JPS619623A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS619623A JPS619623A JP59129999A JP12999984A JPS619623A JP S619623 A JPS619623 A JP S619623A JP 59129999 A JP59129999 A JP 59129999A JP 12999984 A JP12999984 A JP 12999984A JP S619623 A JPS619623 A JP S619623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display
- state
- electrode
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3651—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using multistable liquid crystals, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツター、アレイ、画像表示
装置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは
双安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリッ
クス構成により駆動する方法に関するものである。
装置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは
双安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリッ
クス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素、
を形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は
、よく知られている。この表示素子の駆動法としては、
走査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加
し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる
如き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素、
を形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は
、よく知られている。この表示素子の駆動法としては、
走査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加
し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる
如き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから１表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １８
． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２
７〜１２８ ノ”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は、無
電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の分
子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を形
成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配列し
た構造を形成している。一方、電界印加状態では、正の
誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列し、
この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから１表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １８
． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １２
７〜１２８ ノ”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は、無
電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の分
子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を形
成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配列し
た構造を形成している。一方、電界印加状態では、正の
誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列し、
この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択さ１れ、信号電極が選択されない領域或
いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領
域（所謂′°半選択点゛′）にも有限の電界がかかって
しまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧
の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させ
るに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるな
らば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、
この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場
合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択
点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、
１／Ｎの割合で減少してしまう。このために、くり返し
走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値と
しての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくな
り、結果的には画像コントラストの低下やクロストーク
が避は難い欠点となっている。このような現象は、双安
定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平
に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加
されている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果
を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに
生じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良
するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリ
クス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不
充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線
数が充分に増やせないことによって頭打ちになっている
のが現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択さ１れ、信号電極が選択されない領域或
いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領
域（所謂′°半選択点゛′）にも有限の電界がかかって
しまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧
の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させ
るに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるな
らば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、
この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場
合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択
点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、
１／Ｎの割合で減少してしまう。このために、くり返し
走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値と
しての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくな
り、結果的には画像コントラストの低下やクロストーク
が避は難い欠点となっている。このような現象は、双安
定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平
に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加
されている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果
を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに
生じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良
するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリ
クス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不
充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線
数が充分に増やせないことによって頭打ちになっている
のが現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、Ｆ［：Ｔ （電界効果トランジ
スタ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画
素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画
素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前
記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を
有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法
であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる
信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である
第一端子と第二端子の間で電界を形成することによって
、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一
位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と
逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成すること
によって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各
画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ゲートに走査信
号、ソースもしくはドレインに表示信号を印加する時分
割駆動であることを特徴とするものである。さらに具体
的には、走査信号線（ゲート）に所定の走査信号を印加
するとともに、選択された表示信号線（ソース又はドレ
イン）に所定の表示信号を印加して、第一の配向状態に
基づく表示状態を書込み、次に別の選択された表示信号
線（ソース又はドレイン）に所定の表示信号を印加して
第二の配向状態に基づく表示状態の書込みを行うことを
第２の特徴としている。
液晶素子の駆動方法は、Ｆ［：Ｔ （電界効果トランジ
スタ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画
素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画
素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前
記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を
有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法
であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる
信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である
第一端子と第二端子の間で電界を形成することによって
、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一
位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と
逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成すること
によって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各
画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ゲートに走査信
号、ソースもしくはドレインに表示信号を印加する時分
割駆動であることを特徴とするものである。さらに具体
的には、走査信号線（ゲート）に所定の走査信号を印加
するとともに、選択された表示信号線（ソース又はドレ
イン）に所定の表示信号を印加して、第一の配向状態に
基づく表示状態を書込み、次に別の選択された表示信号
線（ソース又はドレイン）に所定の表示信号を印加して
第二の配向状態に基づく表示状態の書込みを行うことを
第２の特徴としている。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一め光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
れる電界に応じて第一め光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｆｆｉｃｋ）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、”Ｌ
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ９” Ｈ（Ｌ−［１Ｅｌ） １９７５． ｒ Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔ−ｔｅｒｓ” ３Ｂ （１１） ＩＨＯｌｒ Ｓｕ
ｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理″Ｉ
ＥＩ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載され
ており、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を
用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｆｆｉｃｋ）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、”Ｌ
Ｅ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ９” Ｈ（Ｌ−［１Ｅｌ） １９７５． ｒ Ｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔ−ｔｅｒｓ” ３Ｂ （１１） ＩＨＯｌｒ Ｓｕ
ｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理″Ｉ
ＥＩ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載され
ており、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を
用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（［ｌＯＲＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ｎｏＢＡｃｐｃ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（［ｌＯＲＡＭＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメート（ｎｏＢＡｃｐｃ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が５ｔａＣ＊相又はＳｍ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物が５ｔａＣ＊相又はＳｍ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１と１′は、Ｉ ｎ ２０ａ 、Ｓ ｎ ０２
やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透
明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層２がガラス面に垂直にするよう配向した５
ＩＩＣ＊相の液晶が封入されている。太線で示した線３
が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分
子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐｉ ） ４を
有している。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以゛
上の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほど
け、双極子モーメン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向
くよう、液晶分子３の配向方向を変えることができる。
である。１と１′は、Ｉ ｎ ２０ａ 、Ｓ ｎ ０２
やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透
明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層２がガラス面に垂直にするよう配向した５
ＩＩＣ＊相の液晶が封入されている。太線で示した線３
が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分
子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐｉ ） ４を
有している。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以゛
上の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほど
け、双極子モーメン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向
くよう、液晶分子３の配向方向を変えることができる。
液晶分子３は細長い形状を有しており、その長袖方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学変調素子となることは、容易に理解される。さら
に液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩＬ
）には、第２図に示すように電界を印加していない状態
でも液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）
、その双極子モーメン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又
は下向（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電
界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメント
は電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ
又は、下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子
は第一の配向状８５かあるいは第二の配向状８５′の何
れか一方に配向する。
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学変調素子となることは、容易に理解される。さら
に液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩＬ
）には、第２図に示すように電界を印加していない状態
でも液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）
、その双極子モーメン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又
は下向（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電
界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメント
は電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ
又は、下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子
は第一の配向状８５かあるいは第二の配向状８５′の何
れか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、０．５ｐ〜２０ｐＬ
、特にｉｐ−□５用が適している。この種の強誘電性液
晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学
装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第
４３８７９２４号明細書で提案之れている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、０．５ｐ〜２０ｐＬ
、特にｉｐ−□５用が適している。この種の強誘電性液
晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光学
装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第
４３８７９２４号明細書で提案之れている。
゛本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電
圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれ
をソースとしても使用しうるという事にもとづいている
。アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥ
Ｔ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、
多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる
。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであって
も同様に行う事も可能である。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電
圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれ
をソースとしても使用しうるという事にもとづいている
。アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥ
Ｔ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、
多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる
。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであって
も同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖ をＤ
Ｇゲート電圧、■ を
ソース電圧、■、をゲー トソース間の閾値電圧とする
とＶ＞■、であり す、ｖ ＞ｖＳ＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ｃ ＜
Ｖ ｓ ＋ Ｖ ｐの時非導通状態となる。
Ｇゲート電圧、■ を
ソース電圧、■、をゲー トソース間の閾値電圧とする
とＶ＞■、であり す、ｖ ＞ｖＳ＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ｃ ＜
Ｖ ｓ ＋ Ｖ ｐの時非導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴ ニオイテはｖＤくＶｓとし、ｖＧ くＶ、
＋Ｖ、−ｃ導通状態トナリ、ｖＧ＞ＶＳ＋ｖ。
＋Ｖ、−ｃ導通状態トナリ、ｖＧ＞ＶＳ＋ｖ。
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態と′し、いずれを「
暗」状態とするかはセルの」−下に配置するクロスニコ
ル状態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸と
の向きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態と′し、いずれを「
暗」状態とするかはセルの」−下に配置するクロスニコ
ル状態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸と
の向きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマＩ・
リックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制
御し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとらゎれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
リックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制
御し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとらゎれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号を示す図であって、位相１、．
１２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔＩ 、ｔ２・
・・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されな
い表示１電極に与えられる電気信号を示している。
１２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔＩ 、ｔ２・
・・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されな
い表示１電極に与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く「明」書込み時では、０であり、「暗」書込み時で
は、＋ｖＧである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く「明」書込み時では、０であり、「暗」書込み時で
は、＋ｖＧである。
また、それ以外の選択されない走査電極に与えられる電
気信号は第６図（ａ）に示す如＜−Ｖ である。一方
、選択された表示電極に与えられる電気信号は、第６図
（ｂ）に示される如く「明」書込み時には一■ であり
、「暗」書込み時には十■８である。また選択されない
表示電極に与えられる電気信号はいづれも０である。以
上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望の
値に設定される。
気信号は第６図（ａ）に示す如＜−Ｖ である。一方
、選択された表示電極に与えられる電気信号は、第６図
（ｂ）に示される如く「明」書込み時には一■ であり
、「暗」書込み時には十■８である。また選択されない
表示電極に与えられる電気信号はいづれも０である。以
上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望の
値に設定される。
走査電極ｍ＝ｑラインに表示電極ｍ＝交、の信号線で「
明」を書込み、次に走査電極ｍ＝ｑラインに、表示電極
ｎ＝１２で「暗」の書込みをする場合、 ■ＧヨーＯ（ドｑ、 ｍ＝文、） ｖｃ ＋ＶＬｃくＶｓｎ （ｎ−！２．１
）ＶＧｒｎ−■Ｐ＞ＶＬｃ＋■ｃ（ドｑ＋ ｎ＝ ｌ
２ ）ｖ ｃ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ Ｓｎ（ｍ＝Ｍ ２
）（ｍ＝ｑ、ｒ＋ｓ 文１ ） Ｖｓ・−〇 （・＝９．・ｍ＝文・）Ｖ
−Ｖ ＜Ｖ （ｍｘｑ）Ｇｍ
Ｐ Ｓｎ 但し、各□記号は下記の事項を表わす。
明」を書込み、次に走査電極ｍ＝ｑラインに、表示電極
ｎ＝１２で「暗」の書込みをする場合、 ■ＧヨーＯ（ドｑ、 ｍ＝文、） ｖｃ ＋ＶＬｃくＶｓｎ （ｎ−！２．１
）ＶＧｒｎ−■Ｐ＞ＶＬｃ＋■ｃ（ドｑ＋ ｎ＝ ｌ
２ ）ｖ ｃ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ Ｓｎ（ｍ＝Ｍ ２
）（ｍ＝ｑ、ｒ＋ｓ 文１ ） Ｖｓ・−〇 （・＝９．・ｍ＝文・）Ｖ
−Ｖ ＜Ｖ （ｍｘｑ）Ｇｍ
Ｐ Ｓｎ 但し、各□記号は下記の事項を表わす。
ｖＧｍ＝Ｇｍ上電極（走査信号）電圧
Ｖ 二ソース又はドレイン電極
Ｓｎ
（表示信号）電圧
ｖｏ 二対内電極（共通端子）電圧
■、。：強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲート
、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ １〜Ｎまで繰返し書込みを行う。こ
の際、対向電極は第１２図に示す様にストライプ形状の
ものとすることができる。
、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ １〜Ｎまで繰返し書込みを行う。こ
の際、対向電極は第１２図に示す様にストライプ形状の
ものとすることができる。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸がＯＮ（暗
）上側、 ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす
。すなわち、第７図より明らかな如く、位相１．におい
て選択された走査線と表示線の交点にある画素Ｐ
には閾値−ＶＬＣＮ＋１．Ｎ を越える一ＶＬ、＞−Ｖ、−Ｖ、の電圧が印加される。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸がＯＮ（暗
）上側、 ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす
。すなわち、第７図より明らかな如く、位相１．におい
て選択された走査線と表示線の交点にある画素Ｐ
には閾値−ＶＬＣＮ＋１．Ｎ を越える一ＶＬ、＞−Ｖ、−Ｖ、の電圧が印加される。
したがって、第４図において画素Ｐ はＮ＋１．Ｎ
配向を変え「明」に転移（スイッチ）する。次に位相ｔ
２において、選択された走査線と表示線の交点にある画
素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋２．Ｎ ””閾値ｖＬＣを越える電圧
Ｖ Ｌ ｃ ＜ Ｖ ｓ ’ Ｖ ｃが印加される。
２において、選択された走査線と表示線の交点にある画
素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋２．Ｎ ””閾値ｖＬＣを越える電圧
Ｖ Ｌ ｃ ＜ Ｖ ｓ ’ Ｖ ｃが印加される。
したがって画素ＰＰ
Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋２．Ｎは、「暗」に転移（スイッチ）
する。位相ｔ２以降の位相ｔ３〜ｔもの動作は、前記ｔ
１〜ｔ２と同じように、選択された走査線上にある画素
にまず「明」が書込まれ、次に同一走査線上にある前回
選択されなかった画素に「暗」が書込まれていく。以上
、各動作でわかる通り、選択された走査電極線上に於て
、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された場
合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向
状態に配向を揃え、画素はＯＮ（暗）あるいはＯＦＦ
（明）となり、選択されない走査線上では、すべての
画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えない
。従って、第７図に示される如く選択された走査線上以
外の各画素における液晶分子は配向状態を変えることな
く前回走査されたときの信号状ｍ（ＱＮ−□）に対応し
た配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選
択されたときにその１９４７分の信号の書き込みが行わ
れ、１フレームが終了して次回選択されるまでの間は、
その信号状態を保持し得るわけである。
する。位相ｔ２以降の位相ｔ３〜ｔもの動作は、前記ｔ
１〜ｔ２と同じように、選択された走査線上にある画素
にまず「明」が書込まれ、次に同一走査線上にある前回
選択されなかった画素に「暗」が書込まれていく。以上
、各動作でわかる通り、選択された走査電極線上に於て
、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された場
合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向
状態に配向を揃え、画素はＯＮ（暗）あるいはＯＦＦ
（明）となり、選択されない走査線上では、すべての
画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えない
。従って、第７図に示される如く選択された走査線上以
外の各画素における液晶分子は配向状態を変えることな
く前回走査されたときの信号状ｍ（ＱＮ−□）に対応し
た配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選
択されたときにその１９４７分の信号の書き込みが行わ
れ、１フレームが終了して次回選択されるまでの間は、
その信号状態を保持し得るわけである。
従って、走査電極数が増えても、実質的なデユーティ比
はかわらず、コントラストの低下は全く生じない。
はかわらず、コントラストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極ＧＮ、ＧＮ＋□、ＧＮ＋２．・
・・と表示電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成す
る画Ｎ’ Ｎ＋１° Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部−の°画素は「暗」状態に、白地で示
した画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５
図中の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極Ｇ
Ｎ、ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、そ
れ以外の画素は「明」状態である。前記位相１．−１６
の各動作によって、第５図のパターンが完成する。
・・と表示電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成す
る画Ｎ’ Ｎ＋１° Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部−の°画素は「暗」状態に、白地で示
した画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５
図中の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極Ｇ
Ｎ、ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、そ
れ以外の画素は「明」状態である。前記位相１．−１６
の各動作によって、第５図のパターンが完成する。
□本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極
と信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも
可能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等と
して利用することができる。
と信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも
可能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等と
して利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＣ：を駆動するのに好ましい具体的数
値を示すと、例えば 入力周波数ｆ ｏ ” Ｉ Ｘ １８４〜Ｉ Ｘ １０
６Ｈ２１０＜ Ｉ ｖｏｌ ＜８０Ｖ （波高値）０
．３ ＜ Ｉ ｖ６１ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げら
れる。
してＤＯＢＡＭＢＣ：を駆動するのに好ましい具体的数
値を示すと、例えば 入力周波数ｆ ｏ ” Ｉ Ｘ １８４〜Ｉ Ｘ １０
６Ｈ２１０＜ Ｉ ｖｏｌ ＜８０Ｖ （波高値）０
．３ ＜ Ｉ ｖ６１ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げら
れる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であ・す、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であ・す、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
第１θ図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＰＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＰＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘ
ｉｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、５ｉ０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′ノ
上には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴｉ
ｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、５ｉ０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′ノ
上には対向電極２１ （ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕｍＴｉ
ｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ０よりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ０よりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９”の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図。 第４図は対応画素の番地を示す説明図、第５図は対応画
素の表示例を示す説明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走
査電極及び表示電極に印加する電気信号を表わす説明図
、第７図は各画素への書込み動作を表わす説明図、第８
図（ａ）及び（ｂ）はアクティブマトリックス回路と画
素配置の例を示す配線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ
’線部分断面図び第１４図はＢ−Ｂ ′部分断面図であ
る。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′：第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽膜 １０；ｎ″″層 １１】 ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１１３．１９′、偏光板２０．２０′、ガラス、プラ
スチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２８；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図。 第４図は対応画素の番地を示す説明図、第５図は対応画
素の表示例を示す説明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走
査電極及び表示電極に印加する電気信号を表わす説明図
、第７図は各画素への書込み動作を表わす説明図、第８
図（ａ）及び（ｂ）はアクティブマトリックス回路と画
素配置の例を示す配線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ
’線部分断面図び第１４図はＢ−Ｂ ′部分断面図であ
る。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′：第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽膜 １０；ｎ″″層 １１】 ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１１３．１９′、偏光板２０．２０′、ガラス、プラ
スチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２８；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ、電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応しているＦＥＴ端子のうちゲートに走
査信号、選択されたソース又はドレインに表示信号を印
加することによって第一の配向状態に基づく表示状態を
書込み、次に別の選択されたソース又はドレインに所定
の表示信号を印加して第二の配向状態に基づく表示状態
の書込みを行う時分割駆動法であることを特徴とする液
晶素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129999A JPS619623A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129999A JPS619623A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619623A true JPS619623A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0453293B2 JPH0453293B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=15023641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59129999A Granted JPS619623A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-26 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH021892A (ja) * | 1987-12-21 | 1990-01-08 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 表示デバイスとその駆動方法 |
| US5638195A (en) * | 1993-12-21 | 1997-06-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device for improved halftone display |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59129999A patent/JPS619623A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH021892A (ja) * | 1987-12-21 | 1990-01-08 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 表示デバイスとその駆動方法 |
| US5638195A (en) * | 1993-12-21 | 1997-06-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device for improved halftone display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453293B2 (ja) | 1992-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4973135A (en) | Active matrix display panel having plural stripe-shaped counter electrodes and method of driving the same | |
| US4747671A (en) | Ferroelectric optical modulation device and driving method therefor wherein electrode has delaying function | |
| US4697887A (en) | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's | |
| US4770501A (en) | Optical modulation device and method of driving the same | |
| KR930010578A (ko) | 액정 소자 및 그 구동방법 | |
| JPS60262133A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614021A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60230121A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619623A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614026A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0414766B2 (ja) | ||
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262137A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262135A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614029A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619624A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614028A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617828A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614022A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614027A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614023A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614024A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0453294B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |