電場のために
生ずると説明されているが［吉日、他；第１３回液晶討
論会予稿集、２ Ｚ １５ （１９８７） ］より詳細
な検討により、電極のエツジ部分からこのようなメモリ
の反転が生じやすいことが調べられており（特開平１−
１７９９１５号公報）、この反転の防止対策としても金
属配線が有効であることが報告されている（特開平１−
１７９９１５号公報、特開平１−２８０１２４号公報、
特開平２−６３１９号公報など）。この場合、金属等を
線状透明電極上に配設すると線状透明電極の透明部分が
狭くなり、表示装置の実質開口率が落ちるという問題が
あり、また開口率を落とさないように非表示部にも金属
等を配設すると隣接する線状透明電極と接触しやすくな
り、選択電極以外の線状透明電極にも電圧が印加される
可能性が大きくなり、表示品位が下がるという問題があ
った。
この発明の目的は、上述の問題点を解決し、非絵素部に
明るい領域と暗い領域との混在がなく均れる電圧に減衰
かなく表示特性つく均一で表示品位が格段に向上される
液晶表示装置を提供することである。
明るい領域と暗い領域との混在がなく均れる電圧に減衰
かなく表示特性つく均一で表示品位が格段に向上される
液晶表示装置を提供することである。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明によれば、各々多数の線状透明電極を並設しか
つこれらの電極形成面を配向膜で被覆してなる一対の液
晶用透光性基板を、線状透明電極の並設方向が交叉する
ように対向配置してこの間に液晶組成物を介在せしめて
なり、上記液晶用透光性基板の少なくとも一方の基板に
おける各線状透明電極の間の領域が当該領域を設定する
一方の線状透明電極には電気的に接続されるか、他方の
線状透明電極には絶縁膜を介して絶縁されｆコ非透光性
低抵抗導電膜で被覆遮光されてなる液晶表示装置が提供
される。
つこれらの電極形成面を配向膜で被覆してなる一対の液
晶用透光性基板を、線状透明電極の並設方向が交叉する
ように対向配置してこの間に液晶組成物を介在せしめて
なり、上記液晶用透光性基板の少なくとも一方の基板に
おける各線状透明電極の間の領域が当該領域を設定する
一方の線状透明電極には電気的に接続されるか、他方の
線状透明電極には絶縁膜を介して絶縁されｆコ非透光性
低抵抗導電膜で被覆遮光されてなる液晶表示装置が提供
される。
この発明においては、透光性基板上に互いに平行な線状
透明電極の多数が形成される。
透明電極の多数が形成される。
この透光性基板は、例えばガラス等から作製して用いる
ことができる。上記線状透明電極は、液晶を介して並設
方向が交叉するように配置されるもう１つの基板上の線
状透明電極と共に液晶に対して交叉部で電圧を印加する
１ニめのものであって、例えば透光性基板上に透明導電
膜を形成し、こわを所定のパターンにエツチングして作
製することができる。透明導電膜は、例えばＩＴ○膜（
ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）、Ｉｎｔｏｓ、Ｓｎ
Ｏ，等を用い、通常００５〜０．３μｍの膜厚にして用
いること力＼てきる。
ことができる。上記線状透明電極は、液晶を介して並設
方向が交叉するように配置されるもう１つの基板上の線
状透明電極と共に液晶に対して交叉部で電圧を印加する
１ニめのものであって、例えば透光性基板上に透明導電
膜を形成し、こわを所定のパターンにエツチングして作
製することができる。透明導電膜は、例えばＩＴ○膜（
ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）、Ｉｎｔｏｓ、Ｓｎ
Ｏ，等を用い、通常００５〜０．３μｍの膜厚にして用
いること力＼てきる。
上記パターンは、公知の方法によって上記透明導電膜を
エツチングし、通常幅１〜５００μｍの線状とすること
かできる。まに、上記線状透明電極は、互いに平行に多
数形成され、その間隔を、通常１〜１００μｍとするの
か好ましい。
エツチングし、通常幅１〜５００μｍの線状とすること
かできる。まに、上記線状透明電極は、互いに平行に多
数形成され、その間隔を、通常１〜１００μｍとするの
か好ましい。
この発明においては、それぞれの線状透明電極の間の領
域を設定する１方の線状透明電極、）端部上に長手方向
にのびる絶縁膜か形成される。この絶縁膜は、この上に
形成５れる非透光性低抵抗導電膜によって隣り合う線状
透明電極間に短絡が起こらないように線状透明電極を絶
縁する１こめのらのであって、例えば透光性基板の線状
透明電極形成面に絶縁膜を形成し、所定パターンにエツ
チングして形成することができる。この絶縁膜：よ、例
えばスパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成されｆ二Ｔ
ａ ２０ ｓ膜、ＡＩｔＯ３膜、ＺｎＯ膜、Ｙ２Ｏ３膜
、ＳｉＯ２膜又はＳｉＮ工膜等を用いろことができる。
域を設定する１方の線状透明電極、）端部上に長手方向
にのびる絶縁膜か形成される。この絶縁膜は、この上に
形成５れる非透光性低抵抗導電膜によって隣り合う線状
透明電極間に短絡が起こらないように線状透明電極を絶
縁する１こめのらのであって、例えば透光性基板の線状
透明電極形成面に絶縁膜を形成し、所定パターンにエツ
チングして形成することができる。この絶縁膜：よ、例
えばスパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成されｆ二Ｔ
ａ ２０ ｓ膜、ＡＩｔＯ３膜、ＺｎＯ膜、Ｙ２Ｏ３膜
、ＳｉＯ２膜又はＳｉＮ工膜等を用いろことができる。
上記パターンは、絶縁膜か線状透明電極の１つの端部上
に長手方向にのびるパターンであり、その端部の端面と
上面をカバーして積層され１ニパターンが適している。
に長手方向にのびるパターンであり、その端部の端面と
上面をカバーして積層され１ニパターンが適している。
この発明においては、他方の透明電極には電気的に接続
されるが、絶縁膜を介して線状透明電極間の絶縁を維持
しながら線状透明電極間を被覆遮光する非透光性低抵抗
導電膜が形成される。この非透光性低抵抗導電膜は、線
状透明電極にその長さ方向に対して電圧降下を起こすこ
となく電圧を印加すると共に線状透明電極間の領域を非
透光性にするためのものであって、非透光性を有しかつ
１０−５〜１０−７Ω・ａｍ以下の抵抗率を有するもの
がよく、例えば上記絶縁膜を宵する線状透明電極の多数
が形成された透光性基板の絶縁膜形成面に、モリブデン
膜、アルミニウム膜又はチタン膜等の膜を積層し、所定
のパターンにエツチングして形成することかできる。こ
の膜厚：よ、通常１００〜１００００人、好ましくは１
０００人〜２０００人である。この膜の成形は、例えば
スパッタ法、真空蒸着法等によって行うことかできる。
されるが、絶縁膜を介して線状透明電極間の絶縁を維持
しながら線状透明電極間を被覆遮光する非透光性低抵抗
導電膜が形成される。この非透光性低抵抗導電膜は、線
状透明電極にその長さ方向に対して電圧降下を起こすこ
となく電圧を印加すると共に線状透明電極間の領域を非
透光性にするためのものであって、非透光性を有しかつ
１０−５〜１０−７Ω・ａｍ以下の抵抗率を有するもの
がよく、例えば上記絶縁膜を宵する線状透明電極の多数
が形成された透光性基板の絶縁膜形成面に、モリブデン
膜、アルミニウム膜又はチタン膜等の膜を積層し、所定
のパターンにエツチングして形成することかできる。こ
の膜厚：よ、通常１００〜１００００人、好ましくは１
０００人〜２０００人である。この膜の成形は、例えば
スパッタ法、真空蒸着法等によって行うことかできる。
上記パターンは、各線状透明電極の間の領域が、当該領
域を設定する一方の線状透明電極には電気的に接続され
るか、他方の線状透明電極には絶縁膜を介して絶縁を維
持しながら被覆して実質的に非透光性になるパターンと
される。
域を設定する一方の線状透明電極には電気的に接続され
るか、他方の線状透明電極には絶縁膜を介して絶縁を維
持しながら被覆して実質的に非透光性になるパターンと
される。
この発明においては、非透光性低抵抗導電膜形成面上に
必要に応して絶縁層を介在させ配向膜を積層して液晶用
透光性基板が構成される。
必要に応して絶縁層を介在させ配向膜を積層して液晶用
透光性基板が構成される。
この発明においては、並設されに線状透明電極の多数と
これらの上に必要に応して絶縁膜を介して配向膜とか形
成されてなる１対の基板のうち少なくとも上記液晶用基
板の１つを用い、それぞれの線状透明電極の並設方向か
互いに交叉するように対向配置してこの間に液晶組成物
を介在ｄしめて液晶表示装置が構成される。
これらの上に必要に応して絶縁膜を介して配向膜とか形
成されてなる１対の基板のうち少なくとも上記液晶用基
板の１つを用い、それぞれの線状透明電極の並設方向か
互いに交叉するように対向配置してこの間に液晶組成物
を介在ｄしめて液晶表示装置が構成される。
（ホ）作用
非透光性低抵抗導電膜を線状透明電極間の領域を設定す
る線状透明電極の一方に電気的に接触し、もう一方とは
絶縁膜を介して接触しないように非絵素部を完全に覆う
ように形成することにより、絵素領域以外の部分を遮光
し表示を揃えることができ、さらに電極に印加される電
圧の減衰は小さくなり、液晶層に印加される電圧は均一
となる。
る線状透明電極の一方に電気的に接触し、もう一方とは
絶縁膜を介して接触しないように非絵素部を完全に覆う
ように形成することにより、絵素領域以外の部分を遮光
し表示を揃えることができ、さらに電極に印加される電
圧の減衰は小さくなり、液晶層に印加される電圧は均一
となる。
（へ）実施例
実施例１
第１図は、この発明の実施例で作製しｆ二強誘電性液晶
表示装置の説明図である。第１図において強誘電性液晶
表示装置１は、ガラスの透光性基板２．３を有し、その
間には強誘電性液晶４が充填されている。透光性基板２
．３の対向する表面には、マトリクス構造を形成するス
トライブ状に線状透明電極５．６が設置され、非透光性
低抵抗導電膜（モリブデン膜）９．１０か隣接する線状
透明電極の一方に接触し、他方とは接触しないように絶
縁膜７．８を介して電極間を完全に遮光するように形成
５ｒ、ている。そして、その上にざらに絶縁膜１１．１
２および配向＠１３．１４かこの順に形成されている。
表示装置の説明図である。第１図において強誘電性液晶
表示装置１は、ガラスの透光性基板２．３を有し、その
間には強誘電性液晶４が充填されている。透光性基板２
．３の対向する表面には、マトリクス構造を形成するス
トライブ状に線状透明電極５．６が設置され、非透光性
低抵抗導電膜（モリブデン膜）９．１０か隣接する線状
透明電極の一方に接触し、他方とは接触しないように絶
縁膜７．８を介して電極間を完全に遮光するように形成
５ｒ、ている。そして、その上にざらに絶縁膜１１．１
２および配向＠１３．１４かこの順に形成されている。
透光性基板２．３の外方向側表面には偏光板１５．１６
が直交ニコルとなるように設置さこている。
が直交ニコルとなるように設置さこている。
各透光性基板２．３には、絶縁膜７．８としてＴ ａ
ｔ Ｏ５が、また非透光性低抵抗導電膜９．ｌＯとして
モリブデンがそれぞれスパッタ法を用いて蒸着された後
に図に示すような形状にエツチングにより形成されてい
る。
ｔ Ｏ５が、また非透光性低抵抗導電膜９．ｌＯとして
モリブデンがそれぞれスパッタ法を用いて蒸着された後
に図に示すような形状にエツチングにより形成されてい
る。
第３図は、上記実施例の液晶表示装置において透光性基
板２．３に絶縁膜７，８および非透光性低抵抗導電膜９
．】０を形成する行程を示しに製造行程図である。まず
、第３図（ａ）に示すようにストライブ状に線状透明電
極５を形成し１ニ透光性基板２上にＴ２ＬｔＯｓの絶縁
＠７をスパッタ法を用いて２０００人の膜厚に形成する
。次に第３図（ｂ）に示すようにフォトレノスト３７を
塗布し、９０９Ｃで仮焼成し、同図に示す形状のフォト
マスク３８を用い高圧水銀灯で露光し、現像を行つ１こ
後、１２０°Ｃて本焼成し第３図（ｃ）のようにフォト
レジストパターン３７′を形成する。続いて第３図（ｄ
）に示すようにガスとしてＣＦ、を用いるプラズマエツ
チングにより、隣接する線状透明電極の一端部だけを覆
うようにその他の部分のＴａｘｅｓの絶縁膜７を剥離し
、０．によるアッシングを行い、Ｎ＋ＬＯＨの２％水溶
液で、レジストを剥離する。
板２．３に絶縁膜７，８および非透光性低抵抗導電膜９
．】０を形成する行程を示しに製造行程図である。まず
、第３図（ａ）に示すようにストライブ状に線状透明電
極５を形成し１ニ透光性基板２上にＴ２ＬｔＯｓの絶縁
＠７をスパッタ法を用いて２０００人の膜厚に形成する
。次に第３図（ｂ）に示すようにフォトレノスト３７を
塗布し、９０９Ｃで仮焼成し、同図に示す形状のフォト
マスク３８を用い高圧水銀灯で露光し、現像を行つ１こ
後、１２０°Ｃて本焼成し第３図（ｃ）のようにフォト
レジストパターン３７′を形成する。続いて第３図（ｄ
）に示すようにガスとしてＣＦ、を用いるプラズマエツ
チングにより、隣接する線状透明電極の一端部だけを覆
うようにその他の部分のＴａｘｅｓの絶縁膜７を剥離し
、０．によるアッシングを行い、Ｎ＋ＬＯＨの２％水溶
液で、レジストを剥離する。
続いて第３図（ｅ）に示すようにモリブデン膜９をスペ
ッタ法を用いて形成し、同図に示す形状のフォトマスク
３９を用い第３図（ｂ ）、（ｃ ）と同様な行程で第
３図（ｆ）のようにフォトレジストパターン３７ａ’を
形成する。続いて第３図（ｇ）に示すようにＨ，ＰＯ，
とＨＮＯ３の５：ｌ混合液の２５％水溶液を用いて３分
間エツチングを行い、隣接する線状透明電極の一方に接
触し線状透明電極の間を完全に遮光するようにその他の
部分のモリブデン低抵抗導電膜９を剥離し、ＮａＯＨの
２％水溶液で、レジストを剥離する。
ッタ法を用いて形成し、同図に示す形状のフォトマスク
３９を用い第３図（ｂ ）、（ｃ ）と同様な行程で第
３図（ｆ）のようにフォトレジストパターン３７ａ’を
形成する。続いて第３図（ｇ）に示すようにＨ，ＰＯ，
とＨＮＯ３の５：ｌ混合液の２５％水溶液を用いて３分
間エツチングを行い、隣接する線状透明電極の一方に接
触し線状透明電極の間を完全に遮光するようにその他の
部分のモリブデン低抵抗導電膜９を剥離し、ＮａＯＨの
２％水溶液で、レジストを剥離する。
第３図には示していないが、その上に５ｉｆｔ（商品名
、東京応化社製、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−ＩＩ）をスピン
ナー塗布し、焼成して絶縁膜１１を形成する。そしてさ
らにその上にナイロン６（東し社製）の１％メタクレゾ
ール溶液をスピンナー塗布し、焼成して配向膜１３を形
成する。
、東京応化社製、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−ＩＩ）をスピン
ナー塗布し、焼成して絶縁膜１１を形成する。そしてさ
らにその上にナイロン６（東し社製）の１％メタクレゾ
ール溶液をスピンナー塗布し、焼成して配向膜１３を形
成する。
このようにして形成した透光性基板２の配向膜１３と第
３図と同様の処理を施した透光性基板３の配向膜１４と
に、パラレルあるいはアンチパラレルとなるようにラヒ
ングを施し、セル厚２．０μｍになるようにセル化し、
強誘電性液晶を注入、封止して２枚の偏光子１５．１６
を外方向側表面に設置して第１図に示す液晶表示装置を
形成する。
３図と同様の処理を施した透光性基板３の配向膜１４と
に、パラレルあるいはアンチパラレルとなるようにラヒ
ングを施し、セル厚２．０μｍになるようにセル化し、
強誘電性液晶を注入、封止して２枚の偏光子１５．１６
を外方向側表面に設置して第１図に示す液晶表示装置を
形成する。
この液晶表示装置：よ、線状透明電極２．３より電気抵
抗の小さいモリブデン膜を線状透明電極の長手方向に沿
って形成したことによって、線状透明電極２．３の一端
部から印加される電圧の他端部における減衰がおこらず
、画面全体でマトリクス電極の絵素部では良好な双安定
メモリーが得られ、非絵素部ではモリブデン膜により完
全に遮光されているため均一な抜けを得ることかできｆ
二。
抗の小さいモリブデン膜を線状透明電極の長手方向に沿
って形成したことによって、線状透明電極２．３の一端
部から印加される電圧の他端部における減衰がおこらず
、画面全体でマトリクス電極の絵素部では良好な双安定
メモリーが得られ、非絵素部ではモリブデン膜により完
全に遮光されているため均一な抜けを得ることかできｆ
二。
本実施例では絶縁膜としてＴ ａ ｔ Ｏｓの代わりに
、Ａ ｌ ２０３、ＺｎＯ１Ｙ、０３．５１０７、Ｓｉ
Ｎｘ等を用いても同様な結果か得られ、まに非透光性低
抵抗導電膜としてモリブデンの代わりにアルミニューム
、チタン等を用いても同様ζ結果か得られｆコ。
、Ａ ｌ ２０３、ＺｎＯ１Ｙ、０３．５１０７、Ｓｉ
Ｎｘ等を用いても同様な結果か得られ、まに非透光性低
抵抗導電膜としてモリブデンの代わりにアルミニューム
、チタン等を用いても同様ζ結果か得られｆコ。
線状透明電極と非透光性低抵抗導電膜の間に形成する絶
縁膜は、線状透明電極と非透光性低抵抗導電膜の接触を
防ぐために少なくとも１００ＯＡ以上となるように厚く
形成することか望ましい。
縁膜は、線状透明電極と非透光性低抵抗導電膜の接触を
防ぐために少なくとも１００ＯＡ以上となるように厚く
形成することか望ましい。
実施例２
第２図は、この実施例で作製しＬ強誘電性液晶表示装置
の説明図である。第２図において強誘電性液晶表示装置
１は、ガラスの透光性基板２．３を有し、その間には強
誘電性液晶４か充填されている。透光性基板２．３の対
向する表面には、マトリクス構造を形成するストライプ
状に線状透明電極５．６か設置され、非透光性低抵抗導
電膜９゜１０が隣接する線状透明電極の一方に接触し、
他方とは接触しないように絶縁膜７．８を介して電極間
を完全に遮光するように形成されている。そして、その
上にさらに絶縁膜１１．１２および配向膜１３．１４か
この順に形成されている。透光性基板２．３の外方向側
表面には偏光板１５１６か直交ニコルとなるように設置
されている。
の説明図である。第２図において強誘電性液晶表示装置
１は、ガラスの透光性基板２．３を有し、その間には強
誘電性液晶４か充填されている。透光性基板２．３の対
向する表面には、マトリクス構造を形成するストライプ
状に線状透明電極５．６か設置され、非透光性低抵抗導
電膜９゜１０が隣接する線状透明電極の一方に接触し、
他方とは接触しないように絶縁膜７．８を介して電極間
を完全に遮光するように形成されている。そして、その
上にさらに絶縁膜１１．１２および配向膜１３．１４か
この順に形成されている。透光性基板２．３の外方向側
表面には偏光板１５１６か直交ニコルとなるように設置
されている。
各透光性基板２．３には、絶縁膜７．８としてＴａ、○
、が、まｌ’＋非透光透光性低抵抗導電膜９Ｏとしてモ
リブデンかそれぞれスパッタ法を用いて蒸着されｒこ後
に図に示す形状にエツチングにより形成されている。
、が、まｌ’＋非透光透光性低抵抗導電膜９Ｏとしてモ
リブデンかそれぞれスパッタ法を用いて蒸着されｒこ後
に図に示す形状にエツチングにより形成されている。
第４図は、上記実施例の液晶表示装置において透光性基
板２．３に絶縁膜７．８および低抵抗導電膜９．１０を
形成する行程を示した製造行程図である。に１こしこの
図では透光性基板２の場合のみを示す。まず、第４図（
ａ）に示すようにストライブ状に線状透明電極５を形成
した透光性基板２上にＴａｔＯｓの絶縁＠７をスパッタ
法を用いて２０００ 人の膜厚に形成する。次に第４図
（ｂ）に示すようにフォトレジスト３７を塗布し、９０
℃で仮焼成し、同図に示す形状のフォトマスク４０を用
い高圧水銀灯で露光し、現像を行っ１こ後、１２０℃で
本焼成し第４図（ｃ）のようにフォトレノストパターン
３７°を形成する。続いて第４図（ｄ）に示すようにガ
スとしてＣＦ、を用いるプラズマエツチングにより、隣
接する線状透明電極の一端部だけを露出するようにＴａ
ｔＯｓの絶縁膜７を剥離し、０２によるアッシングを行
いＮａＯＨの２％水溶液で、レノストを剥離する。続い
て第４図（ｅ）に示すようにモリブデンをスパッタ法を
用いて形成し、同図に示す形状のフォトマスク３９を用
い第４図（ｂ）、（ｃ）と同様な行程で第４図（ｆ）の
ようにフォトレジストパターン３７ａ’を形成する。続
いて第４図（ｇ）に示すように８３ＰＯ。
板２．３に絶縁膜７．８および低抵抗導電膜９．１０を
形成する行程を示した製造行程図である。に１こしこの
図では透光性基板２の場合のみを示す。まず、第４図（
ａ）に示すようにストライブ状に線状透明電極５を形成
した透光性基板２上にＴａｔＯｓの絶縁＠７をスパッタ
法を用いて２０００ 人の膜厚に形成する。次に第４図
（ｂ）に示すようにフォトレジスト３７を塗布し、９０
℃で仮焼成し、同図に示す形状のフォトマスク４０を用
い高圧水銀灯で露光し、現像を行っ１こ後、１２０℃で
本焼成し第４図（ｃ）のようにフォトレノストパターン
３７°を形成する。続いて第４図（ｄ）に示すようにガ
スとしてＣＦ、を用いるプラズマエツチングにより、隣
接する線状透明電極の一端部だけを露出するようにＴａ
ｔＯｓの絶縁膜７を剥離し、０２によるアッシングを行
いＮａＯＨの２％水溶液で、レノストを剥離する。続い
て第４図（ｅ）に示すようにモリブデンをスパッタ法を
用いて形成し、同図に示す形状のフォトマスク３９を用
い第４図（ｂ）、（ｃ）と同様な行程で第４図（ｆ）の
ようにフォトレジストパターン３７ａ’を形成する。続
いて第４図（ｇ）に示すように８３ＰＯ。
とＨＮＯ３の５＝１混合液の２５％水溶液を用いて３分
間エツチングを行い、隣接する線状透明電極の一方に接
触し線状透明電極の間を完全に遮光するようにその他の
部分のモリブデン低抵抗導電膜９を剥離し、Ｎ ａ Ｏ
Ｈの２％水溶液で、レノストを剥離する。
間エツチングを行い、隣接する線状透明電極の一方に接
触し線状透明電極の間を完全に遮光するようにその他の
部分のモリブデン低抵抗導電膜９を剥離し、Ｎ ａ Ｏ
Ｈの２％水溶液で、レノストを剥離する。
第４図には示していないが、その上に５ｉｆｔ（商品名
、東京応化社製、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−Ｉｆ）をスピン
ナー塗布し、焼成して絶縁膜１１を形成する。そしてさ
らにその上にナイロン６（東し社製）の１％メタクレゾ
ール溶液をスピンナー塗布し、焼成して配向膜１３を形
成する。
、東京応化社製、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−Ｉｆ）をスピン
ナー塗布し、焼成して絶縁膜１１を形成する。そしてさ
らにその上にナイロン６（東し社製）の１％メタクレゾ
ール溶液をスピンナー塗布し、焼成して配向膜１３を形
成する。
このようにして形成しに透光性基板２の配向膜１３と第
４図と同様の処理を施した透光性基板３の配向膜１４と
に、パラレルあるいはアンチパラレルとなるようにラビ
ングを施し、セル！Ｅ２．Ｏμｍになるようにセル化し
、強誘電性液晶を注入、封止して２枚の偏光子１５．１
６を外方向側表面に設置して第２図に示す液晶表示装置
を形成する。
４図と同様の処理を施した透光性基板３の配向膜１４と
に、パラレルあるいはアンチパラレルとなるようにラビ
ングを施し、セル！Ｅ２．Ｏμｍになるようにセル化し
、強誘電性液晶を注入、封止して２枚の偏光子１５．１
６を外方向側表面に設置して第２図に示す液晶表示装置
を形成する。
この液晶表示装置は、線状透明電極２．３より電気抵抗
の小さいモリブデン膜を線状透明電極の長平方向に沿っ
て形成したことによって、透明電極２．３の一端部から
印加される電圧の他端部における減衰がおこらず、画面
全体でマトリクス電極の絵素部では良好な双安定メモリ
ーが得られ、非絵素部ではモリブデン膜により完全に遮
光されているため均一な抜けを得ることができた。本実
施例では絶縁膜としてＴａｔＯｓの代わりにＡＩ。
の小さいモリブデン膜を線状透明電極の長平方向に沿っ
て形成したことによって、透明電極２．３の一端部から
印加される電圧の他端部における減衰がおこらず、画面
全体でマトリクス電極の絵素部では良好な双安定メモリ
ーが得られ、非絵素部ではモリブデン膜により完全に遮
光されているため均一な抜けを得ることができた。本実
施例では絶縁膜としてＴａｔＯｓの代わりにＡＩ。
０３、Ｚｎ０ＳＹｔＯｓ、Ｓｉｎ、、ＳｉＮｘ等を用い
ても同様な結果が得られ、また低抵抗導電膜としてモリ
ブデンの代わりにアルミニューム、チタン等を用いても
同様な結果が得られに。
ても同様な結果が得られ、また低抵抗導電膜としてモリ
ブデンの代わりにアルミニューム、チタン等を用いても
同様な結果が得られに。
線状透明電極と非透光性低抵抗導電膜の間に形成する絶
縁膜は、線状透明電極と非透光性低抵抗導電膜の接触を
防ぐために少なくとも１０００Å以上となるように厚く
形成することが望ましい。
縁膜は、線状透明電極と非透光性低抵抗導電膜の接触を
防ぐために少なくとも１０００Å以上となるように厚く
形成することが望ましい。
（ト）発明の効果
以上のように本発明によれば、線状透明電極に印加され
る電圧に減衰がなく、非絵素部を完全に遮光して、画面
全体で絵素部では均一で双安定な記憶効果を得、非絵素
部では明るい領域と暗い領域との混在かな（均一な明暗
表示を得ることができる。
る電圧に減衰がなく、非絵素部を完全に遮光して、画面
全体で絵素部では均一で双安定な記憶効果を得、非絵素
部では明るい領域と暗い領域との混在かな（均一な明暗
表示を得ることができる。
第１図及び第２図は、この発明の実施例で作製した液晶
表示装置の説明図、第３図及び第４図は、同じく液晶表
示装置において非透光性低抵抗導電膜の形成までを示す
製造行程図、第５図は、同じく液晶表示装置の絵素部お
よび非絵素部の表示状態を示す説明図、第６図は、強誘
電性液晶の動作を示す説明図、第７図は、従来技術の液
晶表示装置の説明図、第８図は、同じく絵素部と非絵素
部の表示状態を示す説明図である。 １・・・・・・強誘電性液晶表示装置、２．３・・・・
・・透光性基板、４・・・・・・強誘電性液晶、５．６
・・・・・・線状透明電極、７．８・・・・・・絶縁膜
、１１．１２・・・・・・絶縁膜、 ９．１０・・・・・・非透光性低抵抗導電膜（モリブデ
ン膜）、 １３．１４・・・・・・配向膜、１５．１６・・・・・
・偏光板、１７・・・・・・スメクティック層法線、１
８・・・・・・液晶分子、 ３３・・・・・・自発
分極、３４・・・・・・電界、 ３５・・・・
・・非絵素部、３６・・・・・・絵素部、 ３７’ 、３７ａ’・・・・・・フォトレジストパター
ン、３８．３９．４０・・・・・・フォトマスク。 ｌｉ ２ 図 １１ＷＪ 第 図 第４ 震 笥 拠 （ｂ） （Ｃ） 第 図
表示装置の説明図、第３図及び第４図は、同じく液晶表
示装置において非透光性低抵抗導電膜の形成までを示す
製造行程図、第５図は、同じく液晶表示装置の絵素部お
よび非絵素部の表示状態を示す説明図、第６図は、強誘
電性液晶の動作を示す説明図、第７図は、従来技術の液
晶表示装置の説明図、第８図は、同じく絵素部と非絵素
部の表示状態を示す説明図である。 １・・・・・・強誘電性液晶表示装置、２．３・・・・
・・透光性基板、４・・・・・・強誘電性液晶、５．６
・・・・・・線状透明電極、７．８・・・・・・絶縁膜
、１１．１２・・・・・・絶縁膜、 ９．１０・・・・・・非透光性低抵抗導電膜（モリブデ
ン膜）、 １３．１４・・・・・・配向膜、１５．１６・・・・・
・偏光板、１７・・・・・・スメクティック層法線、１
８・・・・・・液晶分子、 ３３・・・・・・自発
分極、３４・・・・・・電界、 ３５・・・・
・・非絵素部、３６・・・・・・絵素部、 ３７’ 、３７ａ’・・・・・・フォトレジストパター
ン、３８．３９．４０・・・・・・フォトマスク。 ｌｉ ２ 図 １１ＷＪ 第 図 第４ 震 笥 拠 （ｂ） （Ｃ） 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、各々多数の線状透明電極を並設しかつこれらの電極
形成面を配向膜で被覆してなる一対の液晶用透光性基板
を、線状透明電極の並設方向が交叉するように対向配置
してこの間に液晶組成物を介在せしめてなり、 上記液晶用透光性基板の少なくとも一方の基板における
各線状透明電極の間の領域が当該領域を設定する一方の
線状透明電極には電気的に接続されるが、他方の線状透
明電極には絶縁膜を介して絶縁された非透光性低抵抗導
電膜で被覆遮光されてなる液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237451A JPH04116620A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 液晶表示装置 |
| KR1019910015344A KR920006787A (ko) | 1990-09-07 | 1991-09-03 | 액정표시 장치 |
| US07/755,109 US5227899A (en) | 1990-09-07 | 1991-09-05 | Liquid crystal display device with low resistance film separated from one of two adjacent electrodes by an insulating film |
| DE69117398T DE69117398T2 (de) | 1990-09-07 | 1991-09-06 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| EP91308173A EP0474507B1 (en) | 1990-09-07 | 1991-09-06 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237451A JPH04116620A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116620A true JPH04116620A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17015540
Family Applications (1)
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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