JPS60262133A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS60262133A JPS60262133A JP59118183A JP11818384A JPS60262133A JP S60262133 A JPS60262133 A JP S60262133A JP 59118183 A JP59118183 A JP 59118183A JP 11818384 A JP11818384 A JP 11818384A JP S60262133 A JPS60262133 A JP S60262133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display
- electrode
- state
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3651—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using multistable liquid crystals, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブブトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブブトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述へる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期
させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されてい
るが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述へる如
き致命的とも言える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆とか、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 ＋８
． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、＋２７
−１２８ の Ｖｏ ｌ ｔａｇｅｌ −Ｄ ｅ ｐ田
°”ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａ山゛山°１°ｈ゛１°６Ｎ
ｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａじに示され
たＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を
用いたものであり、この型の液晶は、無電界状態で正の
誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の分イーが、液晶層
厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を形成し、両電極
面でこの液晶の分子がηいに並行に配列した構造を形成
している。一方、電界印加状態では、正の誘電異方性を
もつネマチック液晶が電界方向に配列し、この結果光調
変調を起すことができる。
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆とか、例えば、Ｍ、 ５ｃｈ
ａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 ＋８
． Ｎｏ、４（１９７１，２，１５） 、 Ｐ、＋２７
−１２８ の Ｖｏ ｌ ｔａｇｅｌ −Ｄ ｅ ｐ田
°”ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａ山゛山°１°ｈ゛１°６Ｎ
ｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａじに示され
たＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を
用いたものであり、この型の液晶は、無電界状態で正の
誘電異方性をもつ、ネマチック液晶の分イーが、液晶層
厚方向で捩れた構造（ヘリカル構造）を形成し、両電極
面でこの液晶の分子がηいに並行に配列した構造を形成
している。一方、電界印加状態では、正の誘電異方性を
もつネマチック液晶が電界方向に配列し、この結果光調
変調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、ｌいにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂′°￥選携点”）にも有限の電界がかかってしま
う。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差
が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに
要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば
、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この
方式において、走査線Ｉ （Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極
と信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電
圧は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して
並行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上
下に、ｌいにクロスニコル関係にある直線偏光子を配置
することにより、選択点では光が透過せず、非選択点で
は光が透過するため、画像素子とすることが可能となる
。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、
走査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或い
は、走査電極が選択されず、信号電極が選択される領域
（所謂′°￥選携点”）にも有限の電界がかかってしま
う。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差
が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに
要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば
、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この
方式において、走査線Ｉ （Ｎ）を増やして行った場合
、画面全体（ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点
に有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１
／Ｈの割合で減少してしまう。このために、くり返し走
査を行った場合の選択点と非選択点にかかる実効値とし
ての電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり
、結果的には画像コントラストの低下やクロストークが
避は難い欠点となっている。このような現象は、双安定
状態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に
配向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加さ
れている間のみ垂直に配向する）を、時間的蓄積効果を
利用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生
じる木質的には避は難い問題点である。この点を改良す
るために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリク
ス法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充
分であり、表示素子の大画面化や高密度化は、走査線数
が充分に増やせないことによって頭打ちになっているの
が現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
おける問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特に
強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一・端子と接続した画
素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画
素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前
記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を
有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法
であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる
信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である
第一端子と第二端子の間で電界を形成することによって
、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一
位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と
逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成すること
によって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各
画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもしくは
ドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加する時分
割駆動であることを特徴とするものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一・端子と接続した画
素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画
素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前
記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を
有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法
であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる
信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である
第一端子と第二端子の間で電界を形成することによって
、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一
位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と
逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成すること
によって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極にして各
画素に対応しているＦＥＴ端子のうち、ソースもしくは
ドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加する時分
割駆動であることを特徴とするものである。
一層具体的には、走査信号線（ソース又はトレイン）に
所定の走査信号を印加するとともに表示信号線（ゲート
）に表示画像信号を印加することによって、全画面の表
示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一様にそろ
え、次に走査信号線に順次所定の電圧信号を印加すると
ともに表示信号線に表示画像信号を印加することにより
、表示状態を前記第一の配向状態に基づく表示状態とは
異なる状態に書込むことを第２の特徴としている。
所定の走査信号を印加するとともに表示信号線（ゲート
）に表示画像信号を印加することによって、全画面の表
示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一様にそろ
え、次に走査信号線に順次所定の電圧信号を印加すると
ともに表示信号線に表示画像信号を印加することにより
、表示状態を前記第一の配向状態に基づく表示状態とは
異なる状態に書込むことを第２の特徴としている。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質。
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質。
特にこのような性質を有する液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｓ（ｊ）又Ｈ相（Ｓ＋ｏＨ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶については、ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥ ＬＥＴＴＥ
Ｒ３″３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒＦｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ
； ”＾ｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔ
ｅｒｓ″基（１１） ＋９８０、ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ
５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏ
ｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｓ」；“固体物理”１８ （１４＋）［
９８１ｒ液晶」等に記載されており、本発明ではこれら
に開示された強誘電性液晶を用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（Ｓｓ（ｊ）又Ｈ相（Ｓ＋ｏＨ＊）の液
晶が適している。この強誘電性液晶については、ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥ ＬＥＴＴＥ
Ｒ３″３Ｂ （Ｌ−８９） １９７５． ｒＦｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ
； ”＾ｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔ−ｔ
ｅｒｓ″基（１１） ＋９８０、ｒｓｕｂｍｉｃｒｏ
５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏ
ｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｓ」；“固体物理”１８ （１４＋）［
９８１ｒ液晶」等に記載されており、本発明ではこれら
に開示された強誘電性液晶を用いることができる。
より基体的には１本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーＰ′−ア
ミノー２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーＰ′−ア
ミノー２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２
−クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）およ
び４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４
′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が５Ｉｌｃｔ相又はＳ＋ｗ旧相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
物が５Ｉｌｃｔ相又はＳ＋ｗ旧相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。１と１′は、Ｔｎ２０３ 、 ＳｎＯ２やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ本
相０液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分
子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交
した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している。
である。１と１′は、Ｔｎ２０３ 、 ＳｎＯ２やＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｗ１ｄｅ）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ本
相０液晶が封入されている。太線で示した線３が液晶分
子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に直交
した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）４を有している。
基板ｌと１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。ｙらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えば］ｐＬ）には、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は１−向き（４ａ）又は下向（４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′
を所定時間イ１与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又
はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向
き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配
向状８５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に
配向する。
すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メン）（Ｐよ）４はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子３の配向方向を変えることができる。液晶分子３は細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けば、電
圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子
となることは、容易に理解される。ｙらに液晶セルの厚
さを充分に薄くした場合（例えば］ｐＬ）には、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造は、はどけ（非らせん構造）、その双極子モ
ーメントＰ又はＰ′は１−向き（４ａ）又は下向（４ｂ
）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′
を所定時間イ１与すると、双極子モーメントは電界Ｅ又
はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向
き４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配
向状８５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方に
配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状Ｉ ｆｆ、 ｊよ、イ１１、安定アあお。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状Ｉ ｆｆ、 ｊよ、イ１１、安定アあお。
又、＆ｒ＃ａｃｒ＞Ｎ界Ｅ′を印加すると、液晶分子は
第二の配向状態５′に配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又
、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
の配向状態にやはり維持されている。このような応答速
度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルと
しては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．
５ ＡＬ〜２０角、特にＩＡＬ〜５用が適している。こ
の種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有す
る液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガパルに
より、米国特許第４３［ｆ？９２４ 号明細書で提案さ
れている。
第二の配向状態５′に配向して、その分子の向きを変え
るが、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又
、与える電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
の配向状態にやはり維持されている。このような応答速
度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルと
しては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．
５ ＡＬ〜２０角、特にＩＡＬ〜５用が適している。こ
の種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有す
る液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガパルに
より、米国特許第４３［ｆ？９２４ 号明細書で提案さ
れている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トランジ
スタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧を逆
にする事により、いずれをドレインとしていずれをソー
スとしても使用しうるという事にもとづいている。アク
ティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ構造
の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多結晶
シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。又Ｆ
ＥＴ構造以外のへイポーラトランジスタであっても同様
に行う事も可能である。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トランジ
スタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧を逆
にする事により、いずれをドレインとしていずれをソー
スとしても使用しうるという事にもとづいている。アク
ティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ構造
の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ 、多結晶
シリコンＴＰＴ等のいずれであっても使用しうる。又Ｆ
ＥＴ構造以外のへイポーラトランジスタであっても同様
に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、ＶＤをドレイン電圧、■６ をゲート電
圧、■ をソース電圧、■、をゲー トソース間の閾値
電圧とすると■。＞■、であり、Ｖ ＞Ｖ ＋Ｖ、の時
導通状態となり、Ｓ ｖｏくｖＳ＋ｖ、の時非導通状態となる。
圧、■ をソース電圧、■、をゲー トソース間の閾値
電圧とすると■。＞■、であり、Ｖ ＞Ｖ ＋Ｖ、の時
導通状態となり、Ｓ ｖｏくｖＳ＋ｖ、の時非導通状態となる。
Ｐ型ＦＥＴにおいてはｖＤく■ｓとし、Ｖｃ ＜ｖ ＋
ｖ テ導通状態トナリ、ｖＧ〉■８＋■ＰＰ で非導通状態となる。
ｖ テ導通状態トナリ、ｖＧ〉■８＋■ＰＰ で非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の偏光軸と、液晶分子長軸との向
きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例１
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強誘電性
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７図に基づいて説
明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号を示す図であって、位相ｔｌ
、ｔ、・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印
加される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない
走査電極）に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔｌ＋ｔ２・
・・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されな
い表示電極に与えられる電気信号を示している。
、ｔ、・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印
加される電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない
走査電極）に印加される電気信号を示している。第６図
（ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔｌ＋ｔ２・
・・においてそれぞれ選択された表示電極と選択されな
い表示電極に与えられる電気信号を示している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す−６例えば、動画を表示するような場合には、走
査電極群６は逐次、周期的に選択される。位相（時間）
１＋において選択された走査電極Ｓ Ｓ Ｓ にｌｊ−
えられる電気信号は、Ｎ’ Ｎ＋］’ Ｎ＋２ 第６図（ａ）に示される如く位相（時間）１＋では、−
ｖＳであり、位相（時間）ｔ２において選択された走査
電極ＳＮに与えられる電気信号は＋■ｓである。
を表す−６例えば、動画を表示するような場合には、走
査電極群６は逐次、周期的に選択される。位相（時間）
１＋において選択された走査電極Ｓ Ｓ Ｓ にｌｊ−
えられる電気信号は、Ｎ’ Ｎ＋］’ Ｎ＋２ 第６図（ａ）に示される如く位相（時間）１＋では、−
ｖＳであり、位相（時間）ｔ２において選択された走査
電極ＳＮに与えられる電気信号は＋■ｓである。
一方、それ以外の走査電極ＳＮ＋０．ＳＮ＋２は第６図
（ａ）に示す如く位相ｔ２ではＶ ｓ ” Ｏである。
（ａ）に示す如く位相ｔ２ではＶ ｓ ” Ｏである。
また、位相１．において選択された表示電極ＧＮ。
ＧＧ に与えられる電気信号は、第６図Ｎ＋Ｉ ＩＮ＋
２ （’ （ｂ） ニ示される如くｖＧ−０であり、位相ｔ
、において選択された表示電極ＧＮ、ＧＮ＋２に与えら
れる電気信号は＋■ｏである。また位相ｔ２において選
択されない表示電極ＧＮ＋１に与えられる電気信号は■
Ｇ−０である。以上に於て各々の電圧値は、以下の関係
を満足する所望の値に設定される。
２ （’ （ｂ） ニ示される如くｖＧ−０であり、位相ｔ
、において選択された表示電極ＧＮ、ＧＮ＋２に与えら
れる電気信号は＋■ｏである。また位相ｔ２において選
択されない表示電極ＧＮ＋１に与えられる電気信号は■
Ｇ−０である。以上に於て各々の電圧値は、以下の関係
を満足する所望の値に設定される。
走査電極＋ｉ＝１〜Ｎ （Ｎは走査線数）ラインに表示
電極ｎ ＝Ｉ〜Ｍ （Ｍは表示線数）の信号線で全面に
「明」をリフレッシュ、次いで走査電極ｍ＝ｑラインに
表示電極ｎ−１で「暗」の書込みをする場合、 （Ｉｌ＝ ｑ ＋ ｎ１文） 但し、各記号は下記の事項を表わす。
電極ｎ ＝Ｉ〜Ｍ （Ｍは表示線数）の信号線で全面に
「明」をリフレッシュ、次いで走査電極ｍ＝ｑラインに
表示電極ｎ−１で「暗」の書込みをする場合、 （Ｉｌ＝ ｑ ＋ ｎ１文） 但し、各記号は下記の事項を表わす。
ｖＳｆｆｉ：ソースまたはドレイン（走査信号）電圧”
Ｇｎ’ケート電極（表示信号）電圧 ｖ６ ：対向電極（共通端子）電圧 ■Ｌ６＝強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ＶＰ ：ゲニ
］・、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
Ｇｎ’ケート電極（表示信号）電圧 ｖ６ ：対向電極（共通端子）電圧 ■Ｌ６＝強誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ＶＰ ：ゲニ
］・、ソース間の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまで繰返し書込みを行う。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸がＯＮ（暗
）上側、ＯＦＦ （明）Ｆ側の各表示状態を表わす。す
なわち、第６図および第７図より明らかな如く、位相１
．において選択された走査線及び表示線の交点にあるす
べての画素” Ｎ、Ｎ−ＰＮ＋２．Ｎ＋２には、閾値−
ｖＬｃを越える一Ｖ ＞ Ｖ ｓ Ｖ ｃの電圧が印加
されＣ る。したがって、第４図において全画素ＰＮ、Ｎ〜ＰＮ
４２．Ｎ＋２は配向状態を変え、「明」にリフレッシ、
される。次に、位相ｔ２において、選択された走査線上
にある画素ＰＰ には閾値Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２ ■、。を越える電圧Ｖ Ｌ ｃ ＜ Ｖ ｓ Ｖ ｃが
印加される。したがって画素ＰＰ は「暗」に転Ｎ、Ｎ
ＩＮ、Ｎ＋２ 移（スイッチ）する。位相ｔ３以降の動作は、位相ｔ２
の場合と回しように、選択された走査線及び表示線に対
応する画素に順次「暗」が書込まれていく。以上各動作
でわかる通り、選択された走査電極線りに表示電極が選
択されたか否かに応じて選択された場合には、液晶分子
は第一の配向状態あるいは第二の配向状態に配向を揃え
、画素はＯＮ（暗）あるいはＯＦＦ （明）となり、選
択されない走査線上では、すべての画素に印加される電
圧は、いずれも閾値電圧を越えない。従って、第７図に
示される如く選択された走査線上以外の各画素における
液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたと
きの信号状態に対応した配向を、そのまま保持している
。即ち、走査電極が選択されたときにそのｌライフ分の
信号の書き込みが行われ、■フレームが終了して次回選
択されるまでの間は、その信号状態を保持し得るわけで
ある。従って、走査電極数が増えても、実質的なデユー
ティ比はかわらず、コントラストの低下は全く生じない
。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す。第７
図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸がＯＮ（暗
）上側、ＯＦＦ （明）Ｆ側の各表示状態を表わす。す
なわち、第６図および第７図より明らかな如く、位相１
．において選択された走査線及び表示線の交点にあるす
べての画素” Ｎ、Ｎ−ＰＮ＋２．Ｎ＋２には、閾値−
ｖＬｃを越える一Ｖ ＞ Ｖ ｓ Ｖ ｃの電圧が印加
されＣ る。したがって、第４図において全画素ＰＮ、Ｎ〜ＰＮ
４２．Ｎ＋２は配向状態を変え、「明」にリフレッシ、
される。次に、位相ｔ２において、選択された走査線上
にある画素ＰＰ には閾値Ｎ、Ｎ’ Ｎ、Ｎ＋２ ■、。を越える電圧Ｖ Ｌ ｃ ＜ Ｖ ｓ Ｖ ｃが
印加される。したがって画素ＰＰ は「暗」に転Ｎ、Ｎ
ＩＮ、Ｎ＋２ 移（スイッチ）する。位相ｔ３以降の動作は、位相ｔ２
の場合と回しように、選択された走査線及び表示線に対
応する画素に順次「暗」が書込まれていく。以上各動作
でわかる通り、選択された走査電極線りに表示電極が選
択されたか否かに応じて選択された場合には、液晶分子
は第一の配向状態あるいは第二の配向状態に配向を揃え
、画素はＯＮ（暗）あるいはＯＦＦ （明）となり、選
択されない走査線上では、すべての画素に印加される電
圧は、いずれも閾値電圧を越えない。従って、第７図に
示される如く選択された走査線上以外の各画素における
液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査されたと
きの信号状態に対応した配向を、そのまま保持している
。即ち、走査電極が選択されたときにそのｌライフ分の
信号の書き込みが行われ、■フレームが終了して次回選
択されるまでの間は、その信号状態を保持し得るわけで
ある。従って、走査電極数が増えても、実質的なデユー
ティ比はかわらず、コントラストの低下は全く生じない
。
第５図に於て、走査電極ＳＮ、ＳＮ＋０．ＳＮ＋２置と
表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成する画素Ｎ’
Ｎ＋１’ Ｎ＋２＝ のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した画
素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中の
表示電極６Ｍ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ、Ｓ
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ４の各動
作によって、第５図の表示パターンが完成する。
表示電極ＧＧ Ｇ ・・・の交点で形成する画素Ｎ’
Ｎ＋１’ Ｎ＋２＝ のうち、斜線部の画素は「暗」状態に、白地で示した画
素は「明」状態に対応するものとする。今、第５図中の
表示電極６Ｍ上の表示に注目すると、走査電極ＳＮ、Ｓ
Ｎ＋２に対応する画素では「暗」状態であり、それ以外
の画素は「明」状態である。前記位相ｔ１〜ｔ４の各動
作によって、第５図の表示パターンが完成する。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）、（
ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可能であ
り、この様に配置するとシャッターアレイ等として利用
することができる。
信号電極の配置は任意であり、例えば第８図（ａ）、（
ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可能であ
り、この様に配置するとシャッターアレイ等として利用
することができる。
次に、以−ヒに説明した実施例において、強誘電性液晶
としてＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数
値を示すと、例えば 入力周波数ｆＯ：＝１×１０４〜１Ｘ１０６Ｈ２ｔｆ
、。＜ ｌ Ｖ、Ｉ ＜６０Ｖ Ｃ□、。
としてＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数
値を示すと、例えば 入力周波数ｆＯ：＝１×１０４〜１Ｘ１０６Ｈ２ｔｆ
、。＜ ｌ Ｖ、Ｉ ＜６０Ｖ Ｃ□、。
イ
０．３ ＜ ｌ ｖＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）が挙げ
られる。
られる。
第９図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＰＴ基板の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１４図は第１
２図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以上
に示す各図はいずれも本発明の一実施態様を示すもので
ある。
第１０図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチフク等の基板
２０の−ににゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子を
ドーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した
半導体１１１Ｉ＆（水素原子をドーピングしたアモルフ
ァスシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子
８と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続
した画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）が形成されている。
具体例を表わしている。ガラス、プラスチフク等の基板
２０の−ににゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子を
ドーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成した
半導体１１１Ｉ＆（水素原子をドーピングしたアモルフ
ァスシリコン）と、この半導体膜１６に接する２つ端子
８と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と接続
した画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）が形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′（
７）Ｊｌには対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ
＋ｗＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されてい
る。
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、ＳｉＯ□）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０′（
７）Ｊｌには対向電極２１ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ
＋ｗＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）と絶縁膜２２が形成されてい
る。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液晶２
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
３が挟持されている。又、この基板２０と２０′の周囲
部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材２５
が設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ。よりの反射光ＩＩによって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９′の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
態の偏光子１９と１９′が配置され、観察者Ａが入射光
Ｉ。よりの反射光ＩＩによって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９′の背後に反射板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。
又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。
［発明の効果］
上記の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動方法を
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
用いることにより、アクティブマトリックスに画素数の
多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示するこ
とができる。
第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性液
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は□対応画素の
番地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説
明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極
に印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素へ
の書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）
はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配
線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面
図、第１θ図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面
図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ
基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第
１４図はＢ −１ｊ ′部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；−１−向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽ｎタ １０；ｎ”層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半導体
１７：ゲート配線部の透明電極１８；反射板 １９．
１９′；偏光板 ２０．２０′、ガラス、プラスチック等の透明基板２１
；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １−Ｎ；表示電極 １′〜Ｍ′；走査電極 Ｌ；共通電極 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ ＬＣ，液晶 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １）善 雄 第１図 第２図 第３図 爽示＠持 第４図
晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に用
いるマトリックス電極の回路図、第４図は□対応画素の
番地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説
明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極
に印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素へ
の書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）
はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配
線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面
図、第１θ図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面
図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ
基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ ′線部分断面図び第
１４図はＢ −１ｊ ′部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３；液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；−１−向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５；第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ９；光遮蔽ｎタ １０；ｎ”層 １１； ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６；半導体
１７：ゲート配線部の透明電極１８；反射板 １９．
１９′；偏光板 ２０．２０′、ガラス、プラスチック等の透明基板２１
；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線 ２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １−Ｎ；表示電極 １′〜Ｍ′；走査電極 Ｌ；共通電極 ＦＥＴ；電界効果トランジスタ ＬＣ，液晶 出願人 キャノン株式会社 代理人 豊 １）善 雄 第１図 第２図 第３図 爽示＠持 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋） ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接
続した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基
板と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を
有し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安
定状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子
の駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状
態となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端
子である第一端子と第二端子の間で電界を形成すること
によって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成し
た電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成
することによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配
列を制御する第二位相を有し、前記対向電極を共通電極
にして各画素に対応しているＦＥＴ端子のうちソースも
しくはドレインに走査信号、ゲートに表示信号を印加す
る時分割駆動であることを特徴とする液晶素子の駆動法
。 （２）走査信号線に所定の走査信号を印加するとともに
表示信号線に表示画像信号を印加することによって、全
画面の表示状態を第一の配向状態に基づく表示状態に一
様にそろえ、次に走査信号線に順次所定の電圧信号を印
加するとともに表示信号線に表示画像信号を印加するこ
とにより、表示状態を前記第一の配向状態に基づく表示
状態とは異なる状態に書込むことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の液晶素子の駆動法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118183A JPS60262133A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
| FR8506484A FR2563649B1 (fr) | 1984-04-28 | 1985-04-29 | Dispositif a cristaux liquides et procede d'attaque correspondant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118183A JPS60262133A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262133A true JPS60262133A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14730194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118183A Pending JPS60262133A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-11 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262133A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614029A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS62161129A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Hitachi Ltd | 液晶マトリクス駆動方法 |
| JPS62204233A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-08 | Hitachi Ltd | 液晶マトリクス駆動装置 |
| JPH05224631A (ja) * | 1992-09-18 | 1993-09-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその画像表示方法 |
| US5555110A (en) * | 1992-12-21 | 1996-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Method of driving a ferroelectric liquid crystal display |
| US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
| US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59118190A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-07 | 蛇の目ミシン工業株式会社 | ジグザグミシンにおける下糸たるみ量調節装置 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59118183A patent/JPS60262133A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59118190A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-07 | 蛇の目ミシン工業株式会社 | ジグザグミシンにおける下糸たるみ量調節装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614029A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS62161129A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Hitachi Ltd | 液晶マトリクス駆動方法 |
| JPS62204233A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-08 | Hitachi Ltd | 液晶マトリクス駆動装置 |
| US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
| US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| JPH05224631A (ja) * | 1992-09-18 | 1993-09-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその画像表示方法 |
| US5555110A (en) * | 1992-12-21 | 1996-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Method of driving a ferroelectric liquid crystal display |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4973135A (en) | Active matrix display panel having plural stripe-shaped counter electrodes and method of driving the same | |
| US4697887A (en) | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's | |
| US4747671A (en) | Ferroelectric optical modulation device and driving method therefor wherein electrode has delaying function | |
| JPS6186732A (ja) | 液晶装置 | |
| US4770501A (en) | Optical modulation device and method of driving the same | |
| JPS6031120A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS60262133A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614021A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60230121A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614026A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262135A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH028814A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS619623A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262137A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619624A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617828A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614027A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614029A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614022A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS6031121A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS614023A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614028A (ja) | 液晶素子の駆動法 |