JPS61204681A - 液晶パネル - Google Patents
液晶パネルInfo
- Publication number
- JPS61204681A JPS61204681A JP60043791A JP4379185A JPS61204681A JP S61204681 A JPS61204681 A JP S61204681A JP 60043791 A JP60043791 A JP 60043791A JP 4379185 A JP4379185 A JP 4379185A JP S61204681 A JPS61204681 A JP S61204681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- signal line
- display
- crystal panel
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3651—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using multistable liquid crystals, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、液晶素子、ＬＥＤ （発光ダイオード）素
子等の画像表示素子を用いた表示パネルに関するもので
あり、特に強誘電液晶素子を、アクティブマトリックス
構成により駆動する液晶パネルに関するものである。
子等の画像表示素子を用いた表示パネルに関するもので
あり、特に強誘電液晶素子を、アクティブマトリックス
構成により駆動する液晶パネルに関するものである。
［従来の技術］
最づ、本発明に係わる光学変調物質について述べる。
本発明の液晶パネルに用いる光学変調物質としては、加
えられる電界に応じて第１の光学的安定状態と第２の光
学的安定状態とのいずれかを取るすなわち電界に対す、
る双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有す
る液晶が用いられる。
えられる電界に応じて第１の光学的安定状態と第２の光
学的安定状態とのいずれかを取るすなわち電界に対す、
る双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有す
る液晶が用いられる。
このような双安定性を有する液晶としては、強誘電性を
有するカイラルスメクテイック液晶が最も好ましく、そ
のうちカイラルスメクテイツクＣ相（５ｆｆｉｃり又は
Ｈ相（ＳｍＨりの液晶が適している。この強誘電性液晶
については、「ラ ジャーナル ドウ フィジイク レ
タース″ （“ＬＥＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ Ｐ）ＩＹＳ
ＩＱＩＪＥ ＬＥＴＴＥＲＳ”） １９７５年基（Ｌ−
８９）、「フェロエレクトリック リキッドクリスタル
スＪ （Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ−ｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｓ） ；アプライド フィジックス レ
タース°′ （“Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔ、ｅｒｓ ” ） １９８０年３６（１１）号、
「サブマイクロセコンド ビステーブルエレクトロオプ
ティックスイツチング イン リキッド クリスタルス
Ｊ （Ｓｕｂｍｉｃｒ。
有するカイラルスメクテイック液晶が最も好ましく、そ
のうちカイラルスメクテイツクＣ相（５ｆｆｉｃり又は
Ｈ相（ＳｍＨりの液晶が適している。この強誘電性液晶
については、「ラ ジャーナル ドウ フィジイク レ
タース″ （“ＬＥＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ Ｐ）ＩＹＳ
ＩＱＩＪＥ ＬＥＴＴＥＲＳ”） １９７５年基（Ｌ−
８９）、「フェロエレクトリック リキッドクリスタル
スＪ （Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ−ｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｓ） ；アプライド フィジックス レ
タース°′ （“Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔ、ｅｒｓ ” ） １９８０年３６（１１）号、
「サブマイクロセコンド ビステーブルエレクトロオプ
ティックスイツチング イン リキッド クリスタルス
Ｊ （Ｓｕｂｍｉｃｒ。
５ｅｃｏｎｄ Ｂ１５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐ
ｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌｓ） ； “固体物理”１１３ （１４
１）１９８１、 ｒ液晶」等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。
ｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌｓ） ； “固体物理”１１３ （１４
１）１９８１、 ｒ液晶」等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノル２−メチルブチルシンナメートＣＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−ｐ′−’アミノ
ー２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣ：ＰＣ
）および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテ
ン−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８ ）等が挙げ
られる。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノル２−メチルブチルシンナメートＣＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−ｐ′−’アミノ
ー２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣ：ＰＣ
）および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテ
ン−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８ ）等が挙げ
られる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、５ｓ（ｊ相又はＳｍ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物が、５ｓ（ｊ相又はＳｍ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第２図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノ
テある。２４と２４′は、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２やビＯ
（ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極が
コートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２５がガラス面に垂直になるよう配向した５ｔａＣ
本相の液晶が封入されている。太線で示した線２６が液
晶分子を表わしており、この液晶分子２６は、その分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）２７を有し
ている。基板２４と２４′上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子２６のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（ＰＪＬ）２？はすべて電界方向
に向くよう、液晶分子２Ｂの配向方向を変えることがで
きる。液晶分子２６は細長い形状を有しており、その長
袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置
した偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くシた場合（例え
ばＩＩＬ）には、第３図に示すように電界を印加してい
ない状態でも液晶のらせん構造はほどけ、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は上向き（２７ａ）又は下向き（２
７ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第３
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ又はＥ
′を付与すると、双極子モーメント電界Ｅ又はＥ′は電
界ベクトルに対応して上向き２７ａ又は、下向き２７ｂ
′と向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定状
態２８かあるいは第２の安定状態２８′の何れか一方に
配向する。
テある。２４と２４′は、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２やビＯ
（ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極が
コートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２５がガラス面に垂直になるよう配向した５ｔａＣ
本相の液晶が封入されている。太線で示した線２６が液
晶分子を表わしており、この液晶分子２６は、その分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）２７を有し
ている。基板２４と２４′上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子２６のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（ＰＪＬ）２？はすべて電界方向
に向くよう、液晶分子２Ｂの配向方向を変えることがで
きる。液晶分子２６は細長い形状を有しており、その長
袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えば
ガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置
した偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くシた場合（例え
ばＩＩＬ）には、第３図に示すように電界を印加してい
ない状態でも液晶のらせん構造はほどけ、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は上向き（２７ａ）又は下向き（２
７ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第３
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅ又はＥ
′を付与すると、双極子モーメント電界Ｅ又はＥ′は電
界ベクトルに対応して上向き２７ａ又は、下向き２７ｂ
′と向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定状
態２８かあるいは第２の安定状態２８′の何れか一方に
配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態２８に配向
するが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状
態２８′に配向して、七の分子の向きを変えるが、やは
り電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電
界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態
にやはり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来
るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５１Ｌ〜２
０ＩＬ、特に１弘〜５ルが適している。この種の強誘電
性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気
光学装芒は１例えばクラークとラガバルにより、米国特
許第４３６７９２４号明細書で提案されている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態２８に配向
するが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状
態２８′に配向して、七の分子の向きを変えるが、やは
り電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電
界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態
にやはり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来
るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５１Ｌ〜２
０ＩＬ、特に１弘〜５ルが適している。この種の強誘電
性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気
光学装芒は１例えばクラークとラガバルにより、米国特
許第４３６７９２４号明細書で提案されている。
次に、実際に画像表示を行なう場合について以下に述べ
る。
る。
液晶ディスプレイ法の一つであるマトリクス形表示の原
理は、走査電極群と信号電極群をマドリスク状に構成し
、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を形成
して画像或いは情報の表示を行うものであるが、この方
式の場合、画像密度を高くしたり、あるいは画面を大き
くすると、走査電極、表示電極ともそれぞれ膨大な数が
必要になり、その結果液晶の応答速度が遅くなり、表示
画素以外の画素にも電圧が分配される、いわゆるクロス
トークによる弊害が生ずる。そこでこの点を改良するた
めに、電圧平均化駆動法、二周波駆動法、分割マトリク
ス方式、多重マトリクス方式等がすでに提案されている
が、いずれの方法においても１表示素子の大画面化およ
び高密度化に伴う、走査線数の増大に対応することは、
難しかった。そこで最近になってＦＥＴ （電界効果
トランジスタ）等のスイッチング素子を各画素ごとにマ
トリクス状に配列し、液晶を直接駆動するアクティブマ
トリクス表示（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ ）方式が考えられ、実用化されている。
理は、走査電極群と信号電極群をマドリスク状に構成し
、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を形成
して画像或いは情報の表示を行うものであるが、この方
式の場合、画像密度を高くしたり、あるいは画面を大き
くすると、走査電極、表示電極ともそれぞれ膨大な数が
必要になり、その結果液晶の応答速度が遅くなり、表示
画素以外の画素にも電圧が分配される、いわゆるクロス
トークによる弊害が生ずる。そこでこの点を改良するた
めに、電圧平均化駆動法、二周波駆動法、分割マトリク
ス方式、多重マトリクス方式等がすでに提案されている
が、いずれの方法においても１表示素子の大画面化およ
び高密度化に伴う、走査線数の増大に対応することは、
難しかった。そこで最近になってＦＥＴ （電界効果
トランジスタ）等のスイッチング素子を各画素ごとにマ
トリクス状に配列し、液晶を直接駆動するアクティブマ
トリクス表示（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ ）方式が考えられ、実用化されている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、前記アクティブマトリクス方式において
は、クロストークの問題は解決されるものの、従来の液
晶（ネマチック）素子を用いるものでは、表示の高速化
に限界があり、大画面表示にも繰返し周波数からの制約
があった。また、液晶素子として強誘電性液晶を用いた
場合には、前記ネマチック液晶における欠点は改善され
るものの、表示画像の高密度化に伴う回路構成の簡素化
という面においては、さらに改善の余地があった。本発
明はこのような従来の問題点を解決するためになされた
もので、アクティブマトリクスを用いた表示電極の回路
構成を改良することにより、信号線数の大幅な減少によ
る回路の簡素化を図ることを目的としている。
は、クロストークの問題は解決されるものの、従来の液
晶（ネマチック）素子を用いるものでは、表示の高速化
に限界があり、大画面表示にも繰返し周波数からの制約
があった。また、液晶素子として強誘電性液晶を用いた
場合には、前記ネマチック液晶における欠点は改善され
るものの、表示画像の高密度化に伴う回路構成の簡素化
という面においては、さらに改善の余地があった。本発
明はこのような従来の問題点を解決するためになされた
もので、アクティブマトリクスを用いた表示電極の回路
構成を改良することにより、信号線数の大幅な減少によ
る回路の簡素化を図ることを目的としている。
［手 段］
第１図は本発明の基本概念を示す回路構成図である。図
において明らかなように、マトリクス配線の各々の交差
点に対して、複数の電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴ
と略す）素子を或け、ゲート端子及びソースまたはドレ
インとして機能する第１の端子を、それぞれ共通の画像
信号線及び走査信号線■に接続し、ソースまたはドレイ
ンとして機能する第２の端子の各々に画素電極を接続し
、この画素電極に対応した数の複数の対向電極を形成し
たものである。さらに、走査信号を前記ＦＥＴ素子のソ
ースまたはドレインとして機能する第１の端子から導か
れる走査信号線■及びこの走査信号線と平行に配置した
複数の対向電極から導かれる走査信号線■に走査信号を
印加し、前記走査信号線■及び走査信号線■と直交する
ように配置した表示信号線に、表示信号を印加すること
によって表示パネルを駆動させるものである。
において明らかなように、マトリクス配線の各々の交差
点に対して、複数の電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴ
と略す）素子を或け、ゲート端子及びソースまたはドレ
インとして機能する第１の端子を、それぞれ共通の画像
信号線及び走査信号線■に接続し、ソースまたはドレイ
ンとして機能する第２の端子の各々に画素電極を接続し
、この画素電極に対応した数の複数の対向電極を形成し
たものである。さらに、走査信号を前記ＦＥＴ素子のソ
ースまたはドレインとして機能する第１の端子から導か
れる走査信号線■及びこの走査信号線と平行に配置した
複数の対向電極から導かれる走査信号線■に走査信号を
印加し、前記走査信号線■及び走査信号線■と直交する
ように配置した表示信号線に、表示信号を印加すること
によって表示パネルを駆動させるものである。
一般に、従来のマトリクスによる表示方法では、ｎ画素
の表示を行うには／Ｔ Ｘ ２本以上の引き出し線が必
要であるが、本発明においては、３汀×３本の引き出し
線で表示が可能となる。なお、３αが自然数で存在しな
い場合には引き出し線数を若干増す必要がある。
の表示を行うには／Ｔ Ｘ ２本以上の引き出し線が必
要であるが、本発明においては、３汀×３本の引き出し
線で表示が可能となる。なお、３αが自然数で存在しな
い場合には引き出し線数を若干増す必要がある。
［作 用］
本発明は、第１図の回路構成図において明らかなように
、三系統の信号線群のうち二つを走査信号線として、書
き込みラインの選択をすると共に、残った一系統の信号
線に、表示信号を入力することによって、画像表示を行
うものである。具体的には、駆動素子であるＦＥＴのゲ
ートがゲートオン状態となるように信号電圧を印加し、
それと同期させてＦＥＴのゲート以外の端子であるソー
ス端子及びドレイン端子の間に電界を形成させると共に
、その極性を変えることによって、電極間に挟持された
液晶の第一の配向状態と第二の配向状態の二つの表示状
態を制御するものである。したがって、本発明で用いら
れる強誘電性液晶としては、電界の極性に応じて第一の
光学的安定状態及び第二の光学的安定状態のいずれかを
取る物質、すなわち電界に対して双安定状態を有する物
質が用いられる。また、駆動素子であるＦＥＴにおいて
は、Ｐ型であってもＮ型であっても、ゲート以外の端子
のいずれがソースとして作用し、いずれがドレインとし
て作用するかは、電圧の印加の方向によって定まる。す
なわちＮ型では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では
電圧の高い方がソースとして作用する。なお各信号電極
における電圧レベルは各信号間の電位差を相対的に維持
するものであれば、以下に述べる実施例にとられれるこ
となく任意の値に設定することが出来る。
、三系統の信号線群のうち二つを走査信号線として、書
き込みラインの選択をすると共に、残った一系統の信号
線に、表示信号を入力することによって、画像表示を行
うものである。具体的には、駆動素子であるＦＥＴのゲ
ートがゲートオン状態となるように信号電圧を印加し、
それと同期させてＦＥＴのゲート以外の端子であるソー
ス端子及びドレイン端子の間に電界を形成させると共に
、その極性を変えることによって、電極間に挟持された
液晶の第一の配向状態と第二の配向状態の二つの表示状
態を制御するものである。したがって、本発明で用いら
れる強誘電性液晶としては、電界の極性に応じて第一の
光学的安定状態及び第二の光学的安定状態のいずれかを
取る物質、すなわち電界に対して双安定状態を有する物
質が用いられる。また、駆動素子であるＦＥＴにおいて
は、Ｐ型であってもＮ型であっても、ゲート以外の端子
のいずれがソースとして作用し、いずれがドレインとし
て作用するかは、電圧の印加の方向によって定まる。す
なわちＮ型では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では
電圧の高い方がソースとして作用する。なお各信号電極
における電圧レベルは各信号間の電位差を相対的に維持
するものであれば、以下に述べる実施例にとられれるこ
となく任意の値に設定することが出来る。
［実施例］
本発明の液晶表示装置を用いた画像表示の具体例を第１
図及び第４図〜第７図に基づいて説明する。
図及び第４図〜第７図に基づいて説明する。
第１図の回路構成において、駆動素子としてＮ型ＦＥＴ
好ましくはＴＰＴ （薄膜トランジスタ）、液晶素子
として強誘電性液晶を使用し、第５図に示した所定の表
示パターンを書き込むための、各々の電圧値は、以下の
条件を満足する所望の値に設定される。
好ましくはＴＰＴ （薄膜トランジスタ）、液晶素子
として強誘電性液晶を使用し、第５図に示した所定の表
示パターンを書き込むための、各々の電圧値は、以下の
条件を満足する所望の値に設定される。
［１１走査信号線■でｎ＝ａ、走査信号線■でｎ＝ｂ、
表示信号線でｎ＝ｃの位置に「明」を書き込む場合。
表示信号線でｎ＝ｃの位置に「明」を書き込む場合。
【２］走査線■でｎ＝ａ、走査線■でｎ＝ｂを選び表示
信号線１ζＣで「暗」を書き込む場合。
信号線１ζＣで「暗」を書き込む場合。
む
の
点
但し、各記号は下記事項を表わす。
Ｖ ＬＣ：強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖＰニアク
チイブマトリクスを構成しているＦＥＴのゲート閾値電
圧 ｖｓｎ：走査信号電圧■ ｖｃ、：走査信号電圧■ ＶＧ交：表示信号電圧 以上の各信号電圧の、位相ｔ１〜七〇における電気信号
波形を第６図に示す。第６図においては、それぞれ横軸
が時間を、縦軸が電圧を表わしている。この様な電気信
号が与えられた時の各画素への書き込み動作を第７図に
示す。第７図においては、横軸が時間を表わし、縦軸は
上側ＯＮ（暗）、下側、ＯＦＦ （明）の各表示状態
を表わす。
チイブマトリクスを構成しているＦＥＴのゲート閾値電
圧 ｖｓｎ：走査信号電圧■ ｖｃ、：走査信号電圧■ ＶＧ交：表示信号電圧 以上の各信号電圧の、位相ｔ１〜七〇における電気信号
波形を第６図に示す。第６図においては、それぞれ横軸
が時間を、縦軸が電圧を表わしている。この様な電気信
号が与えられた時の各画素への書き込み動作を第７図に
示す。第７図においては、横軸が時間を表わし、縦軸は
上側ＯＮ（暗）、下側、ＯＦＦ （明）の各表示状態
を表わす。
すなわち、各位相時間において、各々の画素が「暗」又
は「明」のいづれの状態にあるかを表わしている。なお
、図中ＱＮ−１は前回走査されたときの信号状態をその
まま保持しているものとする。
は「明」のいづれの状態にあるかを表わしている。なお
、図中ＱＮ−１は前回走査されたときの信号状態をその
まま保持しているものとする。
またｆＦｆ１７図における各画素の座標は、第４図によ
る。以上、位相ｔ１〜七８の各動作によって第５図に示
される所望の表示パターンが完成する。
る。以上、位相ｔ１〜七８の各動作によって第５図に示
される所望の表示パターンが完成する。
なお、本実施例では、第６図においてｖｐ＝、。
としたが、Ｖ ｐ ｋ、 Ｏであるならば、ＶＧ （
ゲート電圧）をＶｐ分だけシフトすればよい、又、実施
例において、強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＧを使用
した場合の具体的数値は、ＶＬＣ＝１〜２０（Ｖ）、使
用温度としては７５℃〜８５℃、一画素を書き込むのに
必要な時間は約５０１Ｌｓである。
ゲート電圧）をＶｐ分だけシフトすればよい、又、実施
例において、強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＧを使用
した場合の具体的数値は、ＶＬＣ＝１〜２０（Ｖ）、使
用温度としては７５℃〜８５℃、一画素を書き込むのに
必要な時間は約５０１Ｌｓである。
本発明による液晶表示パネルは、ＦＥＴによるアクティ
ブマトリクスであるため、従来のパッシブマトリクスに
よる画像表示にみられるクロストークの問題は生じない
様にする事ができる０例えば、一つのマトリクスの交差
点に共通に接続されたＦＥＴは、複数個同時にＯＮまた
はＯＦＦされるが、各ＦＥＴがＯＮ状態の時、選択さ−
れていない画素の対向極（走査信号線■）の電位を、走
査信号線■と同電位にすれば、選択されていない画素に
°は電圧は加わらない。すなわち、ＦＥＴがＯＮ状態の
時に、選択されない画素においては、走査信号線■と走
査信号線■の間に電位差が無いため、液晶層に電圧は加
わらない、一方、 ＦＥＴがＯＦＦ状態の時には、ＦＥ
Ｔが各々の画素に対して独立に設けられているので、各
々の画素の液晶層は走査信号線■の電圧にかかわらず電
圧は印加されない、したがって、選択された画素のみに
所定の電圧が印加されるため、クロストークは生じない
、上記実施例では、１つの画素電極に対して１つの対向
電極が対向するように構成されているが、これを１′つ
の′画素電極に対して複数の対向電極が対向・する□よ
うに構成しても良い。このようにすれば、表示画素数を
パネル上のＦＥＴ素子の数よりも多くする事ができる。
ブマトリクスであるため、従来のパッシブマトリクスに
よる画像表示にみられるクロストークの問題は生じない
様にする事ができる０例えば、一つのマトリクスの交差
点に共通に接続されたＦＥＴは、複数個同時にＯＮまた
はＯＦＦされるが、各ＦＥＴがＯＮ状態の時、選択さ−
れていない画素の対向極（走査信号線■）の電位を、走
査信号線■と同電位にすれば、選択されていない画素に
°は電圧は加わらない。すなわち、ＦＥＴがＯＮ状態の
時に、選択されない画素においては、走査信号線■と走
査信号線■の間に電位差が無いため、液晶層に電圧は加
わらない、一方、 ＦＥＴがＯＦＦ状態の時には、ＦＥ
Ｔが各々の画素に対して独立に設けられているので、各
々の画素の液晶層は走査信号線■の電圧にかかわらず電
圧は印加されない、したがって、選択された画素のみに
所定の電圧が印加されるため、クロストークは生じない
、上記実施例では、１つの画素電極に対して１つの対向
電極が対向するように構成されているが、これを１′つ
の′画素電極に対して複数の対向電極が対向・する□よ
うに構成しても良い。このようにすれば、表示画素数を
パネル上のＦＥＴ素子の数よりも多くする事ができる。
その場合、１つの画素電極に対応して形成される複数の
画素の間でＦＥＴ素子がＯＦＦ状態の時、クロストーク
を生じるが１．１つの画素電極に対応する画素の数が少
ない場合にはクロストークの大きさを上方小さくする基
が可能である。
画素の間でＦＥＴ素子がＯＦＦ状態の時、クロストーク
を生じるが１．１つの画素電極に対応する画素の数が少
ない場合にはクロストークの大きさを上方小さくする基
が可能である。
第８図は本発明において使用されるＴＥＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第９図はＴＥＴを用いた強誘電
性液晶セルの断面図、第１０図はＴＥＴ基板のモ面図、
第１１図は第１０図はＡ−Ａ ′線で切断した部分断面
図、第１２図は第１θ図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分
断面図であり、以とに示す各図はいずれも本発明の一実
施態様を示すものである。
Ｔの構成を示す断面図、第９図はＴＥＴを用いた強誘電
性液晶セルの断面図、第１０図はＴＥＴ基板のモ面図、
第１１図は第１０図はＡ−Ａ ′線で切断した部分断面
図、第１２図は第１θ図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分
断面図であり、以とに示す各図はいずれも本発明の一実
施態様を示すものである。
第９図は１本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの具
体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板１
４のトにゲート電極１８、絶縁膜１６、（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１０（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜ｌＯに接する２つ端子ｌと５
で構成したＴＥＴと、ＴＦＴの端子４と接続した画素電
極５（ＴＴＯ；Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
）が形成されている。
体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板１
４のトにゲート電極１８、絶縁膜１６、（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１０（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜ｌＯに接する２つ端子ｌと５
で構成したＴＥＴと、ＴＦＴの端子４と接続した画素電
極５（ＴＴＯ；Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層７（ポリイミド、ポリアミド、
ポリビニルアルコール、ボロパラキシレン、５ｉＯ１５
ｉ０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮蔽膜
２が設けられている。対向基板となる基板１４′の上に
は対向電極１５（ＩＴＯ）と絶縁ｒｆｉ１８が形成され
ている。
ポリビニルアルコール、ボロパラキシレン、５ｉＯ１５
ｉ０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮蔽膜
２が設けられている。対向基板となる基板１４′の上に
は対向電極１５（ＩＴＯ）と絶縁ｒｆｉ１８が形成され
ている。
この基板１４と１４′の間には、前述の強誘電性液晶１
７が挟持されている。又、この基板１４と１４’の周囲
部には強誘電性液晶１７を封止するためのシール材１９
が設けられている。
７が挟持されている。又、この基板１４と１４’の周囲
部には強誘電性液晶１７を封止するためのシール材１９
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１３と１３′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光重 によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１３′の背後に反射板１２（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１３と１３′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光重 によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１３′の背後に反射板１２（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［効 果］
以りの説明で明らかなように、本発明は従来の回路構成
に比べ、信号線数を著しく減らすことが出来る。したが
って回路の簡素化という点において大幅な改善が期待で
きる。
に比べ、信号線数を著しく減らすことが出来る。したが
って回路の簡素化という点において大幅な改善が期待で
きる。
第１図は本発明の基本概念を示す回路構成図、第２図及
び第３図は、本発明の方法に用いる強誘電性液晶を模式
的に表わす斜視図。第４図は対応画素の座標を示す説明
図、第５図は対応画素の表示パターン例を示す説明図、
第６図は走査電極及び表示電極に印加する電気信号波形
を表わす説明図、第７図は各画素への書き込み動作を表
わす説明図、第８図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示
す断面図、第９図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの
断面図、第１０図はＴＰＴ基板のモ面図、第１１図はＡ
−Ａ ′線部分断面図、第１２図はＢ−Ｂ ’部分断面
図である。 ｌ：ソース電極（ドレイン電極） ２；連番金属又は光吸収層 ３；ｎ＋層 ４；ドレイン電極（ソース電極） ５；画素電極 ６；第一の絶縁層 ７；第二の絶縁層 ８ 、 ＴＰＴの基板 ９；半導体直下の光遮蔽効果をもつゲート部１０；半導
体 １１；ゲート配線部の透明電極 １２；反射板 １３．１３’、偏光板 １４．１４′、ガラス、プラスチック等の透明基板１５
、対向電極 １８；絶縁膜 １７；強誘電性液晶層 １８、ゲート電極 １９；シール材 ２０；薄膜半導体 ２１；ゲート配線 ２２：パネル基板 ２３；光遮断効果を有するゲート部 ２４；２４’、透明電極がコートされた基板２５；液晶
分子層 ２６：液晶分子 ２７；双極子モーメント（Ｐｌ） ２７ａＨｈ向き双極子モーメント ２７ｂ；ド向き双極子モーメント ２８；第１の安定状態 ２８′；第２の安定状態
び第３図は、本発明の方法に用いる強誘電性液晶を模式
的に表わす斜視図。第４図は対応画素の座標を示す説明
図、第５図は対応画素の表示パターン例を示す説明図、
第６図は走査電極及び表示電極に印加する電気信号波形
を表わす説明図、第７図は各画素への書き込み動作を表
わす説明図、第８図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示
す断面図、第９図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの
断面図、第１０図はＴＰＴ基板のモ面図、第１１図はＡ
−Ａ ′線部分断面図、第１２図はＢ−Ｂ ’部分断面
図である。 ｌ：ソース電極（ドレイン電極） ２；連番金属又は光吸収層 ３；ｎ＋層 ４；ドレイン電極（ソース電極） ５；画素電極 ６；第一の絶縁層 ７；第二の絶縁層 ８ 、 ＴＰＴの基板 ９；半導体直下の光遮蔽効果をもつゲート部１０；半導
体 １１；ゲート配線部の透明電極 １２；反射板 １３．１３’、偏光板 １４．１４′、ガラス、プラスチック等の透明基板１５
、対向電極 １８；絶縁膜 １７；強誘電性液晶層 １８、ゲート電極 １９；シール材 ２０；薄膜半導体 ２１；ゲート配線 ２２：パネル基板 ２３；光遮断効果を有するゲート部 ２４；２４’、透明電極がコートされた基板２５；液晶
分子層 ２６：液晶分子 ２７；双極子モーメント（Ｐｌ） ２７ａＨｈ向き双極子モーメント ２７ｂ；ド向き双極子モーメント ２８；第１の安定状態 ２８′；第２の安定状態
Claims (3)
- （１）交差して配線した第１の信号線Ｓ＿１〜Ｓ＿ｎ−
Ｓ＿Ｎと、第２の信号線Ｇ＿１〜Ｇ＿ｌ〜Ｇ＿Ｌと、該
交差部に配置した電界効果トランジスタとを有し、該電
界効果トランジスタの第１の端子が第１の信号線に接続
され、該トランジスタのゲート端子が第２の信号線に接
続されているとともに、該トランジスタの第２の端子が
画素電極に接続され、該画素電極に対向して配置した対
向電極を有することを特徴とする液晶パネル。 - （２）前記電界効果トランジスタのソースまたはドレイ
ンとして機能する第１の端子に共通に結線された信号線
と、複数の対向電極から導かれる信号線を平行に配置し
、かつゲート端子を複数共通化して結線した信号線と直
交して配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の液晶パネル。 - （３）電界効果トランジスタが薄膜トランジスタである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶パネ
ル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043791A JPS61204681A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 液晶パネル |
| US06/833,539 US4770501A (en) | 1985-03-07 | 1986-02-27 | Optical modulation device and method of driving the same |
| FR868603143A FR2578670B1 (fr) | 1985-03-07 | 1986-03-06 | Dispositif et procede de modulation optique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043791A JPS61204681A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 液晶パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204681A true JPS61204681A (ja) | 1986-09-10 |
Family
ID=12673564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043791A Pending JPS61204681A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 液晶パネル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4770501A (ja) |
| JP (1) | JPS61204681A (ja) |
| FR (1) | FR2578670B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2571526B1 (fr) * | 1984-08-22 | 1991-02-08 | Canon Kk | Panneau d'affichage et son procede de commande |
| JPS63281134A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fuji Electric Co Ltd | アクティブマトリックス形表示パネル |
| GB2205191A (en) * | 1987-05-29 | 1988-11-30 | Philips Electronic Associated | Active matrix display system |
| JP2620240B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2581796B2 (ja) * | 1988-04-25 | 1997-02-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置及び液晶表示装置 |
| US5233447A (en) * | 1988-10-26 | 1993-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal apparatus and display system |
| DE69012353T2 (de) * | 1989-01-09 | 1995-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Ansteuerung. |
| JP2600929B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1997-04-16 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置およびその製造方法 |
| US5148301A (en) * | 1990-02-27 | 1992-09-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary |
| JP3119935B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2000-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の駆動方法 |
| JP2937129B2 (ja) * | 1996-08-30 | 1999-08-23 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US6489952B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type semiconductor display device |
| TW518532B (en) * | 2000-12-26 | 2003-01-21 | Hannstar Display Corp | Driving circuit of gate control line and method |
| US7301517B2 (en) * | 2002-05-10 | 2007-11-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Liquid-crystal display apparatus capable of reducing line crawling |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4204217A (en) * | 1976-10-18 | 1980-05-20 | Rca Corporation | Transistor using liquid crystal |
| US4448491A (en) * | 1979-08-08 | 1984-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| US4455576A (en) * | 1981-04-07 | 1984-06-19 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Picture display device |
| US4613209A (en) * | 1982-03-23 | 1986-09-23 | At&T Bell Laboratories | Smectic liquid crystals |
| JPH0629919B2 (ja) * | 1982-04-16 | 1994-04-20 | 株式会社日立製作所 | 液晶素子の駆動方法 |
| JPS59129837A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-26 | Canon Inc | 時分割電圧印加方法及び装置 |
| US4655561A (en) * | 1983-04-19 | 1987-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of driving optical modulation device using ferroelectric liquid crystal |
| GB2149176B (en) * | 1983-10-26 | 1988-07-13 | Stc Plc | Addressing liquid crystal displays |
| JPS617825A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS617829A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS619625A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS614026A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS60262137A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS60262136A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| US4556727A (en) * | 1984-07-18 | 1985-12-03 | University Patents, Inc. | Ferroelectric smectic liquid crystals |
-
1985
- 1985-03-07 JP JP60043791A patent/JPS61204681A/ja active Pending
-
1986
- 1986-02-27 US US06/833,539 patent/US4770501A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-06 FR FR868603143A patent/FR2578670B1/fr not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2578670B1 (fr) | 1993-08-06 |
| FR2578670A1 (fr) | 1986-09-12 |
| US4770501A (en) | 1988-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4973135A (en) | Active matrix display panel having plural stripe-shaped counter electrodes and method of driving the same | |
| US4747671A (en) | Ferroelectric optical modulation device and driving method therefor wherein electrode has delaying function | |
| JPS61204681A (ja) | 液晶パネル | |
| JPS60262133A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614021A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60230121A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS61170726A (ja) | 液晶セル | |
| JPH028814A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS6152681A (ja) | 表示パネル及びその駆動法 | |
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS61243429A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS62134691A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS619623A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614026A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS6155685A (ja) | 表示パネル及びその駆動法 | |
| JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS61143788A (ja) | アクテイブマトリクス方式における液晶表示パネル | |
| JPS6155686A (ja) | 表示パネル及びその駆動法 | |
| JPH0452923B2 (ja) | ||
| JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262135A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614023A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0453294B2 (ja) | ||
| JPS614029A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0452924B2 (ja) |