JPS617829A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
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- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリクク
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリクク
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ １．ｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｗ、
１８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、
１２７〜１２８のＶｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓ’ｔｅｄＮｅＩＩｌａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａじに示されたＴＮ（ｔｗｉＳｔｅｄ ｎｅｍａ
ｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は
、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶
の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）
を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配
列した構造を形成している。一方、電界印加状態では、
正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列
し、この結果光調変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ １．ｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｗ、
１８． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、
１２７〜１２８のＶｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ Ｔｗ
ｉｓ’ｔｅｄＮｅＩＩｌａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａじに示されたＴＮ（ｔｗｉＳｔｅｄ ｎｅｍａ
ｔｉｃ）型の液晶を用いたものであり、この型の液晶は
、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶
の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）
を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配
列した構造を形成している。一方、電界印加状態では、
正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列
し、この結果光調変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂°′半選択点゛′）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧間、値がこの中間の電圧値に設定、される
ならば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし
、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った
場合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選
択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は
、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値
としての電圧是は、走査線数が増えれば増える程小さく
なり、結果的には画像コントラストの低下やクロストー
クが避は難い欠点となっている。このような現象は、双
安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水
平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印
加されている間のて駆動する（即ち、繰り返し走査する
）ときに生じる木質的には避は難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多
重マトリクス法等が既に提案されているが、いずれの方
法でも不充分であり、表□示素子の大画面化や高密度化
は、走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちに
なっているのが現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂°′半選択点゛′）にも有限の電界がかかってし
まう。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の
差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させる
に要する電圧間、値がこの中間の電圧値に設定、される
ならば、表示素子は正常に動作するわけである。しかし
、この方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った
場合、画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選
択点に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は
、１／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値
としての電圧是は、走査線数が増えれば増える程小さく
なり、結果的には画像コントラストの低下やクロストー
クが避は難い欠点となっている。このような現象は、双
安定状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水
平に配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印
加されている間のて駆動する（即ち、繰り返し走査する
）ときに生じる木質的には避は難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法や多
重マトリクス法等が既に提案されているが、いずれの方
法でも不充分であり、表□示素子の大画面化や高密度化
は、走査線数が充分に増やせないことによって頭打ちに
なっているのが現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極群に表示信号を印加す
るとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソ
ースもしくは、ドレインを共通端子に接続してゲートに
走査信号を印加する時分割駆動であり、かかる走査信号
線（ゲート）に順次所定の走査信号を印加するとともに
、表示信号線（複数のストライプ状対向電極群）に所定
の表示信号を印加して、第一の配向状態に基づく表示状
態を全画面に順次書込み、次に前記走査信号線に再び順
次所定の走査信号を印加するとともに、選択された表示
信号線に第二の配向状態を形成する所定の表示信号を印
加することを特徴とするものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相を有し、前記対向電極群に表示信号を印加す
るとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソ
ースもしくは、ドレインを共通端子に接続してゲートに
走査信号を印加する時分割駆動であり、かかる走査信号
線（ゲート）に順次所定の走査信号を印加するとともに
、表示信号線（複数のストライプ状対向電極群）に所定
の表示信号を印加して、第一の配向状態に基づく表示状
態を全画面に順次書込み、次に前記走査信号線に再び順
次所定の走査信号を印加するとともに、選択された表示
信号線に第二の配向状態を形成する所定の表示信号を印
加することを特徴とするものである。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液高としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（９ｍ０本） 又Ｈ相（ＳｍＨりの液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテハ、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＩＪＥＬＥＴＴＥ
Ｒ３” ３Ｂ （Ｌ、−Ｈ） １８７５．’ ｒ Ｆ
ｅｒｒｏｅ’１ｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１） ＋！１１８
０ 、 ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ
Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ
Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉ’ｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理”１１１１ （１４１）
１９８１ ｒ液晶」等に記載されており、本発明で
はこれらに開示された強誘電性液晶を用いることができ
る。
強誘電性液高としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（９ｍ０本） 又Ｈ相（ＳｍＨりの液晶
が適している。この強誘電性液晶ニツイテハ、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＩＪＥＬＥＴＴＥ
Ｒ３” ３Ｂ （Ｌ、−Ｈ） １８７５．’ ｒ Ｆ
ｅｒｒｏｅ’１ｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌｓ Ｊ ； ”Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″ ３Ｂ （１１） ＋！１１８
０ 、 ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ
Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ
Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉ’ｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物理”１１１１ （１４１）
１９８１ ｒ液晶」等に記載されており、本発明で
はこれらに開示された強誘電性液晶を用いることができ
る。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー）’ （ＤＯＢＡ’
ＭＢＣ） ’ｔヘキシルオキシベンジリデンーＰ′−ア
ミノ−２−クロロプロピルシンナメート（）ＩＯＢＡＣ
ＰＣ）および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシ
リ゛デンー４′−オクチルアニリン（ＮＢＲ＾８）等が
挙げられる。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメー）’ （ＤＯＢＡ’
ＭＢＣ） ’ｔヘキシルオキシベンジリデンーＰ′−ア
ミノ−２−クロロプロピルシンナメート（）ＩＯＢＡＣ
ＰＣ）および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシ
リ゛デンー４′−オクチルアニリン（ＮＢＲ＾８）等が
挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物がＳａＯ２箱又はＳｍＨ・相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロー２り等により支持することができ名。
物がＳａＯ２箱又はＳｍＨ・相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロー２り等により支持することができ名。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１と１′は、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓ ｎ ％、やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕ＋＊−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｒｍ
Ｃ零相の液晶が封入されている。太線で示した線３が
液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）４を有して
いる。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極
子モーメン）（Ｐｌ）４はすべて電界方向に向くよう、
液晶分子３の配向゛方向を変えることができる。液晶分
子３は細長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下
に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置
けば゛、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。さらに液
晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えばｌＩｉ、）
には、第２図に示すように電界を印加していない状態で
も液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、
その双極子七−メン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は
下向（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセル
に第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界
Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは
電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又
は、下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は
第一の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れ
か一方に配向する。
である。１と１′は、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓ ｎ ％、やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕ＋＊−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の透明電
極がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液
晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｒｍ
Ｃ零相の液晶が封入されている。太線で示した線３が
液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子
に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）４を有して
いる。基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極
子モーメン）（Ｐｌ）４はすべて電界方向に向くよう、
液晶分子３の配向゛方向を変えることができる。液晶分
子３は細長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下
に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置
けば゛、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光
学変調素子となることは、容易に理解される。さらに液
晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えばｌＩｉ、）
には、第２図に示すように電界を印加していない状態で
も液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、
その双極子七−メン）Ｐ又はＰ′は上向き（４ａ）又は
下向（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセル
に第２図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界
Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは
電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又
は、下向き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は
第一の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れ
か一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向
きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。又。
与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの
配向状態にやはり維持されている。このような応答速度
の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとし
ては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５
に〜２０井、特に１μ〜５ＩＬが適している。この種の
強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶
−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、
米国特許第４３８７！１１２４号明細書で提案されてい
る。
配向状態にやはり維持されている。このような応答速度
の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとし
ては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５
に〜２０井、特に１μ〜５ＩＬが適している。この種の
強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶
−電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、
米国特許第４３８７！１１２４号明細書で提案されてい
る。
本発明は、アクティブマトリックスを構成する丁ＦＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ 等のいずれであっても使用しうる
。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであって
も同様に行う事も可能である。
構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＰＴ 等のいずれであっても使用しうる
。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであって
も同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をトレイン電圧、■ を１Ｇ
ゲート電圧、ｖＳをソース電圧、■、をゲートソース間
の閾値電圧とするとＶ、＞ＶＳ であり、Ｖ、＞ＶＳ
＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜ Ｖ ｓ ＋ Ｖ
ｐの時非導通状態となる。
の閾値電圧とするとＶ、＞ＶＳ であり、Ｖ、＞ＶＳ
＋Ｖ、の時導通状態となり、Ｖ ＜ Ｖ ｓ ＋ Ｖ
ｐの時非導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴ ニオイテはｖＤくｖｓとし、Ｖｃ ＜Ｖ
＋Ｖ、で導通状態となり、ｖ ＞ｖ ＋ｖＳ
ＧＳＰで非導通状態となる。
＋Ｖ、で導通状態となり、ｖ ＞ｖ ＋ｖＳ
ＧＳＰで非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
１７、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
１７、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベ
ルは以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差
を相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す０例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される０選択゛された走
査電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示され
る如く位相（時間）１＋〜ｔ３では、＋Ｖ、であり、位
相（時間）ｔ４〜ｔ６では、０である。
を表す０例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される０選択゛された走
査電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示され
る如く位相（時間）１＋〜ｔ３では、＋Ｖ、であり、位
相（時間）ｔ４〜ｔ６では、０である。
一方、それ以外の選択されない走査電極に与えられる電
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相ｔ１〜ｔ３ではＯ
であり、位相ｔ４〜ｔ６では−Ｖｃである。また、選択
された表示電極に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）
に示される如く位相ｔ１〜ｔ３では＋ｖｃであり、位相
ｔ４〜七６では＝ｖｏである。また選択されない表示電
極に与えられる電気信号は０である０以上に於て各々の
電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定・され
る。
気信号は第６図（ａ）に示す如く位相ｔ１〜ｔ３ではＯ
であり、位相ｔ４〜ｔ６では−Ｖｃである。また、選択
された表示電極に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）
に示される如く位相ｔ１〜ｔ３では＋ｖｃであり、位相
ｔ４〜七６では＝ｖｏである。また選択されない表示電
極に与えられる電気信号は０である０以上に於て各々の
電圧値は、以下の関係を満足する所望の値に設定・され
る。
走査電極層＝１〜Ｎのラインに、表示電極ｎ＝ １ 、
の信号線で全画面に順次「明」を書込み、次に同じ層＝
１〜Ｎのラインに表示電極ｎ＝Ｊ１２の信号線で、全画
面に順次「暗」を書込みを行う場合。
の信号線で全画面に順次「明」を書込み、次に同じ層＝
１〜Ｎのラインに表示電極ｎ＝Ｊ１２の信号線で、全画
面に順次「暗」を書込みを行う場合。
ｖ ｃｌｖ ｐ ＞ Ｖ ＬＣ＋ Ｖ Ｓ （ｍ＝ ｔ
−Ｎ、ｎ＝ ｘ Ｉ）Ｖｓ ＋ｖＬｃくｖｃｎ （
ｎ＝見、）Ｖｓ −ｖＬｃ＞ｖｃｎ （腸＝
１ ｗＮ、 ｎ＝１２ ）Ｖ Ｇ、＝ Ｏ（ｎ＝
！Ｌ２ ） （ｎ＃ｉｔ ）ｖ ｃ、 ｖ 、 ＜
Ｖ ＣｎＣｎ匁ｉＬ２ ）但し、各記号は下記の事項
を表わす。
−Ｎ、ｎ＝ ｘ Ｉ）Ｖｓ ＋ｖＬｃくｖｃｎ （
ｎ＝見、）Ｖｓ −ｖＬｃ＞ｖｃｎ （腸＝
１ ｗＮ、 ｎ＝１２ ）Ｖ Ｇ、＝ Ｏ（ｎ＝
！Ｌ２ ） （ｎ＃ｉｔ ）ｖ ｃ、 ｖ 、 ＜
Ｖ ＣｎＣｎ匁ｉＬ２ ）但し、各記号は下記の事項
を表わす。
■Ｇ、：ゲート電極（走査信号）電圧
ｖｏｎ二対二対極電極示信号）電圧
■、：ゲート、ソース間の閾値
以上の動作をｑ＝１−Ｎまで繰返し！込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す、第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）上
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす、すな
わち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相１．に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
□１．Ｎには閾値Ｖ を越えるＶ ＬＣ＜ Ｖ ｃ −
Ｖ ｓが印加されＧ る、したがって第４図において画素ＰＭ４１．Ｎに「明
」の書込みが行なわれる。以後位相ｔ２及びｔ３では、
それぞれ選択された走査線と表示線の交点にある画素Ｐ
Ｎ、８４１’ Ｎ＋２．Ｎ＋１ＩＰＮ＋Ｉ、Ｎ＋２
。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す、第７
図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（暗）上
側、ＯＦＦ （明）下側の各表示状態を表わす、すな
わち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相１．に
おいて選択された走査線及び表示線の交点にある画素Ｐ
□１．Ｎには閾値Ｖ を越えるＶ ＬＣ＜ Ｖ ｃ −
Ｖ ｓが印加されＧ る、したがって第４図において画素ＰＭ４１．Ｎに「明
」の書込みが行なわれる。以後位相ｔ２及びｔ３では、
それぞれ選択された走査線と表示線の交点にある画素Ｐ
Ｎ、８４１’ Ｎ＋２．Ｎ＋１ＩＰＮ＋Ｉ、Ｎ＋２
。
１Ｍ＋２．Ｎ＋２に順次「明」の書込みが行なわれる。
位相１．−１３で全画面の画素に、「明」の書込みが行
なわれた後、位相ｔ４〜七６間では全画面に「暗」の書
込みが行なわれる。すなわち。
なわれた後、位相ｔ４〜七６間では全画面に「暗」の書
込みが行なわれる。すなわち。
位相ｔ４において選択された走査線上にある画素ｎ 、
＊ 、 Ｎ＋２ 、 Ｎ ニハＩＩ ｉｒｌ Ｖ
ｔｃを越える一Ｖ ｔ ｃ ＞Ｐ −Ｖ −ＶＳの電圧が印加される。したがって第４図
において画素ＰＰ に「暗」の書込Ｎ、Ｎ’
Ｎ＋２．Ｎ みが行なわれる。以後位相ｔ５及びｔ６までは、それぞ
れ選択された走査線上にある画素ＰＮａｔ 、Ｎ＋１
、ＰＭ、Ｎ＋２に「暗Ｊの書込みが行なわれる０以上の
各動作でわかる通り、選択された走査電極線上に於て１
表示電極が選択され′たか否かに応じて、選択された場
合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは、第二の配
向状態に配向を揃え、画素はＯ？ｌ （暗）あるいはＯ
ＦＦ （明）となり、選択されない場合には、すべて
の画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えな
い、従って、選択された走査線上以外の各画素における
液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたと
きの信号状態（ＱＮ−□）に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択されたときにその
１ライン分の信号の書き込みが行われ、ｌフレームが終
了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保持
し得るわけである。
＊ 、 Ｎ＋２ 、 Ｎ ニハＩＩ ｉｒｌ Ｖ
ｔｃを越える一Ｖ ｔ ｃ ＞Ｐ −Ｖ −ＶＳの電圧が印加される。したがって第４図
において画素ＰＰ に「暗」の書込Ｎ、Ｎ’
Ｎ＋２．Ｎ みが行なわれる。以後位相ｔ５及びｔ６までは、それぞ
れ選択された走査線上にある画素ＰＮａｔ 、Ｎ＋１
、ＰＭ、Ｎ＋２に「暗Ｊの書込みが行なわれる０以上の
各動作でわかる通り、選択された走査電極線上に於て１
表示電極が選択され′たか否かに応じて、選択された場
合には、液晶分子は第一の配向状態あるいは、第二の配
向状態に配向を揃え、画素はＯ？ｌ （暗）あるいはＯ
ＦＦ （明）となり、選択されない場合には、すべて
の画素に印加される電圧は、いずれも閾値電圧を越えな
い、従って、選択された走査線上以外の各画素における
液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたと
きの信号状態（ＱＮ−□）に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択されたときにその
１ライン分の信号の書き込みが行われ、ｌフレームが終
了して次回選択されるまでの間は、その信号状態を保持
し得るわけである。
従って、走査電極数が増えても、実質的なデユー −
ティ比はかわらず、コントラストの低下は全く生じない
。
ティ比はかわらず、コントラストの低下は全く生じない
。
第５図に於て、走査電極’Ｎ”Ｎ＋１．’ Ｎ＋２’・
・・と表示電極ＣＣＣ・・・の交点で形成する画Ｎ’
Ｎ＋１’ Ｎ＋２− 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＣＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＮ”
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記、位相ｔ、〜ｔ６の各
動作によって、第５図の表示パターンが完成する。
・・と表示電極ＣＣＣ・・・の交点で形成する画Ｎ’
Ｎ＋１’ Ｎ＋２− 素のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した
画素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中
の表示電極ＣＮ上の表示に注目すると、走査電極ＧＮ”
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記、位相ｔ、〜ｔ６の各
動作によって、第５図の表示パターンが完成する。
なお、第６図において駆動波形は走査信号、表示信号と
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を、第−の表示状態書込みの
時はＧＮＤに、第二の表示状態書込みの時には＋Ｖｓに
することより、走査信号、表示信号とも２レベルの電圧
信号で駆動することができる。
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を、第−の表示状態書込みの
時はＧＮＤに、第二の表示状態書込みの時には＋Ｖｓに
することより、走査信号、表示信号とも２レベルの電圧
信号で駆動することができる。
第８図に２レベルの電圧による駆動波形の例を示す。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。
次に、以」二に説明した実施例において、強誘電性液晶
としてＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数
値を示すと、例えば 入力周波数ｆＯ＝ Ｉ ＸＩＯ’ 〜ｌＸｌ０６Ｈｚ１
０＜ ｌ ′ｖＧｌ ＜８０Ｖ （波高値）０．３
＜ Ｉ ′ｖＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる
。
としてＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数
値を示すと、例えば 入力周波数ｆＯ＝ Ｉ ＸＩＯ’ 〜ｌＸｌ０６Ｈｚ１
０＜ ｌ ′ｖＧｌ ＜８０Ｖ （波高値）０．３
＜ Ｉ ′ｖＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げられる
。
第１０図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦ
ＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強
誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視
図、第１３図はＴＰＴ基板の平面図、第１４図は第１３
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１５図は第
１３図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
ＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強
誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視
図、第１３図はＴＰＴ基板の平面図、第１４図は第１３
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１５図は第
１３図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもの
である。
第１１図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、ブラスチンク等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｗ
１ｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、ブラスチンク等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した半
導体膜１Ｂ（水素原子をドーピングしたアモルファスシ
リコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子８と１
１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続した画
素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｗ
１ｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓ＋０
、３＋０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
のＬには対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｒ＋ｉｕｍ
トｎ Ｏ！ ｉ ｄ ｅ）と絶縁膜２２が形成されてい
る。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓ＋０
、３＋０２）とアルミニウムやクロムなどからなる光
遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′
のＬには対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｒ＋ｉｕｍ
トｎ Ｏ！ ｉ ｄ ｅ）と絶縁膜２２が形成されてい
る。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２ｏと２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２ｏと２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１９と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
ＩＯよりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８：の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１９と１８′が配置され、観察者Ａが入射光
ＩＯよりの反射光１１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１８：の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの電圧に
よる駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ）はアク
ティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線図、
第１今図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図、
第１１図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図、
第１２図は↑ＦＴ基板の斜視図、第１３図はＴＰＴ基板
の平面図、第１４図はＡ−Ａ”線部分断面図び第１５図
はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４８；−Ｌ向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽ｌｌ１ｔ（１；ｎ”層 １１； ドレイン電極（ソース電極）１２；画素電極
＋３．絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１８’、偏光板２０．２０′；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 、 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７：ゲート配線 ２８：パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣｉ液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の番
地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説明
図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極に
印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素への
書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの電圧に
よる駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ）はアク
ティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配線図、
第１今図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面図、
第１１図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面図、
第１２図は↑ＦＴ基板の斜視図、第１３図はＴＰＴ基板
の平面図、第１４図はＡ−Ａ”線部分断面図び第１５図
はＢ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′、透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４８；−Ｌ向き双極子モーメント ４ｂ；下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽ｌｌ１ｔ（１；ｎ”層 １１； ドレイン電極（ソース電極）１２；画素電極
＋３．絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体 １７．ゲート配線部の透明電極１８；反射板
１９．１８’、偏光板２０．２０′；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 、 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７：ゲート配線 ２８：パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′；走査電極 １−Ｎ、表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣｉ液晶 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極群に表示信号
を印加するとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子の
うちソースもしくはドレインを共通に接続して、ゲート
に走査信号を印加する時分割駆動であり、かかる走査信
号線に順次所定の走査信号を印加するとともに、表示信
号線に所定の表示信号を印加して、第一の配向状態に基
づく表示状態を全画面に順次書込み、次に前記走査信号
線に再び順次所定の走査信号を印加するとともに、選択
された表示信号線に第二の配向状態を形成する所定の表
示信号を印加することを特徴とする液晶素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127419A JPS617829A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127419A JPS617829A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617829A true JPS617829A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14959495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127419A Pending JPS617829A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-22 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617829A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4770501A (en) * | 1985-03-07 | 1988-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and method of driving the same |
| JPH0249745B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1990-10-31 | Shinnippon Kako Kk | |
| KR20190102192A (ko) | 2017-01-17 | 2019-09-03 | 호야 가부시키가이샤 | 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127418A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-23 | Nec Corp | アナログ・デジタル変換器 |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59127419A patent/JPS617829A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127418A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-23 | Nec Corp | アナログ・デジタル変換器 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4770501A (en) * | 1985-03-07 | 1988-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and method of driving the same |
| JPH0249745B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1990-10-31 | Shinnippon Kako Kk | |
| KR20190102192A (ko) | 2017-01-17 | 2019-09-03 | 호야 가부시키가이샤 | 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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