JPS619625A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業−にの利用分野］ 本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像゛表示
装置等の駆動方法に関するものであり、さらに：ＴＦ　
Ｌ　＜は双安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブ
マトリ・ンクス構成により駆動する方法に関するもので
ある。

［従来の技術］ 従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成して画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は、
よく知られている。この表示素子の駆動法としては、走
査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し
、信号電極イ（￥には所定の情報信号をアドレス信号と
同期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用され
ているが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述べ
る如き致命的とも言える大きな欠点を有していた。

即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのが難
しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比較的高
く、しかも消費電力が小さいことから、表示素子として
実用に供されているのは殆どが、例えば、Ｍ、　５ｃｈ
ａｄｔとＷ、　Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌｉｅｄ
　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ”　、　Ｖｏｌ、　
１８．　Ｎｏ、４ａ＋ｓ７１．２．１５）　、Ｐ、　１
２７〜１２１３の”Ｖｏｌｔａｇｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ　０ｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａ　Ｔ
ｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ　Ｌｊｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓ
ｔａビに示されたＴＮ（ｔｗｉＳｔｅｄ　ｎｅｍａｔｉ
ｃ）ｆｉｐの液晶を用いたものであり、この型の液晶は
、無電界状態で正の誘電異方性をもつ、ネマチック液晶
の分子が、液晶層厚方向で捩れた構造（へりカル構造）
を形成し、両電極面でこの液晶の分子が互いに並行に配
列した構造を形成している。一方、電界印加状態では、
正の誘電異方性をもつネマチック液晶が電界方向に配列
し、この結果光調変調を起すことができる。

この扇の液晶を用いてマドリス電極構造によって表示素
子を構成した場合、走査電極と信号電極が共に選択され
る領域（選択点）に憾、液晶分子を電極面に垂直に配列
させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走査電極と
信号電極が共に選択されない領域（非選択点）には電圧
は印加されず、したがって液晶分子は電極面に対して並
行な安定配列を保っている。このような液晶セルの上下
に、互いにクロスニコル関係にある直線偏光子を配属す
ることにより、選択点では光が透過せず、非選択点ては
光が透過するため、画像素子とすることが可能となる。

然し乍ら、マトリクス電極構造を構成した場合には、走
査電極が選択され、信号電極が選択されない領域或いは
、走査電極が選択されず、信号電極が゛選択される領域
（所謂″半選択点″）にも有限の電界がかかってしまう
。選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が
充分に大〜きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるに
要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば
、表示素子は正常に動作するわけである。しかし、この
方式において、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、
画面全体（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に
有効な電界がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）は、１／
Ｎの割合で減少してしまう。このために、くり返し走査
を杓った場合の選択点と非選択点にかかる実効値として
の電圧差は、走査線数が増えれば増える程小さくなり、
結果的には画像コントラストの低下やクロストークが避
は難い欠点となっている。このような現象は、双安定状
態を有さない液晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配
向しているのが安定状態であり、電界が有効に印加され
ている間のみ垂直に配向する）を、面間的蓄積効果を利
用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）ときに生じ
る木質的には避は難い問題点である。この点を改良する
ために、電圧平均化法、２周波駆動法や多重マトリクス
法等が既に提案されているが、いずれの方法でも不充分
であり、表示素子の大画面化や高富度化は、走査線数が
充分に増やせないことによって頭打ちになっているのが
現状である。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の［１的は、前述したような従来の液晶表示素子
における問題点を悉く解決した新規な双安定性液晶、特
に強誘電性液晶素子の駆動法を提供することにある。

即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状態記憶性を有す
る強誘電性液晶をアクティブマトリックスにより２方向
の電界を印加して明、暗の２つの状態に駆動することに
より、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画像を表
示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを目的と
するものである。

［問題点を解決するための手段］及び［作用］本発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ　（電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である第
一端子と第二端子の間で電界を形成することによって、
第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一位
相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と逆
極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成することに
よって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第二位相−を有し、前記対向電極（例えば、複数のス
トライプ状対向電極群）を走査信号線として走査信号を
印加するとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のう
ち、ソースもしくはドレインを共通端子に接続して、ゲ
ートに表示信号を印加することによって第一の配向状態
に基づく表示状態を書込むのと同時に、次のラインを第
二の配向状態に基づく表示状態にリフレッシュする時分
割駆動であることを特徴とするものである。

本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状ｙ魚と第二の光学
的安定状ｙＬとのいずれかを取る、すなわち電界に対す
る双安定状＃；を有する物質、特にこのような性質を有
する液晶が用いられる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメ
クティックＣ相　（ＳｍＣＪｌ）又Ｈ相（ＳｍＨｔ）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、”Ｌ
Ｅ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＤＥ　Ｐ）ＩＹＳＩＯＵＥＬＥＴ
ＴＥＲ９”　３Ｂ　（Ｌ−６９）　１９７５．　　ｒＦ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａ
ｌｓ　Ｊ　；　”Ａｐｐｌｉｅｄ　ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌ
ｅｔ−ｔｅｒｓ”　３８　（１１）　１９８０、ｒ　Ｓ
ｕｂｍｉｃ’ｒｏ　５ｅｃｏｎｄ　Ｂ１−５ｔａｂｌｅ
　　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ
　　ｉｎ　　ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ　Ｊ　；　
”固体物理”　＋６　（１４１）　１９８１　　ｒ７夜
品」等に記載されており、本発明ではこれらに開示され
た強誘電性液晶を用いることができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルフチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
）　、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−７ミノー２
−クロロプロピルシンナメート（１−ｊＯＢＡｃＰｃ）
および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン
−４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙けられ
る。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、１合品化
合物かＳｍＣＪ′相又はＳｍ旧相となるような温度状態
に保持する為、必要に応して素子をヒーターか埋め込ま
れた銅ブロックＡ゛により支持することかてきる。

第１図は、強誘電性液晶セルの例を栓式的に描いたもノ
テある。ｌと１′は、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２やＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏ＋＋１ｄｅ）等の透明電極が
コートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ木相
の２（１，品が封入されている。太線で示した線３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子３は、その分子に
直交した方向にｙ、極子モーメント（Ｐよ）４を有して
いる。基板ｌと１′上の電極間に一定の［！ζ１値以上
の電圧を印加すると、！後高分子３のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐよ）４はすへて電界方向に向
くよう、液晶分子３の配向力向を変えることがてきる。

液晶分子３は細長い形状を有しており、その長袖方向と
短軸方向で月１折率、ｌｉｔ、ｊ、力性を示し、従って
例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位１ｒメ
関係に配置した偏光子を置けは、電圧印加極性によって
光学特性が変わるｌイ＞７品光学変調素子となることは
、容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄
くした場合（例えば１ｐＬ）には、第２図に示すように
電界を印加していない状態でも液晶分子のらせん構造は
、はどけ（非らせん構造）、その双極子モーメントＰ又
はＰ′は上向き（４ａ）又は下向（４ｂ）のどちらかの
状態をとる。このようなセルに第２［ｚｌに）Ｉ＜す如
く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又はＥ′を所定
時間付与すると、双極子モーメンＩ・は電界Ｅ又はＥ′
の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、下向き４ｂ
と向きを変え、それに応じて液晶分子は第一の配向状態
５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一力に配向す
る。

このような強３Ａ　’ｉｔ、性液晶全液晶変調素子とし
て用いることの利点は２つある。第１に、応答速度が極
めて速いこと、第２に液晶分子の配向が双安疋状５ハ、
を有することである。第２の点を例えば第２図によって
説明すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向
状態５に配向するが、この状ｙハ、は電界を切っても安
定である。又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分
子は第二の配向状癌；５′に配向して、その分子の向き
を変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留ってい
る。又、ＪＪえる電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、
それぞれの配向状ｆＷにやはり維持されている。このよ
うな比容速度の速さと、双安定性が有効に実現されるに
は、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的
には、０．５に〜２０ル、特にｌ用〜５μが適している
。この種の強誘電性液晶を用いた７トリクス電極構造を
有する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバ
ルにより、米国特許第４３６７９２４号明細書で提案さ
れている。

本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ　
　（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ　　（電界効果Ｉ・
ランジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電
圧を逆にする事により、いずれをドレインとしてい、ず
れをソースとしても使用しうるという事にもとづいてい
る。アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦ
ＥＴ構造の素子であればアモルファスシリコンＴＰＴ　
、多結晶シリコンＴＰＴ等のいずれてあっても使用しう
る。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであっ
ても同様に行う小も可能である。

Ｎ型ＦＥＴは、■、をドレイン電圧、ＶＧ　をゲート電
圧、ＶＳをソース電圧、■、をゲー　トソース間の閾値
電圧とするとＶ　　＞　Ｖｓ　　であり す、■　〉■６＋■、の時導通状態となり、Ｖ　　＜Ｖ
　　＋Ｖ　　の時非導通状態となる。

ＳＰ Ｐ型ＦＥＴにおいてはＶ　くＶｓとし、ｖＧ　く■　＋
Ｖ　て導通状態となり、Ｖ、＞Ｖ８＋Ｖ。

Ｐ で非樽通状態となる。

Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴ　、の端子のいず
れかドレインとして作用し、いずれがソースとして作用
するかは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわち
Ｎ型では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の
高い方がソースとして作用する。

強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれをＦ明」状態よし、いずれを「暗
」状態とするかはセルの上下に配置するクロスニコル状
態にした一対の偏光子の４ｉＸ光輔と、液晶分子長軸と
の向きにより自由に設定てきる。

本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する小によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる小なく、各４ｐ号の電位差
を相対的に維持すれは、実施する事が可能である。

［実施例］ 次に、本発明のアクティブマ［・リンクスによる強１誘
電性液晶の駆動方法の具体例を第３図〜Ｓ７図に基づい
て説明する。

第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。

６は走査電極群であり、７は表示電極群である。

第６図（ａ）は走査信号であって、位相ｔＩ＋ｔ２　、
・・・においてそれぞれ選択された走査電極に印加され
る電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電
極）に印加される電気信号を示している。第６図（ｂ）
は、表示信号であって位相’ｌ”＋ｊ２　　、・・・に
おいてそれぞれ選択された表示電極と選択されない表示
電極に与えられる電気信号を示している・ 第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸か電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択きれる。ます選択された
走査・電極に与えられる電気信じ−は、第６図（ａ）に
示される如く「明」リフレッシュ時には、−ｖｃてあり
、「暗」書込み時（こは＋Ｖｃである。

また選択されない走査電極に□与えられる電気信′弓は
第６図（ａ）に示す如くいずれも０である。−力、選択
された表示電極に与えられる電気信号は、第６図（ｂ）
に示される如く走査電極−Ｖ。のＩ１１！、にはＯある
いは＋Ｖ　てあり、走査電極＋ｖｃの１１１１は十ＶＧ
である。また選択されない表示電極にＵえられる電気信
号は走査電極Ｏの時と同じく０である。以上に於て谷々
の゛電圧（ｉ（ｉは、以下の関係を？＋！ａｉ足する所
望の仙に設定される。

走査電極ｍ＝ｑラインに表示電極ｎ＝党の信号線で「昭
」の出込むと同時に、走査電極ｍ＝ｑ＋１ラインに、表
示電極ｎ＝１〜Ｍ（Ｍは表示線数）で、ライン全体を「
明」にリフレ・ソシュする場合。

Ｖ　ｓ　　＋　Ｖ　ＬＣ＜　Ｖ　ｃｍ（ｍ＝ｑ）ｖ　ｃ
ｎｖ　ｐ　＞　Ｖ　ＬＣ＋　Ｖ　Ｓ　　　　　　　　　
（ｎ＝　文）ｖ　ｓ−ｖ　Ｌｃ＞　ｖ　ｃｍ（ｎ＋＝ｑ
＋１）Ｖ　Ｇｎ＝　０　　　　　　　　　　（ｎ＝１〜
Ｍ）（ｍ＝ｑ、ｎｓ　ｆＬ）ＶＣ，＝Ｏ（”笑ｑ） 但し、各記号は下記の事項を表わす。

■Ｃｍ　’対向電極（走査信号）電圧 Ｖ６ｎ＝ゲート°ｒＱ極（表示信号）電圧Ｖ　：ゲート
、ソース間の咀イＩＩ′（以上の動作をｑ＝　１〜Ｎま
で繰返し書込みを行う。

この様な電気上−多が！ｊ、えられたときの各画素のう
ち、例えば第４図中の画素の書込み動作を第７図に示す
。第７図においてはそれぞれ横軸が時間を縦軸がＯＮ（
暗）上側、ＯＦＦ　　（明）下側の各表示状態を表わす
。すなわち、第６図及び第７図より明らかな如く、位相
ｔ１においで選択された走査線と表示線の交点にある画
素ＰＮ、Ｎ　、”ＩＩ、Ｎ＋１　　’ＰＮ、Ｎ＋２ニハ
、ＩＩ（ａ−ｖＬ、ｌえる電圧−ｖＬ６＞−Ｖ　　−Ｖ
　　が印加され、第４図におｌ／）て画素Ｓ Ｐ　　　、Ｐ　　　　、Ｐ　　　　は「明」にリフレッ
Ｎ、Ｎ　　　Ｎ、Ｎ＋Ｉ　　　Ｎ、Ｎ、２シユされる。

次いで、位相１２＋こおし〜て、選択された走査線と表
示線の交点にある画素ＰＮ、Ｎ　。

ＰＮ、Ｎ＋２　テハ、１．′句イ１自■　を越える電几
三ｖ、Ｃ＜ｖ。

Ｓ −Ｖ　印加され、画素Ｐ　　　、Ｐ　　　　は「暗」Ｓ
　　　　　　　　　Ｎ、Ｎ　　　Ｎ、Ｎ＋２に転移（ス
イッチ）する。この位相ｔ２における「［１１″？ｊの
書込みと同ｌＩ８丁に、位相ｔ２においてやはり選択さ
れた走査線上にある画素”Ｎ＋１．Ｎ　　　’ＰＮ＋ｌ
、Ｎ＋Ｉ　　　Ｎ＋ｌ、Ｎ＋２では、位相ｔ１の場合と
、　Ｐ 回しように、ｊ！ζ１値−ｖＬＣＩを越える電圧−Ｖ　
ＬＣ＞−ｖ　　−ｖ　　か印加され、画素ＰＮ、Ｎ”’
　Ｎ＋］、Ｎ＋１’Ｓ ”Ｎ＋ｌ、Ｎ、２は「明」にリフレッシュされる。位相
１ｊ以降も、前記の各動作を繰り返すことによって各走
査線上に順次所定の書込みかなされていく。従って、選
択された走査電極線上に於て、ます各画素の！イシ品素
子は一方の配向状態に配向を揃えて画素はＯＦＦ　　（
明）となり、次いで再ひ選択された同一走査線上に於て
、表示電極が選択されたか否かに応して、選択された場
合には、液晶分子は他方の配向状態に配向を揃え、画素
はＯＮ　（暗）となる。

一力、負′５７図に示される如く、選択されない走査線
上では、すべての画素に印加される電圧は、いずれも　
値電圧を越えない。従って、選択された走査線」二重性
の各画素における液晶分子は配向状態を変えることなく
前回走査されたときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した
配向を、そのまま保持している。即ち、走査電極が選択
さ江たときにその１ライン分の信号の書き込みが行われ
、■フレームが終了して吹回選択されるまでの間は、そ
のイ１、−５３状！ル；を保持し得るわけである。従っ
て、走査′上極数が増えても、実質的なチューティ比は
かわらず、コントラストの低下は全く生じない。

第５図１こ於て、走査電極ＣＮ”Ｎ＋Ｉ　　”　Ｎ＋２
’・・・と表示電極ＧＮ、ＧＮ＋１．ＧＮや２．・・・
の交点で形成する画素のうち、芥、１線部の画素は「暗
」状態に、白地で示した画素は「明」状態に対応するも
のとする。今、第５ｉ中の表示電極ＧＮＪ二の表示に注
目すると、走査電極ＣＮ　、　ＣＮや、に対応する画素
では「暗」状ｙハ；であり、それ以外の画素は「明」状
態である。前記、位相ｔ１〜ｔ４の各動作によって、第
５図の表示パターンが完成する。

本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
信号電極の配置は存意であり、例えば第８図（ａ）　　
、　（ｂ）に示すように一列に画素を配置することも可
能であり、この様に配置するとシャッターアレイ等とし
て利用することができる。

次に、以東に説明した実施例において、強誘電性液晶と
してＤＯＢＡＭＢＣを駆動するのに好ましい具体的数値
を示すと、例えば 入力周波数ｆ。＝ｌＸ１０’〜ｌＸｌ０”Ｈ２１０＜　
ｌ　ｖｏＩ　＜　６０Ｖ　　’（波高値）０．３　＜　
ｌ　ＶＳｌ　＜ＩＯＶ　（波高値）が挙げられる。

第９図は本発明において使用されるＴＰＴにおけるＦＥ
Ｔの構成を示す断面図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘
電性液晶セルの断面図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図
、第１２図はＴＦＴ基−の平面図、第１３図は第１２図
のＡ−Ａ　′線で切断した部分断面図、第１４図′は第
１２図のＢ−Ｂ　′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実虚態様を示すもの
である。

第１Ｏ図は、本発明の方法で用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。ガラス、プラスチック等の基板
２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子をド
ーピングした窒化シリコンＩＮなど）を介して形成した
半導体１Ａｔｅ（水素原子をドーピングしたアモルファ
スシリコン）と、この゛１′−導体膜１６に接する２つ
端子８と１１で構成したＴＦＴと、ＴＦＴの端子１１と
接続した画素電極１２（ＩＴＯ；　Ｉｎｄｎｉｕｍ　Ｔ
ｉｎ　Ｏ＋＋１ｄｅ）が形成されている。

さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミド、ポリアミド
、ポリビニルアルコール、ポリパラキシリレン、ＳｉＯ
、ＳｉＯ２）とアルミニウムやクロムなどからなる光遮
蔽膜９か設けられている。対向基板となる基板２０′の
上には対向電極２１　（ＩＴＯ；　Ｉｎｄｎｉｕｍ　Ｔ
ｉｎ　Ｏ＋目ｄ　ｅ’　）と絶縁膜２２か形成されてい
る。

この基板２０と２０゛の間には、前述の強誘電性液＋：
ｉ’＋　２３が挟持されている。又、この基板２ｏと２
０′の　。

周囲部には強誘電性液晶２３を封止するためのシール材
２５が設けられている。

この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１８′か配置され、観察者Ａが入射光
重。よりの反射光重１によって表示状態を見ることがで
きる様に偏光子１９′の背後に反用板１８（乱反射性ア
ルミニウムシート又は板）が設けられている。

又、上記の各図においてソース電極、ドレイン電極とは
、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限定した命
名である。ＦＥＴの働きではソースがドレインとして働
く場合も可能である。

［発明の効果］ 」−２の構造よりなる本発明の強誘電性液晶の駆動力法
を用いることにより、アクテ、イブマトリックスに画素
数の多い大画面の表示及び高速度で鮮明な画像を表示す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強調′屯性
液晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に
用いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の
番地を示す説明図、第５図は対応画素の表示例を示す説
明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極
に印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素へ
の書込み動作を表わす説明図、第８図（ａ）及び（ｂ）
はアクティブマトリックス回路と画素配置の例を示す配
線図、第９図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示す断面
図、第１０図はＴＰＴを用いた強誘電性液晶セルの断面
図、第１１図はＴＰＴ基板の斜視図、第１２図はＴＰＴ
基板の平面図、第１３図はＡ−Ａ　′線部分断面図及び
第１４図はＢ−Ｂ′部分断面図である。 １．１′；透明電極がコートされた基板２；液晶分子層 ３：液晶分子 ４：ｙ、極子モーメント（Ｐよ） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５：第一の配向状態 ５′；第二の配向状態 ６（ＣＣＣ）；走査電極群 Ｎ’　　Ｎ＋１°　Ｎ＋２ （走査電極） ８；ソース電極（ドレイン電極） ９；光遮蔽膜　１０；ｎ＋層 １１；　ドレイン電極（ソース電極） １２；画素電極　１３；絶縁層 １４；基板　　　１５：半導体直下の光遮蔽膜１６；半
導体　　１７；ゲート配線部の透明電極１８；反射板　
　１９．１９′、偏光板２０．２０′；ガラス、プラス
チック等の透明基板２１；対向電極　２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材　２６；薄膜半導体 ２７；ゲート配線　２８；パネル基板 ２９；光遮断効果を有するゲート部 １′〜Ｍ′：走査電極 １−Ｎ；表示電極 Ｌ；共通電極 ＬＣ，液晶

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
   した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
   と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
   し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
   状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
   駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
   となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
   である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
   よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
   る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
   電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
   ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
   を制御する第二位相を有し、前記対向電極を走査信号線
   として走査信号を印加するとともに各画素に対応してい
   る、ＦＥＴ端子のうち、ソースまたはドレインを共通端
   子に接続して、ゲートに表示信号を印加することによっ
   て、第一の配向状態に基づく表示状態を書込むのと同時
   に、次のラインを第二の配向状態に基づく表示状態にリ
   フレッシュする時分割駆動であることを特徴とする液晶
   素子の駆動法。