JPS614022A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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- JPS614022A JPS614022A JP59124512A JP12451284A JPS614022A JP S614022 A JPS614022 A JP S614022A JP 59124512 A JP59124512 A JP 59124512A JP 12451284 A JP12451284 A JP 12451284A JP S614022 A JPS614022 A JP S614022A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素イの駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極Ｗ￥には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる
如き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素イの駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極Ｗ￥には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる
如き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、Ｖｏｌ、 １８．
Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２７
〜１２Ｂの”Ｖｏ ｌ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は、無
電界状態で正の誘電異方イ 性をもつ、ネマチ・
ンク液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカ
ル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに
並行に配列した構造を形成している。一方、電界印加状
態では、正の誘電異方性をもつネマチンク液晶が電界方
向に配列し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、Ｖｏｌ、 １８．
Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２７
〜１２Ｂの”Ｖｏ ｌ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は、無
電界状態で正の誘電異方イ 性をもつ、ネマチ・
ンク液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカ
ル構造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに
並行に配列した構造を形成している。一方、電界印加状
態では、正の誘電異方性をもつネマチンク液晶が電界方
向に配列し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査１ｔｉｗＡと信号電極が共に
選択される領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂
直に配列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走
査電極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）
には電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に
対して並行な安定配列を保っている。このような液晶セ
ルの］−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光
子を配置することにより、選択点では光が透過せず、非
選択点では光が透過するため、画像素子とすることが可
能となる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場
合には、走査電極が選択され、信号電極が選択されない
領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択さ
れる領域（所謂°′半選択点゛°）にもイ１限の電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定
されるならば、表示素子は正常に動作するわけである。
素子を構成した場合、走査１ｔｉｗＡと信号電極が共に
選択される領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂
直に配列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走
査電極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）
には電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に
対して並行な安定配列を保っている。このような液晶セ
ルの］−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光
子を配置することにより、選択点では光が透過せず、非
選択点では光が透過するため、画像素子とすることが可
能となる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場
合には、走査電極が選択され、信号電極が選択されない
領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択さ
れる領域（所謂°′半選択点゛°）にもイ１限の電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定
されるならば、表示素子は正常に動作するわけである。
しかし、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして
行った場合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一
つの選択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ
比）は、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、
くり返し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる
実効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程
小さくなり、結果的には画像コントラストの低下やクロ
ストークが避は難い欠点となっている。このような現象
は、双安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分
子が水平に配向しているのが安定状態であり、電界が有
効に印加されている間のみ垂直に配向する）を、時間的
蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する
）ときに生じる木質的には避は難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多
重マトリクス法等が既に提案されているが、いずれの方
法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は
、走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちにな
っているのが現状である。
行った場合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一
つの選択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ
比）は、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、
くり返し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる
実効値としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程
小さくなり、結果的には画像コントラストの低下やクロ
ストークが避は難い欠点となっている。このような現象
は、双安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分
子が水平に配向しているのが安定状態であり、電界が有
効に印加されている間のみ垂直に配向する）を、時間的
蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する
）ときに生じる木質的には避は難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多
重マトリクス法等が既に提案されているが、いずれの方
法でも不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は
、走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちにな
っているのが現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性数品、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性数品、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一リ、（板と該
画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、
前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態
を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動
法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態とな
る信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子であ
る第一端子と第二端子の間で電界を形成することによっ
て、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第
一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界
と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成するこ
とによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制
御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして
、各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもし
くはドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加する
時分割駆動であり、かかる走査信号線（ソース又はドレ
イン）に所定の走査信号を印加するとと１ ＋″
選択″″た表示信号線（″−ｈ）ｃ＝所定の表示信号を
印加して、第一の配向状態に基づく表示状態を書込むの
と同時に、次のラインを第二の配向状態に基づく表示状
態にリフレッシュすることを特徴とするものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一リ、（板と該
画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、
前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態
を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動
法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態とな
る信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子であ
る第一端子と第二端子の間で電界を形成することによっ
て、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第
一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界
と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成するこ
とによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制
御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして
、各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもし
くはドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加する
時分割駆動であり、かかる走査信号線（ソース又はドレ
イン）に所定の走査信号を印加するとと１ ＋″
選択″″た表示信号線（″−ｈ）ｃ＝所定の表示信号を
印加して、第一の配向状態に基づく表示状態を書込むの
と同時に、次のラインを第二の配向状態に基づく表示状
態にリフレッシュすることを特徴とするものである。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る。
すなわち電界に対する双安定状態を有する物質、特にこ
のような性質を有する液晶が用いられる。
のような性質を有する液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメ
クティックＣ相 （Ｓｍ昨）又Ｈ相（Ｓｍ）ｌ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶ニツイテハ、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴＥ
Ｒ８″３Ｂ （Ｌ−Ｅｌｌｌ） １８７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
−ｔｅｒｓ” ３Ｂ （１１） ＩＨＯｌｒ Ｓｕｂｍ
ｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ旧−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；″固体物理”１Ｂ （１
４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載されており、本
発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いること
ができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメ
クティックＣ相 （Ｓｍ昨）又Ｈ相（Ｓｍ）ｌ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶ニツイテハ、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴＥ
Ｒ８″３Ｂ （Ｌ−Ｅｌｌｌ） １８７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
−ｔｅｒｓ” ３Ｂ （１１） ＩＨＯｌｒ Ｓｕｂｍ
ｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ旧−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；″固体物理”１Ｂ （１
４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載されており、本
発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いること
ができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ｎＯＲＡＭＢ
ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ｎＯＲＡＭＢ
ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳｍＧ准相又はＳｍ旧相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。
物がＳｍＧ准相又はＳｍ旧相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。ｌと１′は、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎＯｔやＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向した５Ｉｌｃｔ相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液品分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメント（Ｐ、）４を有している。基
板ｌと１′」二の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の−に下に互い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えばｌｕ）には、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モ
ーメン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示
す如く一定の闇値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を
所定時間付与すると、双極子モーメン１・は電界Ｅ又は
Ｅ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き
４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向
状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配
向する。
である。ｌと１′は、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎＯｔやＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極がコ
ートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２がガラス面に垂直になるよう配向した５Ｉｌｃｔ相
の液晶が封入されている。太線で示した線３が液品分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメント（Ｐ、）４を有している。基
板ｌと１′」二の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の−に下に互い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えばｌｕ）には、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モ
ーメン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示
す如く一定の闇値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を
所定時間付与すると、双極子モーメン１・は電界Ｅ又は
Ｅ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き
４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向
状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配
向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、す゛、える電
界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態
にやはり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来
るだけ薄い方が好ま一シ＜、一般的には、０．５ｗ〜２
０！、特にｌルー５１１、が適している。この種の強誘
電性液晶を用い１ま たマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、
例えばクラークとラガバルにより、米国特許第４３８７
９２４号明細書で提案ぶれている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、す゛、える電
界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態
にやはり維持されている。このような応答速度の速さと
、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来
るだけ薄い方が好ま一シ＜、一般的には、０．５ｗ〜２
０！、特にｌルー５１１、が適している。この種の強誘
電性液晶を用い１ま たマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、
例えばクラークとラガバルにより、米国特許第４３８７
９２４号明細書で提案ぶれている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。
又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっても
同様に行う事も可能である。
同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ
、Ｇ ゲート電圧、ＶＳをソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ｖＳ であり、ｖ６＞ｖＳ
＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ｃ ＜ Ｖ ｓ ＋
Ｖ ｐの時非導通状態となる。
、Ｇ ゲート電圧、ＶＳをソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ｖＳ であり、ｖ６＞ｖＳ
＋ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ｃ ＜ Ｖ ｓ ＋
Ｖ ｐの時非導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴにおいてはＶ ｎ ＜ Ｖ ｓとし、ｖＧ
くｖ ＋ｖ で導通状態となり、Ｖ ＞Ｖ６＋Ｖ
。
くｖ ＋ｖ で導通状態となり、Ｖ ＞Ｖ６＋Ｖ
。
ＳＰ Ｇで
非導通状態となる。
非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを［暗
］状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを［暗
］状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリ・ンクスの回路図、第４図は
対応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表
示例を示す説明図である。
対応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表
示例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号を示す図であって、位相ｔｌ＋
ｔ２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔ１＋ｔ２・・
・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されない
表示電極に与えられる電気信号を示している。
ｔ２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔ１＋ｔ２・・
・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されない
表示電極に与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。初めに選択され
た走査電極ＳＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）
に示される如く位相（時間）ｔ、−ｃ’は、 Ｖｓ、
位相（時間）ｔ２では、＋ｖｓである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。初めに選択され
た走査電極ＳＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）
に示される如く位相（時間）ｔ、−ｃ’は、 Ｖｓ、
位相（時間）ｔ２では、＋ｖｓである。
−・方、それ以外の走査電極ＳＮ＋１．ＳＮ＋２は第６
図（ａ）に示す如く位相ｔ１ではＯである。また、位相
ｔｌにおいてはいずれの表示電極も選択されていないが
、位相ｔ２において選択された表示電極ＧＧ に与
えられる電気信号は、第６図Ｎ’ Ｎ＋２ （ｂ）に示される如く十ＶＧであり、また選択されない
表示電極Ｇ に与えられる電気信号はＯで１＋１ ある。以上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足す
る所望の値に設定される。
図（ａ）に示す如く位相ｔ１ではＯである。また、位相
ｔｌにおいてはいずれの表示電極も選択されていないが
、位相ｔ２において選択された表示電極ＧＧ に与
えられる電気信号は、第６図Ｎ’ Ｎ＋２ （ｂ）に示される如く十ＶＧであり、また選択されない
表示電極Ｇ に与えられる電気信号はＯで１＋１ ある。以上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足す
る所望の値に設定される。
走査電極ト」ラインに表示電極ｎ−ＫＬの信号線でし明
」を書込み、同時に、走査電極ｍ＝ ｑ＋１ライン全体
を「暗」にリフレッシュする場合、ｖ ＋ｖＬｃ＜ｖ
ａｎ （ｍ＝ｑ、ｎ＝ ｉ）ｖ ｖ
＞ ｖ Ｌｃ 十ｖ ｃ （ｎ −ｘ ）Ｓｎ
＋ Ｐ 但し、各記号は下記の事項を表わす。
」を書込み、同時に、走査電極ｍ＝ ｑ＋１ライン全体
を「暗」にリフレッシュする場合、ｖ ＋ｖＬｃ＜ｖ
ａｎ （ｍ＝ｑ、ｎ＝ ｉ）ｖ ｖ
＞ ｖ Ｌｃ 十ｖ ｃ （ｎ −ｘ ）Ｓｎ
＋ Ｐ 但し、各記号は下記の事項を表わす。
ｖｏ ：対向電極（共通端子）電圧
■、。：強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲート
、ソース間の闇値 以」二の動作なｑ＝１−Ｎまで繰返し書込みを行う。
、ソース間の闇値 以」二の動作なｑ＝１−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ （明
）上側、ＯＦＦ （暗）下側の各表示状態を表わす。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ （明
）上側、ＯＦＦ （暗）下側の各表示状態を表わす。
すなわち、第６図および第７図より明らかな如く、位相
ｔ１において選択された走査線と表示線の交点にある画
素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋１’ ＰＮ、Ｎ＋２テは、閾値−■ を越える電圧−Ｖ Ｌ
Ｃ＞Ｃ −Ｖ −ＶＣが印加され、第４図において画素Ｎ、Ｎ
、Ｎ、Ｎや１”Ｎ、Ｎ＋２は「暗」にリフレッシュＰ される。次いで、位相ｔ２において選択された走査線と
表示線の交点にある画素ＰＮ、Ｎ、ＰＮ、Ｎ＋２では閾
４ｆ４Ｖ 、。を越える電圧Ｖ ｔ、ｃ ＜ Ｖ ｓ
Ｖ ｃが印加され、画素ＰＮ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２は
「明」に転移（スイッチ）する。この位相ｔ２における
「明」の書込みと同時に、位相ｔ２においてやはり選択
された走査線上にある画素ＰＮｉｌ 、Ｎ’ ” Ｎ＋
１ 、Ｎ＋１ 。
ｔ１において選択された走査線と表示線の交点にある画
素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋１’ ＰＮ、Ｎ＋２テは、閾値−■ を越える電圧−Ｖ Ｌ
Ｃ＞Ｃ −Ｖ −ＶＣが印加され、第４図において画素Ｎ、Ｎ
、Ｎ、Ｎや１”Ｎ、Ｎ＋２は「暗」にリフレッシュＰ される。次いで、位相ｔ２において選択された走査線と
表示線の交点にある画素ＰＮ、Ｎ、ＰＮ、Ｎ＋２では閾
４ｆ４Ｖ 、。を越える電圧Ｖ ｔ、ｃ ＜ Ｖ ｓ
Ｖ ｃが印加され、画素ＰＮ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２は
「明」に転移（スイッチ）する。この位相ｔ２における
「明」の書込みと同時に、位相ｔ２においてやはり選択
された走査線上にある画素ＰＮｉｌ 、Ｎ’ ” Ｎ＋
１ 、Ｎ＋１ 。
ＰＮ＋Ｉ、Ｎ＋２では、位相ｔ１の場合と同じように、
閾値−ＶＬＣを越える電圧−Ｖ Ｌ Ｃ＞ Ｖ ｓ
Ｖ ｃが印加され、画素”Ｎ、Ｎ ’馳１．Ｎ＋１
、ＰＮ＋１．Ｎ＋２ は「暗」にリフレッシュされ
る。
閾値−ＶＬＣを越える電圧−Ｖ Ｌ Ｃ＞ Ｖ ｓ
Ｖ ｃが印加され、画素”Ｎ、Ｎ ’馳１．Ｎ＋１
、ＰＮ＋１．Ｎ＋２ は「暗」にリフレッシュされ
る。
従って、選択された走査電極線上に於て、まず各画素の
液晶分子は一方の配向状態に配向を揃えて画素は叶Ｆ
（暗）となり、次いで再び選択された同一走査線上に於
て、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された
場合に（主、液晶分子は他方の配向状態に配向を揃え、
画素はＯＮ（明）となる。位相ｔ３以降も前記の動作を
繰り返すことによって各走査線上に順次所定の書込みが
なされてゆく。
液晶分子は一方の配向状態に配向を揃えて画素は叶Ｆ
（暗）となり、次いで再び選択された同一走査線上に於
て、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された
場合に（主、液晶分子は他方の配向状態に配向を揃え、
画素はＯＮ（明）となる。位相ｔ３以降も前記の動作を
繰り返すことによって各走査線上に順次所定の書込みが
なされてゆく。
一方、第７図に示される如く、選択されない走査線上で
は、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線上以外の各画
素における液晶分子は配向状態を変えることなく前回走
査されたときの信号状態（ＱＮ−０）に対応した配向な
、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択された
ときにそのｌライフ分の信号の書き込みが行われ、ｌフ
レームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号
状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が増
えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラス
トの低下は全く生じない。
は、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線上以外の各画
素における液晶分子は配向状態を変えることなく前回走
査されたときの信号状態（ＱＮ−０）に対応した配向な
、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択された
ときにそのｌライフ分の信号の書き込みが行われ、ｌフ
レームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号
状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が増
えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラス
トの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・とＮ’
Ｎ＋１１ Ｎ＋２’ 表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成する画
Ｎ’ Ｎ＋１’ Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＯＮ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ、
ＳＮ＋２に対応する画素では「明」状態であり、それ以
外の画素は「暗」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ４の各
動作によって、第５図の表示パターンが完成する。
Ｎ＋１１ Ｎ＋２’ 表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成する画
Ｎ’ Ｎ＋１’ Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＯＮ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ、
ＳＮ＋２に対応する画素では「明」状態であり、それ以
外の画素は「暗」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ４の各
動作によって、第５図の表示パターンが完成する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以−１−に説明した実施例において、強誘電セＩ
液晶としてＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体
的数値を示すと、例えば 入力周波数ｆ。−１×１０４〜Ｉ Ｘ １０６Ｈ２１０
＜ ｌ Ｖｏｌ ＜８０Ｖ （波高値）０．３ ＜
ｌ ＶＳＩ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
液晶としてＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体
的数値を示すと、例えば 入力周波数ｆ。−１×１０４〜Ｉ Ｘ １０６Ｈ２１０
＜ ｌ Ｖｏｌ ＜８０Ｖ （波高値）０．３ ＜
ｌ ＶＳＩ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ′線で切断した部分断面図であり、以１−
に示す各図はいずれも本発明の一実施４ 態様を
示すものである。
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ′線で切断した部分断面図であり、以１−
に示す各図はいずれも本発明の一実施４ 態様を
示すものである。
第１Ｏ図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の−Ｌにゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子を
ドーピングした窒化シリコン膜なと）を介して形成した
半導体膜ｔｅ（水素原子をドーピングしたアモルファス
シリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と
１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した
画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋ｓ Ｔｉｎ
０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の−Ｌにゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子を
ドーピングした窒化シリコン膜なと）を介して形成した
半導体膜ｔｅ（水素原子をドーピングしたアモルファス
シリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と
１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した
画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋ｓ Ｔｉｎ
０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
さらに、この」二に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の」二には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕａ
＋Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ） と絶縁膜２２が形成されてい
る。
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の」二には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕａ
＋Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ） と絶縁膜２２が形成されてい
る。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封■１−するためのシール材
２５が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封■１−するためのシール材
２５が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロス
゛ニコル状態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者
Ａが入射光ＩＯよりの反射光■１によって表示状態を見
ることができる様に偏光子１８′の背後に反射板１日（
乱反射性アルミニウムシート又は板）が設けられている
。
゛ニコル状態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者
Ａが入射光ＩＯよりの反射光■１によって表示状態を見
ることができる様に偏光子１８′の背後に反射板１日（
乱反射性アルミニウムシート又は板）が設けられている
。
又、１−記の各図においてソース電極、ドレイン電極と
は、トレインからソースへ電流が流れる場合に限定した
命名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして
働く場合も可能である。
は、トレインからソースへ電流が流れる場合に限定した
命名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして
働く場合も可能である。
［発明の効果１
Ｌ記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第８図（ａ）及び（
ｂ）はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示
す配線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す
断面図、第１θ図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの
断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴ
Ｆ↑基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図
び第１４図はＢ−Ｂ ”部分断面図である。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 ｌｌ； ドレイン電極（ソース電極） １２、画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；”
ｌ’、導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反
射板 １９．１９′；偏光板２０．２０′；ガラス、
プラスチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁
膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７：ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第８図（ａ）及び（
ｂ）はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示
す配線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す
断面図、第１θ図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの
断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴ
Ｆ↑基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図
び第１４図はＢ−Ｂ ”部分断面図である。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 ｌｌ； ドレイン電極（ソース電極） １２、画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；”
ｌ’、導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反
射板 １９．１９′；偏光板２０．２０′；ガラス、
プラスチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁
膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７：ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースも
しくはドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加す
る時分割駆動であり、かかる走査信号線に所定の走査信
号を印加するとともに選択された表示信号線に所定の表
示信号を印加して、第一の配向状態に基づく表示状態を
書込むのと同時に、次のラインを第二の配向状態に基づ
く表示状態にリフレッシュすることを特徴とする液晶素
子の駆動法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124512A JPS614022A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR8506484A FR2563649B1 (fr) | 1984-04-28 | 1985-04-29 | Dispositif a cristaux liquides et procede d'attaque correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124512A JPS614022A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614022A true JPS614022A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0452923B2 JPH0452923B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=14887320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124512A Granted JPS614022A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614022A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102568370A (zh) * | 2010-12-22 | 2012-07-11 | 财团法人工业技术研究院 | 多重稳态显示面板的驱动装置与驱动方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262135A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124512A patent/JPS614022A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262135A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102568370A (zh) * | 2010-12-22 | 2012-07-11 | 财团法人工业技术研究院 | 多重稳态显示面板的驱动装置与驱动方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452923B2 (ja) | 1992-08-25 |
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