JPS614028A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから１、表示素子とし
て実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃ
ｈａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、
１８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、
１２７〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔ
ｗｉｓｔｅｄｆ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ
ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この
型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマ
チック液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリ
カル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互い
に並行に配列した構造を形成している。一方、電界印加
状態では、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界
方向に配列し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから１、表示素子とし
て実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃ
ｈａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、
１８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、
１２７〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔ
ｗｉｓｔｅｄｆ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ
ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この
型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマ
チック液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリ
カル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互い
に並行に配列した構造を形成している。一方、電界印加
状態では、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界
方向に配列し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂′°半選択点°゛）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、こ
の方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂′°半選択点°゛）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、こ
の方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
Ｅ問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもしくはド
（“７Ｌ：に＊＠’＠；、 ’７”−）”８１″’ｒ
＊ ｍ ｊｔｎ ｔ ６時分割駆動であり、かかる走査
信号線（ソース又はドレイン）に所定の走査信号を印加
するとともに、表示信号線（ゲート）に所定の表示信号
を印加する事により、順次選択された走査信号線上の全
画素の表示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一
様にそろえ、次に前記走査信号線に所定の電圧信号を印
加するとともに、選択された表示信号線に第二の配向状
態を形成する所定の電圧信号を印加することを特徴とす
るものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもしくはド
（“７Ｌ：に＊＠’＠；、 ’７”−）”８１″’ｒ
＊ ｍ ｊｔｎ ｔ ６時分割駆動であり、かかる走査
信号線（ソース又はドレイン）に所定の走査信号を印加
するとともに、表示信号線（ゲート）に所定の表示信号
を印加する事により、順次選択された走査信号線上の全
画素の表示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一
様にそろえ、次に前記走査信号線に所定の電圧信号を印
加するとともに、選択された表示信号線に第二の配向状
態を形成する所定の電圧信号を印加することを特徴とす
るものである。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（ＳＬＩ（ｄ） 又Ｈ相（３ｍ８本）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、”Ｌ
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ９″３Ｂ （Ｌ−６９） １１１７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌｓ Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１） １９
８０ 、 ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ
１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔ
ａｌｓ Ｊ ；”固体物理”１Ｂ （１４１） １９８
１ ｒ液晶」等に記載されており、本発明ではこれら
に開示された強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（ＳＬＩ（ｄ） 又Ｈ相（３ｍ８本）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、”Ｌ
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ９″３Ｂ （Ｌ−６９） １１１７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌｓ Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃ
ｓ Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１） １９
８０ 、 ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ
１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔ
ａｌｓ Ｊ ；”固体物理”１Ｂ （１４１） １９８
１ ｒ液晶」等に記載されており、本発明ではこれら
に開示された強誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳ■Ｃ京相又はＳｌｌ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物がＳ■Ｃ京相又はＳｌｌ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は１強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも（
７）テある。１と１′は、Ｉｎ２Ｏ，、ＳｎＯ，やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ＋ｓＣ
攻相の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している
。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印
加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶
分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は
細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えば１１１．）には、第
２図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極
子モーメントＰ又はＰ′は一］−向き（４ａ）又は下向
（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第
２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又
はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一
の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一
方に配向する。
７）テある。１と１′は、Ｉｎ２Ｏ，、ＳｎＯ，やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ＋ｓＣ
攻相の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している
。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印
加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶
分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は
細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えば１１１．）には、第
２図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極
子モーメントＰ又はＰ′は一］−向き（４ａ）又は下向
（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第
２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又
はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一
の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一
方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、や婦
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５１
Ｌ〜２０ＩＬ、特にｌ終〜５１１、が適している。この
種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する
液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルによ
り、米国特許第４３８７９２４号明細書で提案されてい
る。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、や婦
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５１
Ｌ〜２０ＩＬ、特にｌ終〜５１１、が適している。この
種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する
液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルによ
り、米国特許第４３８７９２４号明細書で提案されてい
る。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ 等のいずれであっても使用しうる
。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであって
も同様に行う事も可能である。
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ 等のいずれであっても使用しうる
。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであって
も同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ
Ｇ ゲート電圧、■ をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ ＞ Ｖｓ であ・ロ リ、ｖ ＞ＶＳ＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ
＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｇ ゲート電圧、■ をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ ＞ Ｖｓ であ・ロ リ、ｖ ＞ＶＳ＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜Ｖ
＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｓ
Ｐ型ＦＥＴにおいてはｖ ＜ｖ とし、Ｖｃ ＜
Ｓ ｖ ＋■ で導通状１！トナリ、Ｖ ＞ Ｖ ｓ ＋
Ｖ ｐＳ Ｐ
Ｇで非導通状態となる。
Ｓ ｖ ＋■ で導通状１！トナリ、Ｖ ＞ Ｖ ｓ ＋
Ｖ ｐＳ Ｐ
Ｇで非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動、方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて
説明する。
液晶の駆動、方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて
説明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号であって、位相ｊｌ ＋ｔ２
・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加され
る電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電
極）に印加される電気信号を示している。第６図（ｂ）
は、表示信号であって位相ｔＩ 、ｔ２・・・において
それぞれ選択された表示電極と選択されない表示電極に
与えられる電気信号を示している。
・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加され
る電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電
極）に印加される電気信号を示している。第６図（ｂ）
は、表示信号であって位相ｔＩ 、ｔ２・・・において
それぞれ選択された表示電極と選択されない表示電極に
与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次１周期的に選択される。選択された走査
電極ＳＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）１＋では、 Ｖ ｓ 、位相（
時間）ｔ２では、＋ｖｓである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次１周期的に選択される。選択された走査
電極ＳＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）１＋では、 Ｖ ｓ 、位相（
時間）ｔ２では、＋ｖｓである。
一方、それ以外の走査電極Ｓ Ｓ は第６Ｎ＋１’
Ｎ＋２ 図（ａ）に示す如く位相ｔ１〜ｔ２では０である。また
、位相ｔ１において選択された表示電極ＧＧ Ｇ
に与えられる電気信号は、第６Ｎ’ Ｎ＋１’
Ｎ＋２ 図（ｂ）に示される如く０であり、位相ｔ２において選
択された表示電極ＧＭ、ＧＮ＋２に与えられる電気信号
は＋■８である。また位相ｔ２において選択されない表
示電極ＧＮ＋□に与えられる電気信号は０である。以上
に於て各々の電圧値は、以下の（“０“１“ｂｐｒｒ’
ｉｖｍｗ＊”１−ｓｎｂ・走査電極ｍ＝ｑラインに表示
電極ｎ＝１〜Ｍの信号線で「明」をリフレッシュ、次い
で走査電極ｍ＝ｑラインに、表示電極ｎ＝１で「暗」の
書込みをする場合、 （Ｉｌ＝ｑ＋ｎＮ文） ＶＳ・−〇 （・＝ｑ、・＝１−Ｍ）ＶＣ
−ｖＬｃ〉■ｓＩｌ （ＩＩ＝ｑ、ｍ＝ｌ−Ｍ）
ｖｃ ＋ｖＬｃ＜ｖｓｆｆｌ （ｍ＝ｑ、ｎ＝
１）ＶＧｎ−ＶＰ＞ＶＬｃ＋ＶＣ（Ｉｌ＝ｑ、 ｎ＝
文）但し、各記号は下記の事項を表わす。
Ｎ＋２ 図（ａ）に示す如く位相ｔ１〜ｔ２では０である。また
、位相ｔ１において選択された表示電極ＧＧ Ｇ
に与えられる電気信号は、第６Ｎ’ Ｎ＋１’
Ｎ＋２ 図（ｂ）に示される如く０であり、位相ｔ２において選
択された表示電極ＧＭ、ＧＮ＋２に与えられる電気信号
は＋■８である。また位相ｔ２において選択されない表
示電極ＧＮ＋□に与えられる電気信号は０である。以上
に於て各々の電圧値は、以下の（“０“１“ｂｐｒｒ’
ｉｖｍｗ＊”１−ｓｎｂ・走査電極ｍ＝ｑラインに表示
電極ｎ＝１〜Ｍの信号線で「明」をリフレッシュ、次い
で走査電極ｍ＝ｑラインに、表示電極ｎ＝１で「暗」の
書込みをする場合、 （Ｉｌ＝ｑ＋ｎＮ文） ＶＳ・−〇 （・＝ｑ、・＝１−Ｍ）ＶＣ
−ｖＬｃ〉■ｓＩｌ （ＩＩ＝ｑ、ｍ＝ｌ−Ｍ）
ｖｃ ＋ｖＬｃ＜ｖｓｆｆｌ （ｍ＝ｑ、ｎ＝
１）ＶＧｎ−ＶＰ＞ＶＬｃ＋ＶＣ（Ｉｌ＝ｑ、 ｎ＝
文）但し、各記号は下記の事項を表わす。
■ ＝ソース電極（走査信号）電圧
ｍ
ＶＧｎ：ゲート電極（表示信号）電圧
ＶＣ＝対向電極（共通端子）電圧
■、。：強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値Ｖ ：ゲート
、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち１例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）
上側、０ＦＦ（明）下側の各表示状態を表わす。すなわ
ち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相１．にお
いて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｎ、
Ｎ・ Ｎ、Ｎ＋１’ Ｎ、Ｎ＋２しゝＣ±′閾値−Ｖ
ＬＣを越えＰＰ Ｐ るーＶ ＞−ＶＳ−Ｖ、の電圧が印加される。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）
上側、０ＦＦ（明）下側の各表示状態を表わす。すなわ
ち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相１．にお
いて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｎ、
Ｎ・ Ｎ、Ｎ＋１’ Ｎ、Ｎ＋２しゝＣ±′閾値−Ｖ
ＬＣを越えＰＰ Ｐ るーＶ ＞−ＶＳ−Ｖ、の電圧が印加される。
１、Ｃ
したがって第４図において画素ＰＮ、Ｎ 、ＰＮ、Ｎ＋
１ ’ＰＭ、Ｎ＋２ は配向状態を変え、「明」にリフ
レッシュされる。次に位相ｔ２において選択された走査
線及び表示線の交点にある画素ＰＭ、Ｎ、ＰＮ、Ｎ＋２
には閾値Ｖ を越える電圧Ｖ、。くＶＳ−ｖｃが印Ｃ 加される。したがって画素Ｐ 、Ｐ は、Ｎ
、Ｎ Ｎ、Ｎ＋２ 「暗」に転移（スイッチ）する０位相ｔ３以降の動作は
前記のｆｔ、〜ｔ２と同じように、まず最初に選択され
た走査線上の画素がすべて「明」にリフレッシュされた
後、同一走査線上で選択された画素に「暗」が書込まれ
ていく。以上各動作でわかる通り、選択された走査電極
線上に於て、表示電極が選択されたか否かに応じて、選
択された場合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは
第二の配向状態に配向を揃え、画素はＯＮ （暗）ある
いはＯＦＦ （明）となり、選択されない走査線上で
はすべての画素に印加される電圧はいずれも闇値電圧を
越えない。
１ ’ＰＭ、Ｎ＋２ は配向状態を変え、「明」にリフ
レッシュされる。次に位相ｔ２において選択された走査
線及び表示線の交点にある画素ＰＭ、Ｎ、ＰＮ、Ｎ＋２
には閾値Ｖ を越える電圧Ｖ、。くＶＳ−ｖｃが印Ｃ 加される。したがって画素Ｐ 、Ｐ は、Ｎ
、Ｎ Ｎ、Ｎ＋２ 「暗」に転移（スイッチ）する０位相ｔ３以降の動作は
前記のｆｔ、〜ｔ２と同じように、まず最初に選択され
た走査線上の画素がすべて「明」にリフレッシュされた
後、同一走査線上で選択された画素に「暗」が書込まれ
ていく。以上各動作でわかる通り、選択された走査電極
線上に於て、表示電極が選択されたか否かに応じて、選
択された場合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは
第二の配向状態に配向を揃え、画素はＯＮ （暗）ある
いはＯＦＦ （明）となり、選択されない走査線上で
はすべての画素に印加される電圧はいずれも闇値電圧を
越えない。
したがって第７図に示される如く、選択された走査線上
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態（Ｑ Ｎ−ｔ）に対
応した配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極
が選択されたときにその１ライン分の信号の書き込みが
行われ、１フレームが終了して次回選択されるまでの間
は、その信号状態を保持し得るわけである。従って、走
査電極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず
、コントラストの低下は全く生じない。
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態（Ｑ Ｎ−ｔ）に対
応した配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極
が選択されたときにその１ライン分の信号の書き込みが
行われ、１フレームが終了して次回選択されるまでの間
は、その信号状態を保持し得るわけである。従って、走
査電極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず
、コントラストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・とＮ’
Ｎ＋１” Ｎ＋２’ 表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成する画
Ｎ’ Ｎｉｌ’ Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極６Ｍ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ”
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記位相ｔ１〜ｔもの各動
作によって第５図の表示パターンが完成する。
Ｎ＋１” Ｎ＋２’ 表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成する画
Ｎ’ Ｎｉｌ’ Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極６Ｍ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ”
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記位相ｔ１〜ｔもの各動
作によって第５図の表示パターンが完成する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８１１ （ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置すること
も可能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等
として利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８１１ （ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置すること
も可能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等
として利用することができる。
次に、以−１−に説明した実施例において、強誘電性前
高としてＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的
数値を示すと、例えば 人力周波数ｆｏ ＝ ｔｘｔｏ４〜１ｘｔｏｅ Ｈ２１
ｏ＜ Ｉ ′ｖＧｌ ＜８ｏＶ （波高値）０．３
＜ ｌ ′ｖＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる
。
高としてＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的
数値を示すと、例えば 人力周波数ｆｏ ＝ ｔｘｔｏ４〜１ｘｔｏｅ Ｈ２１
ｏ＜ Ｉ ′ｖＧｌ ＜８ｏＶ （波高値）０．３
＜ ｌ ′ｖＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる
。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１Ｏ図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＦＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は（第１２
図のＡ−Ａ ”線で切断した部分断面図、第１４図は第
１２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
Ｔの構成を示す断面図、第１Ｏ図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＦＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は（第１２
図のＡ−Ａ ”線で切断した部分断面図、第１４図は第
１２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
第１０図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ園Ｔｉｎ ０ｗ１
ｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ園Ｔｉｎ ０ｗ１
ｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉｎ
、 ５ｉｎ２）とアルミニウムやクロムなどからなる
光遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０
′の上には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋
ｗＴｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁＠２２が形成されている
。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉｎ
、 ５ｉｎ２）とアルミニウムやクロムなどからなる
光遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０
′の上には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋
ｗＴｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁＠２２が形成されている
。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシー〇へ ル材２５が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシー〇へ ル材２５が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ。よりの反射光Ｉ、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９’の背後に反射板１Ｂ （乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ。よりの反射光Ｉ、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９’の背後に反射板１Ｂ （乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、−１−記の各図においてソース電極、ドレイン電極
とは、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定し
た命名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとし
て働く場合も可能〒ある。
とは、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定し
た命名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとし
て働く場合も可能〒ある。
［発明の効果１
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１Ｏ図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１！図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ”線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ：上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５：第一の配向状態 ５′：第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１． ドレイン電極（ソース電極）１２：画素電極
１３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１８；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０”；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２：絶縁膜 ２３：強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６：薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８：パネル基板 ２９：光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′：走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ；共通電極 ４ ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１Ｏ図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１！図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ”線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ：上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５：第一の配向状態 ５′：第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１． ドレイン電極（ソース電極）１２：画素電極
１３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１８；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′；偏光板２０．２０”；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２：絶縁膜 ２３：強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６：薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８：パネル基板 ２９：光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′：走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ；共通電極 ４ ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応しているＦＥＴ端子のうちソースもし
くはドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加する
、時分割駆動であり、かかる走査信号線に所定の走査信
号を印加するとともに、表示信号線に所定の表示信号を
印加する事により、順次選択された走査信号線上の全画
素の表示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一様
にそろえ、次に前記走査信号線に所定の電圧信号を印加
するとともに、選択された表示信号線に第二の配向状態
を形成する所定の電圧信号を印加することを特徴とする
液晶素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124518A JPS614028A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124518A JPS614028A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614028A true JPS614028A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14887459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124518A Pending JPS614028A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617826A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124514A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Hikoichi Kanamori | シヤ−リングの切断材集積方法及びその装置 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124518A patent/JPS614028A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124514A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Hikoichi Kanamori | シヤ−リングの切断材集積方法及びその装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617826A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
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