JPS614024A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 ｌ１ｅｌｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ”、Ｖｏｌ、 １
８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １
２７〜１２８のＶｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａ！ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉ
ｓｔｅｄｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅ
ｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液
晶は、無電界状態で１の誘電異方性をもつ、ネマチック
液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構
造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行
に配列した構造を形成している。一方、電界印加状態で
は、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に
配列し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 ｌ１ｅｌｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ”、Ｖｏｌ、 １
８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １
２７〜１２８のＶｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａ！ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗｉ
ｓｔｅｄｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅ
ｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液
晶は、無電界状態で１の誘電異方性をもつ、ネマチック
液晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構
造）を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行
に配列した構造を形成している。一方、電界印加状態で
は、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に
配列し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値具−にの電圧が印加され、走査電
極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には
電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対し
て並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの
」−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため、画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、７トリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択Ｘれず、信号電極が選択される
領域（所謂″半選択点″）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、こ
の方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、Ｉ
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値具−にの電圧が印加され、走査電
極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には
電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対し
て並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの
」−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため、画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、７トリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択Ｘれず、信号電極が選択される
領域（所謂″半選択点″）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、こ
の方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、Ｉ
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状ＩＥに駆動すること
により、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を
表示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的
とするものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状ＩＥに駆動すること
により、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を
表示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的
とするものである。
［問題点を解決するための手段１及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうちソースもしくはドレ
ｐ （７Ｌ：表示信号・７−トに走査信号を印
加する時分割駆動であり、かかる走査信号ｍａｉｌ （
ゲート）に所定の走査信号を印加するとともに、表示信
号線（ソース又はドレイン）に所定の表示信号を印加す
る事により、順次選択された、走査信号線上の全画素の
表示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一様にそ
ろえ、次に前記走査信号線に所定の電圧信号を印加する
とともに、選択された表示信号線に第二の配向状Ｍ１を
形成する所定の電圧信号を印加することを特徴とするも
のである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各画
素に対応しているＦＥＴ端子のうちソースもしくはドレ
ｐ （７Ｌ：表示信号・７−トに走査信号を印
加する時分割駆動であり、かかる走査信号ｍａｉｌ （
ゲート）に所定の走査信号を印加するとともに、表示信
号線（ソース又はドレイン）に所定の表示信号を印加す
る事により、順次選択された、走査信号線上の全画素の
表示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一様にそ
ろえ、次に前記走査信号線に所定の電圧信号を印加する
とともに、選択された表示信号線に第二の配向状Ｍ１を
形成する所定の電圧信号を印加することを特徴とするも
のである。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状Ｒ１と第二の光学
的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する
双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する
液晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状Ｒ１と第二の光学
的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する
双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する
液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては１強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍ（ｊ）又Ｈ相（Ｓｍａｌｌりの液
晶が適している。この強誘電性液晶ニツｌ／’ でハ、
”ＬＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥ
ＴＴＥＲ５” ３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒ
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″３Ｅｌ （１１） １
９８０、ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ旧−５ｔ
ａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”
固体物理” １Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」
等に記載されており、本発明ではこれらに開示された強
誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶としては１強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍ（ｊ）又Ｈ相（Ｓｍａｌｌりの液
晶が適している。この強誘電性液晶ニツｌ／’ でハ、
”ＬＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥ
ＴＴＥＲ５” ３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒ
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″３Ｅｌ （１１） １
９８０、ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ旧−５ｔ
ａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉ
ｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”
固体物理” １Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」
等に記載されており、本発明ではこれらに開示された強
誘電性液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＮＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメ−１・（ＨＯＢＡＣＰＣ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー） （ＤＯＢＡＮＢ
Ｃ） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−
２−クロロプロピルシンナメ−１・（ＨＯＢＡＣＰＣ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられ
る。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳ■ＣＸ相又はＳｒｓ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物がＳ■ＣＸ相又はＳｒｓ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。ｌと１′は、Ｉ ｎ２０５ 、 Ｓ ｎ ０２
やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透
明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍい相の液晶が封入されている。太線で示した線３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に
直交した方向に双極子モーメン） ＣＰ↓）４を有して
いる。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値具−Ｌの電
圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう
、液晶分子３の配向方向を変えることができる。液晶分
子３は細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下
に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置
けば、１に圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。さらに液
晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１ＩＬ）に
は、第２図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、そ
の双極子モーメンｌ−Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は
下向（４１１）＋７）どちらかの状態をとる。このよう
なセルに第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界Ｅ又はＥ′を所定時間材ｌ−すると、双極子モー
メントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向
き４ａ又は、下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液
晶分子は第一の配向状８５かあるいは第二の配向状態５
′の何れか一方に配向する。
である。ｌと１′は、Ｉ ｎ２０５ 、 Ｓ ｎ ０２
やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透
明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍい相の液晶が封入されている。太線で示した線３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に
直交した方向に双極子モーメン） ＣＰ↓）４を有して
いる。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値具−Ｌの電
圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう
、液晶分子３の配向方向を変えることができる。液晶分
子３は細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下
に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置
けば、１に圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。さらに液
晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１ＩＬ）に
は、第２図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、そ
の双極子モーメンｌ−Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は
下向（４１１）＋７）どちらかの状態をとる。このよう
なセルに第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界Ｅ又はＥ′を所定時間材ｌ−すると、双極子モー
メントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向
き４ａ又は、下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液
晶分子は第一の配向状８５かあるいは第二の配向状態５
′の何れか一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、や１
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、−・般的には、Ｑ、５
ＩＬ〜２０μ、特にＩ／７．〜５ルが適している。こ
の種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有す
る液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルに
より、米国特許第４３８７９２４号明細書で提案されて
いる。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、や１
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与
える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、−・般的には、Ｑ、５
ＩＬ〜２０μ、特にＩ／７．〜５ルが適している。こ
の種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有す
る液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルに
より、米国特許第４３８７９２４号明細書で提案されて
いる。
本発明は、アクティブマ！・リックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電
圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれ
をソースとしても使用しうるという８１９にもとづいて
いる。アクティブマトリックスを構成する素子としては
ＦＥＴ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ
、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用し
うる。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであ
っても同様に行う事も可能である。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電
圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれ
をソースとしても使用しうるという８１９にもとづいて
いる。アクティブマトリックスを構成する素子としては
ＦＥＴ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ
、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用し
うる。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであ
っても同様に行う事も可能である。
Ｎ５ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、■ をＤ
Ｇ ゲート電圧、■６をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ Ｖ、であり、ｖｏ＞ｖＳ＋
Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ｃ ＜ Ｖ ｓ ＋ Ｖ
ｐの時非導通状態となる。
Ｇ ゲート電圧、■６をソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ。＞ Ｖ、であり、ｖｏ＞ｖＳ＋
Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ｃ ＜ Ｖ ｓ ＋ Ｖ
ｐの時非導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴにおいてはＶ ｏ ＜ Ｖ ｓとし、ｖＧ
くｖＳ＋ｖ、で導通状態トｔｔす、ｖＧ＞ＶＳ＋ｖ。
くｖＳ＋ｖ、で導通状態トｔｔす、ｖＧ＞ＶＳ＋ｖ。
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの−Ｉ−下に配置するクロスニコ
ル状態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸と
の向きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの−Ｉ−下に配置するクロスニコ
ル状態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸と
の向きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御するｄＧによって制
御し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御するｄＧによって制
御し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
「実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号であって、位相ｔ、 １ｔ２
・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加され
る電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電
極）に印加される電気信号を示している。第６図（ｂ）
は、表示信号であって位相１、．１２・・・においてそ
れぞれ選択Ｓれた表示電極と選択されない表示電極に与
えられる電気信号を示している。
・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加され
る電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電
極）に印加される電気信号を示している。第６図（ｂ）
は、表示信号であって位相１、．１２・・・においてそ
れぞれ選択Ｓれた表示電極と選択されない表示電極に与
えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極ＧＮに４えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）七１では、Ｏであり、位相（時間
）ｔ２では、＋ｖＧである。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極ＧＮに４えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）七１では、Ｏであり、位相（時間
）ｔ２では、＋ｖＧである。
一方、それ以外の走査電極ＧＮ＋０．ＧＭ＋２は第６図
（ａ）に示す如く位相１．では−Ｖ。である。また、位
相ｔ１において選択された表示電極ＳＮ。
（ａ）に示す如く位相１．では−Ｖ。である。また、位
相ｔ１において選択された表示電極ＳＮ。
Ｓ Ｓ に与えられる電気信号は、第６図Ｎ＋１’
Ｎ＋２ （ｂ）に示される如く−ｖＳであり、位相Ｅ２において
選択された表示電極ＳＮ、ＳＮ＋２にｑ−えられる電気
信号は＋Ｖｓである。また位相ｔ２において選択されな
い表示電極ＳＮ＋□に与えられる電気信号はＯである。
Ｎ＋２ （ｂ）に示される如く−ｖＳであり、位相Ｅ２において
選択された表示電極ＳＮ、ＳＮ＋２にｑ−えられる電気
信号は＋Ｖｓである。また位相ｔ２において選択されな
い表示電極ＳＮ＋□に与えられる電気信号はＯである。
以上に於て各々の電圧値は、以下−の関係を満足す６所
望の値に設定；１１．６・走査電極■−ｑラインに表示
電極ｎ＝１−Ｈの信号線で「明」をリフレッシュ、次い
で走査電極ｍ−ｑラインに表示電極ｎ＝１で「暗」の書
込みをする場合、 ■Ｇｌ、ｌ＝０（ｍ−ｑ、ｎ−１〜Ｍ）ｖｃ−ｖＬｃ＞
Ｖｓｎ （ｍ−ｑ、ｎ＝１〜Ｍ）ＶＣ十ｖＬｃく
ＶＳｎ （ｍ＝側、ｎ−立）ｖ ｃ、 ｖ
ｐ ＞ Ｖ ＬＣ＋ Ｖ Ｃ（トｑ 、ｎ＝ＪＪ ）Ｖ
ｓｎ＝ ０ （ｍ＝側、 ｎ＃ ｌ
）（ｍ洪ｑ＋”−文） ｖＧｍ ”Ｐ＜ＶＳｎ （ｍ＃ｑ、ｒ＋＃Ｊ１
）但し、各記号は下記の事項を表わす。
望の値に設定；１１．６・走査電極■−ｑラインに表示
電極ｎ＝１−Ｈの信号線で「明」をリフレッシュ、次い
で走査電極ｍ−ｑラインに表示電極ｎ＝１で「暗」の書
込みをする場合、 ■Ｇｌ、ｌ＝０（ｍ−ｑ、ｎ−１〜Ｍ）ｖｃ−ｖＬｃ＞
Ｖｓｎ （ｍ−ｑ、ｎ＝１〜Ｍ）ＶＣ十ｖＬｃく
ＶＳｎ （ｍ＝側、ｎ−立）ｖ ｃ、 ｖ
ｐ ＞ Ｖ ＬＣ＋ Ｖ Ｃ（トｑ 、ｎ＝ＪＪ ）Ｖ
ｓｎ＝ ０ （ｍ＝側、 ｎ＃ ｌ
）（ｍ洪ｑ＋”−文） ｖＧｍ ”Ｐ＜ＶＳｎ （ｍ＃ｑ、ｒ＋＃Ｊ１
）但し、各記号は下記の事項を表わす。
ＶＧｍ’ゲート電極（走査信号）電圧
ｖＣ：対向電極（共通端子）電圧
■、。二強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値Ｖ ：ゲート
、ソース間の閾値 以」−の動作なｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
、ソース間の閾値 以」−の動作なｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を縦軸が、ＯＮ （
暗）上側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす
。すなわち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相
ｔ１において、選択された走査線及び表示線の交点にあ
る画素ＰＮ、Ｎ” Ｎ＋１．Ｎ−ｐＨ＋２．Ｈニは、閾
値−ｖｌ、６を越えるーｖ ＞−ｖ −ｖｏの電圧
が印加さＬＣＳ れる。したがって第４図において画素ＰＮ、Ｎ’ＰＮ＋
□、Ｎ ” Ｎ＋２．Ｎ は配向状態を変え、「明」
にリフレッシュされる。次に位相ｔ２において、選択さ
れた走査線及び表示線の交点にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ
＋２．Ｈには閾値■ を越える電圧Ｖ Ｌ Ｃ＜Ｐ
Ｐ ｔ、ｃ Ｖ −Ｖｏが印加される。したがって画素ＰＳ
Ｎ、Ｎ’ＰＮ４２．Ｎは、「暗」に転移（ス
イッチ）する。位相ｔ３以降の動作は前記のｔ１〜ｔ２
と同じように、まず最初に選択された走査線上の画素が
すべて「明」にリフレッシュされた後、同一走査線上で
選択された画素に「暗」が書込まれていく。以上各動作
でわかる通り、選択された走査電極線−１−に於て、表
示電極が選択されたか否かに応じて、選択された場合に
は、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向状態
に配向を揃え、画素はＯＮ（暗）あるいはＯＦＦ （
明）となり、選択されない走査線上ではすべての画素に
印加される電圧はいずれも閾値電圧を越えない。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を縦軸が、ＯＮ （
暗）上側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす
。すなわち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相
ｔ１において、選択された走査線及び表示線の交点にあ
る画素ＰＮ、Ｎ” Ｎ＋１．Ｎ−ｐＨ＋２．Ｈニは、閾
値−ｖｌ、６を越えるーｖ ＞−ｖ −ｖｏの電圧
が印加さＬＣＳ れる。したがって第４図において画素ＰＮ、Ｎ’ＰＮ＋
□、Ｎ ” Ｎ＋２．Ｎ は配向状態を変え、「明」
にリフレッシュされる。次に位相ｔ２において、選択さ
れた走査線及び表示線の交点にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ
＋２．Ｈには閾値■ を越える電圧Ｖ Ｌ Ｃ＜Ｐ
Ｐ ｔ、ｃ Ｖ −Ｖｏが印加される。したがって画素ＰＳ
Ｎ、Ｎ’ＰＮ４２．Ｎは、「暗」に転移（ス
イッチ）する。位相ｔ３以降の動作は前記のｔ１〜ｔ２
と同じように、まず最初に選択された走査線上の画素が
すべて「明」にリフレッシュされた後、同一走査線上で
選択された画素に「暗」が書込まれていく。以上各動作
でわかる通り、選択された走査電極線−１−に於て、表
示電極が選択されたか否かに応じて、選択された場合に
は、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向状態
に配向を揃え、画素はＯＮ（暗）あるいはＯＦＦ （
明）となり、選択されない走査線上ではすべての画素に
印加される電圧はいずれも閾値電圧を越えない。
したがって第７図に示される如く、選択された走査線上
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態（Ｑ Ｈ−１）に対
応した配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極
が選択されたときにその１ライン分の信号の書き込みが
行われ、ｌフレームが終了して次回選択されるまでの間
は、その信号状態を保持し得るわけである。従って、走
査電極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず
、コントラストの低下は全く生じない。
以外の各画素における液晶分子は配向状態を変えること
なく前回走査されたときの信号状態（Ｑ Ｈ−１）に対
応した配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極
が選択されたときにその１ライン分の信号の書き込みが
行われ、ｌフレームが終了して次回選択されるまでの間
は、その信号状態を保持し得るわけである。従って、走
査電極数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず
、コントラストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極ＧＮ”Ｎ＋１”Ｎ＋２置と表示
電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成する画Ｎ′Ｎ
＋１’ Ｎ＋２” 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＮ、
ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以
外の画素は「明」状態である。前記位相ｔ、〜ｔ６の各
動作によって、第５図の表示パターンが完成する。
電極Ｓ Ｓ Ｓ ・・・の交点で形成する画Ｎ′Ｎ
＋１’ Ｎ＋２” 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＳＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＮ、
ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以
外の画素は「明」状態である。前記位相ｔ、〜ｔ６の各
動作によって、第５図の表示パターンが完成する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ Ｉ ＸｌＯ４〜１Ｘ１０Ｂ ＋１２
１ｏ＜ Ｉ ＶＧｌ ＜８０ｖ （波高値）０．３
＜ ｌ ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
してＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ０＝ Ｉ ＸｌＯ４〜１Ｘ１０Ｂ ＋１２
１ｏ＜ Ｉ ＶＧｌ ＜８０ｖ （波高値）０．３
＜ ｌ ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＰＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１Ｏ図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＦ↑基板−の斜視
図、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第
１２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
Ｔの構成を示す断面図、第１Ｏ図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＦ↑基板−の斜視
図、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第
１２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
第１０図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｗ
１ｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｗ
１ｄｅ）が形成されている。
さらに、この」−に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、Ｓｉｎ、）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０”
（ｒ）」二には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉ
ｕｍＴｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されてい
る。
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、Ｓｉｎ、）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０”
（ｒ）」二には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉ
ｕｍＴｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されてい
る。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封１ｈするためのシール材２
５が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封１ｈするためのシール材２
５が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光■１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９′の背後に反射板＋８ （乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１８と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光■１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９′の背後に反射板＋８ （乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、」−記の各図においてソース電極、ドレイン電極と
は、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した
命名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして
働く場合も可能である。
は、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した
命名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして
働く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は１本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は木発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１０図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ”線部分断面図び第１４
図はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ□） ４ａ：上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３：絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′、偏光板２０．２０′、ガラス、プラス
チック等の透明基板２１、対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲーＩ・部 １′〜Ｍ′；走査電極 １〜Ｎ；表示電極 −Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は木発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１０図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ”線部分断面図び第１４
図はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ□） ４ａ：上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３：絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９′、偏光板２０．２０′、ガラス、プラス
チック等の透明基板２１、対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲーＩ・部 １′〜Ｍ′；走査電極 １〜Ｎ；表示電極 −Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ゲートに
走査信号、ソースもしくはドレインに表示信号を印加す
る、時分割駆動であり、かかる走査信号線に所定の走査
信号を印加するとともに、表示信号線に所定の表示信号
を印加する事により、順次選択された、走査信号線上の
全画素の表示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に
一様にそろえ、次に前記走査信号線に所定の電圧信号を
印加するとともに、選択された表示信号線に第二の配向
状態を形成する所定の電圧信号を印加することを特徴と
する液晶素子の駆動法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124514A JPS614024A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR8506484A FR2563649B1 (fr) | 1984-04-28 | 1985-04-29 | Dispositif a cristaux liquides et procede d'attaque correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124514A JPS614024A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614024A true JPS614024A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0452924B2 JPH0452924B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=14887367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124514A Granted JPS614024A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617827A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124518A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工装置 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124514A patent/JPS614024A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124518A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617827A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452924B2 (ja) | 1992-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |