JP3119935B2 - 表示装置の駆動方法 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等の、静
電表示装置、特にアクティブマトリクスを有する表示装
置に関する。
電表示装置、特にアクティブマトリクスを有する表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレー駆動のためのア
クティブマトリクスがさかんに研究され、また、実用化
されている。アクティブ素子としては、画素に１つの導
電型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用したものが提
案されている。このようなアクティブマトリクス回路
は、図２（Ａ）に示すような画素電極と対向電極の間に
液晶をはさんだコンデンサーを多数形成し、それぞれの
ＴＦＴによって、このコンデンサーに出入りする電荷を
制御するものであった。画像を安定に表示する為には、
このコンデンサーの両極の電圧が一定に保たれることが
要求されていたが、いくつかの理由によって困難があっ
た。
クティブマトリクスがさかんに研究され、また、実用化
されている。アクティブ素子としては、画素に１つの導
電型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用したものが提
案されている。このようなアクティブマトリクス回路
は、図２（Ａ）に示すような画素電極と対向電極の間に
液晶をはさんだコンデンサーを多数形成し、それぞれの
ＴＦＴによって、このコンデンサーに出入りする電荷を
制御するものであった。画像を安定に表示する為には、
このコンデンサーの両極の電圧が一定に保たれることが
要求されていたが、いくつかの理由によって困難があっ
た。
【０００３】その理由の１つは、ＴＦＴのゲイト電極と
画素電極との寄生容量によってゲイト信号が画素電位と
容量結合し、電圧が変動する現象（ΔＶ）であった。す
なわち、ΔＶは、ゲイトパルス（信号電圧）をＶG 、画
素容量をＣLC（並列に挿入される補助容量等を含む）、
ゲイト電極と画素電極の寄生容量をＣ1 としたときに
は、 ΔＶ＝Ｃ1 ＶG ／（ＣLC＋Ｃ1 ） で表され、Ｃ1 がＣLCに比べて大きければΔＶがはなは
だしく大きくなり、図２（Ｂ）に示すように、液晶に印
加される電圧ＶLCが交流化によって非対称となり、フリ
ッカーや液晶材料の劣化をもたらした。
画素電極との寄生容量によってゲイト信号が画素電位と
容量結合し、電圧が変動する現象（ΔＶ）であった。す
なわち、ΔＶは、ゲイトパルス（信号電圧）をＶG 、画
素容量をＣLC（並列に挿入される補助容量等を含む）、
ゲイト電極と画素電極の寄生容量をＣ1 としたときに
は、 ΔＶ＝Ｃ1 ＶG ／（ＣLC＋Ｃ1 ） で表され、Ｃ1 がＣLCに比べて大きければΔＶがはなは
だしく大きくなり、図２（Ｂ）に示すように、液晶に印
加される電圧ＶLCが交流化によって非対称となり、フリ
ッカーや液晶材料の劣化をもたらした。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来は、このようなΔ
Ｖを除去するために、図２（Ｃ）に示すように、あらか
じめデータ信号ＶD をΔＶだけ高く設定して、結果的に
ＶLCを対称とすることが提案されている。しかし、この
場合にはデータが正のときと負のときで、ゲイト電極と
ソース／ドレイン間の電位差が異なり、駆動能力に違い
が生じてしまうという問題があった。すなわち、図２
（Ｃ）の例では、データが負の場合には、ゲイト電極と
ソースおよびドレインとの電位差は、データが正の場合
のものよりも大きく、したがって、データが正のときと
負のときで画素の充電の状況が異なり、結果的に液晶に
かかる電圧が非対称なままであるという欠点を有してい
た。
Ｖを除去するために、図２（Ｃ）に示すように、あらか
じめデータ信号ＶD をΔＶだけ高く設定して、結果的に
ＶLCを対称とすることが提案されている。しかし、この
場合にはデータが正のときと負のときで、ゲイト電極と
ソース／ドレイン間の電位差が異なり、駆動能力に違い
が生じてしまうという問題があった。すなわち、図２
（Ｃ）の例では、データが負の場合には、ゲイト電極と
ソースおよびドレインとの電位差は、データが正の場合
のものよりも大きく、したがって、データが正のときと
負のときで画素の充電の状況が異なり、結果的に液晶に
かかる電圧が非対称なままであるという欠点を有してい
た。
【０００５】
【問題を解決するための手段】そもそもΔＶは、ＴＦＴ
のＯＮ／ＯＦＦの動作において、ゲイト電極にのみパル
スが印加されるから生じるものである。もし、ＴＦＴの
他の電極にも適切な電圧の変動が施されれば、ゲイトパ
ルスの画素電極に対する寄与は打ち消されてしまう。ド
レイン側（データ─側）の電位は変動させることができ
ないが、ソース側（画素電極側）の電位は変動させるこ
とが可能である。本発明人はこのことに気付き、画素電
極の対向電極の電位をゲイトパルスに同期させて入力す
ることによって、ΔＶをキャンセルできることに気がつ
いた。
のＯＮ／ＯＦＦの動作において、ゲイト電極にのみパル
スが印加されるから生じるものである。もし、ＴＦＴの
他の電極にも適切な電圧の変動が施されれば、ゲイトパ
ルスの画素電極に対する寄与は打ち消されてしまう。ド
レイン側（データ─側）の電位は変動させることができ
ないが、ソース側（画素電極側）の電位は変動させるこ
とが可能である。本発明人はこのことに気付き、画素電
極の対向電極の電位をゲイトパルスに同期させて入力す
ることによって、ΔＶをキャンセルできることに気がつ
いた。
【０００６】すなわち、ゲイト電極と画素電極間の寄生
容量をＣ1 、画素電極の容量をＣLCとし、平常状態（非
選択状態）の画素の対向電極の電位をＶ0 、ゲイト電極
のパルスの波高をＶG 、ゲイト電極にパルスが切れると
きの対向電極の電位をＶS としたときには、画素電極の
データ側の電位の変動ΔＶは、 ΔＶ ＝ −（Ｃ1 ＶG ＋ＣLC（ＶS −Ｖ0 ）／（Ｃ1 ＋ＣLC） となる。もし、ＶS ＝Ｖ0 であれば、これは従来と同じ
で、データ信号をΔＶだけ下げることとなる。しかし、
ＶS −Ｖ0 ＝−Ｃ1 Ｖ1 ／ＣLCという条件が満たされれ
ばΔＶは０となる。例えば、Ｃ1 ＝ＣLCならば、ＶS −
Ｖ0 ＝Ｖ1 とすればΔＶは、互いに打ち消しあって０で
ある。このように、本発明はΔＶに対抗する電圧上昇を
つくり出し、これによってΔＶを打ち消すという意味で
積極的な方法である。
容量をＣ1 、画素電極の容量をＣLCとし、平常状態（非
選択状態）の画素の対向電極の電位をＶ0 、ゲイト電極
のパルスの波高をＶG 、ゲイト電極にパルスが切れると
きの対向電極の電位をＶS としたときには、画素電極の
データ側の電位の変動ΔＶは、 ΔＶ ＝ −（Ｃ1 ＶG ＋ＣLC（ＶS −Ｖ0 ）／（Ｃ1 ＋ＣLC） となる。もし、ＶS ＝Ｖ0 であれば、これは従来と同じ
で、データ信号をΔＶだけ下げることとなる。しかし、
ＶS −Ｖ0 ＝−Ｃ1 Ｖ1 ／ＣLCという条件が満たされれ
ばΔＶは０となる。例えば、Ｃ1 ＝ＣLCならば、ＶS −
Ｖ0 ＝Ｖ1 とすればΔＶは、互いに打ち消しあって０で
ある。このように、本発明はΔＶに対抗する電圧上昇を
つくり出し、これによってΔＶを打ち消すという意味で
積極的な方法である。
【０００７】さらに本発明人の考察によれば、ゲイトパ
ルスと対向電極のパルスは正確に同期しなくとも、ゲイ
トパルスが切れた後に、第２の配線のパルスが切れるよ
うに設計してあれば、一時的に画素電極の電位が変動す
ることはあっても、同期した場合と同じ効果が得られる
ことがわかった。パルスの開始時に関しては、ゲイトパ
ルスの方が速くても遅くてもよい。なぜならば、ΔＶは
ゲイトパルスのＯＦＦ時に生じるからである。
ルスと対向電極のパルスは正確に同期しなくとも、ゲイ
トパルスが切れた後に、第２の配線のパルスが切れるよ
うに設計してあれば、一時的に画素電極の電位が変動す
ることはあっても、同期した場合と同じ効果が得られる
ことがわかった。パルスの開始時に関しては、ゲイトパ
ルスの方が速くても遅くてもよい。なぜならば、ΔＶは
ゲイトパルスのＯＦＦ時に生じるからである。
【０００８】上記のようにゲイトパルスに同期して対向
電極にパルスを送るには、従来のような一様な電極は適
さない。すなわち、ゲイト電極に平行にストライプ状に
配線を有する対向電極が形成されることが望まれる。こ
れは、例えば、ストライプ状の透明導電膜でもよいが、
配線抵抗を下げるという目的からは、アルミニウムのよ
うな低抵抗の金属配線を形成し、それに透明電極を接続
するという構成の方が望ましい。いずれにしてもこれら
の配線・電極の終端はドライバーに接続され、ゲイトパ
ルスと同期した信号が送られる。
電極にパルスを送るには、従来のような一様な電極は適
さない。すなわち、ゲイト電極に平行にストライプ状に
配線を有する対向電極が形成されることが望まれる。こ
れは、例えば、ストライプ状の透明導電膜でもよいが、
配線抵抗を下げるという目的からは、アルミニウムのよ
うな低抵抗の金属配線を形成し、それに透明電極を接続
するという構成の方が望ましい。いずれにしてもこれら
の配線・電極の終端はドライバーに接続され、ゲイトパ
ルスと同期した信号が送られる。
【０００９】また、このことは少々のＴＦＴの寄生容量
はそれが設計事項として盛り込めれば何ら問題がないと
いうことを意味する。従来の方法（図２）では、当該画
素を駆動するゲイト線に画素電極を重ねるなどというこ
とは、寄生容量を著しく増加させるということで禁じ手
とされてきたが、本発明は従来の因習を打ち破る画期的
なものである。このことは後で詳細に説明するように、
開口率を向上させるうえで理想的なものである。という
のも、従来はゲイト電極・配線と画素電極の寄生容量が
問題となっていたので、画素電極はできるだけＴＦＴや
ゲイト配線から離れるように形成され、結果的に有効に
活用されない面積がかなりあったからである。特に１画
素に割り当てられる面積が小さくなった場合には、開口
率が低下してゆく傾向がある。
はそれが設計事項として盛り込めれば何ら問題がないと
いうことを意味する。従来の方法（図２）では、当該画
素を駆動するゲイト線に画素電極を重ねるなどというこ
とは、寄生容量を著しく増加させるということで禁じ手
とされてきたが、本発明は従来の因習を打ち破る画期的
なものである。このことは後で詳細に説明するように、
開口率を向上させるうえで理想的なものである。という
のも、従来はゲイト電極・配線と画素電極の寄生容量が
問題となっていたので、画素電極はできるだけＴＦＴや
ゲイト配線から離れるように形成され、結果的に有効に
活用されない面積がかなりあったからである。特に１画
素に割り当てられる面積が小さくなった場合には、開口
率が低下してゆく傾向がある。
【００１０】もし、画素電極が非常に小さな場合を考え
ると、画素の容量自体は極めて小さなものとなる。一
方、ＴＦＴのサイズを小さくすることは技術的に困難で
あるので、寄生容量は変わらないであろう。その場合に
は、Ｖ1 とＶS −Ｖ0 の比率を制御することによって最
小のΔＶを得ることが出来る。例えば、Ｃ1 ：ＣLC＝
１：２の場合にはＶ1 ：ＶS −Ｖ0 ＝２：−１とすれば
よい。
ると、画素の容量自体は極めて小さなものとなる。一
方、ＴＦＴのサイズを小さくすることは技術的に困難で
あるので、寄生容量は変わらないであろう。その場合に
は、Ｖ1 とＶS −Ｖ0 の比率を制御することによって最
小のΔＶを得ることが出来る。例えば、Ｃ1 ：ＣLC＝
１：２の場合にはＶ1 ：ＶS −Ｖ0 ＝２：−１とすれば
よい。
【００１１】例えば、セルフアライン方式を採用できな
いアモルファスシリコンＴＦＴ等では、寄生容量はかな
り大きくなるが、そのばらつきはかなりの精度で制御で
きる。例えば、１０％以内とできる。これをＣ1 とし、
一方、対向電極の容量も精度よく、例えばＣ1 の５倍に
形成することも出来る。従来の方法では、ΔＶ＝（０．
１７±０．０１７）Ｖ1 である。しかし、本発明を適用
して、Ｖ2 ＝−０．２Ｖ1 とすれば、ΔＶ＝±０．０１
７Ｖ1 である。すなわち、ΔＶのばらつきは本発明を適
用してもしなくても変わらないが、ΔＶの大きさそのも
のは１０分の１以下（平均的には０）に削減することが
できた。
いアモルファスシリコンＴＦＴ等では、寄生容量はかな
り大きくなるが、そのばらつきはかなりの精度で制御で
きる。例えば、１０％以内とできる。これをＣ1 とし、
一方、対向電極の容量も精度よく、例えばＣ1 の５倍に
形成することも出来る。従来の方法では、ΔＶ＝（０．
１７±０．０１７）Ｖ1 である。しかし、本発明を適用
して、Ｖ2 ＝−０．２Ｖ1 とすれば、ΔＶ＝±０．０１
７Ｖ1 である。すなわち、ΔＶのばらつきは本発明を適
用してもしなくても変わらないが、ΔＶの大きさそのも
のは１０分の１以下（平均的には０）に削減することが
できた。
【００１２】以上の説明では、対向電極に印加する信号
はゲイトパルスと逆極性であることが必要とされるが、
このことは、ゲイトパルスが正であれば対向電極の信号
が負であることをのみ意味するのではない。すなわち、
本発明では、対向電極に印加される最適な信号の波高
は、非選択時の対向電極の電位に−Ｃ1 Ｖ1 ／Ｃ2 だけ
の電位を加えたものである。つまり、本発明では逆の極
性とは、ゲイトパルスの電位の遷移する方向と逆の方向
に向かうことを意味している。したがって、例えば、非
選択時のゲイトと対向電極の電位がそれぞれ、０Ｖ、１
０Ｖで、選択時のゲイト線の電位が８Ｖになれば、対向
電極の電位は１０Ｖ以下になることは要求されるが、負
になることは必ずしも要求されない。
はゲイトパルスと逆極性であることが必要とされるが、
このことは、ゲイトパルスが正であれば対向電極の信号
が負であることをのみ意味するのではない。すなわち、
本発明では、対向電極に印加される最適な信号の波高
は、非選択時の対向電極の電位に−Ｃ1 Ｖ1 ／Ｃ2 だけ
の電位を加えたものである。つまり、本発明では逆の極
性とは、ゲイトパルスの電位の遷移する方向と逆の方向
に向かうことを意味している。したがって、例えば、非
選択時のゲイトと対向電極の電位がそれぞれ、０Ｖ、１
０Ｖで、選択時のゲイト線の電位が８Ｖになれば、対向
電極の電位は１０Ｖ以下になることは要求されるが、負
になることは必ずしも要求されない。
【００１３】本発明を実施するための回路の構成は図１
の（Ａ）に示したようにできる。ここで、Ｃ1 は、ゲイ
ト線と画素電極間に寄生的あるいは意図的に形成された
容量であり、ＣLCは画素容量である。
の（Ａ）に示したようにできる。ここで、Ｃ1 は、ゲイ
ト線と画素電極間に寄生的あるいは意図的に形成された
容量であり、ＣLCは画素容量である。
【００１４】一方、従来の方法では、図２（Ａ）に示さ
れるように、対向電極は全ての箇所で一定の電位に保持
されるように構成されていたが、本発明ではこれをゲイ
ト線に平行にストライプ状に形成して、Ｘn ’、
Ｘn+1 ’とし、それぞれ独立に駆動できるようにする。
れるように、対向電極は全ての箇所で一定の電位に保持
されるように構成されていたが、本発明ではこれをゲイ
ト線に平行にストライプ状に形成して、Ｘn ’、
Ｘn+1 ’とし、それぞれ独立に駆動できるようにする。
【００１５】このような回路の動作は図１（Ｂ）に示さ
れる。画素（ＴＦＴ）を駆動する目的でゲイト線に印加
されるパルスとΔＶをキャンセルする目的で画素の対向
電極に印加されるパルスに時間的なずれがある場合に
は、一時的に電圧が変動するが、ただちに本来の状態に
復帰する。したがって、このような電圧の変動が画像に
与える影響は極めて軽微であり、視覚的には判別しえな
いものである。
れる。画素（ＴＦＴ）を駆動する目的でゲイト線に印加
されるパルスとΔＶをキャンセルする目的で画素の対向
電極に印加されるパルスに時間的なずれがある場合に
は、一時的に電圧が変動するが、ただちに本来の状態に
復帰する。したがって、このような電圧の変動が画像に
与える影響は極めて軽微であり、視覚的には判別しえな
いものである。
【００１６】
【実施例】図１（Ｃ）に本実施例で作製した回路の上面
から見た概略図を示す。この回路は図１（Ａ）に示すも
のと同じで、その動作は図１（Ｂ）に示される方法によ
っておこなえばよい。
から見た概略図を示す。この回路は図１（Ａ）に示すも
のと同じで、その動作は図１（Ｂ）に示される方法によ
っておこなえばよい。
【００１７】図において、１０１はゲイト線である。ま
た、１０２はデータ線である。また、１０４は画素電極
であり、１０３は逆スタガー型のアモルファスシリコン
ＴＦＴである。このアモルファスシリコンＴＦＴはセル
フアライン法を採用しないで形成し、結果として、ソー
スやドレインとゲイト電極は大きく重なるように設計さ
れている。この幾何学的な重なりとそのばらつきは予め
設計事項として盛り込まれているものである。これらの
配線と素子、電極は第１の基板上に形成される。一方、
それと対抗する第２の基板上には図の斜線部分（１０
５）で示したようなストライプ状の透明導電膜が複数
個、ゲイト線に平行に形成されている。このストライプ
状の電極は、第１の基板の画素電極１０４との間に容量
を形成する。
た、１０２はデータ線である。また、１０４は画素電極
であり、１０３は逆スタガー型のアモルファスシリコン
ＴＦＴである。このアモルファスシリコンＴＦＴはセル
フアライン法を採用しないで形成し、結果として、ソー
スやドレインとゲイト電極は大きく重なるように設計さ
れている。この幾何学的な重なりとそのばらつきは予め
設計事項として盛り込まれているものである。これらの
配線と素子、電極は第１の基板上に形成される。一方、
それと対抗する第２の基板上には図の斜線部分（１０
５）で示したようなストライプ状の透明導電膜が複数
個、ゲイト線に平行に形成されている。このストライプ
状の電極は、第１の基板の画素電極１０４との間に容量
を形成する。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によって、ΔＶを
キャンセルすることができた。このような積極的な方法
によってΔＶの効果を取り除くことは従来にはなく、そ
の意味で画期的な発明であると言える。実施例の記述
は、アモルファスシリコンＴＦＴで良く使用される逆ス
タガー型のＴＦＴに関するものであったが、ポリシリコ
ンＴＦＴでよく使用されるプレーナー型のＴＦＴであっ
ても同じ効果が得られることは明らかである。
キャンセルすることができた。このような積極的な方法
によってΔＶの効果を取り除くことは従来にはなく、そ
の意味で画期的な発明であると言える。実施例の記述
は、アモルファスシリコンＴＦＴで良く使用される逆ス
タガー型のＴＦＴに関するものであったが、ポリシリコ
ンＴＦＴでよく使用されるプレーナー型のＴＦＴであっ
ても同じ効果が得られることは明らかである。
【００１９】さらに、本発明では、アクティブマトリク
スの具体的な動作方法については記述しなかったが、従
来のアナログ階調方式以外に、本発明人らの発明である
デジタル階調方式（例えば、特願平３−１６３８７３に
記述される）によって階調表示をおこなうことも何ら差
し障りがあるわけではない。
スの具体的な動作方法については記述しなかったが、従
来のアナログ階調方式以外に、本発明人らの発明である
デジタル階調方式（例えば、特願平３−１６３８７３に
記述される）によって階調表示をおこなうことも何ら差
し障りがあるわけではない。
【図１】 本発明のアクティブマトリクスの回路配置図
および回路図ならびに駆動例を示す。
および回路図ならびに駆動例を示す。
【図２】 従来のアクティブマトリクスの回路図ならび
に駆動例を示す。
に駆動例を示す。
【符号の説明】 １０１ ゲイト線 １０２ データ線 １０３ ＴＦＴ １０４ 画素電極 １０５ 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−5324（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−123427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−43622（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−79024（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−53031（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−150823（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−265937（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−359226（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−120514（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−82228（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−90218（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/133 550 G02F 1/1343 G02F 1/1368 G09G 3/36
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の画素を有し、前記画素ごとに少な
くとも1つの薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トラン
ジスタのゲイト電極はゲイト線に、ソースはデータ線
に、ドレインは画素電極にそれぞれ接続されているアク
ティブマトリクス型の第１の基板と、前記第１の基板のゲイト線に平行な 複数のストライプ状
の電極を有する第２の基板と、 を有する表示装置の駆動方法であって、 前記 第１の基板上のゲイト線にパルスが印加されると、
当該ゲイト線に対応するストライプ状の電極には、当該
ゲイト線に印加されているパルスとは逆相のパルスが印
加されることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 【請求項２】 複数の画素を有し、前記画素ごとに少な
くとも1つの薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トラン
ジスタのゲイト電極はゲイト線に、ソースはデータ線
に、ドレインは画素電極にそれぞれ接続されているアク
ティブマトリクス型の第１の基板と、 前記第１の基板のゲイト線に平行な複数のストライプ状
の電極を有する第２の基板と、 を有する表示装置の駆動方法であって、 前記第１の基板上のゲイト線にパルスを印加し、前記パ
ルスが切れるときに、当該ゲイト線に対応するストライ
プ状の電極の電位が、前記パルスとは逆相の電位である
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 【請求項３】 前記複数のストライプ状の電極は、互い
に電気的に分離していることを特徴とする請求項1に記
載のアクティブマトリクス表示装置の駆動方法。 - 【請求項４】 前記画素電極と前記ストライプ状の電極
は、透明導電膜でなることを特徴とする請求項1乃至３
のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス表示装置
の駆動方法。を有する表示装置の駆動方法であって、 前記第１の基板上のゲイト線にパルスを印加し、前記パ
ルスが切れるとき、当該ゲイト線に対応するストライプ
状の電極の電位が、前記パルスとは逆相の電位で あるこ
とを特徴とする表示装置の駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13586492A JP3119935B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 表示装置の駆動方法 |
| US08/051,686 US5734453A (en) | 1992-04-28 | 1993-04-23 | Electro-optical device and method of driving the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13586492A JP3119935B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05307193A JPH05307193A (ja) | 1993-11-19 |
| JP3119935B2 true JP3119935B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=15161551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13586492A Expired - Lifetime JP3119935B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 表示装置の駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5734453A (ja) |
| JP (1) | JP3119935B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101838731B1 (ko) * | 2017-06-30 | 2018-03-14 | 박모란 | 구강치료를 받는 환자용 위생 커버 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3338281B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 液晶表示パネル |
| JPH09258169A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3618066B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2005-02-09 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2006119590A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697887A (en) * | 1984-04-28 | 1987-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR2571526B1 (fr) * | 1984-08-22 | 1991-02-08 | Canon Kk | Panneau d'affichage et son procede de commande |
| JPS61204681A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | キヤノン株式会社 | 液晶パネル |
| JPH03168617A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
| JPH04116620A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP13586492A patent/JP3119935B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-23 US US08/051,686 patent/US5734453A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101838731B1 (ko) * | 2017-06-30 | 2018-03-14 | 박모란 | 구강치료를 받는 환자용 위생 커버 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05307193A (ja) | 1993-11-19 |
| US5734453A (en) | 1998-03-31 |
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