JPS61170726A - 液晶セル - Google Patents
液晶セルInfo
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- JPS61170726A JPS61170726A JP1138485A JP1138485A JPS61170726A JP S61170726 A JPS61170726 A JP S61170726A JP 1138485 A JP1138485 A JP 1138485A JP 1138485 A JP1138485 A JP 1138485A JP S61170726 A JPS61170726 A JP S61170726A
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- Japan
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- crystal cell
- substrates
- layer
- dielectric material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１髭豆Ｉ
「本発明は、表示特性ないしは電気光学変換特性を改善
した液晶セルに関する。
した液晶セルに関する。
１１且遣
液晶素子は、装置を小型化、薄形化あるいは低消費電力
化が可能なことから、これまでにもディスプレイや光シ
ャッタなどの分野で利用されて来ている。特にディスプ
レイの分野ではいくつかの優れた発明に基いて飛躍的な
進歩がとげられた。
化が可能なことから、これまでにもディスプレイや光シ
ャッタなどの分野で利用されて来ている。特にディスプ
レイの分野ではいくつかの優れた発明に基いて飛躍的な
進歩がとげられた。
例えば、エム、シャット（Ｍ、５ｃｈａｄｔ）とダブリ
ュー、ヘルフリヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著、”アプ
ライド、フィズイクス、レターズ ″ １８巻４号（”
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ”
、 Ｖｏｌ、１８゜Ｎｏ、４ ） （１９７１，２，
１５） 、 Ｐ、１２７〜１２８ （７） ｒ捩れネマ
チック液晶の電圧依存光学挙動」 （”Ｖｏｌｔａｇｅ
−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉ
ｔｙ ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”）に記載されたＴＮ液晶が
知られている。ディスプレイの分野で利用されている液
晶素子は、一般に画像表示単位（画素）をマトリクス状
に配置するためにｘ−Ｙマト明ｍ書の浄書（内容に変更
なし） リフスミ極構造が採用されている。
ュー、ヘルフリヒ（Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）著、”アプ
ライド、フィズイクス、レターズ ″ １８巻４号（”
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ”
、 Ｖｏｌ、１８゜Ｎｏ、４ ） （１９７１，２，
１５） 、 Ｐ、１２７〜１２８ （７） ｒ捩れネマ
チック液晶の電圧依存光学挙動」 （”Ｖｏｌｔａｇｅ
−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉ
ｔｙ ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”）に記載されたＴＮ液晶が
知られている。ディスプレイの分野で利用されている液
晶素子は、一般に画像表示単位（画素）をマトリクス状
に配置するためにｘ−Ｙマト明ｍ書の浄書（内容に変更
なし） リフスミ極構造が採用されている。
このディスプレイ素子の駆動法としては、走査電極群に
、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電極
群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列
的に選択印加する時分割駆動が採用されているが、この
表示素子及びその駆動法は画素数を多くするとデユーテ
ィ比が低下し、このため画像コントラストの低下やクロ
ストークの発生などの問題点を有している他、画素を小
さくして画像の解像力を向上させるにはマトリクス電極
を高密度で配線することが必要で、このために製造が煩
雑となる欠点を有している。また、ティー、ビー、プロ
ディ、シュリス ニー。
、順次、周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電極
群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列
的に選択印加する時分割駆動が採用されているが、この
表示素子及びその駆動法は画素数を多くするとデユーテ
ィ比が低下し、このため画像コントラストの低下やクロ
ストークの発生などの問題点を有している他、画素を小
さくして画像の解像力を向上させるにはマトリクス電極
を高密度で配線することが必要で、このために製造が煩
雑となる欠点を有している。また、ティー、ビー、プロ
ディ、シュリス ニー。
アサーズ、ジー、ダグラス ディクソン ”アイイーイ
ーイー トランスアクションズ オン エレクトロン
デバイセズ９９５〜１００１頁「６Ｘ６インチ ２０ラ
イン／インチ液晶表示パネルＪ （Ｔ、Ｐ、Ｂｒｏｄ
ｙ、Ｊｕｒｉａ Ａ、Ａｓａｒｇ、Ｇ、Ｄｏｕｇｌａｇ
Ｄｊｘｏｎ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏ
ｎ １Ｅ１ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ。
ーイー トランスアクションズ オン エレクトロン
デバイセズ９９５〜１００１頁「６Ｘ６インチ ２０ラ
イン／インチ液晶表示パネルＪ （Ｔ、Ｐ、Ｂｒｏｄ
ｙ、Ｊｕｒｉａ Ａ、Ａｓａｒｇ、Ｇ、Ｄｏｕｇｌａｇ
Ｄｊｘｏｎ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏ
ｎ １Ｅ１ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ。
ＶＯｌ、 ＥＤ−２０，（Ｎｏ、１１．Ｎｏｖ、１１１
７３）、Ｐ２Ｓ５〜ｔｏｏｌ“ Ａ−８Ｘ ８ Ｉｎ
ｃｈ ２０ Ｌｉｎｅｓ−ｐｅｒ−Ｉｎｃｈ Ｌｉｑｕ
ｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａ７ Ｐａｎｅｌ”）
に開示の様に画素毎に薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）
を設け１画素毎にスイッチングする方式のディスプレイ
が提案されてｌ、Ｎるが、画素毎にＴＰＴを設ける手段
が煩雑となっているために、コストの点において改善が
望まれている。
７３）、Ｐ２Ｓ５〜ｔｏｏｌ“ Ａ−８Ｘ ８ Ｉｎ
ｃｈ ２０ Ｌｉｎｅｓ−ｐｅｒ−Ｉｎｃｈ Ｌｉｑｕ
ｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａ７ Ｐａｎｅｌ”）
に開示の様に画素毎に薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）
を設け１画素毎にスイッチングする方式のディスプレイ
が提案されてｌ、Ｎるが、画素毎にＴＰＴを設ける手段
が煩雑となっているために、コストの点において改善が
望まれている。
上述したＴＮ型液晶を用いる液晶セルの欠点を除くもの
として、加えられる電界に応じて第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態とのいずれかを取る、すなわち
電界に対する双安定状態を有する液晶、を用いることが
提案されている。このような双安定性を有する液晶とし
ては１強誘電性を有するカイラルスメクテイツク液晶が
代表的であり、特にそのうちカイラルスメクテイツクＣ
′相（ＳｍＣ”）またはＨ相（ＳｍＨ”）（７）液晶が
ｉ 適している。この強誘電性液晶につｌ、）ては、ル、ジ
ュルナル、ド、フィズイク、レトルズ″井（Ｌ−８９）
１８７５． ｒ強誘電性液晶」 （ＬＥ ＪＯＵＲＮ
ＡＬＤＥ ＰＨＹＳＩＱｔＪＥ ＬＨＴＴ！ＥＲ９”
３８ （Ｌｉ９） １９７５゜明細書の浄１？（内容に
変更なし） ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ） ； ”アプライド、フィズイクス
、レターズ ３８ （１１）ｉｓｓｏ、 ｒ液晶の
サブ・マイクロ秒双安定スイッチング」 （Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙａｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″Ｕ（１１
） １９８０、ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ、５ｅｃｏｎｄ
Ｂｉ−５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌｓＪ ） ；”固体物理 ”１Ｂ （１４１） Ｉ
ｎ１「液晶」等に記載されている。
として、加えられる電界に応じて第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態とのいずれかを取る、すなわち
電界に対する双安定状態を有する液晶、を用いることが
提案されている。このような双安定性を有する液晶とし
ては１強誘電性を有するカイラルスメクテイツク液晶が
代表的であり、特にそのうちカイラルスメクテイツクＣ
′相（ＳｍＣ”）またはＨ相（ＳｍＨ”）（７）液晶が
ｉ 適している。この強誘電性液晶につｌ、）ては、ル、ジ
ュルナル、ド、フィズイク、レトルズ″井（Ｌ−８９）
１８７５． ｒ強誘電性液晶」 （ＬＥ ＪＯＵＲＮ
ＡＬＤＥ ＰＨＹＳＩＱｔＪＥ ＬＨＴＴ！ＥＲ９”
３８ （Ｌｉ９） １９７５゜明細書の浄１？（内容に
変更なし） ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ Ｊ ） ； ”アプライド、フィズイクス
、レターズ ３８ （１１）ｉｓｓｏ、 ｒ液晶の
サブ・マイクロ秒双安定スイッチング」 （Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙａｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″Ｕ（１１
） １９８０、ｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏ、５ｅｃｏｎｄ
Ｂｉ−５ｔａｂｌｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌｓＪ ） ；”固体物理 ”１Ｂ （１４１） Ｉ
ｎ１「液晶」等に記載されている。
より具体的には１強誘電性液晶化合物の例としては、デ
シロキシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチル
シンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）、ヘキシルオキシベン
ジリデン−ｐ′−アミ、ノ（以下余白） ＰＣ）および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシ
リチン−４−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げ
られる。
シロキシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチル
シンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）、ヘキシルオキシベン
ジリデン−ｐ′−アミ、ノ（以下余白） ＰＣ）および４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシ
リチン−４−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げ
られる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、ＳｍＣ”相またはＳｍＨ”相となるような温度状
態に保持する為、必要に応じて素子はヒーターが埋め込
まれた銅ブロック等により支持される。
物が、ＳｍＣ”相またはＳｍＨ”相となるような温度状
態に保持する為、必要に応じて素子はヒーターが埋め込
まれた銅ブロック等により支持される。
第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。ｌｌａとｌｌｂは、Ｉｎ２０ｇ、５ｎ０２やＩ
Ｔ Ｏ、（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の
透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その
間に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう配向し
たＳｍＣ”相の液晶が封入されている。太線で示した線
１３が液晶分子を表わしており、この液晶分子１３は、
その分子に直交した方向に双極子モーメン） （Ｐ上）
１４を有している。基板Ｘｔａとｌｌｂ上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせ
ん 。
である。ｌｌａとｌｌｂは、Ｉｎ２０ｇ、５ｎ０２やＩ
Ｔ Ｏ、（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の
透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、その
間に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう配向し
たＳｍＣ”相の液晶が封入されている。太線で示した線
１３が液晶分子を表わしており、この液晶分子１３は、
その分子に直交した方向に双極子モーメン） （Ｐ上）
１４を有している。基板Ｘｔａとｌｌｂ上の電極間に一
定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせ
ん 。
構造がほどけ、双極子モーメン） （Ｐ上）１４はすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子１３の配向方向を変え
ることができる。液晶分子１３は細長い形状を有してお
り、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置
関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合（例えばＩＩＬ）には、第２図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造は、はど
け、その双極子モーメン）Ｐ上は、上向きのＰａ（２４
ａ）または下向のＰｂ（２４ｂ）のどちらかの状態をと
る。このようなセルに第２図に示す如く一定の閾値以上
の極性の異る電界ＥａまたはＥｂを付与すると、双極子
モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対応
して上向き２４ａまたは、下向ｚ２４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は第１の安定状５３３ａか、ある
いは第２の安定状ｓ３３ 、ｂの何れか１方に配向する
。
て電界方向に向くよう、液晶分子１３の配向方向を変え
ることができる。液晶分子１３は細長い形状を有してお
り、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置
関係に配置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易
に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした
場合（例えばＩＩＬ）には、第２図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造は、はど
け、その双極子モーメン）Ｐ上は、上向きのＰａ（２４
ａ）または下向のＰｂ（２４ｂ）のどちらかの状態をと
る。このようなセルに第２図に示す如く一定の閾値以上
の極性の異る電界ＥａまたはＥｂを付与すると、双極子
モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対応
して上向き２４ａまたは、下向ｚ２４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は第１の安定状５３３ａか、ある
いは第２の安定状ｓ３３ 、ｂの何れか１方に配向する
。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を例えば、第２図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態２３ ａ
に配向するが、この状態は電界を切っても安定である。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を例えば、第２図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態２３ ａ
に配向するが、この状態は電界を切っても安定である。
また、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２
の安定状態２３ｂに配向して、その分子の向きを変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。また
、与える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セル
としては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０
．５ルー２″１°１パ６°°°″″ｍＭ１１１″“１°
゛１−マトリクス電極構造を有する液晶−電気光学装置
は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第４３
６７９１４号明細書で提案されている。
の安定状態２３ｂに配向して、その分子の向きを変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。また
、与える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞ
れの配向状態にやはり維持されている。このような応答
速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セル
としては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０
．５ルー２″１°１パ６°°°″″ｍＭ１１１″“１°
゛１−マトリクス電極構造を有する液晶−電気光学装置
は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許第４３
６７９１４号明細書で提案されている。
この様に双安定性が付与された強誘電性液晶セルは１重
要な利点を有するものであるが、問題がないわけではな
い、それは、液晶層の膜厚が０゜５終〜２ＪＬ程度と極
めて薄いため、１対の電極間でショートを発生すること
があり、十分な膜厚の絶縁層を電極上に形成することが
必要となっている。しかし、この絶縁層の膜厚が厚すぎ
ると、液晶層に十分な実効電圧がかからなくなり、強誘
電性液晶素子の前述の如き利点を生かせなくなる欠点が
ある。
要な利点を有するものであるが、問題がないわけではな
い、それは、液晶層の膜厚が０゜５終〜２ＪＬ程度と極
めて薄いため、１対の電極間でショートを発生すること
があり、十分な膜厚の絶縁層を電極上に形成することが
必要となっている。しかし、この絶縁層の膜厚が厚すぎ
ると、液晶層に十分な実効電圧がかからなくなり、強誘
電性液晶素子の前述の如き利点を生かせなくなる欠点が
ある。
先１立ＩＪ
本発明の目的は、前述の欠点を解消した新規な時分割駆
動用強誘電性液晶セルを提供することにある。
動用強誘電性液晶セルを提供することにある。
本発明の別の目的は、ディスプレイ素子、特に時分割駆
動用ディスプレイ素子に適した新規な液晶セルを提供す
ることにある。
動用ディスプレイ素子に適した新規な液晶セルを提供す
ることにある。
本発明の別の目的は、高速応答性を有する液晶セルを提
供することにある。
供することにある。
本発明者等は、上述の目的では、上記した従来Ａｙｌｌ
ｅ ｕ し、＋ Ａ１ｊ＋ 、Ｊ＝ ＋
１債Ｒｗ ＋ｊ ＾４１６ ４ｔ−Ｌ ｒｑｐ
冨ｔｅｌ； −Ｊ＋る誘電体膜の改善により達成
し得ることが見出された。すなわち、前述したように、
強誘電性液晶を用いる液晶セルにおいては、特性上、セ
ル厚さが薄い方が好ましいが、このように薄いセルにお
いて、一対の電極基板間でのシ鳶−トを防止するために
は、これら基板の少なくとも一方の電極上に絶縁膜を形
成することが不可欠となる。このような目的であるいは
配向処理膜としての役割を兼ねて従来より厚さが１００
０Å以下、通常５００人程度のポリイミド膜等が用いら
れているが、本発明者等の研究によればこのポリイミド
も含めて通常絶縁膜として用いられるポリマーは、低誘
電率であり、このような低誘電率物質で厚い絶縁層を形
成すると、その容量が極めて小さくなってしまい、液晶
層にかかる実効電圧が低下し、またその実効電圧の時定
数が短くなるという不都合があった。このような分析に
基づき、本発明者等は、電極上に設ける絶縁膜として、
高誘電率誘電体を用いたところ、一対の基板間でのシ璽
−トを防止しつつ、実効電圧が低下せず、時定数も維持
できる等の顕著な改善が得られることが見出された。
ｅ ｕ し、＋ Ａ１ｊ＋ 、Ｊ＝ ＋
１債Ｒｗ ＋ｊ ＾４１６ ４ｔ−Ｌ ｒｑｐ
冨ｔｅｌ； −Ｊ＋る誘電体膜の改善により達成
し得ることが見出された。すなわち、前述したように、
強誘電性液晶を用いる液晶セルにおいては、特性上、セ
ル厚さが薄い方が好ましいが、このように薄いセルにお
いて、一対の電極基板間でのシ鳶−トを防止するために
は、これら基板の少なくとも一方の電極上に絶縁膜を形
成することが不可欠となる。このような目的であるいは
配向処理膜としての役割を兼ねて従来より厚さが１００
０Å以下、通常５００人程度のポリイミド膜等が用いら
れているが、本発明者等の研究によればこのポリイミド
も含めて通常絶縁膜として用いられるポリマーは、低誘
電率であり、このような低誘電率物質で厚い絶縁層を形
成すると、その容量が極めて小さくなってしまい、液晶
層にかかる実効電圧が低下し、またその実効電圧の時定
数が短くなるという不都合があった。このような分析に
基づき、本発明者等は、電極上に設ける絶縁膜として、
高誘電率誘電体を用いたところ、一対の基板間でのシ璽
−トを防止しつつ、実効電圧が低下せず、時定数も維持
できる等の顕著な改善が得られることが見出された。
本発明の液晶セルは、このような知見に基づくものであ
り、一対の電極基板の少なくとも一方の電極上に、高誘
電率誘電体の薄層を形成し、該誘電体の薄層を介してこ
れら一対の基板間に液晶層を挾持させてなることを特徴
とするものである。
り、一対の電極基板の少なくとも一方の電極上に、高誘
電率誘電体の薄層を形成し、該誘電体の薄層を介してこ
れら一対の基板間に液晶層を挾持させてなることを特徴
とするものである。
以下、本発明を、実施例について図面を参照しつつ、更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第３図は、上述したような強誘電性液晶を用いる本発明
の画像形成装置の一実施例の模式断面図である。
の画像形成装置の一実施例の模式断面図である。
本実施例において、それぞれＩＴＯ等からなる透明電極
１２ａおよび１２ｂを形成したガラス、プラスチック等
からなる基板１１ａおよびｆｌｂの、該電極１２ａおよ
び１２ｂ上には１本発明に従い高誘電率誘電体層１３ａ
および１３ｂが設けられている。これら誘電体層１３ａ
および１３ｂを内側にして対向させた一対の基板３１ａ
および３１ｂを接着剤３４で固定し、得られたセルの内
部に液晶、特に強誘電性液晶３５を封入することにより
、本発明の液晶セルが構成されている。
１２ａおよび１２ｂを形成したガラス、プラスチック等
からなる基板１１ａおよびｆｌｂの、該電極１２ａおよ
び１２ｂ上には１本発明に従い高誘電率誘電体層１３ａ
および１３ｂが設けられている。これら誘電体層１３ａ
および１３ｂを内側にして対向させた一対の基板３１ａ
および３１ｂを接着剤３４で固定し、得られたセルの内
部に液晶、特に強誘電性液晶３５を封入することにより
、本発明の液晶セルが構成されている。
本発明で用いる高誘電率誘電体としては、誘電率（ε）
が５以上、特に好ましくは１０以上の誘電体であれば、
有機、無機に拘らず用いられるが、一般には有機誘電体
ではこのような高誘電率誘電体を得ることは困難である
。従って、本発明においては、上記したような誘電率を
有する無機誘電体が好ましく用いられる。なかでも１本
発明で用いる最も好ましい誘電体の例としては。
が５以上、特に好ましくは１０以上の誘電体であれば、
有機、無機に拘らず用いられるが、一般には有機誘電体
ではこのような高誘電率誘電体を得ることは困難である
。従って、本発明においては、上記したような誘電率を
有する無機誘電体が好ましく用いられる。なかでも１本
発明で用いる最も好ましい誘電体の例としては。
５ｒＴｉ０３．ＢａＴａ２０５等が挙げられる。
高誘電率誘電体層３３ａおよび３３ｂの厚さは、例えば
厚さ１〜４ｇｍの強誘電性液晶層３５ Ｉとともに用
いる場合、４００〜１００００人程度が適当であるが、
比較的厚くなっても表示特性に悪影響を与えないのが本
発明の特徴である。−例として、容量が４５００９Ｆの
液晶層を厚さが各１０００人の誘電体層で挾持した場合
、誘電体がポリイミド等の高分子（ε４−３．５）であ
る場合には、液晶層への初期電圧分配比は７７％に低下
するが、ε＊３３２の５ｒＴｉＯ，を用いる場合には初
期電圧分配比が９９．７％とわずかな低下↑抑えられる
。
厚さ１〜４ｇｍの強誘電性液晶層３５ Ｉとともに用
いる場合、４００〜１００００人程度が適当であるが、
比較的厚くなっても表示特性に悪影響を与えないのが本
発明の特徴である。−例として、容量が４５００９Ｆの
液晶層を厚さが各１０００人の誘電体層で挾持した場合
、誘電体がポリイミド等の高分子（ε４−３．５）であ
る場合には、液晶層への初期電圧分配比は７７％に低下
するが、ε＊３３２の５ｒＴｉＯ，を用いる場合には初
期電圧分配比が９９．７％とわずかな低下↑抑えられる
。
第４図は、本発明の液晶セルの別の実施例を示すもので
あり、この例においては１強誘電性液晶層３３ａ、３３
ｂの上に、それぞれ液晶配向膜３６ａ、３６ｂを設けで
ある。これら液晶配向膜としては、ラビング処理したポ
リイミドあるいはポリビニルアルコール樹脂膜、あるい
はＳｉＯの斜方蒸着膜等が用いられる。−具体例におい
ては、ポリイミド前駆体（東し社製５Ｐ−５１０）の２
％ジメチルアセトアミド溶液を用い、２５ＧＯｒｐｍで
スピンコーティングした後３００℃で乾燥硬化させたポ
リイミド膜を用いた。
あり、この例においては１強誘電性液晶層３３ａ、３３
ｂの上に、それぞれ液晶配向膜３６ａ、３６ｂを設けで
ある。これら液晶配向膜としては、ラビング処理したポ
リイミドあるいはポリビニルアルコール樹脂膜、あるい
はＳｉＯの斜方蒸着膜等が用いられる。−具体例におい
ては、ポリイミド前駆体（東し社製５Ｐ−５１０）の２
％ジメチルアセトアミド溶液を用い、２５ＧＯｒｐｍで
スピンコーティングした後３００℃で乾燥硬化させたポ
リイミド膜を用いた。
先乱立亘１
上述したように、本発明によれば、液晶セル向上に設け
る絶縁体層として高誘電率誘電体を用いることにより、
絶縁体層の厚さが比較的厚い場合にも液晶層にかかる実
効電圧ならびに時定数の減少を防止することが可能にな
る。
る絶縁体層として高誘電率誘電体を用いることにより、
絶縁体層の厚さが比較的厚い場合にも液晶層にかかる実
効電圧ならびに時定数の減少を防止することが可能にな
る。
第１図および第２図は強誘電性液晶の動作を説明するた
めの模式説明図、第３図および第４図はそれぞれ本発明
の実施例にかかる液晶セルの模式断面図である。 ３１ａ、３１ｂ−＠−透明基板 ３２ａ、３２ｂ−−−電極膜 ３３ａ、３３ｂ−・・高誘電率誘電体膜３４拳・拳接着
剤 ３５・・・液晶 ３６ａ、３６ｂ◆・・配向処理膜 ｆ！Ｊ！Ｊ：第３図 第１図 第４ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第１１３８４号 ２、発明の名称 液晶セル ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （Ｚｏｏ）キャノン株式会社 ４、代理人 住 所 〒１０５東京都港区東新橋２−７−７（発送Ｅ
：昭和６０年４月３０日） ６、補正の対象 明細口の「発明の詳細な説明Ｊの欄
めの模式説明図、第３図および第４図はそれぞれ本発明
の実施例にかかる液晶セルの模式断面図である。 ３１ａ、３１ｂ−＠−透明基板 ３２ａ、３２ｂ−−−電極膜 ３３ａ、３３ｂ−・・高誘電率誘電体膜３４拳・拳接着
剤 ３５・・・液晶 ３６ａ、３６ｂ◆・・配向処理膜 ｆ！Ｊ！Ｊ：第３図 第１図 第４ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第１１３８４号 ２、発明の名称 液晶セル ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （Ｚｏｏ）キャノン株式会社 ４、代理人 住 所 〒１０５東京都港区東新橋２−７−７（発送Ｅ
：昭和６０年４月３０日） ６、補正の対象 明細口の「発明の詳細な説明Ｊの欄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対の電極基板の少なくとも一方の電極上に、高誘
電率誘電体の薄層を形成し、該誘電体の薄層を介してこ
れら一対の基板間に液晶層を挾持させてなることを特徴
とする液晶セル。 ２、前記高誘電率誘電体が、ＳｒＴｉＯ＿３である特許
請求の範囲第１項に記載の液晶セル。 ３、前記高誘電率誘電体が、ＢａＴａ＿２Ｏ＿６である
特許請求の範囲第１項に記載の液晶セル。 ４、前記高誘電率誘電体層の厚さが、４００〜１０００
０Åである特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに
記載の液晶セル。 ５、前記高誘電率誘電体層上に有機または無機の液晶配
向処理層を設けてなる特許請求の範囲第１項〜第３項の
いずれかに記載の液晶セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011384A JPH0718990B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 液晶セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011384A JPH0718990B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 液晶セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170726A true JPS61170726A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0718990B2 JPH0718990B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=11776509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60011384A Expired - Lifetime JPH0718990B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 液晶セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718990B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61282882A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | 日本電気株式会社 | 液晶素子 |
| JPS62124525A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| JPS63198020A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性液晶表示素子 |
| EP0294852A2 (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device |
| JPS6433526A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Liquid crystal element |
| JPH01156722A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51117648A (en) * | 1975-04-08 | 1976-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal indicator |
| JPS58172621A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
-
1985
- 1985-01-24 JP JP60011384A patent/JPH0718990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS51117648A (en) * | 1975-04-08 | 1976-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal indicator |
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| JPH052209B2 (ja) * | 1985-11-25 | 1993-01-12 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPS63198020A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性液晶表示素子 |
| EP0294852A2 (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device |
| US5099344A (en) * | 1987-06-12 | 1992-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device |
| JPS6433526A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Liquid crystal element |
| JPH01156722A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0718990B2 (ja) | 1995-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |