JPS60230121A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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- JPS60230121A JPS60230121A JP59085119A JP8511984A JPS60230121A JP S60230121 A JPS60230121 A JP S60230121A JP 59085119 A JP59085119 A JP 59085119A JP 8511984 A JP8511984 A JP 8511984A JP S60230121 A JPS60230121 A JP S60230121A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して′画像酸いは情報の表示を行う液晶表示素子は
、よく知られている。この表示素子の駆動法としては、
走査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加
し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる
如き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して′画像酸いは情報の表示を行う液晶表示素子は
、よく知られている。この表示素子の駆動法としては、
走査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加
し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる
如き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから１表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｂ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″ 、Ｖｏｌ、１Ｂ、
Ｎｏ、４（１１ａ７１．２．１５） 、 Ｐ、 １２？
〜１２ＢのＶｏ ｌ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ″番と示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔ
ｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は、
無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の
分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を
形成し１両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配列
した構造を形成している。一方、電界印加状態では、正
の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に、配列
し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから１表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｂ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″ 、Ｖｏｌ、１Ｂ、
Ｎｏ、４（１１ａ７１．２．１５） 、 Ｐ、 １２？
〜１２ＢのＶｏ ｌ ｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ″番と示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔ
ｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は、
無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の
分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を
形成し１両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配列
した構造を形成している。一方、電界印加状態では、正
の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に、配列
し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂”半選択点゛）にも有限の電界がかかってしまう
０選択点相かかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が
充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この方
式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画
面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかっている時間Ｃｄｕｔｙ比）は、１／Ｎ
の割合で減少してしまう、このために、くり返し走査を
行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての
電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結
果的には画像コントラストの低下やクロストークが避は
難い欠点となっている。このような現象は、双安定状態
を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向
しているのが安定状態であり、電界が有効に印加されて
いる間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を利用
して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生じる
本質的には避は難い問題点である。この点を改良するた
めに、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリクス法
等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充分で
あり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充
分に増やせないことによって頭打ちになっているのが現
状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂”半選択点゛）にも有限の電界がかかってしまう
０選択点相かかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が
充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この方
式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画
面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかっている時間Ｃｄｕｔｙ比）は、１／Ｎ
の割合で減少してしまう、このために、くり返し走査を
行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値としての
電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、結
果的には画像コントラストの低下やクロストークが避は
難い欠点となっている。このような現象は、双安定状態
を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向
しているのが安定状態であり、電界が有効に印加されて
いる間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を利用
して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生じる
本質的には避は難い問題点である。この点を改良するた
めに、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリクス法
等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充分で
あり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数が充
分に増やせないことによって頭打ちになっているのが現
状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴのゲート以外の端子であ
る第一端子と接続した画素電極を該ＦＥＴに対応して複
数設けた第一基板と該画素電極に対向する対向電極を設
けた第二基板を有し、前記画素電極と対向電極の間に電
界に対して双安定状態を有する強誘電性液晶を挟持した
構造の液晶素子の駆動法であって、前記ＦＥＴのゲート
がゲートオン状態となる信号印加と同期させてＦＥＴの
ゲート以外の端子である第一端子と第二端子の間で電界
を形成することによって、第一の配向状態に強誘電性液
晶の配列を制御する第一位相と。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴのゲート以外の端子であ
る第一端子と接続した画素電極を該ＦＥＴに対応して複
数設けた第一基板と該画素電極に対向する対向電極を設
けた第二基板を有し、前記画素電極と対向電極の間に電
界に対して双安定状態を有する強誘電性液晶を挟持した
構造の液晶素子の駆動法であって、前記ＦＥＴのゲート
がゲートオン状態となる信号印加と同期させてＦＥＴの
ゲート以外の端子である第一端子と第二端子の間で電界
を形成することによって、第一の配向状態に強誘電性液
晶の配列を制御する第一位相と。
前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆極性の
電界を第一端子と第二端子の間で形成することによって
、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第二
位相を有することを特徴とするものであるゆ 本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的
安定状態とのいずれかを取る。
電界を第一端子と第二端子の間で形成することによって
、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第二
位相を有することを特徴とするものであるゆ 本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的
安定状態とのいずれかを取る。
すなわち電界に対する双安定状態を有する物質、特にこ
のような性質を有する液晶が用いられる。
のような性質を有する液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クテイックＣ相（ＳＩＩｃｔ）又Ｈ相（Ｓ＋ｅＨりの液
晶が適している。この強誘電性液晶については、”ＬＥ
ＪＯ■ＲＩＡＬ ＤＥ Ｐ）ＩＹｓＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ９″３Ｂ （Ｌ−６９） １１１７５． ｒＦｅｒ
ｒａｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； ”＾ｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
−ｔｅｒｓ″３Ｂ （１１） １１１８０、ｒ ５ｕｔ
ｖ＋１ｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理″１
Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クテイックＣ相（ＳＩＩｃｔ）又Ｈ相（Ｓ＋ｅＨりの液
晶が適している。この強誘電性液晶については、”ＬＥ
ＪＯ■ＲＩＡＬ ＤＥ Ｐ）ＩＹｓＩＯＵＥＬＥＴＴ
ＥＲ９″３Ｂ （Ｌ−６９） １１１７５． ｒＦｅｒ
ｒａｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ
Ｊ ； ”＾ｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ
−ｔｅｒｓ″３Ｂ （１１） １１１８０、ｒ ５ｕｔ
ｖ＋１ｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理″１
Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーＰ′−ア
ミノー２−メチルブチルシンナメートＣＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＮＢＲＡ８）等が挙げられる。
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーＰ′−ア
ミノー２−メチルブチルシンナメートＣＤＯＢＡＭＢＧ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＮＢＲＡ８）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳ■Ｃ１相又はＳ■Ｈｚ相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
物がＳ■Ｃ１相又はＳ■Ｈｚ相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１と１′は、 Ｉｎ２Ｏ５，５ｎ０２やＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電極が
コートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ本相
０液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している。基
板１と１′」二の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メン）（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えば１ｐＬ）には、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を
所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ
′の電界ベクトルに対応して」−向き４ａ又は、下向き
４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定
状態５かあるいは第２の安定状態５′の何れか１方に配
向する。
である。１と１′は、 Ｉｎ２Ｏ５，５ｎ０２やＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電極が
コートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ本相
０液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分子
を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している。基
板１と１′」二の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メン）（Ｐ↓）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。さらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えば１ｐＬ）には、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を
所定時間付与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又はＥ
′の電界ベクトルに対応して」−向き４ａ又は、下向き
４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定
状態５かあるいは第２の安定状態５′の何れか１方に配
向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、０．５終〜２０ＩＬ
、特にｌＩｉ、〜５Ｉ１．が適している。この種の強誘
電性液晶を用い ゛たマトリクス電極構造を有する液晶
−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、
米国特許第４３６７９２４号明細書で提案されている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第２の安定状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界Ｅ
が一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態にや
はり維持されている。このような応答速度の速さと、双
安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来るだ
け薄い方が好ましく、一般的には、０．５終〜２０ＩＬ
、特にｌＩｉ、〜５Ｉ１．が適している。この種の強誘
電性液晶を用い ゛たマトリクス電極構造を有する液晶
−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、
米国特許第４３６７９２４号明細書で提案されている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トランジ
スタ）、構造の素子が、ドレインとソースノ印加電圧を
逆にする事により、いずれをドレインとしていずれをソ
ースとしても使用しうるという事にもとづいている。ア
クティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ構
造の素子であればアモ）Ｉｙ ７アスシリコンＴＦＴ、
多結晶シリコンＴＰＴ 等のいずれであっても使用しう
る。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっ
ても同様に行う事も可能である。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トランジ
スタ）、構造の素子が、ドレインとソースノ印加電圧を
逆にする事により、いずれをドレインとしていずれをソ
ースとしても使用しうるという事にもとづいている。ア
クティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ構
造の素子であればアモ）Ｉｙ ７アスシリコンＴＦＴ、
多結晶シリコンＴＰＴ 等のいずれであっても使用しう
る。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっ
ても同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、ｖＧ をゲート電
圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間の閾値電
圧とすると■。＞ Ｖｓ であり、Ｖ ａ ＞ Ｖ ｓ
＋ Ｖ ｐの時導通状態となり。
圧、■、をソース電圧、■、をゲートソース間の閾値電
圧とすると■。＞ Ｖｓ であり、Ｖ ａ ＞ Ｖ ｓ
＋ Ｖ ｐの時導通状態となり。
Ｖ、＜Ｖ、＋Ｖ、の時非導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴ ｉ、： オイテはｖＤくｖｓとし、ｖＧ
くＶ ＋ＶＰで導通状態となり、Ｖｏ＞Ｖ８＋Ｖ。
くＶ ＋ＶＰで導通状態となり、Ｖｏ＞Ｖ８＋Ｖ。
で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスこコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスこコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
最初に走査電極ＧＮが選択された場合について述べる。
第６図（ａ）は走査信号であって、位相１、においてそ
れぞれ選択された走査電極ＧＮに印加される電気信号と
それ以外の走査電極（選択されない走査電極）ＧＮ＋□
、ＧＮ＋２に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号であって位相ｔ１においてそれぞれ
選択された表示電極Ｓ Ｓ と選択されない表示電極Ｓ
にＮ’ Ｎ＋２ Ｎ＋１ 与えられる電気信号を示している。
れぞれ選択された走査電極ＧＮに印加される電気信号と
それ以外の走査電極（選択されない走査電極）ＧＮ＋□
、ＧＮ＋２に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号であって位相ｔ１においてそれぞれ
選択された表示電極Ｓ Ｓ と選択されない表示電極Ｓ
にＮ’ Ｎ＋２ Ｎ＋１ 与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極６（ＧＮ）に与えられる電極信号は、第６図（、ａ
）に示される如く位相（時間）１＋ では、＋ＶＧを、
位相（時間）ｔ２では、−ｖＧであ−る。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極６（ＧＮ）に与えられる電極信号は、第６図（、ａ
）に示される如く位相（時間）１＋ では、＋ＶＧを、
位相（時間）ｔ２では、−ｖＧであ−る。
一方、それ以外の走査電極ＧＮ＋１ ” Ｎ＋２は第６
図（ａ）に示す如く位相１．では−ＶＧである。また、
選択された表示電極ＳＮ、ＳＮ＋２に与えられる電気信
号は、第６図（ｂ）に示される−如く＋ＶＳであり、ま
た選択されない表示電極Ｓ に与えらＮ＋１ れる電気信号は−ＶＳである。以上に於て各々の電圧値
は、以下の関係を満足する所望の値に設定される。
図（ａ）に示す如く位相１．では−ＶＧである。また、
選択された表示電極ＳＮ、ＳＮ＋２に与えられる電気信
号は、第６図（ｂ）に示される−如く＋ＶＳであり、ま
た選択されない表示電極Ｓ に与えらＮ＋１ れる電気信号は−ＶＳである。以上に於て各々の電圧値
は、以下の関係を満足する所望の値に設定される。
走査電極ｍ＝ｑラインに表示電極ｎ＝ｆＬの信号線で「
暗」、表示電極ｎ場文で「明」を同時書込みする場合、 ＶＧ、−ＶＰ＞ ＶＬｃ＋ ＶＣ（ｆｆ１＝ （＋ ）
Ｖ ｃ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ ｓｎ（ｎ ＝文）ＶＣ−
ＶＬｃ＞Ｖｓ、 （ｒ＋＃ ｕ）ｖＧｆｆｌ−ｖＰ＜Ｖ
ｓｎ（ｍ＃ｑ 、ｎ＃Ｍ）但し、各記号は下記の事項を
表わす。
暗」、表示電極ｎ場文で「明」を同時書込みする場合、 ＶＧ、−ＶＰ＞ ＶＬｃ＋ ＶＣ（ｆｆ１＝ （＋ ）
Ｖ ｃ ＋ Ｖ ＬＣ＜ Ｖ ｓｎ（ｎ ＝文）ＶＣ−
ＶＬｃ＞Ｖｓ、 （ｒ＋＃ ｕ）ｖＧｆｆｌ−ｖＰ＜Ｖ
ｓｎ（ｍ＃ｑ 、ｎ＃Ｍ）但し、各記号は下記の事項を
表わす。
ｖＧｍ’ゲー上ゲート走査電極）電圧
Ｖ 二ソース電極（表示、電極）電圧
ｎ
■ｏ ：対向電極電圧
ｖＬＧ ’強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲー
ト、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
ト、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。すな
わち、ダ７図より明らかな如く、選択された走査線上に
ある画素ＰＮ、Ｎ、ＰＮ４２．Ｎでは、位相１．に於て
、閾値ｖＬＣを越える電圧Ｖ Ｌ ｃ ＜ Ｖ ｓ Ｖ
ｃが印加される。又、同一・走査線上に存在する画素
Ｐ では位相ｔ１に於て閑Ｎ＋１．Ｎ 値−ｖＬＣを越える電圧−Ｖ Ｌ Ｃ＞ Ｖ ｓ Ｖ
ｃが印加される。従って、選択された走査電極線上に於
て、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された
場合には、液晶分子は第１の安定状態に配向を揃え、画
素はＯＮ （明）となり、選択されない場合には第２の
安定状態に配向を揃え、画素はＯＦＦ （暗）となる。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。すな
わち、ダ７図より明らかな如く、選択された走査線上に
ある画素ＰＮ、Ｎ、ＰＮ４２．Ｎでは、位相１．に於て
、閾値ｖＬＣを越える電圧Ｖ Ｌ ｃ ＜ Ｖ ｓ Ｖ
ｃが印加される。又、同一・走査線上に存在する画素
Ｐ では位相ｔ１に於て閑Ｎ＋１．Ｎ 値−ｖＬＣを越える電圧−Ｖ Ｌ Ｃ＞ Ｖ ｓ Ｖ
ｃが印加される。従って、選択された走査電極線上に於
て、表示電極が選択されたか否かに応じて、選択された
場合には、液晶分子は第１の安定状態に配向を揃え、画
素はＯＮ （明）となり、選択されない場合には第２の
安定状態に配向を揃え、画素はＯＦＦ （暗）となる。
一方、第７図に示される如く、選択されない走査線上で
は、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線上以外の各画
素ＰＮ、Ｎ＋１．ＰＮ＋□、Ｎ＋１ ’ＰＮ＋２．Ｎ＋
１’ Ｎ、Ｎ＋２・ Ｎ＋１．Ｎ＋２・ Ｎ＋２．Ｎ＋
２におけＰ Ｐ Ｐ る液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査された
ときの信号状態（ＱＮ−□）に対応した配向を、そのま
ま保持している。即ち、走査電極が選択されたときにそ
の１９４７分の信号の書き込みが行われ、■フレームが
終了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保
持し得るわけである。従って、走査電極数が増えても、
実質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下
は全く生じない。
は、すべての画素に印加される電圧は、いずれも閾値電
圧を越えない。従って、選択された走査線上以外の各画
素ＰＮ、Ｎ＋１．ＰＮ＋□、Ｎ＋１ ’ＰＮ＋２．Ｎ＋
１’ Ｎ、Ｎ＋２・ Ｎ＋１．Ｎ＋２・ Ｎ＋２．Ｎ＋
２におけＰ Ｐ Ｐ る液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査された
ときの信号状態（ＱＮ−□）に対応した配向を、そのま
ま保持している。即ち、走査電極が選択されたときにそ
の１９４７分の信号の書き込みが行われ、■フレームが
終了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保
持し得るわけである。従って、走査電極数が増えても、
実質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下
は全く生じない。
次に、ディスプレイ装置として駆動を行った場合を考え
てみる。第５図に於て、走査電極ＧＮ。
てみる。第５図に於て、走査電極ＧＮ。
ＧＮ＋１．ＧＮ＋２’・・・と表示電極ｓｓ ｓＮ’
Ｎ＋１’ Ｎ＋２°゛°°の 交点で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極Ｓ 上の表示に汀１１する
と、走査電極ＧＮ、ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」
状態であり、それ以外の画素は「明」状態である。走査
信号ＧＮが走査されたとき、時間ｔ１に於て画素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋２．Ｈ には、閾値■Ｌｏを越える電圧が印加されるため、前歴
に関係なく、画素ＰＮ、Ｎ” Ｎ＋２．Ｎは一方向の安
定状態、即ち「暗」状態に転移（スイッチ）する。その
後は、ＧＧ ・・・が走査される間はＮ＋１’ Ｎ＋２ 第７図に示される如く画素Ｐ 、Ｐ はＮ、Ｎ Ｎ＋２
．Ｎ 「暗」状態を保ち得る。
Ｎ＋１’ Ｎ＋２°゛°°の 交点で形成する画素のうち、斜線部の画素は「暗」状態
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極Ｓ 上の表示に汀１１する
と、走査電極ＧＮ、ＧＮ＋２に対応する画素では「暗」
状態であり、それ以外の画素は「明」状態である。走査
信号ＧＮが走査されたとき、時間ｔ１に於て画素ＰＰ Ｎ、Ｎ’ Ｎ＋２．Ｈ には、閾値■Ｌｏを越える電圧が印加されるため、前歴
に関係なく、画素ＰＮ、Ｎ” Ｎ＋２．Ｎは一方向の安
定状態、即ち「暗」状態に転移（スイッチ）する。その
後は、ＧＧ ・・・が走査される間はＮ＋１’ Ｎ＋２ 第７図に示される如く画素Ｐ 、Ｐ はＮ、Ｎ Ｎ＋２
．Ｎ 「暗」状態を保ち得る。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ） 、
（ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可能
であり、この様に配置するとシャッターアレイ等として
利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ） 、
（ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可能
であり、この様に配置するとシャッターアレイ等として
利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆＯ＝１×ｌＯ４〜１ｘ１０６Ｈ２１０＜
ｌ ＶＧＩ ＜ｆｆ０Ｖ （波高値）０．３ ＜ Ｉ
ｖ８１ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
してＤＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆＯ＝１×ｌＯ４〜１ｘ１０６Ｈ２１０＜
ｌ ＶＧＩ ＜ｆｆ０Ｖ （波高値）０．３ ＜ Ｉ
ｖ８１ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＦＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＦＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＦＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＦＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
第１θ図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１ｅに接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋ｅ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１６（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１ｅに接する２つ端子８と１
１で構成したＴＰＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ＋ｅ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ボ゛リイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、５ｉＯ１）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の」二には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
ド、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、５ｉＯ１）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
の」二には対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ
Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されている。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２ｏと２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２ｏと２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８とＩｌｌ′が配置され、観察者Ａが入射
光Ｉｏよりの反射光１１によって表示状態を見ることが
できる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１８とＩｌｌ′が配置され、観察者Ａが入射
光Ｉｏよりの反射光１１によって表示状態を見ることが
できる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反射性
アルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果１
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１θ図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 ｔ、ｔ′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第１の安定状８ ５′；第２の安定状態 ８；ソース電極（ドレン電極） ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 ｌｌ； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５．半導体直下の光遮蔽膜１６；半導体
１７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板 ｔｓ、
ｘｓ′；偏光板 ２０．２０′；ガラス、プラスチック等の透明基板２１
；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３：強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２８；光遮断効果を有するゲート部 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １）善 雄 第１図 第２図 第３図 り貴 電極 臘 第４図 第５図 克ｊｉ電廊 （ｂ） 第７図 第８図 （０） １２Ｍ′走貴電槍又は灸示電締 （ｂ）
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）は
アクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線
図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図
、第１θ図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図
、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ基
板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第１
４図はＢ−Ｂ ’部分断面図である。 ｔ、ｔ′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第１の安定状８ ５′；第２の安定状態 ８；ソース電極（ドレン電極） ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 ｌｌ； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５．半導体直下の光遮蔽膜１６；半導体
１７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板 ｔｓ、
ｘｓ′；偏光板 ２０．２０′；ガラス、プラスチック等の透明基板２１
；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３：強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２８；光遮断効果を有するゲート部 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １）善 雄 第１図 第２図 第３図 り貴 電極 臘 第４図 第５図 克ｊｉ電廊 （ｂ） 第７図 第８図 （０） １２Ｍ′走貴電槍又は灸示電締 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接
続した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基
板と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を
有し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安
定状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子
の駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状
態となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端
子である第一端子と第二端子の間で電界を形成すること
によって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成し
た電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成
することによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配
列を制御する第二位相を有することを特徴とする液晶素
子の駆動法。 （２）前記対向電極が複数の画素電極に対して共通電極
となっている特許請求の範囲第１項記載の液晶素子の駆
動法。 （３）前記複数の画素電極が複数の行及び列に沿って、
マトリクス状に配置され、これと対応した複数のＦＥＴ
に配線したゲートに走査信号を印加し、ＦＥＴの第一端
子又は第二端子に表示信号を印加する時分割駆動である
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の液晶素子の駆動
法。 （４）選択されたゲートに印加する走査信号と同期させ
て、該ゲートに接続する複数のＦＥＴのうち、選択され
たＦＥＴの第一端子又は第二端子に接続する画素電極と
共通電極の間の強誘電性液晶を第一の配向状態に配列さ
せる位相と前記複数のＦＥＴのうち選択されないＦＥＴ
の第一端子又は第二端子に接続する画素電極と共通電極
の間の強誘電性液晶を第二の配向状態に配向させる位相
とが同時となっている特許請求の範囲第１項、第２項又
は第３項記載の液晶素子の駆動法。 （５）前記ＦＥＴがＴＰＴである特許請求の範囲第１項
記載の液晶素子の駆動法。 （６）前記ＴＦＴの半導体がアモルファスシリコンで形
成されている特許請求の範囲第５項記載の液晶素子の駆
動法。 （７）前記強誘電性液晶がスメクティック相である特許
請求の範囲第１項記載の液晶素子の駆動法。 （８）前記スメクティック相がカイラルスメクティック
相である特許請求の範囲第７項記載の液晶素子の駆動法
。 （８）前記力イラルスメクティック相がＣ相又はＨ相で
ある特許請求の範囲第８項記載の液晶素子の駆動法。 （１０）前記力イラルスメクティック相が非らせん構造
の相である特許請求の範囲第８項記載の液晶素子の駆動
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085119A JPS60230121A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR8506484A FR2563649B1 (fr) | 1984-04-28 | 1985-04-29 | Dispositif a cristaux liquides et procede d'attaque correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085119A JPS60230121A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60230121A true JPS60230121A (ja) | 1985-11-15 |
Family
ID=13849740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59085119A Pending JPS60230121A (ja) | 1984-04-28 | 1984-04-28 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60230121A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262136A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPH05224631A (ja) * | 1992-09-18 | 1993-09-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその画像表示方法 |
| JPH06222384A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-08-12 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
| US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
Citations (3)
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| JPS56107216A (en) * | 1980-01-08 | 1981-08-26 | Clark Noel A | Liquid crystal electrooptical device and production thereof |
| JPS59137925A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Seiko Epson Corp | 液晶ライトバルブ |
| JPS6020325A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 光学系支持装置 |
-
1984
- 1984-04-28 JP JP59085119A patent/JPS60230121A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
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