JPS614023A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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- JPS614023A JPS614023A JP59124513A JP12451384A JPS614023A JP S614023 A JPS614023 A JP S614023A JP 59124513 A JP59124513 A JP 59124513A JP 12451384 A JP12451384 A JP 12451384A JP S614023 A JPS614023 A JP S614023A
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- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 Ｉ
ＴＩ、 Ｎｏ、４（１８７１，２，１５） 、 Ｐ、
１２７〜＋２８ （７）”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎ
ｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ＄ （ｔｗｉｓ
ｔｅｄ ｎｅＩｌａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであ
り、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をも
つ、ネマチック液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構
造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分
子が互いに並行に配列した構造を形成している。一方、
電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネマチック液
晶が電界方向に配列し、この結果光調変調を起すことが
できる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 Ｉ
ＴＩ、 Ｎｏ、４（１８７１，２，１５） 、 Ｐ、
１２７〜＋２８ （７）”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎ
ｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ
ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ＄ （ｔｗｉｓ
ｔｅｄ ｎｅＩｌａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであ
り、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をも
つ、ネマチック液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構
造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分
子が互いに並行に配列した構造を形成している。一方、
電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネマチック液
晶が電界方向に配列し、この結果光調変調を起すことが
できる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、７トリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択さ ゛れ、信号電極が選択されな
い領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択
される領域（所謂゛半選択点″）にも有限の電界がかか
つてしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる
電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列
させるに要する電圧闇値がこの中間の電圧値に設定され
るならば、表示素子は正常に動作するわけである。しか
し、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行っ
た場合、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの
選４起点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比
）は、Ｉ／Ｈの割合で減少してしまう。このために、く
り返し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実
効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小
さくなり、結果的には画像コントラストの低丁やクロス
トークが避は難い欠点となっている。このような現象は
、双安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子
が水平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効
に印加されている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄
積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）
ときに生ＩＺる本質的には避は難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多
重マトリクス法等が既に提案Ｘれているが、いずれの方
法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は
、走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちにな
っているのが現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、７トリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択さ ゛れ、信号電極が選択されな
い領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択
される領域（所謂゛半選択点″）にも有限の電界がかか
つてしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる
電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列
させるに要する電圧闇値がこの中間の電圧値に設定され
るならば、表示素子は正常に動作するわけである。しか
し、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行っ
た場合、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの
選４起点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比
）は、Ｉ／Ｈの割合で減少してしまう。このために、く
り返し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実
効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小
さくなり、結果的には画像コントラストの低丁やクロス
トークが避は難い欠点となっている。このような現象は
、双安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子
が水平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効
に印加されている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄
積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）
ときに生ＩＺる本質的には避は難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多
重マトリクス法等が既に提案Ｘれているが、いずれの方
法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は
、走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちにな
っているのが現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状１ムに駆動すること
により、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を
表示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的
とするものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状１ムに駆動すること
により、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を
表示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的
とするものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもしくはド
レインに走査信号、ゲートに表示信号を印加する−
“＋１″′″−ｃ ″ ｕ ・ ７゛
＞６；１ＮＦ（ＡＩＤ！ （ｙ −Ｘ ゝはドレ
イン）に順次所定の走査信号を印加するとともに、表示
信号線（ゲート）に所定の表示信号を印加して、第一の
配向状態に基づく表示状態を全画面に順次書込み、次に
前記走査信号線に再び、順次所定の走査信号を印加する
とともに、選択された表示信号線に第二の配向状態を形
成する所定の表示信号を印加することを特徴とするもの
である。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもしくはド
レインに走査信号、ゲートに表示信号を印加する−
“＋１″′″−ｃ ″ ｕ ・ ７゛
＞６；１ＮＦ（ＡＩＤ！ （ｙ −Ｘ ゝはドレ
イン）に順次所定の走査信号を印加するとともに、表示
信号線（ゲート）に所定の表示信号を印加して、第一の
配向状態に基づく表示状態を全画面に順次書込み、次に
前記走査信号線に再び、順次所定の走査信号を印加する
とともに、選択された表示信号線に第二の配向状態を形
成する所定の表示信号を印加することを特徴とするもの
である。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓａｃり又Ｈ相（ＳＬＩｌｌ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶については、”１．
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ３″３Ｇ （Ｌ−１３９） １９７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔ−ｔａｒｓ″３Ｂ （１１） １１１８０、ｒ ５ｕ
ｂＩＩｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ旧−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉ
ｎ １．１ｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体
物理″１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記
載されており、本発明ではこれらに開示された強誘電性
液晶を用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓａｃり又Ｈ相（ＳＬＩｌｌ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶については、”１．
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ３″３Ｇ （Ｌ−１３９） １９７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔ−ｔａｒｓ″３Ｂ （１１） １１１８０、ｒ ５ｕ
ｂＩＩｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ旧−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉ
ｎ １．１ｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体
物理″１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記
載されており、本発明ではこれらに開示された強誘電性
液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ：）
および４−ｏ−（２−メチル）−プチルレゾルシリデン
ー４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ：）
および４−ｏ−（２−メチル）−プチルレゾルシリデン
ー４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳａＣ本相又はＳｍ１１本相と本相ような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
物がＳａＣ本相又はＳｍ１１本相と本相ような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。■と１′は、Ｉｎ、Ｑ、 、 ＳｎＯ，やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ本
相０液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分
子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交
した方向に双極子モーメント（Ｐよ）４を有している。
である。■と１′は、Ｉｎ、Ｑ、 、 ＳｎＯ，やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ本
相０液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分
子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交
した方向に双極子モーメント（Ｐよ）４を有している。
基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以−にの電圧を印
加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメント（Ｐ工）４はすべて電界方向に向くよう、液晶
分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は
細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下にＶい
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩｉ、）には、第
２図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造１よ、はどけ（非らせん構造）、その双
極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（
４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又は
Ｅ′を所定時間イ１与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一
の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一
方に配向する。
加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメント（Ｐ工）４はすべて電界方向に向くよう、液晶
分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は
細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下にＶい
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩｉ、）には、第
２図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造１よ、はどけ（非らせん構造）、その双
極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（
４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又は
Ｅ′を所定時間イ１与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一
の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一
方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、（与える電界
Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来る
だけ薄い方が好ましく、−・般的には、０．５１Ｌ−２
０ｐ、、特にｌＩＬ〜５ メＬが適１７ている。この種
の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液
晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより
、米国特許第４３１３７９２４ 号明細書で提案されて
いる。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、（与える電界
Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来る
だけ薄い方が好ましく、−・般的には、０．５１Ｌ−２
０ｐ、、特にｌＩＬ〜５ メＬが適１７ている。この種
の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液
晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより
、米国特許第４３１３７９２４ 号明細書で提案されて
いる。
本発明は、アクティブマトリ・ンクスを構成するＴＰＴ
（ＲＭ膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果
トランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加
電圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていず
れをソースとしても使用しうるという！１１にもとづい
ている。アクティブマトリックスを構成する素子として
はＦＥＴ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰ
Ｔ 、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用
しうる。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタで
あっても同様に行う１１も可能である。
（ＲＭ膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果
トランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加
電圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていず
れをソースとしても使用しうるという！１１にもとづい
ている。アクティブマトリックスを構成する素子として
はＦＥＴ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰ
Ｔ 、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用
しうる。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタで
あっても同様に行う１１も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ
Ｃ ゲート電圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ｖＳ であり、Ｖ ＞Ｖ
８＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ、＜Ｖ、＋Ｖ、の時非
導通状態となる。
Ｃ ゲート電圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ｖＳ であり、Ｖ ＞Ｖ
８＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ、＜Ｖ、＋Ｖ、の時非
導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴにおいてはＶ ｏ ＜ Ｖ ｓとし、ＶＧ
くＶ ＋Ｖ、で導通状態となり、ｖ ＞ｖ →−
ＶＳ
ＧＳＰで非導通状態となる。
くＶ ＋Ｖ、で導通状態となり、ｖ ＞ｖ →−
ＶＳ
ＧＳＰで非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを［明Ｊ状Ｗ１とし、いずれを「
暗」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル
状態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との
向きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを［明Ｊ状Ｗ１とし、いずれを「
暗」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル
状態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との
向きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例１
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
：５３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は
対応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表
示例を示す説明図である。
対応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表
示例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く位相（時間）１＋〜ｔ３では、−ｖ、であり、位相
（時間）ｔａ〜ｔもでは、＋Ｖｓである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く位相（時間）１＋〜ｔ３では、−ｖ、であり、位相
（時間）ｔａ〜ｔもでは、＋Ｖｓである。
一方、それ以外の選択されない走査電極に与えられる電
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相１゜〜ｔ６におい
て０となる。また、選択された表示電極に与えられる電
気信号は、第６図（ｂ）に示される如く位相１ 、−１
３ではＯであり、位相ｔ。
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相１゜〜ｔ６におい
て０となる。また、選択された表示電極に与えられる電
気信号は、第６図（ｂ）に示される如く位相１ 、−１
３ではＯであり、位相ｔ。
〜ｔ６では＋ｖＧである。また選択されない表示電極に
与えられる電気信号は位相１ 、−１３では−Ｖｏであ
り、位相ｔ４〜ｔ６ではＯである。以上に於て各々の電
圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定される。
与えられる電気信号は位相１ 、−１３では−Ｖｏであ
り、位相ｔ４〜ｔ６ではＯである。以上に於て各々の電
圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定される。
走査電極層＝１−Ｈのラインに、表示電極ｎ＝Ｍｌの信
号線で、全画面に順次「明」を書込み、次に同じｍ＝１
−Ｈのラインに、表示電極ｎ−文２の信号線で、全画面
に順次「暗」を書込みを行う場合。
号線で、全画面に順次「明」を書込み、次に同じｍ＝１
−Ｈのラインに、表示電極ｎ−文２の信号線で、全画面
に順次「暗」を書込みを行う場合。
ＶＣ−ｖＬｃ〉■ｓＩｌ （ｍ＝１〜Ｎ、
ｍ＝Ｊ１＋）Ｖｃｎ＝ ０ （ｎ
＝ ｌ ｓ ） （ｎ” ＪＪ ２ ）ＶＧｎ−ＶＰ＞
ＶＬｃ＋ Ｖｃ（ｍ＝１−Ｎ、ｎ−１２）ａ
Ｖ ｃ ＋ Ｖ Ｌｃ＜ Ｖ ５Ｉｌ（ｎ＝ ｆＬ
２ ）ｖ ｃｎｖ ｐ ＜ ｖ ｃＩｌ（ｎｓ ＪＪ
ｌ ）但し、各記号は下記の事項を表わす。
ｍ＝Ｊ１＋）Ｖｃｎ＝ ０ （ｎ
＝ ｌ ｓ ） （ｎ” ＪＪ ２ ）ＶＧｎ−ＶＰ＞
ＶＬｃ＋ Ｖｃ（ｍ＝１−Ｎ、ｎ−１２）ａ
Ｖ ｃ ＋ Ｖ Ｌｃ＜ Ｖ ５Ｉｌ（ｎ＝ ｆＬ
２ ）ｖ ｃｎｖ ｐ ＜ ｖ ｃＩｌ（ｎｓ ＪＪ
ｌ ）但し、各記号は下記の事項を表わす。
Ｖ ：ソース又はドレイン電極
ＳＩ′（走査信号）電圧
Ｖ ：ゲート電極（表示信号）電圧
ｎ
ｖｏ ：対向電極（共通端子）電圧
■、。二強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲート
、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）Ｌ
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相ｔ１に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
には閾値Ｎ、Ｎ＋１ −ｖＬＣを越える一Ｖ Ｌ ｃ ＞ Ｖ ｓ Ｖ
ｃが印加される。したがって、第４図において画素ＰＮ
、Ｎ＋１に「明」の書込みが行なわれる。以後、位相ｔ
２及びｔ３では、それぞれ選択ｙれた走査線と表示線の
交点にある画素ｐ 、ｐ Ｎ＋１．Ｎ Ｎ＋１．Ｎ＋２１ＰＨ１０，
Ｎ＋Ｉ Ｎ＋２．Ｎ＋２に順次「明」の書込みが、
Ｐ 行なわれる。位相１．−１３で全画面の画素に、「明」
の書込みが行なわれた後、位相１４〜１６間では全画面
に「暗」の書込みが行なわれる。すなわち１位相ｔ、に
おいて選択された走査線−ににある画素Ｐ 、Ｐ
には閾値■、。を越えるＮ、Ｎ Ｎ、Ｎ
＋２ Ｖ ｔ、ｃ ＜ Ｖ ｓ Ｖ ｃの電圧が印加される
。したがって第４図において画素Ｐ 、Ｐ
に「暗」Ｎ、Ｎ Ｎ、Ｎ＋２ の書込みが行なわれる。以後位相ｔ５及びｔ６では、そ
れぞれ選択された走査線上にある画素ＰＮ＋１．Ｎ＋□
Ｎ＋２．Ｈに「暗」の書込みが行なわ、 Ｐ れる。以上の各動作でわかる通り、選択された走査電極
線上に於て、表示電極が選択された否かに応じて、選択
された場合には液晶分子は第一の配向状態あるいは第二
の配向状態に配向を揃え、画素はＯＮ（暗）あるいはＯ
ＦＦ （明）となり、選択されない場合にはすべての
画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えない
。従って、選択された走査線上以外の各画素における液
晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたとき
の信号状態（Ｑ Ｎ−１）に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択Ｘれたときにその
ｌライフ分の信号の書き込みが行われ、ｌフレームが終
了して次回選択されるまでの間は。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）Ｌ
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相ｔ１に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
には閾値Ｎ、Ｎ＋１ −ｖＬＣを越える一Ｖ Ｌ ｃ ＞ Ｖ ｓ Ｖ
ｃが印加される。したがって、第４図において画素ＰＮ
、Ｎ＋１に「明」の書込みが行なわれる。以後、位相ｔ
２及びｔ３では、それぞれ選択ｙれた走査線と表示線の
交点にある画素ｐ 、ｐ Ｎ＋１．Ｎ Ｎ＋１．Ｎ＋２１ＰＨ１０，
Ｎ＋Ｉ Ｎ＋２．Ｎ＋２に順次「明」の書込みが、
Ｐ 行なわれる。位相１．−１３で全画面の画素に、「明」
の書込みが行なわれた後、位相１４〜１６間では全画面
に「暗」の書込みが行なわれる。すなわち１位相ｔ、に
おいて選択された走査線−ににある画素Ｐ 、Ｐ
には閾値■、。を越えるＮ、Ｎ Ｎ、Ｎ
＋２ Ｖ ｔ、ｃ ＜ Ｖ ｓ Ｖ ｃの電圧が印加される
。したがって第４図において画素Ｐ 、Ｐ
に「暗」Ｎ、Ｎ Ｎ、Ｎ＋２ の書込みが行なわれる。以後位相ｔ５及びｔ６では、そ
れぞれ選択された走査線上にある画素ＰＮ＋１．Ｎ＋□
Ｎ＋２．Ｈに「暗」の書込みが行なわ、 Ｐ れる。以上の各動作でわかる通り、選択された走査電極
線上に於て、表示電極が選択された否かに応じて、選択
された場合には液晶分子は第一の配向状態あるいは第二
の配向状態に配向を揃え、画素はＯＮ（暗）あるいはＯ
ＦＦ （明）となり、選択されない場合にはすべての
画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えない
。従って、選択された走査線上以外の各画素における液
晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたとき
の信号状態（Ｑ Ｎ−１）に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択Ｘれたときにその
ｌライフ分の信号の書き込みが行われ、ｌフレームが終
了して次回選択されるまでの間は。
その信号状態を保持し得るわけである。従って、走査電
極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コ
ントラストの低下は全く生じない。
極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コ
ントラストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極ＳＮ、ＳＮ＋０．Ｎ＋２．・・
・と表示電極ＧＮ、ＧＮ＋１．ＧＮ＋２．・・・の交点
で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、
白地で示した画素は「明」状態に対応するものとする。
・と表示電極ＧＮ、ＧＮ＋１．ＧＮ＋２．・・・の交点
で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、
白地で示した画素は「明」状態に対応するものとする。
今、第５図中の表示電極ＧＮ上の表示に注目すると、走
査電極ＳＮ、ＳＮ＋２に対応する画素では「暗」状態で
あり、それ以外の画素は「明」状態である。前記、位相
ｔ１〜ｔ６の各動作によって、第５図の表示パターンが
完成する。
査電極ＳＮ、ＳＮ＋２に対応する画素では「暗」状態で
あり、それ以外の画素は「明」状態である。前記、位相
ｔ１〜ｔ６の各動作によって、第５図の表示パターンが
完成する。
なお、ｉ６図において駆動波形は走査信号、表示信号と
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を第一の表示状態書込みの時
はＧＮＤに、第二の表示状態書込みの時には−ｖＳにす
ることより、走査信号、表示信号とも２レベルの電圧信
ｔ）で駆動することができる。
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を第一の表示状態書込みの時
はＧＮＤに、第二の表示状態書込みの時には−ｖＳにす
ることより、走査信号、表示信号とも２レベルの電圧信
ｔ）で駆動することができる。
第８図に２レベルの電圧による駆動波形の例を示す。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい囲体的数値
を示すと、例えば 人力周波数ｆ ｏ ＝ Ｉ Ｘ １０４〜ｌ Ｘ １０
６１１２１０＜ Ｉ ｖｏｌ ＜ＢＯＶ （波高値）
０．３ ＜Ｉ ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げら
れる。
してＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい囲体的数値
を示すと、例えば 人力周波数ｆ ｏ ＝ Ｉ Ｘ １０４〜ｌ Ｘ １０
６１１２１０＜ Ｉ ｖｏｌ ＜ＢＯＶ （波高値）
０．３ ＜Ｉ ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げら
れる。
第１Ｏ図は本発明において使用されるＴＰＴにおけ（る
ＦＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＦＴを用いた
強誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の刺
視（Δ、第１３１；４はＴＦＴ基板の平面図、第１４１
Ａは第１３図のＡ−Ａ ′線で！、ＩＪ断じた部分断面
図、第１５１；ｔｊ ｔＵ第１３図のＢ−Ｂ ′線で切
断した部分断面図であり、以上に示す各図はいずれも本
発明の一実施態様を示すものである。
ＦＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＦＴを用いた
強誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の刺
視（Δ、第１３１；４はＴＦＴ基板の平面図、第１４１
Ａは第１３図のＡ−Ａ ′線で！、ＩＪ断じた部分断面
図、第１５１；ｔｊ ｔＵ第１３図のＢ−Ｂ ′線で切
断した部分断面図であり、以上に示す各図はいずれも本
発明の一実施態様を示すものである。
第１１図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
几体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０のににゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＰＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＴＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋ｗ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）が形成されている。
几体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０のににゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＰＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＴＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋ｗ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）が形成されている。
さらに、このＩ−に絶縁層！３（ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、５ｉ０１）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の１−には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、５ｉ０１）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の１−には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
ｌ シ
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を刺止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を刺止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光重、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１８と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光重、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリッタスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリッタスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
Ｏ
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの電圧に
よる駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ）はアク
ティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線図、
第１０図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図、
第１１図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図、
第１２図はＴＰＴ基板の斜視図、＄１３図はＴＰＴ基板
の平面図、第１４図はＡ−Ａ’線部分断面図及び第１５
図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 １、ｔ”；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４ａ；−Ｌ向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極）１２、画素電極
１３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０′；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１：対向電極 ２２：絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４：ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ４ ２９；光遮断効果を有するゲート部１′〜
Ｍ′；走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの電圧に
よる駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ）はアク
ティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線図、
第１０図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図、
第１１図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図、
第１２図はＴＰＴ基板の斜視図、＄１３図はＴＰＴ基板
の平面図、第１４図はＡ−Ａ’線部分断面図及び第１５
図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 １、ｔ”；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４ａ；−Ｌ向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極）１２、画素電極
１３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０′；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１：対向電極 ２２：絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４：ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ４ ２９；光遮断効果を有するゲート部１′〜
Ｍ′；走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応しているＦＦＴ端子のうち、ソースも
しくはドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加す
る、時分割駆動であり、かかる走査信号線に順次所定の
走査信号を印加するとともに、表示信号線に所定の表示
信号を印加して、第一の配向状態に基づく表示状態を全
画面に順次書込み、次に前記走査信号線に再び、順次所
定の走査信号を印加するとともに、選択された表示信号
線に第二の配向状態を形成する所定の表示信号を印加す
ることを特徴とする液晶素子の駆動法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124513A JPS614023A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR8506484A FR2563649B1 (fr) | 1984-04-28 | 1985-04-29 | Dispositif a cristaux liquides et procede d'attaque correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124513A JPS614023A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13767985A Division JPS6134523A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614023A true JPS614023A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14887345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124513A Pending JPS614023A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617828A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124515A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ホブ盤 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124513A patent/JPS614023A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124515A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ホブ盤 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617828A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
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