JPS614021A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS614021A JPS614021A JP59124511A JP12451184A JPS614021A JP S614021 A JPS614021 A JP S614021A JP 59124511 A JP59124511 A JP 59124511A JP 12451184 A JP12451184 A JP 12451184A JP S614021 A JPS614021 A JP S614021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- display
- state
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3651—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using multistable liquid crystals, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、Ｓらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、Ｓらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術１
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔと１４． Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、Ｖｏｌ、 １
８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １
２７〜＋２８ （７）”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄ
ｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ
ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍ
ａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶
は、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液
晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造
）を形成し、両型−極面でこの液晶の分子が互いに並行
に配列した構造を形成している。一方、電界印加状態で
は、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に
配列し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔと１４． Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、Ｖｏｌ、 １
８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、 １
２７〜＋２８ （７）”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄ
ｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ
ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍ
ａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶
は、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液
晶の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造
）を形成し、両型−極面でこの液晶の分子が互いに並行
に配列した構造を形成している。一方、電界印加状態で
は、正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に
配列し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号１Ｆ極が共に選択
される領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に
配列させるに要する閾値以にの電圧が印加され、走査電
極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には
電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対し
て並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの
」−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため１画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される
領域（所謂°′半選択点”）にも有限の電界がかかって
しまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧
の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させ
るに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定ごれるな
らば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、
この方式において、走査線１ （Ｎ）を増やして行った
場合、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選
択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は
、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値
としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さく
なり、結果的には画像コントラストの低下やクロストー
クが避は難い欠点となっている。このような現象は、双
安定状態を有Ｓない液晶（電極面に対し、液晶分子が水
平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印
加されている間のみ屯直に配向する）を、時間的蓄積効
果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）とき
に生じる本質的には避は難い問題点である。この点を改
良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マｉ
・リクス法等が既に提案されているが、いずれの方法で
も不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走
査線数が充分に増やせないことによって頭打ちになって
いるのが現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号１Ｆ極が共に選択
される領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に
配列させるに要する閾値以にの電圧が印加され、走査電
極と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には
電圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対し
て並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの
」−下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を
配置することにより、選択点では光が透過せず、非選択
点では光が透過するため１画像素子とすることが可能と
なる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合に
は、走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域
或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選択される
領域（所謂°′半選択点”）にも有限の電界がかかって
しまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧
の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させ
るに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定ごれるな
らば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、
この方式において、走査線１ （Ｎ）を増やして行った
場合、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選
択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は
、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値
としての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さく
なり、結果的には画像コントラストの低下やクロストー
クが避は難い欠点となっている。このような現象は、双
安定状態を有Ｓない液晶（電極面に対し、液晶分子が水
平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印
加されている間のみ屯直に配向する）を、時間的蓄積効
果を利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）とき
に生じる本質的には避は難い問題点である。この点を改
良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マｉ
・リクス法等が既に提案されているが、いずれの方法で
も不充分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走
査線数が充分に増やせないことによって頭打ちになって
いるのが現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
Ｅ問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設ζＪた第二ノ１（板を有し
、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状
態を有する強誘電性液晶を挟持１７た構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲーＩ・がゲートオン状
態となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端
子である第一端子と第二端子の間で電界を形成すること
によって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第一位相ど、前記第一端子と第二端子の間で形成し
た電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成
することによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配
列を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極
にして各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ドレイ
ンもしくはソースに走査信号、ゲートに表示信号を印加
することによって、第一の配向状態に基づく表示状態を
書き込み、次に所定の表示信号を印加して第二の配向状
態に基づく表示状態の書き込みを行う時分割駆動である
ことを特徴とするものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設ζＪた第二ノ１（板を有し
、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状
態を有する強誘電性液晶を挟持１７た構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲーＩ・がゲートオン状
態となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端
子である第一端子と第二端子の間で電界を形成すること
によって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第一位相ど、前記第一端子と第二端子の間で形成し
た電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成
することによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配
列を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極
にして各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ドレイ
ンもしくはソースに走査信号、ゲートに表示信号を印加
することによって、第一の配向状態に基づく表示状態を
書き込み、次に所定の表示信号を印加して第二の配向状
態に基づく表示状態の書き込みを行う時分割駆動である
ことを特徴とするものである。
−本発明０駆動法１用°゛６強誘電性液晶と１では、加
えられる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光
学的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対す
る双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有す
る液晶が用いられる。
えられる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光
学的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対す
る双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有す
る液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍｉｔ）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテは、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ｒｌＥ ＰＨＹＳＩＯＩＪＥＬＥＴＴ
ＥＲ９″３６ （Ｌ−８１３） １９７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔ−ｔｅｒｓ″３Ｂ （１１） １９８０、ｒ Ｓｕｂ
ｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌ
ｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＳ Ｊ ：”固体物理” １
Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶ｊ等に記載されて
おり、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用
いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｍｉｔ）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテは、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ｒｌＥ ＰＨＹＳＩＯＩＪＥＬＥＴＴ
ＥＲ９″３６ （Ｌ−８１３） １９７５． ｒＦｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔ−ｔｅｒｓ″３Ｂ （１１） １９８０、ｒ Ｓｕｂ
ｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌ
ｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＳ Ｊ ：”固体物理” １
Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶ｊ等に記載されて
おり、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用
いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメ−１・（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン＝Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメ−１・（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる
。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が５ｒｓ（ｄ相又はＳｍ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物が５ｒｓ（ｄ相又はＳｍ旧相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノ
テある。１と１′は、Ｉｎ７０ｓ 、 ５ｎＯｚやＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｎ＋−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
＊相の液晶が刻入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）４を有している
。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以」−の電圧を
印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子
モーメント（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液
晶分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３
は細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で
屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下にＵ
いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば
、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調
素子となることは、容易に理解される。さらに液晶セル
の厚さを充分に蒲〈シた場合（例えば１ル）には、第２
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子
モーメン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に
示す如く一定の閾値以」二の極性の異なる電界Ｅ又はＥ
′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又
はＥ′の電界ベクトルに対応してに向き４ａ又は、下向
き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配
向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に
配向する。
テある。１と１′は、Ｉｎ７０ｓ 、 ５ｎＯｚやＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｎ＋−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
＊相の液晶が刻入されている。太線で示した線３が液晶
分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直
交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）４を有している
。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以」−の電圧を
印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子
モーメント（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液
晶分子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３
は細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で
屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下にＵ
いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば
、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調
素子となることは、容易に理解される。さらに液晶セル
の厚さを充分に蒲〈シた場合（例えば１ル）には、第２
図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子
モーメン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に
示す如く一定の閾値以」二の極性の異なる電界Ｅ又はＥ
′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又
はＥ′の電界ベクトルに対応してに向き４ａ又は、下向
き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配
向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に
配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子としてＯ
用いることの利点は２つある。第１に、応答速度が極め
て速いこと、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有す
ることである。第２の点を例えば第２図によって説明す
ると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５
に配向するが、この状ｆｆｊ３は電界を切っても安定で
ある。又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は
第二の配向状態５′に配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又
、りえる電界Ｅが一定の闇値を越えない限り、それぞれ
の配向状態にやはり維持されている。このような応答速
度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルと
しては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．
５１Ｌ〜２０ル、特に１月〜５ｐＬが適している。この
種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する
液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルによ
り、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案されてい
る。
て速いこと、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有す
ることである。第２の点を例えば第２図によって説明す
ると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５
に配向するが、この状ｆｆｊ３は電界を切っても安定で
ある。又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は
第二の配向状態５′に配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又
、りえる電界Ｅが一定の闇値を越えない限り、それぞれ
の配向状態にやはり維持されている。このような応答速
度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルと
しては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．
５１Ｌ〜２０ル、特に１月〜５ｐＬが適している。この
種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する
液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルによ
り、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案されてい
る。
−本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電
圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれ
をソースとしても使用しうるという事にもとづいている
。アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥ
Ｔ Ｊ造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ
、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しう
る。又ＦＥＴ ４ｍ造以外 □のバイポーラトラ
ンジスタであっても同様に行う事も可能である。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果ト
ランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電
圧を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれ
をソースとしても使用しうるという事にもとづいている
。アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥ
Ｔ Ｊ造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ
、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しう
る。又ＦＥＴ ４ｍ造以外 □のバイポーラトラ
ンジスタであっても同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、ｖ、 をゲート
電圧、■６をソース電圧、■、をゲー トソース間の闇
値電圧とするとＶ。＞ Ｖｓ であり、ｖｏ＞ｖＳ＋
Ｖ、の時導通状態となり、ＶｏくＶＳ＋ｖ、の時非導通
状態となる。
電圧、■６をソース電圧、■、をゲー トソース間の闇
値電圧とするとＶ。＞ Ｖｓ であり、ｖｏ＞ｖＳ＋
Ｖ、の時導通状態となり、ＶｏくＶＳ＋ｖ、の時非導通
状態となる。
Ｐ ｆｉ ＦＥＴにおいては■ＤくＶｓとし、ｖＧ く
ｖＳ＋ｖＰで導通状態トナリ、ｖｏ＞ｖ、＋ｖ。
ｖＳ＋ｖＰで導通状態トナリ、ｖｏ＞ｖ、＋ｖ。
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加Ｘれる電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御するｊバによって制
御し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御するｊバによって制
御し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例１
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に）、（づい
て説明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に）、（づい
て説明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号を示す図であって、位相ｔＩ＋
ｔ２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｊｌ＋ｊ２・・
・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されない
表示電極に与えられる電気信号を示している。
ｔ２・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加
される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走
査電極）に印加される電気信号を示している。第６図（
ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｊｌ＋ｊ２・・
・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されない
表示電極に与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極ＳＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）ｔｌでは、−ｖ８を、位相（時間
）ｔ２では、＋ｖ、である。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極ＳＮに与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示さ
れる如く位相（時間）ｔｌでは、−ｖ８を、位相（時間
）ｔ２では、＋ｖ、である。
一方、それ以外の走査電極Ｓ Ｓ は第６Ｎ＋１’
Ｎ＋２ 図（ａ）に示す如く位相ｊｌ＋ｔ２ではｖｓ＝０である
。また、位相ｔ１において選択された表示電極Ｇ に
与えられる電気信号は、第６図Ｎ＋１ （ｂ）に示される如く■。＝０であり、位相ｔ２におい
て選択された表示信号ＧＮ、ＧＮ＋２に与えられる電気
信号は＋ｖｏである。また位相ｔ１において選択されな
い表示電極ＧＮ、ＧＮヤ、に与えられる電気信号は−■
６であり、位相ｔ２において選択されない表示電極ＧＮ
＋１に与えられる電気信号はＶＧ＝Ｏである。以上に於
て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設
定される。
Ｎ＋２ 図（ａ）に示す如く位相ｊｌ＋ｔ２ではｖｓ＝０である
。また、位相ｔ１において選択された表示電極Ｇ に
与えられる電気信号は、第６図Ｎ＋１ （ｂ）に示される如く■。＝０であり、位相ｔ２におい
て選択された表示信号ＧＮ、ＧＮ＋２に与えられる電気
信号は＋ｖｏである。また位相ｔ１において選択されな
い表示電極ＧＮ、ＧＮヤ、に与えられる電気信号は−■
６であり、位相ｔ２において選択されない表示電極ＧＮ
＋１に与えられる電気信号はＶＧ＝Ｏである。以上に於
て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設
定される。
走査電極ｍ＝ｑラインに表示電極ｎ＝ｌの信号線で「明
」を書込み、次に走査電極■＝ｑラインに表示電極ｎζ
文で「暗」の書込みをする場合、 ｖ ｖ ＞ Ｖ Ｌ ｃ ＋ ｖ ｃ ＜ ｎ
＝ ｘ ）ｎ Ｐ ■ｃ 十ｖＬｃく■５ＩＩｌ （ｍ＝ｑ１ 、
ｎ＝交Ｉ ）Ｖ’ ＶＬＣ＞ ＶＳｌｌ（ｍ＝ ｑ
２ ＋ｎ” ｌ ２ ）（ｍ＝ｑ ＋ ｎ洪文） ４ ｖＧｎ−ｖＰ ＜ｖＳ＋＋＋
（ＩＩｌ＃ｑ、 ｎ＝ ｕ）但し、各記号は下記の事項
を表わす。
」を書込み、次に走査電極■＝ｑラインに表示電極ｎζ
文で「暗」の書込みをする場合、 ｖ ｖ ＞ Ｖ Ｌ ｃ ＋ ｖ ｃ ＜ ｎ
＝ ｘ ）ｎ Ｐ ■ｃ 十ｖＬｃく■５ＩＩｌ （ｍ＝ｑ１ 、
ｎ＝交Ｉ ）Ｖ’ ＶＬＣ＞ ＶＳｌｌ（ｍ＝ ｑ
２ ＋ｎ” ｌ ２ ）（ｍ＝ｑ ＋ ｎ洪文） ４ ｖＧｎ−ｖＰ ＜ｖＳ＋＋＋
（ＩＩｌ＃ｑ、 ｎ＝ ｕ）但し、各記号は下記の事項
を表わす。
Ｖ ：ソース電極（走査信号）電圧
ｍ
Ｖｏｎ：ゲート電極（表示信号）電圧
ｖｏ 一対向電極（共通端子）電圧
ｖＬｃ：強誘電性液晶の闇値電圧の絶対値ｖ、：ゲート
、ソース間の闇値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
、ソース間の闇値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ （明）
上側、ＯＦＦ （暗）下側の各表示状態を表わす。す
なわち、第６図および第７図より明らかな如く、位相１
．において選択された走査線上にある画素Ｐ には
闇値−ＶＬＣを越えＮ、Ｎ＋す るーｖＬ６〉−ｖＳ−■。の電圧が印加される。したが
って、第４図において画素Ｐ は配向をＮ、Ｎ＋１ 変え「暗」に転移（スイッチ）する。次に位相ｔ２にお
いて、選択された走査線」二にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ
、Ｎ＋２ ニは閾値ｖＬＣを越える電圧ＶＬ６くＰ Ｖ ｓ Ｖ ｃが印加される。したがって画素ＰＮ、
Ｎ’ＰＮ、Ｎ＋２は、「明」に転移（スイッチ）する。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ （明）
上側、ＯＦＦ （暗）下側の各表示状態を表わす。す
なわち、第６図および第７図より明らかな如く、位相１
．において選択された走査線上にある画素Ｐ には
闇値−ＶＬＣを越えＮ、Ｎ＋す るーｖＬ６〉−ｖＳ−■。の電圧が印加される。したが
って、第４図において画素Ｐ は配向をＮ、Ｎ＋１ 変え「暗」に転移（スイッチ）する。次に位相ｔ２にお
いて、選択された走査線」二にある画素Ｎ、Ｎ’ Ｎ
、Ｎ＋２ ニは閾値ｖＬＣを越える電圧ＶＬ６くＰ Ｖ ｓ Ｖ ｃが印加される。したがって画素ＰＮ、
Ｎ’ＰＮ、Ｎ＋２は、「明」に転移（スイッチ）する。
位相ｔ２以降の位相ｔ３〜Ｅ６の動作は、前記ｔ１〜ｔ
２と同じように、選択された走査線上にある画素にまず
［暗」が書込まれ、次に同一走査線上にある前回選択さ
れなかった画素に「明」が書込まれていく。以上、各動
作でわかる通り、選択された走査電極線上に於て、表示
電極が選択きれたか否かに応じて５選択された場合には
、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向状態に
配向を揃え、画素はＯＮ（明）あるいはＯＦＦ （暗
）となり、選択されない走査線−Ｌでは、すべての画素
に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えない。従
って、第７図に示される如く選択された走査線」−以外
の各画素における液晶分子は配向状態を変えることなく
前回走査されたときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した
配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択
されたときにそのｌライフ分の信号の書き込みが行われ
、ｌフレームが終了して次回選択されるまでの間は、そ
の信号状態を保持し得るわけである。従って、走査電極
数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コン
トラストの低下は全く生じない。
２と同じように、選択された走査線上にある画素にまず
［暗」が書込まれ、次に同一走査線上にある前回選択さ
れなかった画素に「明」が書込まれていく。以上、各動
作でわかる通り、選択された走査電極線上に於て、表示
電極が選択きれたか否かに応じて５選択された場合には
、液晶分子は第一の配向状態あるいは第二の配向状態に
配向を揃え、画素はＯＮ（明）あるいはＯＦＦ （暗
）となり、選択されない走査線−Ｌでは、すべての画素
に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えない。従
って、第７図に示される如く選択された走査線」−以外
の各画素における液晶分子は配向状態を変えることなく
前回走査されたときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した
配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択
されたときにそのｌライフ分の信号の書き込みが行われ
、ｌフレームが終了して次回選択されるまでの間は、そ
の信号状態を保持し得るわけである。従って、走査電極
数が増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コン
トラストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査電極ＳＮ” Ｎ＋１” Ｎ＋２’・
・・と表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成
する画Ｎ’ Ｎ＋１’ Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＯＮ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ、
ＳＮ＋２に対応する画素では「明」状態であり、それ以
外の画素は「暗」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ６の各
動作によって第５図の表示パターンが完成する。
・・と表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成
する画Ｎ’ Ｎ＋１’ Ｎ＋２’ 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＯＮ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ、
ＳＮ＋２に対応する画素では「明」状態であり、それ以
外の画素は「暗」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ６の各
動作によって第５図の表示パターンが完成する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり１例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり１例えば第８図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において１強誘電性液晶と
して口ＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ、 ＝ ｌ ＸｌＯ４〜Ｉ Ｘｌ０６Ｈ２
１０＜ Ｉ ＶＧｌ ＜８０Ｖ （波高値）０．３
＜ Ｉ ＶＳＩ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
して口ＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ、 ＝ ｌ ＸｌＯ４〜Ｉ Ｘｌ０６Ｈ２
１０＜ Ｉ ＶＧｌ ＜８０Ｖ （波高値）０．３
＜ Ｉ ＶＳＩ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１θ図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１２
図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上に
示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すものであ
る。
Ｔの構成を示す断面図、第１θ図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１２
図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上に
示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すものであ
る。
第１Ｏ図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜ｔｅ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８とｌ
’ｌで構成した１１ ７ＦＴと、ＴＰＴの端子１
１と接続した画素電極１２（ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕＷ
Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜ｔｅ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８とｌ
’ｌで構成した１１ ７ＦＴと、ＴＰＴの端子１
１と接続した画素電極１２（ＩＴＯ； ＩｎｄｎｉｕＷ
Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）が形成されている。
ｑ
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、 Ｓｉ
ｎ 、 ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからな
る光遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２
０′の」―には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉ
ｕ＋＊Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されて
いる。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、 Ｓｉ
ｎ 、 ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからな
る光遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２
０′の」―には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉ
ｕ＋＊Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されて
いる。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封１ｈするためのシール材２
５が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封１ｈするためのシール材２
５が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光Ｉ、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９’の背後に反射板１Ｂ（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１８と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
■。よりの反射光Ｉ、によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９’の背後に反射板１Ｂ（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
−に記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法
を用いることにより、アクティブマトリックスに画素数
の多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示する
ことができる。
を用いることにより、アクティブマトリックスに画素数
の多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示する
ことができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１Ｏ図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ”部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐｌ） ４ａ；上向き双極子モーメント ａｔＢ下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １？、ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９”；偏光板２０．２０’；ガラス、プラス
チック委の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 ｌ′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１Ｏ図はＴＦＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ”部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐｌ） ４ａ；上向き双極子モーメント ａｔＢ下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １？、ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１９”；偏光板２０．２０’；ガラス、プラス
チック委の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 ｌ′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ；液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極に
して各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ドレイン
もしくはソースに走査信号、ゲートに表示信号を印加す
ることによって第一の配向状態に基づく表示状態を書き
込み、次に所定の表示信号を印加して第二の配向状態に
基づく表示状態の書込みを行う時分割駆動であることを
特徴とする液晶素子の駆動法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124511A JPS614021A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR8506484A FR2563649B1 (fr) | 1984-04-28 | 1985-04-29 | Dispositif a cristaux liquides et procede d'attaque correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124511A JPS614021A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614021A true JPS614021A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14887296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124511A Pending JPS614021A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-19 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614021A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619624A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS6433532A (en) * | 1987-06-18 | 1989-02-03 | Philips Nv | Display device |
| US5453858A (en) * | 1990-12-25 | 1995-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device constructed with thin film transistors |
| JPH07331495A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Daiso Co Ltd | 不溶性電極板の取付け部 |
| US5859445A (en) * | 1990-11-20 | 1999-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device including thin film transistors having spoiling impurities added thereto |
| US5889291A (en) * | 1994-04-22 | 1999-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124516A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-18 | Azumi Kk | 植刃式超硬ピニオンカツタ |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124511A patent/JPS614021A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124516A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-18 | Azumi Kk | 植刃式超硬ピニオンカツタ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS619624A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS6433532A (en) * | 1987-06-18 | 1989-02-03 | Philips Nv | Display device |
| US5859445A (en) * | 1990-11-20 | 1999-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device including thin film transistors having spoiling impurities added thereto |
| US6011277A (en) * | 1990-11-20 | 2000-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gate insulated field effect transistors and method of manufacturing the same |
| US5453858A (en) * | 1990-12-25 | 1995-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device constructed with thin film transistors |
| US5701167A (en) * | 1990-12-25 | 1997-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | LCD having a peripheral circuit with TFTs having the same structure as TFTs in the display region |
| US5889291A (en) * | 1994-04-22 | 1999-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| JPH07331495A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Daiso Co Ltd | 不溶性電極板の取付け部 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4697887A (en) | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's | |
| US4973135A (en) | Active matrix display panel having plural stripe-shaped counter electrodes and method of driving the same | |
| US5227900A (en) | Method of driving ferroelectric liquid crystal element | |
| JPH0544009B2 (ja) | ||
| US4770501A (en) | Optical modulation device and method of driving the same | |
| EP0448032B1 (en) | Method of driving ferroelectric liquid crystal element and ferroelectric liquid crystal display | |
| JPS6244247B2 (ja) | ||
| JPS614021A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262133A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60230121A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614026A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619623A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262135A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262137A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619624A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614028A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614023A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617828A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614029A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614022A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614027A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617825A (ja) | 液晶素子の駆動法 |