JPS614029A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔと誓、■ｅｌｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １Ｂ
、 Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２
７〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉ
ｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
＋”に示されたＴＮ婦（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型の液晶を用いたもノテあり、この型の液晶は、無
電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の分
子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を形
成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配列し
た構造を形成している。一方、電界印加状態では、正の
誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列し、
この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔと誓、■ｅｌｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １Ｂ
、 Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２
７〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉ
ｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
＋”に示されたＴＮ婦（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型の液晶を用いたもノテあり、この型の液晶は、無
電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の分
子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を形
成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配列し
た構造を形成している。一方、電界印加状態では、正の
誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列し、
この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する闇値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂″半選択点”）にも有限の電界がかかってしまう
。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が
充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この方
式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画
面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１／Ｈ
の割合で減少してしまう。このために、くり返し走査を
行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての
電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結
果的には画像コントラストの低下やクロストークが避は
難い欠点となっている。このような現象は、双安定状態
を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向
しているのが安定状態であり、電界が有効に印加されて
いる間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を利用
して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生じる
本質的には避は難い問題点である。この点を改良するた
めに、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリクス法
等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充分で
あり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充
分に増やせないことによって頭打ちになっているのが現
状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する闇値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂″半選択点”）にも有限の電界がかかってしまう
。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が
充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この方
式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画
面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１／Ｈ
の割合で減少してしまう。このために、くり返し走査を
行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての
電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結
果的には画像コントラストの低下やクロストークが避は
難い欠点となっている。このような現象は、双安定状態
を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向
しているのが安定状態であり、電界が有効に印加されて
いる間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を利用
して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生じる
本質的には避は難い問題点である。この点を改良するた
めに、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリクス法
等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充分で
あり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充
分に増やせないことによって頭打ちになっているのが現
状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
Ｅ問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうちゲートに走査信号、
ソースもしくはドレインに表示信号を印加する時−分割
駆動であり、かかる走査信号線（ゲート）に所定の走査
信号を印加するとともに、表示信号線（ソース又はドレ
イン）に信号電圧を印加することによって全画面の表示
状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一様にそろえ
、次に前記走査信号線に順次、所定の電圧信号を印加す
るとともに、選択された表示信号線に第二の配向状態を
形成する画像信号を印加することを特徴とするものであ
る。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうちゲートに走査信号、
ソースもしくはドレインに表示信号を印加する時−分割
駆動であり、かかる走査信号線（ゲート）に所定の走査
信号を印加するとともに、表示信号線（ソース又はドレ
イン）に信号電圧を印加することによって全画面の表示
状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一様にそろえ
、次に前記走査信号線に順次、所定の電圧信号を印加す
るとともに、選択された表示信号線に第二の配向状態を
形成する画像信号を印加することを特徴とするものであ
る。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クテイックＣ相（ＳｎＯ本）又Ｈ相（Ｓ■旧）の液晶が
適している。この強誘電性液晶ニツイテは、”ＬＥ Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴＥＲ１
３” ３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒＦｅｒｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔ
ｅｒｓ” ３１３ （１１） １９８０ 、
ｒ ５ｕｂｓｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂ
ｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ ｉｎ Ｌｉ１ＴｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ
；”固体物理”１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液
晶」等に記載されており、本発明ではこれらに開示され
た強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クテイックＣ相（ＳｎＯ本）又Ｈ相（Ｓ■旧）の液晶が
適している。この強誘電性液晶ニツイテは、”ＬＥ Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴＥＲ１
３” ３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒＦｅｒｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔ
ｅｒｓ” ３１３ （１１） １９８０ 、
ｒ ５ｕｂｓｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂ
ｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ ｉｎ Ｌｉ１ＴｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ
；”固体物理”１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液
晶」等に記載されており、本発明ではこれらに開示され
た強誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ：） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ
−２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ：） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ
−２−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳｍＣ１相又はＳ腸旧相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。
物がＳｍＣ１相又はＳ腸旧相となるような温度状態に保
持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた
銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１と１′は、Ｉｎ、 ０３ 、 ＳｎＯ，やＩ
ＴＯ（ｆｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ＊Ｃ
ｆ相の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している
。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印
加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメント（Ｐｌ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶
分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は
細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩＬ）には、第２
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子
モーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′
を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又は
Ｅ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き
４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向
状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配
向する。
である。１と１′は、Ｉｎ、 ０３ 、 ＳｎＯ，やＩ
ＴＯ（ｆｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ＊Ｃ
ｆ相の液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している
。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印
加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメント（Ｐｌ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶
分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は
細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、
電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素
子となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの
厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩＬ）には、第２
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子
モーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′
を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又は
Ｅ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き
４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向
状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に配
向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、ｆ 与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５
ｐＬ〜２０ＩＬ、特にＩｌｌ、〜５ＩＬが適している。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、ｆ 与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５
ｐＬ〜２０ＩＬ、特にＩｌｌ、〜５ＩＬが適している。
この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有
する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバル
により、米国特許第４３８７９２４号明細書で提案され
ている。
する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバル
により、米国特許第４３８７９２４号明細書で提案され
ている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。
又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっても
同様に行う事も可能である。
同様に行う事も可能である。
Ｎｙ！１ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ
Ｃ ゲート電圧、ｖＳをソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ｖＳ であり、Ｖ ＞Ｖ
＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｓ Ｖ ＜Ｖ ＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｃ ゲート電圧、ｖＳをソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ｖＳ であり、Ｖ ＞Ｖ
＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｓ Ｖ ＜Ｖ ＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｓ
Ｐ型ＦＥＴにおいては７口く■ｓとし、ＶＧ くＶ ＋
ｖ で導通状態トナリ、Ｖ ＞ Ｖ ｓ ＋ Ｖ ｐ
Ｓ Ｐ Ｇ
で非導通状態となる。
ｖ で導通状態トナリ、Ｖ ＞ Ｖ ｓ ＋ Ｖ ｐ
Ｓ Ｐ Ｇ
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号を示す図であって、位相ｔ１
、ｔ２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印
加される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない
走査電極）に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号であって位相ｊｌ＋ｊ２・・・にお
いてそれぞれ選択された表示電極と選択されない表示電
極に与えられる電気信号を示している。
、ｔ２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印
加される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない
走査電極）に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号であって位相ｊｌ＋ｊ２・・・にお
いてそれぞれ選択された表示電極と選択されない表示電
極に与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。位相（時間）１
＋において選択された走査電極ＧＧ Ｇ に与
えられる電気信号は、ＮＩＮ＋１’ Ｎ＋２ 第６図（ａ）に示される如く位相（時間）１＋では、０
であり、位相（時間）ｔ２において選択された走査電極
ＧＮに与えられた電気信号は＋ｖＧである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。位相（時間）１
＋において選択された走査電極ＧＧ Ｇ に与
えられる電気信号は、ＮＩＮ＋１’ Ｎ＋２ 第６図（ａ）に示される如く位相（時間）１＋では、０
であり、位相（時間）ｔ２において選択された走査電極
ＧＮに与えられた電気信号は＋ｖＧである。
一方、それ以外の走査電極ＧＮ＋１ ” Ｎ＋２は第６
図（ａ）に示す如く位相ｔ２ではＯである。また、位相
ｔ１で選択された表示電極Ｓ Ｓ ＳＮ’ Ｎ＋１
’ Ｎ＋２ に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）に示される如く
−ＶＳであり、位相ｔ２において選択された表示電極Ｓ
Ｓ に与えられる電気信号はＮ’ Ｎ＋２ ＋ｖｓである。また位相ｔ２において選択されない表示
電極Ｓ に与えられる電気信号は０であＮ＋１ ｆ る。以上に於て各々の電圧値は、以下の関係
を満足する所望の値に設定される。
図（ａ）に示す如く位相ｔ２ではＯである。また、位相
ｔ１で選択された表示電極Ｓ Ｓ ＳＮ’ Ｎ＋１
’ Ｎ＋２ に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）に示される如く
−ＶＳであり、位相ｔ２において選択された表示電極Ｓ
Ｓ に与えられる電気信号はＮ’ Ｎ＋２ ＋ｖｓである。また位相ｔ２において選択されない表示
電極Ｓ に与えられる電気信号は０であＮ＋１ ｆ る。以上に於て各々の電圧値は、以下の関係
を満足する所望の値に設定される。
走査電極層＝１〜Ｎ （Ｎは走査線数）ラインに表示電
極ｎ＝１〜Ｍ （Ｍは表示線数）の信号線で全面に「明
」をリフレッシュ、次いで走査電極■＝ｑラインに表示
電極ｎ＝ｌで「暗」の書込みをする場合、 （ｍ＝ １−Ｎ、 ｎ＝ １〜Ｍ） ＶＧｍ＝０（Ｉｌｌ＃ｑ） ■ｃ−ｖＬｃ＞ｖｓｎ（ド１〜Ｎ、 ｎ＝ １〜Ｍ）ｖ
ｃ、 ｖ ｐ ＞ Ｖ ＬＣ＋ Ｖ Ｃ（ｍ ＝ｑ
、ｎ ＝ｘ ）ｖ ｃ ＋ Ｖ Ｌ ｃ ＜ ｖ
ｓ ｎ（ｎ ＝ｌ ）■５ｎ＝Ｏ（ｎ笑文） 但し、各記号は下記の事項を表わす。
極ｎ＝１〜Ｍ （Ｍは表示線数）の信号線で全面に「明
」をリフレッシュ、次いで走査電極■＝ｑラインに表示
電極ｎ＝ｌで「暗」の書込みをする場合、 （ｍ＝ １−Ｎ、 ｎ＝ １〜Ｍ） ＶＧｍ＝０（Ｉｌｌ＃ｑ） ■ｃ−ｖＬｃ＞ｖｓｎ（ド１〜Ｎ、 ｎ＝ １〜Ｍ）ｖ
ｃ、 ｖ ｐ ＞ Ｖ ＬＣ＋ Ｖ Ｃ（ｍ ＝ｑ
、ｎ ＝ｘ ）ｖ ｃ ＋ Ｖ Ｌ ｃ ＜ ｖ
ｓ ｎ（ｎ ＝ｌ ）■５ｎ＝Ｏ（ｎ笑文） 但し、各記号は下記の事項を表わす。
ｖｏＩｌ：ゲート電極（走査信号）電圧■Ｌ６二強二重
誘電性液晶値電圧の絶対値ｖ、：ゲート、ソース間の闇
値 以上の動作をｑ＝ １〜Ｎまで繰返し書込みを行う。
誘電性液晶値電圧の絶対値ｖ、：ゲート、ソース間の闇
値 以上の動作をｑ＝ １〜Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸がＯＮ（暗
）上側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす、
すなわち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相１
．において、選択された走査線及び表示線の交点にある
すべての画素ＰＮ、Ｎ ””Ｎヤ２．Ｎ＋２ には
、闇値−■ 越えるーｖ ＞−ｖ −ｖＣの電圧が
ＬＣＬＣＳ 印加される。、したがって第４図において全画素Ｎ、Ｎ
Ｎ＋２．Ｎ＋２は配向状態を変え、「明」にＰ
−Ｐ リフレッシュされる。次に位相ｔ２において、選択され
た走査線及び表示線の交点にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋
２．Ｈニは閾値Ｖ を越える電圧Ｖ Ｌ Ｃ＜Ｐ
Ｐ ｔ、ｃ Ｖ −ｖｃが印加される。したがって画素ＰＮ、Ｎ’Ｐ
Ｎ＋２．Ｎは、「暗」に転移（スイッチ）する。位相ｔ
３以降の動作は、位相ｔ２の場合と同じように、選択さ
れた走査線及び表示線に対応する画素に順次「暗」が書
込まれていく。以上各動作でわかる通り、選択された走
査電極線上に表示電極が選択されたか否かに応じて、選
択された場合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは
第二の配置７ 向状態に配向を揃え、画素はＯＮ （暗）あるいはＯＦ
Ｆ （明）となり、選択されない走査線上ではすべて
の画素に印加される電圧はいずれも閾値電圧を越えない
。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸がＯＮ（暗
）上側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす、
すなわち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相１
．において、選択された走査線及び表示線の交点にある
すべての画素ＰＮ、Ｎ ””Ｎヤ２．Ｎ＋２ には
、闇値−■ 越えるーｖ ＞−ｖ −ｖＣの電圧が
ＬＣＬＣＳ 印加される。、したがって第４図において全画素Ｎ、Ｎ
Ｎ＋２．Ｎ＋２は配向状態を変え、「明」にＰ
−Ｐ リフレッシュされる。次に位相ｔ２において、選択され
た走査線及び表示線の交点にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋
２．Ｈニは閾値Ｖ を越える電圧Ｖ Ｌ Ｃ＜Ｐ
Ｐ ｔ、ｃ Ｖ −ｖｃが印加される。したがって画素ＰＮ、Ｎ’Ｐ
Ｎ＋２．Ｎは、「暗」に転移（スイッチ）する。位相ｔ
３以降の動作は、位相ｔ２の場合と同じように、選択さ
れた走査線及び表示線に対応する画素に順次「暗」が書
込まれていく。以上各動作でわかる通り、選択された走
査電極線上に表示電極が選択されたか否かに応じて、選
択された場合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは
第二の配置７ 向状態に配向を揃え、画素はＯＮ （暗）あるいはＯＦ
Ｆ （明）となり、選択されない走査線上ではすべて
の画素に印加される電圧はいずれも閾値電圧を越えない
。
したがって第７図に示される如く、選択された走査線上
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態に対応した配向を、
そのまま保持している。即ち、走査電極が選択されたと
きにその１ライン分の信号の書き込みが行われ、ｌフレ
ームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号状
態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が増え
ても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラスト
の低下は全く生じない。
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態に対応した配向を、
そのまま保持している。即ち、走査電極が選択されたと
きにその１ライン分の信号の書き込みが行われ、ｌフレ
ームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号状
態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が増え
ても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラスト
の低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極ＧＮ、ＧＭ＋１．ＧＮ＋２’・
・・と表示電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成す
る画Ｎ’ Ｎ＋１’ ８４２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＭ”
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ４の各動
作によって、第５図の表示パターンが完成する。
・・と表示電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成す
る画Ｎ’ Ｎ＋１’ ８４２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＭ”
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ４の各動
作によって、第５図の表示パターンが完成する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ｌｘ１０４〜１ｘｌＯ６Ｈ２１０＜
ｌ Ｖ、ｌ ＜１３０Ｖ （波高値）０．３ ＜ ｌ
ＶＳＩ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ｌｘ１０４〜１ｘｌＯ６Ｈ２１０＜
ｌ Ｖ、ｌ ＜１３０Ｖ （波高値）０．３ ＜ ｌ
ＶＳＩ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板（の斜視
図、第１２図は↑ＦＴ基板の平面図、第１３図は第１２
図のＡ−Ａ ”線で切断した部分断面図、第１４図は第
１２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板（の斜視
図、第１２図は↑ＦＴ基板の平面図、第１３図は第１２
図のＡ−Ａ ”線で切断した部分断面図、第１４図は第
１２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
第１θ図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１Ｂに接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ）が形成されてし）る。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１Ｂに接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ）が形成されてし）る。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、５ｉｎｆ）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′の
上には対向電極２１ （ＩＴＱ； ＩｎｄｎｉｕｍＴｉ
ｎ Ｏ＋ｔｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、５ｉｎｆ）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′の
上には対向電極２１ （ＩＴＱ； ＩｎｄｎｉｕｍＴｉ
ｎ Ｏ＋ｔｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液
゛晶２３が挟持されている。又、この基板２ｏと２
０”の周囲部には強誘電性液晶２３を封止するためのシ
ール材２５が設けられている。
゛晶２３が挟持されている。又、この基板２ｏと２
０”の周囲部には強誘電性液晶２３を封止するためのシ
ール材２５が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ０よりの反射光■！によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ０よりの反射光■！によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１Ｏ図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＦＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ”線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 ｔ、ｔ’；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３：液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ□） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ”層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２：画素電極 １３：絶縁層 １４、基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′、偏光板２０．２０′、ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １〜Ｎ；表示電極 ４ Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１Ｏ図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＦＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ”線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 ｔ、ｔ’；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３：液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ□） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ”層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２：画素電極 １３：絶縁層 １４、基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′、偏光板２０．２０′、ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １〜Ｎ；表示電極 ４ Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応しているＦＥＴ端子のうちゲートに走
査信号、ソースもしくはドレインに表示信号を印加する
、時分割駆動であり、かかる走査信号線に所定の走査信
号を印加するとともに、表示信号線に信号電圧を印加す
ることによって全画面の表示状態を第一の配向状態に基
づく表示状態に一様にそろえ、次に前記走査信号線に順
次、所定の電圧信号を印加するとともに、選択された表
示信号線に第二の配向状態を形成する画像信号を印加す
ることを特徴とする液晶素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124519A JPS614029A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124519A JPS614029A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614029A true JPS614029A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14887486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124519A Pending JPS614029A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617825A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262133A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124519A patent/JPS614029A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262133A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617825A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPH0453292B2 (ja) * | 1984-06-22 | 1992-08-26 | Canon Kk |
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