JPS617828A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS617828A JPS617828A JP59127418A JP12741884A JPS617828A JP S617828 A JPS617828 A JP S617828A JP 59127418 A JP59127418 A JP 59127418A JP 12741884 A JP12741884 A JP 12741884A JP S617828 A JPS617828 A JP S617828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display
- phases
- state
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3651—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using multistable liquid crystals, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、Ｖａｔ、 ＋８．
Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２７
〜１２８の”Ｖｏ Ｉ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ ＬｉｑｕｉｌｌＩＣｒｙｓ
ｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｒ＋ｅｍａ
ｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は
、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶
の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）
を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配
列した構造を形成している。一方、電界印加状態では、
正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列
し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、Ｖａｔ、 ＋８．
Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２７
〜１２８の”Ｖｏ Ｉ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ ＬｉｑｕｉｌｌＩＣｒｙｓ
ｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｒ＋ｅｍａ
ｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は
、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶
の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）
を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配
列した構造を形成している。一方、電界印加状態では、
正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列
し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子゛を電極面に垂直に
配列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電
極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には
電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対し
て並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの
上下、に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため、画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される
領域（所謂”′半選択点°′）にも有限の電界がかかっ
てしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電
圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列さ
せるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定される
ならば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし
、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った
場合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選
択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は
、Ｉ／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値
としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さく
なり、結果的には画像コントラストの低下やクロストー
クが避は難い欠点となっている。このような現象は、双
安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水
平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印
加されている間のみ垂直に配向する）を１時間的蓄積効
果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）とき
に生じる木質的には避は難い問題点である。この点を改
良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マト
リクス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも
不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査
線数が充分に増やせないことによって頭打ちになってい
るのが現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子゛を電極面に垂直に
配列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電
極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には
電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対し
て並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの
上下、に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため、画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される
領域（所謂”′半選択点°′）にも有限の電界がかかっ
てしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電
圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列さ
せるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定される
ならば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし
、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った
場合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選
択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は
、Ｉ／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値
としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さく
なり、結果的には画像コントラストの低下やクロストー
クが避は難い欠点となっている。このような現象は、双
安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水
平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印
加されている間のみ垂直に配向する）を１時間的蓄積効
果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）とき
に生じる木質的には避は難い問題点である。この点を改
良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マト
リクス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも
不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査
線数が充分に増やせないことによって頭打ちになってい
るのが現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極群に走査信号を印加す
るとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソ
ースもしくは、ドレインを共通端子に接続してゲートに
表示信号を印加する時分割駆動であり、かかる走査信号
線（複数のストライブ状対向電極群）に順次所定の走査
信号を印加するとともに、表示信号線（ゲート）に所定
の表示信号を印加して、第一の配向状態に基づく表示状
態を全画面に順次書込み、次に前記走査信号線に再び、
順次所定の走査信号を印加するとともに、選択された表
示信号線に第二の配向状態を形成する所定の表示信号を
印加することを特徴とするものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極群に走査信号を印加す
るとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソ
ースもしくは、ドレインを共通端子に接続してゲートに
表示信号を印加する時分割駆動であり、かかる走査信号
線（複数のストライブ状対向電極群）に順次所定の走査
信号を印加するとともに、表示信号線（ゲート）に所定
の表示信号を印加して、第一の配向状態に基づく表示状
態を全画面に順次書込み、次に前記走査信号線に再び、
順次所定の走査信号を印加するとともに、選択された表
示信号線に第二の配向状態を形成する所定の表示信号を
印加することを特徴とするものである。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状ＩＥと第二の光学
的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する
双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する
液晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状ＩＥと第二の光学
的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する
双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する
液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメ
クティックＣ相（ＳｆｆｌＣオ）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、”Ｌ
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹ、５ＩＯＵＥＬＥＴ
ＴＥＲＳ’ ３ｆｔ （Ｌ−８９） １９７５． ｒ
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ； ’Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１）
１９８０ 、 ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎ
ｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉ
ｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣ
ｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理″１Ｂ （１４１）
１９８１ ｒ液晶」等に記載されており、本発明で
はこれらに開示された強誘電性液晶を用いることができ
る。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメ
クティックＣ相（ＳｆｆｌＣオ）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、”Ｌ
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹ、５ＩＯＵＥＬＥＴ
ＴＥＲＳ’ ３ｆｔ （Ｌ−８９） １９７５． ｒ
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ； ’Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１）
１９８０ 、 ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎ
ｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉ
ｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣ
ｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理″１Ｂ （１４１）
１９８１ ｒ液晶」等に記載されており、本発明で
はこれらに開示された強誘電性液晶を用いることができ
る。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳ＋ａＣ零相又は５ｒａＨ＊相となるような温度状
態に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込
まれた銅ブロック等により支持することができる。
物がＳ＋ａＣ零相又は５ｒａＨ＊相となるような温度状
態に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込
まれた銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。ｌと１′は、Ｉｎ、０５ 、 ５ｎＯｔやＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｔ＋ｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
本相０液晶が刺入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している
。基板１．！ｌ：１′上の電極間に一定の閾値以上の電
圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう
、液晶分子３の配向方向を変えることができる。液晶分
子３は細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下
に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置
けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学
変調素子となることは、容易に理解される。さらに液晶
セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１ｐＬ）には
、第２図に示すように電界を印加していない状態でも液
晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その
双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向
（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第
２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又
はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂ）：向きを変え、それに応じて液晶分子は第
一の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか
一方に配向する。
である。ｌと１′は、Ｉｎ、０５ 、 ５ｎＯｔやＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｔ＋ｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
本相０液晶が刺入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している
。基板１．！ｌ：１′上の電極間に一定の閾値以上の電
圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう
、液晶分子３の配向方向を変えることができる。液晶分
子３は細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下
に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置
けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学
変調素子となることは、容易に理解される。さらに液晶
セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１ｐＬ）には
、第２図に示すように電界を印加していない状態でも液
晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その
双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向
（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第
２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又
はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂ）：向きを変え、それに応じて液晶分子は第
一の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか
一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的にハ、 ０．５ ｇ〜２０
ｇ、特にｌｐ〜５ＩＬが適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許
第４３Ｂ？９２４号明細書で提案されている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的にハ、 ０．５ ｇ〜２０
ｇ、特にｌｐ〜５ＩＬが適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許
第４３Ｂ？９２４号明細書で提案されている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＦＴ等のいずれであっても使用しうる。
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＦＴ等のいずれであっても使用しうる。
又ＦＥＴ構造以外のへイボーラトランジスタであっても
同様に行う事も可能である。
同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、ｖ、 をゲート
電圧、ＶＳをソース電圧、■、をゲートソース間の閾値
電圧とするとＶ ＞ Ｖｓ であり す、ｖ ＞ｖ ＋ｖ、の時導通状態となり、Ｇ
Ｓ Ｖ ＜Ｖ ＋Ｖ、の時非導通状態となる。
電圧、ＶＳをソース電圧、■、をゲートソース間の閾値
電圧とするとＶ ＞ Ｖｓ であり す、ｖ ＞ｖ ＋ｖ、の時導通状態となり、Ｇ
Ｓ Ｖ ＜Ｖ ＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｓ
Ｐ型ＦＥＴにおいてはｖ ｎ ＜ Ｖ ｓとし、ｖＧ
くｖ ＋ｖ −ｃ’導通状態トナリ、’Ｖ ＞Ｖ
Ｓ＋ｖ。
くｖ ＋ｖ −ｃ’導通状態トナリ、’Ｖ ＞Ｖ
Ｓ＋ｖ。
Ｓ ｐ Ｇ
で非導通状態となる。
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定よる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定よる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置スるクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置スるクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く位相時間）１＋〜ｔ３では、＋ＶＧであり、位相（
時間）ｔｎ〜ｔ６では、 Ｖｃである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く位相時間）１＋〜ｔ３では、＋ＶＧであり、位相（
時間）ｔｎ〜ｔ６では、 Ｖｃである。
一方、それ以外の選択されない走査電極に与えられる電
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相Ｌ１〜ｔ３ではＯ
であり、位相ｔ４〜ｔ６では−ｖｃである。また、選択
された表示電極に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）
に示される如く位相ｔ１〜ｔ３では＋ＶＧであり、位相
ｔ４〜ｔ６ではＯである。また選択されない表示電極に
与えられる電気信号は一■ｏでりる。以上に於て各々の
電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定される
。
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相Ｌ１〜ｔ３ではＯ
であり、位相ｔ４〜ｔ６では−ｖｃである。また、選択
された表示電極に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）
に示される如く位相ｔ１〜ｔ３では＋ＶＧであり、位相
ｔ４〜ｔ６ではＯである。また選択されない表示電極に
与えられる電気信号は一■ｏでりる。以上に於て各々の
電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定される
。
走査電極ｍ＝１−Ｎのラインに、表示電極ｎ ＝ｆｌ（
の信号線で、全画面に順次「明」を書込み、次に同じｍ
＝１〜Ｎのラインに、表示電極ｎ＝５１２の信号線で、
全画面に順次「暗」を書込みを行う場合、 ＶＧｎ−ＶＰ＞ ＶＬｃ＋ Ｖｓ（ｆｆｌ＝１〜Ｎ、ｎ
＝ｌ ｌ ）ｖ ｓ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ Ｃ，（ｎ
＝ ｘ ｒ ）Ｖｓ−ＶＬｃ＞ ＶｃＩ、ｌ（ｍ＝Ｉ
〜Ｎ、ｎ＝ｌ ２ ）ｙＧｎ＝ ０
（ｎ＝ ｉｓ ）（ｎ ＃Ｊ１＋ ）ＶＧｎ
’Ｐ ＜ｖＣｔａ （ｎ 笑１２）但
し、各記号は下記の事項を表わす。
の信号線で、全画面に順次「明」を書込み、次に同じｍ
＝１〜Ｎのラインに、表示電極ｎ＝５１２の信号線で、
全画面に順次「暗」を書込みを行う場合、 ＶＧｎ−ＶＰ＞ ＶＬｃ＋ Ｖｓ（ｆｆｌ＝１〜Ｎ、ｎ
＝ｌ ｌ ）ｖ ｓ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ Ｃ，（ｎ
＝ ｘ ｒ ）Ｖｓ−ＶＬｃ＞ ＶｃＩ、ｌ（ｍ＝Ｉ
〜Ｎ、ｎ＝ｌ ２ ）ｙＧｎ＝ ０
（ｎ＝ ｉｓ ）（ｎ ＃Ｊ１＋ ）ＶＧｎ
’Ｐ ＜ｖＣｔａ （ｎ 笑１２）但
し、各記号は下記の事項を表わす。
Ｖ、ＩＩｌ：対向電極（走査信号）電圧ｖＧｎ＝ゲート
電極（表示信号）電圧 ■、：ゲート、ソース間の闇値 以上の動作をｑ＝ ｉ〜Ｎまで繰返し書込みを行う。
電極（表示信号）電圧 ■、：ゲート、ソース間の闇値 以上の動作をｑ＝ ｉ〜Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）上
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図及び第８図より明らかな如く、位相１．に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
には閾値Ｎ、Ｎ＋１ ■ を越えるＶ Ｌ ｃ ＜ Ｖ。−ｖＳが印加される
。しＬＣ たがって、第４図において画素Ｐ に「、明」Ｎ、
Ｎ＋１ の書込みが行なわれる。以後、位相ｔ２及びｔ３では、
それぞれ選択された走査線と表示線の交点にある画素Ｐ
Ｎ＋１．Ｎ Ｎ＋１．Ｎ＋２・ＰＨ１０，Ｎ＋１・
、 Ｐ Ｐ、・２．ト２に順次「明」の書込みが行なわれる。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）上
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす。すな
わち、第６図及び第８図より明らかな如く、位相１．に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
には閾値Ｎ、Ｎ＋１ ■ を越えるＶ Ｌ ｃ ＜ Ｖ。−ｖＳが印加される
。しＬＣ たがって、第４図において画素Ｐ に「、明」Ｎ、
Ｎ＋１ の書込みが行なわれる。以後、位相ｔ２及びｔ３では、
それぞれ選択された走査線と表示線の交点にある画素Ｐ
Ｎ＋１．Ｎ Ｎ＋１．Ｎ＋２・ＰＨ１０，Ｎ＋１・
、 Ｐ Ｐ、・２．ト２に順次「明」の書込みが行なわれる。
位相ｔ１〜ｔ３で全画面の画素に、「明」の書込みが行
なわれた後、位相ｔ４〜ｔ６間では全画面に「暗」の書
込みが行なわれる。すなわち１位相ｔ４において選択さ
れた走査線上にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２には閾
値−ｖＬｏを越えるーＶ Ｌ ｃ ＞Ｐ −Ｖ、−Ｖｓの電圧が印加される。したがって第４図に
おいて画素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２に「暗」の書込みが行なわれる
。以後位相ｔ５及びｔもでは、それぞれ選択された走査
線上にある画素ＰＮ４１ 、Ｎ＋１ ’ＰＮ４２．Ｎに
「暗」の書込みが行なわれる。以上の各動作でわかる通
り、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線上以外の各画
素における液晶分子は配向状態を変えることなく前回走
査されたときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を
、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択された
ときにそのｌライフ分の信号の書き込みが行われ２１フ
レームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号
状態を保持し得るわけである。
なわれた後、位相ｔ４〜ｔ６間では全画面に「暗」の書
込みが行なわれる。すなわち１位相ｔ４において選択さ
れた走査線上にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２には閾
値−ｖＬｏを越えるーＶ Ｌ ｃ ＞Ｐ −Ｖ、−Ｖｓの電圧が印加される。したがって第４図に
おいて画素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２に「暗」の書込みが行なわれる
。以後位相ｔ５及びｔもでは、それぞれ選択された走査
線上にある画素ＰＮ４１ 、Ｎ＋１ ’ＰＮ４２．Ｎに
「暗」の書込みが行なわれる。以上の各動作でわかる通
り、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線上以外の各画
素における液晶分子は配向状態を変えることなく前回走
査されたときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を
、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択された
ときにそのｌライフ分の信号の書き込みが行われ２１フ
レームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号
状態を保持し得るわけである。
従って、走査電極数が増えても、実質的なデユーティ比
はかわらず、コントラストの低下は全く生じない。
はかわらず、コントラストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極ＣＮ、ＣＮや１．ＣＮ＋２ ’
・・・と表示電極ＧＮ、ＧＮ＋１．ＧＮ＋２．・・・の
交点で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極ＧＮ上の表示に注目すると
、走査電極ＣＮ、ＣＮ＋２に対応する画素では「暗」状
態であり、それ以外の画素は「明」状態である。前記、
位相ｔ１〜ｔもの各動作によって、第５図の表示パター
ンが完成する。
・・・と表示電極ＧＮ、ＧＮ＋１．ＧＮ＋２．・・・の
交点で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極ＧＮ上の表示に注目すると
、走査電極ＣＮ、ＣＮ＋２に対応する画素では「暗」状
態であり、それ以外の画素は「明」状態である。前記、
位相ｔ１〜ｔもの各動作によって、第５図の表示パター
ンが完成する。
なお、第６図において駆動波形は走査信号、表示信号と
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を第一の表示状態書込みの時
はＧＮＤに、第二の表示状態書込みの時には＋Ｖｓにす
ることより、走査信号、表示信号とも２レベルの電圧信
号で駆動することができる。
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を第一の表示状態書込みの時
はＧＮＤに、第二の表示状態書込みの時には＋Ｖｓにす
ることより、走査信号、表示信号とも２レベルの電圧信
号で駆動することができる。
第８図に２レベルの電圧による駆動波形の例を示す。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ。−ＩＸＩＯ４〜ＩＸＩＩＩＩ６）＋２１
０＜ ｌ ＶＧｌ ＜１３０Ｖ （波高値）０．３
＜ Ｉ ＶＧｌ ＜１．ＯＶ （波高値）が挙げられる
。
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ。−ＩＸＩＯ４〜ＩＸＩＩＩＩ６）＋２１
０＜ ｌ ＶＧｌ ＜１３０Ｖ （波高値）０．３
＜ Ｉ ＶＧｌ ＜１．ＯＶ （波高値）が挙げられる
。
第１Ｏ図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦ
ＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強
誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視
図、第１３閃はＴＰＴ基板の平面図、第１４図は第１３
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１５図は第
１３図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
ＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強
誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視
図、第１３閃はＴＰＴ基板の平面図、第１４図は第１３
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１５図は第
１３図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
第１１図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体１９１１３（水素原子をドーピングしたアモルファ
スシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８
と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続し
た画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体１９１１３（水素原子をドーピングしたアモルファ
スシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８
と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続し
た画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、Ｓ＋％）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮蔽
膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′の上
には対向電極２１ （ＩＴＣＩ； ＩｎｄｎｉｕｓｇＴ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、Ｓ＋％）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮蔽
膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′の上
には対向電極２１ （ＩＴＣＩ； ＩｎｄｎｉｕｓｇＴ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１９と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ。よりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１Ｂ（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１９と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ。よりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１Ｂ（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、４．発明の方法に用いる強誘電性
液晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に
用いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の
番地を示す説明図、第５ｒｇＪは対応画素の表示例を示
す説明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示
電極に印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画
素への書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの
電圧による駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ）
はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配
線図、第１θ図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断
面図、第１１図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断
面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視図、第１３図はＴＰ
Ｔ基板の平面図、第１４図はＡ−Ａ ”線部分断面図び
第１５図はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ：下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ’″層 ＋１． ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０′；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２：絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ：共通電極 ＬＣ，液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
液晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に
用いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の
番地を示す説明図、第５ｒｇＪは対応画素の表示例を示
す説明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示
電極に印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画
素への書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの
電圧による駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ）
はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配
線図、第１θ図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断
面図、第１１図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断
面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視図、第１３図はＴＰ
Ｔ基板の平面図、第１４図はＡ−Ａ ”線部分断面図び
第１５図はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ：下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ’″層 ＋１． ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０′；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２：絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ：共通電極 ＬＣ，液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極群に走査信号
を印加するとともに各画素に対応している、ＦＦＴ端子
のうちソースもしくはドレインを共通端子に接続して、
ゲートに表示信号を印加する時分割駆動であり、かかる
走査信号線に順次所定の走査信号を印加するとともに、
表示信号線に所定の表示信号を印加して、第一の配向状
態に基づく表示状態を全画面に順次書込み、次に前記走
査信号線に再び、順次所定の走査信号を印加するととも
に、選択された表示信号線に第二の配向状態を形成する
所定の表示信号を印加することを特徴とする液晶素子の
駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127418A JPS617828A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127418A JPS617828A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617828A true JPS617828A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14959470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127418A Pending JPS617828A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-22 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249745B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1990-10-31 | Shinnippon Kako Kk | |
| US10252210B2 (en) | 2011-05-10 | 2019-04-09 | The Procter & Gamble Company | Methods for reducing particulates in the air |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614023A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59127418A patent/JPS617828A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614023A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249745B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1990-10-31 | Shinnippon Kako Kk | |
| US10252210B2 (en) | 2011-05-10 | 2019-04-09 | The Procter & Gamble Company | Methods for reducing particulates in the air |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4697887A (en) | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's | |
| US4973135A (en) | Active matrix display panel having plural stripe-shaped counter electrodes and method of driving the same | |
| US4818078A (en) | Ferroelectric liquid crystal optical modulation device and driving method therefor for gray scale display | |
| JPH0535848B2 (ja) | ||
| JPS60262133A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614021A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60230121A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH028814A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS617828A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS6031121A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262135A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614026A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262137A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0448367B2 (ja) | ||
| JPH0453293B2 (ja) | ||
| JPS619624A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614027A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0452924B2 (ja) | ||
| JPS614023A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS6134523A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS614022A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617825A (ja) | 液晶素子の駆動法 |