JP2866518B2 - 反強誘電性液晶素子の駆動方法 - Google Patents
反強誘電性液晶素子の駆動方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反強誘電性液晶素子の駆
動方法に関する。さらに詳しくは、薄膜トランジスタを
用いて駆動する反強誘電性液晶素子の駆動方法に関す
る。
動方法に関する。さらに詳しくは、薄膜トランジスタを
用いて駆動する反強誘電性液晶素子の駆動方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、三安定状態間のスイッチングを示
す反強誘電性液晶相（A. D. L. Chandani, et., Jpn.
J. Appl. Phys., 27, L729 (1988).)が発見され、この
液晶相を用いた新しい表示方式の検討が始まっている。
いくつかの種類の反強誘電性液晶が報告されているが、
最も実用的と思われるのは、スメクチックＣ相に対応す
る反強誘電性液晶相であり、最近の研究もそのほとんど
がこの相についてである。この反強誘電性液晶の表記法
は研究者によってまちまちであるが、ＳY *相（特開昭１
−２１３３９０）、ＳｍＣA *（福田，日本学術振興会情
報科学用有機材料第１４２委員会第４５回合同研究資
料，３４（１９８９）．）などと表されている。本特許
ではＳｍＣA *と標記することとする。このＳｍＣA *相は
バルク状態でらせん構造を有することが報告されている
が（福田，日本学術振興会情報科学用有機材料第１４２
委員会第４５回合同研究資料，３４（１９８９）．）、
らせんピッチ長よりも薄い液晶セルに封入するなどして
らせんをほどいてやると、図１（ａ）に示すような分子
配列を示すと言われている。すなわち、一層ごとダイポ
ールが反対方向を向いてキャンセルしあい、これに伴っ
て分子の傾く方向が一層ごとに逆向きとなるような分子
配列である。この状態に電界を印加すると電界方向にダ
イポールがそろう図１（ｂ）または（ｃ）のような分子
配列に変化する。印加電圧とチルト角との関係は図２の
ようになっている。３つの安定状態１〜３をとることが
でき、ヒステリシス曲線を描くので、この関係を用いて
表示を行うことが可能となる。それゆえ、例えば、偏光
板を組み合わせてやることにより、明暗の表示を行うこ
とが可能となる。例えば、クロスニコル状態にした一対
の偏光板の偏光軸を反強誘電性液晶相のスメクチック層
の層法線に合わせることにより、図３（ａ）のような電
圧−透過率曲線を得ることができる。
す反強誘電性液晶相（A. D. L. Chandani, et., Jpn.
J. Appl. Phys., 27, L729 (1988).)が発見され、この
液晶相を用いた新しい表示方式の検討が始まっている。
いくつかの種類の反強誘電性液晶が報告されているが、
最も実用的と思われるのは、スメクチックＣ相に対応す
る反強誘電性液晶相であり、最近の研究もそのほとんど
がこの相についてである。この反強誘電性液晶の表記法
は研究者によってまちまちであるが、ＳY *相（特開昭１
−２１３３９０）、ＳｍＣA *（福田，日本学術振興会情
報科学用有機材料第１４２委員会第４５回合同研究資
料，３４（１９８９）．）などと表されている。本特許
ではＳｍＣA *と標記することとする。このＳｍＣA *相は
バルク状態でらせん構造を有することが報告されている
が（福田，日本学術振興会情報科学用有機材料第１４２
委員会第４５回合同研究資料，３４（１９８９）．）、
らせんピッチ長よりも薄い液晶セルに封入するなどして
らせんをほどいてやると、図１（ａ）に示すような分子
配列を示すと言われている。すなわち、一層ごとダイポ
ールが反対方向を向いてキャンセルしあい、これに伴っ
て分子の傾く方向が一層ごとに逆向きとなるような分子
配列である。この状態に電界を印加すると電界方向にダ
イポールがそろう図１（ｂ）または（ｃ）のような分子
配列に変化する。印加電圧とチルト角との関係は図２の
ようになっている。３つの安定状態１〜３をとることが
でき、ヒステリシス曲線を描くので、この関係を用いて
表示を行うことが可能となる。それゆえ、例えば、偏光
板を組み合わせてやることにより、明暗の表示を行うこ
とが可能となる。例えば、クロスニコル状態にした一対
の偏光板の偏光軸を反強誘電性液晶相のスメクチック層
の層法線に合わせることにより、図３（ａ）のような電
圧−透過率曲線を得ることができる。
【０００３】最近かなりの数のＳｍＣA *相を示す化合物
が報告されており、例えば次のような化合物が挙げられ
る（M. Johno et al., Proc. Japan Display '89, 22
(1989).）。
が報告されており、例えば次のような化合物が挙げられ
る（M. Johno et al., Proc. Japan Display '89, 22
(1989).）。
【０００４】
【化１】 これらの化合物は通常室温ではＳｍＣＡ ＊相を示さない
が、これらの化合物を混合した液晶組成物とすること
で、室温を中心に広い温度範囲でＳｍＣＡ ＊相を示す材
料を得ることができる。反強誘電性液晶を用いたマトリ
クス型液晶素子も報告されており（Ｍ．Ｙａｍａｗａｋ
ｉｅｔ．ａｌ．，Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’８９，
２６（１９８９）；特開平３−１２５１１９，他）、一
対の基板上に電極、配向膜などを形成し、基板間に反強
誘電性液晶材料を挟持することで反強誘電性液晶素子と
することができる。このような反強誘電性液晶素子は、
強誘電性液晶素子と同様広視野角、高速応答という長所
を有しており、強誘電性液晶素子に比べて焼き付けがな
い、ショックに強いなどの長所があり、マトリクス型の
液晶表示素子の場合、反強誘電性液晶の特性に適した駆
動方法を組み合わせなければ、良好な表示は行えない。
反強誘電性液晶の駆動に関しては、幾つかの報告（Ｍ．
Ｙａｍａｗａｋｉｅｔ．ａｌ．，Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ’８９，２６（１９８９）；特開平３−１２５１
１９，他）がなされているが、これらの駆動法の場合、
十分に高いコントラストが得られない、階調表示が行え
ない、１０００以上の走査電極をもつような大容量表示
が困難という問題点がある。
が、これらの化合物を混合した液晶組成物とすること
で、室温を中心に広い温度範囲でＳｍＣＡ ＊相を示す材
料を得ることができる。反強誘電性液晶を用いたマトリ
クス型液晶素子も報告されており（Ｍ．Ｙａｍａｗａｋ
ｉｅｔ．ａｌ．，Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ’８９，
２６（１９８９）；特開平３−１２５１１９，他）、一
対の基板上に電極、配向膜などを形成し、基板間に反強
誘電性液晶材料を挟持することで反強誘電性液晶素子と
することができる。このような反強誘電性液晶素子は、
強誘電性液晶素子と同様広視野角、高速応答という長所
を有しており、強誘電性液晶素子に比べて焼き付けがな
い、ショックに強いなどの長所があり、マトリクス型の
液晶表示素子の場合、反強誘電性液晶の特性に適した駆
動方法を組み合わせなければ、良好な表示は行えない。
反強誘電性液晶の駆動に関しては、幾つかの報告（Ｍ．
Ｙａｍａｗａｋｉｅｔ．ａｌ．，Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ’８９，２６（１９８９）；特開平３−１２５１
１９，他）がなされているが、これらの駆動法の場合、
十分に高いコントラストが得られない、階調表示が行え
ない、１０００以上の走査電極をもつような大容量表示
が困難という問題点がある。
【０００５】十分に高いコントラストが得られないの
は、図３（ａ）のような理想的な電圧−透過率曲線が現
実にはなかなか得られず、実際には図３（ｂ）のように
弱い電界強度でも光が透過し、十分に黒い表示が得られ
にくいためである。階調表示が行えないのは、単純マト
リクス型駆動では３つの安定状態間のスイッチングを利
用し、その間の中間的な状態を利用できないためであ
る。
は、図３（ａ）のような理想的な電圧−透過率曲線が現
実にはなかなか得られず、実際には図３（ｂ）のように
弱い電界強度でも光が透過し、十分に黒い表示が得られ
にくいためである。階調表示が行えないのは、単純マト
リクス型駆動では３つの安定状態間のスイッチングを利
用し、その間の中間的な状態を利用できないためであ
る。
【０００６】１０００以上の走査電極をもつような大容
量表示素子の作製が困難なのは以下の理由による。すな
わち、フリッカを生じさせない駆動を行うためにはフレ
ーム周期を６０Ｈｚ以上とすることが必要である。例え
ば６０Ｈｚの場合、１フレームは１６．７ｍｓｅｃであ
り、走査電極数が１０００本の場合走査電極１本当たり
の書き込み時間は１６．７μｓｅｃ（＝１６．７ｍｓｅ
ｃ÷１０００）となる。それゆえ、反強誘電性液晶の応
答速度がこれ以上速いことが要求されるわけであるが、
実際の反強誘電性液晶相の応答速度はこれより遅い
（（M. Johno et al., Proc. Japan Display '89, 22
(1989).）ため、１０００本以上の走査電極を持つよう
な大容量表示素子の作製は困難なのである。
量表示素子の作製が困難なのは以下の理由による。すな
わち、フリッカを生じさせない駆動を行うためにはフレ
ーム周期を６０Ｈｚ以上とすることが必要である。例え
ば６０Ｈｚの場合、１フレームは１６．７ｍｓｅｃであ
り、走査電極数が１０００本の場合走査電極１本当たり
の書き込み時間は１６．７μｓｅｃ（＝１６．７ｍｓｅ
ｃ÷１０００）となる。それゆえ、反強誘電性液晶の応
答速度がこれ以上速いことが要求されるわけであるが、
実際の反強誘電性液晶相の応答速度はこれより遅い
（（M. Johno et al., Proc. Japan Display '89, 22
(1989).）ため、１０００本以上の走査電極を持つよう
な大容量表示素子の作製は困難なのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような状
況下でなされたものであり、反強誘電性液晶相を用いた
大表示容量、高コントラスト、階調表示の可能なマトリ
クス型反強誘電性液晶素子の駆動方法を提供するもので
ある。
況下でなされたものであり、反強誘電性液晶相を用いた
大表示容量、高コントラスト、階調表示の可能なマトリ
クス型反強誘電性液晶素子の駆動方法を提供するもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも電極と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対
向させて配置し、前記配向膜の間に実質的に閾値をもた
ない反強誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、
前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方
の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリ
クス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設
けられ、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トラン
ジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には求
める表示に対応するゼロ又は正の選択電圧波形を印加
し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って前記薄
膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電
極には求める表示に対応するゼロ又は負の選択電圧波形
を印加することからなる反強誘電性液晶素子の駆動方法
が提供される。また、本発明によれば、少なくとも電極
と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対向させて
配置し、前記配向膜の間に実質的に閾値をもたない反強
誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、前記一対
の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方の基板上
に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリクス状に
形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設けられ、
電圧無印加時の状態で暗状態となるように偏光板を配置
し、明及び灰明状態を表示するときには、前記走査電極
より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに
同期させて、前記信号電極には求める表示に対応する正
の選択電圧を印加し、一定時間後、前記走査電極より信
号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させ
て、前記信号電極には求める表示に対応する負の選択電
圧を印加し、暗状態を表示するときには、前記走査電極
より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期
させて、前記信号電極にゼロボルトの電圧を印加し、一
定時間後、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジ
スタをオンするのと同期させて前記信号電極にゼロボル
トの選択電圧を印加する反強誘電性液晶素子の駆動方法
が提供される。
とも電極と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対
向させて配置し、前記配向膜の間に実質的に閾値をもた
ない反強誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、
前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方
の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリ
クス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設
けられ、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トラン
ジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には求
める表示に対応するゼロ又は正の選択電圧波形を印加
し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って前記薄
膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電
極には求める表示に対応するゼロ又は負の選択電圧波形
を印加することからなる反強誘電性液晶素子の駆動方法
が提供される。また、本発明によれば、少なくとも電極
と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対向させて
配置し、前記配向膜の間に実質的に閾値をもたない反強
誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、前記一対
の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方の基板上
に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリクス状に
形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設けられ、
電圧無印加時の状態で暗状態となるように偏光板を配置
し、明及び灰明状態を表示するときには、前記走査電極
より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに
同期させて、前記信号電極には求める表示に対応する正
の選択電圧を印加し、一定時間後、前記走査電極より信
号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させ
て、前記信号電極には求める表示に対応する負の選択電
圧を印加し、暗状態を表示するときには、前記走査電極
より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期
させて、前記信号電極にゼロボルトの電圧を印加し、一
定時間後、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジ
スタをオンするのと同期させて前記信号電極にゼロボル
トの選択電圧を印加する反強誘電性液晶素子の駆動方法
が提供される。
【０００９】この発明に適用される反強誘電性液晶化合
物は、図３（ｂ）に示されるような、弱い電界強度でも
光が透過する、すなわち実質的に閾値をもたない上記式
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）で表される化合物の
他に、下表に揚げる化合物が挙げられる。
物は、図３（ｂ）に示されるような、弱い電界強度でも
光が透過する、すなわち実質的に閾値をもたない上記式
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）で表される化合物の
他に、下表に揚げる化合物が挙げられる。
【００１０】
【化２】
【００１１】
【化３】 このうち、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）が好適に適用され
る。さらに、これら化合物を適宜混合して用いてもよ
い。また上記の 反強誘電性液晶化合物以外の化合物を
適宜混合してもよい。この化合物は必ずしも液晶相を示
す必要はなく、（ａ）作製する組成物の液晶相の温度範
囲を調整するための化合物、（ｂ）強誘電性液晶相にお
いて大きな自発分極を示すか、または誘起する光学活性
化合物、（ｃ）作製する組成物の液晶相のらせんピッチ
を調整するための光学活性化合物などが挙げられる。
る。さらに、これら化合物を適宜混合して用いてもよ
い。また上記の 反強誘電性液晶化合物以外の化合物を
適宜混合してもよい。この化合物は必ずしも液晶相を示
す必要はなく、（ａ）作製する組成物の液晶相の温度範
囲を調整するための化合物、（ｂ）強誘電性液晶相にお
いて大きな自発分極を示すか、または誘起する光学活性
化合物、（ｃ）作製する組成物の液晶相のらせんピッチ
を調整するための光学活性化合物などが挙げられる。
【００１２】まず、本発明の反強誘電性液晶素子の構成
を説明するため、典型例として画素１のスイッチング素
子を説明する。図８は本発明の反強誘電性液晶組成物を
用いた液晶素子の例を示す説明図である。図８は透過型
表示素子の一例であり、２１は絶縁性基板、２２は電
極、２３は絶縁性膜、２４は配向制御層、２５はシール
材、２６は反強誘電性液晶組成物、２７は偏光板を示
す。
を説明するため、典型例として画素１のスイッチング素
子を説明する。図８は本発明の反強誘電性液晶組成物を
用いた液晶素子の例を示す説明図である。図８は透過型
表示素子の一例であり、２１は絶縁性基板、２２は電
極、２３は絶縁性膜、２４は配向制御層、２５はシール
材、２６は反強誘電性液晶組成物、２７は偏光板を示
す。
【００１３】２１の絶縁性基板としては透光性の基板が
用いられ、通常ガラス基板が使われる。２１の絶縁性基
板にはそれぞれＩｎ０3,ＳｎＯ2,ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの導電性薄膜からなる所定
のパターンの透明電極２２が形成される。その上に通
常、絶縁性２３が形成されるが、これは場合によっては
省略できる。絶縁性膜２３は例えば、ＳｉＯ2,ＳｉＮ
ｘ，Ａｌ2Ｏ3などの無機系薄膜、ポリイミド、フォトレ
ジスト樹脂、高分子液晶などの有機系薄膜などを用いる
ことができる。絶縁性膜２３が無機系薄膜の場合には蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n)法、あるいは溶液塗布法などによって形成出来る。ま
た、絶縁性膜２３が有機系薄膜の場合には有機物質を溶
かした溶液またはその前駆体溶液を用いて、スピンナー
塗布法、浸せき塗布法、スクリーン印刷法、ロール塗布
法、などで塗布し、所定の硬化条件（加熱、光照射な
ど）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッ
タ法、ＣＶＤ法などで形成したり、ＬＢ（Langumuir-Bl
odgett）法などで形成することもできる。
用いられ、通常ガラス基板が使われる。２１の絶縁性基
板にはそれぞれＩｎ０3,ＳｎＯ2,ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの導電性薄膜からなる所定
のパターンの透明電極２２が形成される。その上に通
常、絶縁性２３が形成されるが、これは場合によっては
省略できる。絶縁性膜２３は例えば、ＳｉＯ2,ＳｉＮ
ｘ，Ａｌ2Ｏ3などの無機系薄膜、ポリイミド、フォトレ
ジスト樹脂、高分子液晶などの有機系薄膜などを用いる
ことができる。絶縁性膜２３が無機系薄膜の場合には蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n)法、あるいは溶液塗布法などによって形成出来る。ま
た、絶縁性膜２３が有機系薄膜の場合には有機物質を溶
かした溶液またはその前駆体溶液を用いて、スピンナー
塗布法、浸せき塗布法、スクリーン印刷法、ロール塗布
法、などで塗布し、所定の硬化条件（加熱、光照射な
ど）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッ
タ法、ＣＶＤ法などで形成したり、ＬＢ（Langumuir-Bl
odgett）法などで形成することもできる。
【００１４】絶縁性膜２３の上には配向制御層２４が形
成される。ただし、絶縁性膜２３が省略された場合には
電極２２の上に直接配向制御層２４が形成される。配向
制御層には無機系の層を用いる場合と有機系の層を用い
る場合とがある。無機系の配向制御層を用いる場合、よ
く用いられる方法としては酸化ケイ素の斜め蒸着があ
る。また、回転蒸着などの方法を用いることもできる。
有機系の配向制御層を用いる場合、ナイロン、ポリビニ
ルアルコール、ポリイミド等を用いることができ、通常
この上をラビングする。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用
いて配向させたり、磁場による配向、スペーサエッジ法
による配向、なども可能である。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮ
ｘなどを蒸着法、その上をラビングする方法も可能であ
る。
成される。ただし、絶縁性膜２３が省略された場合には
電極２２の上に直接配向制御層２４が形成される。配向
制御層には無機系の層を用いる場合と有機系の層を用い
る場合とがある。無機系の配向制御層を用いる場合、よ
く用いられる方法としては酸化ケイ素の斜め蒸着があ
る。また、回転蒸着などの方法を用いることもできる。
有機系の配向制御層を用いる場合、ナイロン、ポリビニ
ルアルコール、ポリイミド等を用いることができ、通常
この上をラビングする。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用
いて配向させたり、磁場による配向、スペーサエッジ法
による配向、なども可能である。また、ＳｉＯ2,ＳｉＮ
ｘなどを蒸着法、その上をラビングする方法も可能であ
る。
【００１５】次に２枚の基板を張り合わせ、反強誘電性
液晶組成物２６を注入して液晶素子とし、偏光板２７を
設置する。ついで、本発明の反強誘電性液晶素子は大容
量マトリクスの表示装置に適用したときを示す。この場
合、図５の平面模式図に示すように上下基板の配線をマ
トリクス型に組み合わせて用いる。この走査電極上から
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３〜Ｇｇと記し、信号電極を左からＳ
１，Ｓ２，Ｓ３〜Ｓｇと記し、各走査電極Ｇｉと各信号
電極Ｓｊが重なる部分を画素Ｐｉｊと記す（ｉおよびｊ
はそれぞれ正の整数である）。この単純マトリックスパ
ネルの走査電極には走査側ドライバー（電界印加用電
極）が接続され、信号電極には信号側ドライバー（電界
印加用電極）が接続される。
液晶組成物２６を注入して液晶素子とし、偏光板２７を
設置する。ついで、本発明の反強誘電性液晶素子は大容
量マトリクスの表示装置に適用したときを示す。この場
合、図５の平面模式図に示すように上下基板の配線をマ
トリクス型に組み合わせて用いる。この走査電極上から
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３〜Ｇｇと記し、信号電極を左からＳ
１，Ｓ２，Ｓ３〜Ｓｇと記し、各走査電極Ｇｉと各信号
電極Ｓｊが重なる部分を画素Ｐｉｊと記す（ｉおよびｊ
はそれぞれ正の整数である）。この単純マトリックスパ
ネルの走査電極には走査側ドライバー（電界印加用電
極）が接続され、信号電極には信号側ドライバー（電界
印加用電極）が接続される。
【００１６】図４に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示素子の等価回路を示
す。液晶を駆動する場合、走査線より信号を送ってゲー
ト電極Ｇに電界を印加し、ＴＦＴをＯＮする。これに同
期させて信号線よりソース電極Ｓに信号を送ると、ドレ
イン電極Ｄを通して液晶ＬＣに蓄積され、これによって
生じる電界によって液晶が応答する。
たアクティブマトリクス型液晶表示素子の等価回路を示
す。液晶を駆動する場合、走査線より信号を送ってゲー
ト電極Ｇに電界を印加し、ＴＦＴをＯＮする。これに同
期させて信号線よりソース電極Ｓに信号を送ると、ドレ
イン電極Ｄを通して液晶ＬＣに蓄積され、これによって
生じる電界によって液晶が応答する。
【００１７】本発明の具体例を、１本の走査電極Ｇ1,Ｇ
2,．．．，Ｇn-1,Ｇn,Ｇn+1,Ｇn+2,．．．，Ｇ1-1,Ｇ1
とｋ本の信号電極Ｓ1,Ｓ2,．．．，Ｓm,Ｓm+1,．．．，
Ｓk- 1,Ｓk がマトリクス状に形成され、その各交点に薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）を配列したアクティブマトリ
クス基板に反強誘電性液晶を組み合わせた図５に示すよ
うな液晶表示素子を用いて説明する。各交点のＴＦＴの
ゲート電極は走査電極に接続され、ソース電極は信号電
極に接続される。Ｐ1/1,Ｐ1/2,．．．Ｐ
1/m,Ｐ 1/m+1,．．．Ｐn+1,Ｐn+2,．．．Ｐ
n/m,Ｐn/m+1,．．．などは各交点に形成されたＴＦＴの
ドレイン電極に接続された画素を示す。この液晶表示素
子を駆動するための駆動波形を図６に示す。なお、クロ
スニコル状態に設置した偏光板を液晶セルの上下に、偏
光板の偏光軸が反強誘電性液晶相の層法線に一致するよ
うに設置するものとする。
2,．．．，Ｇn-1,Ｇn,Ｇn+1,Ｇn+2,．．．，Ｇ1-1,Ｇ1
とｋ本の信号電極Ｓ1,Ｓ2,．．．，Ｓm,Ｓm+1,．．．，
Ｓk- 1,Ｓk がマトリクス状に形成され、その各交点に薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）を配列したアクティブマトリ
クス基板に反強誘電性液晶を組み合わせた図５に示すよ
うな液晶表示素子を用いて説明する。各交点のＴＦＴの
ゲート電極は走査電極に接続され、ソース電極は信号電
極に接続される。Ｐ1/1,Ｐ1/2,．．．Ｐ
1/m,Ｐ 1/m+1,．．．Ｐn+1,Ｐn+2,．．．Ｐ
n/m,Ｐn/m+1,．．．などは各交点に形成されたＴＦＴの
ドレイン電極に接続された画素を示す。この液晶表示素
子を駆動するための駆動波形を図６に示す。なお、クロ
スニコル状態に設置した偏光板を液晶セルの上下に、偏
光板の偏光軸が反強誘電性液晶相の層法線に一致するよ
うに設置するものとする。
【００１８】まず、ｔ1 の時間、走査電極Ｇ1 より信号
を送ってＴＦＴをＯＮする。これに同期して、Ｇ1 に接
続された画素（Ｐ1/1,Ｐ1/2,Ｐ1/m,Ｐ1/m+1,Ｐ1/k-1,Ｐ
1/k 、など）に求められる表示に対応するゼロまたは正
の電圧を信号電極から印加する。次のｔ1 の時間にはＧ
2 より信号を送ってＴＦＴをＯＮにし、これに同期させ
て信号電極から信号を送る。以下同様にして順次各走査
電極に接続したＴＦＴをＯＮにしてゆく。なお、ここで
信号電極Ｓから印加される電圧の最大値Ｖｓｍａｘは図
２のＶ1 より大きな値に設定する。
を送ってＴＦＴをＯＮする。これに同期して、Ｇ1 に接
続された画素（Ｐ1/1,Ｐ1/2,Ｐ1/m,Ｐ1/m+1,Ｐ1/k-1,Ｐ
1/k 、など）に求められる表示に対応するゼロまたは正
の電圧を信号電極から印加する。次のｔ1 の時間にはＧ
2 より信号を送ってＴＦＴをＯＮにし、これに同期させ
て信号電極から信号を送る。以下同様にして順次各走査
電極に接続したＴＦＴをＯＮにしてゆく。なお、ここで
信号電極Ｓから印加される電圧の最大値Ｖｓｍａｘは図
２のＶ1 より大きな値に設定する。
【００１９】さて、総ての走査電極より信号を送った
後、再びｔ1 の時間走査電極Ｇ1 より信号を送ってＴＦ
ＴをＯＮする。これに同期して、Ｇ1 に接続された画素
（Ｐ1/ 1,Ｐ1/2,Ｐ1/m,Ｐ1/m+1,Ｐ1/k-1,Ｐ1/k 、など）
に求められる表示に対応するゼロまたは正の電圧を信号
電極から印加する。次のｔ1 の時間にはＧ2 より信号を
送ってＴＦＴをＯＮにし、これに同期させて信号電極か
ら信号を送る。以下同様にして順次各走査電極に接続し
たＴＦＴをＯＮにしてゆく。このとき画素に印加される
電圧波形の一例を図６に示す。画素Ｐ11には電界が印加
されず、この画素は黒表示となる。画素Ｐ12には印加さ
れる電圧Ｖ12はＶｓｍａｘに等しく、図２のＶ1 より大
きいためこの画素は白表示となる。画素Ｐ21，Ｐ22に印
加される電圧はゼロとＶｓｍａｘの中間の値であるた
め、その電圧値に対応する透過光量が得られ、中間調表
示が得られる。なお、カラーフィルタを組み合わせれ
ば、カラー表示を得ることができる。
後、再びｔ1 の時間走査電極Ｇ1 より信号を送ってＴＦ
ＴをＯＮする。これに同期して、Ｇ1 に接続された画素
（Ｐ1/ 1,Ｐ1/2,Ｐ1/m,Ｐ1/m+1,Ｐ1/k-1,Ｐ1/k 、など）
に求められる表示に対応するゼロまたは正の電圧を信号
電極から印加する。次のｔ1 の時間にはＧ2 より信号を
送ってＴＦＴをＯＮにし、これに同期させて信号電極か
ら信号を送る。以下同様にして順次各走査電極に接続し
たＴＦＴをＯＮにしてゆく。このとき画素に印加される
電圧波形の一例を図６に示す。画素Ｐ11には電界が印加
されず、この画素は黒表示となる。画素Ｐ12には印加さ
れる電圧Ｖ12はＶｓｍａｘに等しく、図２のＶ1 より大
きいためこの画素は白表示となる。画素Ｐ21，Ｐ22に印
加される電圧はゼロとＶｓｍａｘの中間の値であるた
め、その電圧値に対応する透過光量が得られ、中間調表
示が得られる。なお、カラーフィルタを組み合わせれ
ば、カラー表示を得ることができる。
【００２０】走査電極と信号電極の各交点に設けられる
薄膜トランジスタとしては種々の素子が可能であるが、
特にａ−Ｓｉやｐｏｌｙ−Ｓｉを用いたＴＦＴは好まし
い。さらに薄膜トランジスタをマトリクス上に設置した
アクティブマトリクス基板を用いて液晶表示素子を作製
する方法は別の基板上に電極膜を形成し、この基板とア
クティブマトリクス基板のそれぞれに配向処理層を形成
し、所定の間隔を設けて貼り合わせ、基板間に反強誘電
性液晶を挟持させる。
薄膜トランジスタとしては種々の素子が可能であるが、
特にａ−Ｓｉやｐｏｌｙ−Ｓｉを用いたＴＦＴは好まし
い。さらに薄膜トランジスタをマトリクス上に設置した
アクティブマトリクス基板を用いて液晶表示素子を作製
する方法は別の基板上に電極膜を形成し、この基板とア
クティブマトリクス基板のそれぞれに配向処理層を形成
し、所定の間隔を設けて貼り合わせ、基板間に反強誘電
性液晶を挟持させる。
【００２１】配向処理層の形成法としては、ラビング
法、斜方蒸着方などがあるが、大画面の液晶表示そしの
量産化の場合にはラビング法が有利である。ラビング法
の場合、配向膜を形成した後、ラビング処理を施すわけ
であるが、パラレルラビング法（一対の基板の両方にラ
ビング処理を施しラビング方向が同一になるように貼り
合わせる方法）、アンチパラレルラビング法（一対の基
板の両方にラビング処理を施しラビング方向が逆になる
ように貼り合わせる方法）、片ラビング法（一対の基板
の片方にのみラビング処理を施す方法）がある。
法、斜方蒸着方などがあるが、大画面の液晶表示そしの
量産化の場合にはラビング法が有利である。ラビング法
の場合、配向膜を形成した後、ラビング処理を施すわけ
であるが、パラレルラビング法（一対の基板の両方にラ
ビング処理を施しラビング方向が同一になるように貼り
合わせる方法）、アンチパラレルラビング法（一対の基
板の両方にラビング処理を施しラビング方向が逆になる
ように貼り合わせる方法）、片ラビング法（一対の基板
の片方にのみラビング処理を施す方法）がある。
【００２２】本発明の反強誘電性液晶素子の場合、いず
れも配向法も用いることができるが、薄膜トランジスタ
を形成しないほうの基板にのみラビング処理を施す片ラ
ビング方が特に好ましい。その理由としては以下の３つ
を上げることができる。まず第１に薄膜トランジスタを
形成しない基板の方が平坦であり、均一なラビング処理
が容易にできるからである。第２に薄膜トランジスタを
形成した基板にラビング処理を施すと、その処理によっ
て生じる静電気によって薄膜トランジスタの特性が変化
したり、配線間の絶縁破壊が生じたりし易いためであ
る。第３に均一な液晶配向を得るためには、一般に、液
晶セルを等方性液体から冷却するが、反強誘電性液晶相
を示す材料は、一般にスメクチックＡ相を有しており、
ネマチック相を示さない。このような材料の場合、等方
性液体状態から冷却すると、ラビング方向とスメクチッ
ク相の層法線が一致しないことが知られており（K. Nak
agawa et al., Ferroelectrics, 85, 39 (1989).）、一
対に基板の両方をラビングすると、かえって捩れのない
スメクチック層構造を形成させるのが困難となる。片方
の基板をラビングするだけの方が歪みのないスメクチッ
ク層を形成し易い。
れも配向法も用いることができるが、薄膜トランジスタ
を形成しないほうの基板にのみラビング処理を施す片ラ
ビング方が特に好ましい。その理由としては以下の３つ
を上げることができる。まず第１に薄膜トランジスタを
形成しない基板の方が平坦であり、均一なラビング処理
が容易にできるからである。第２に薄膜トランジスタを
形成した基板にラビング処理を施すと、その処理によっ
て生じる静電気によって薄膜トランジスタの特性が変化
したり、配線間の絶縁破壊が生じたりし易いためであ
る。第３に均一な液晶配向を得るためには、一般に、液
晶セルを等方性液体から冷却するが、反強誘電性液晶相
を示す材料は、一般にスメクチックＡ相を有しており、
ネマチック相を示さない。このような材料の場合、等方
性液体状態から冷却すると、ラビング方向とスメクチッ
ク相の層法線が一致しないことが知られており（K. Nak
agawa et al., Ferroelectrics, 85, 39 (1989).）、一
対に基板の両方をラビングすると、かえって捩れのない
スメクチック層構造を形成させるのが困難となる。片方
の基板をラビングするだけの方が歪みのないスメクチッ
ク層を形成し易い。
【００２３】以上説明したような本発明の反強誘電性液
晶素子を用いると、以下の利点がある。まず、黒状態が
求められるときには液晶に電界がかからないため高コン
トラストが得られる。第２に、各画素に印加する電圧を
換えることで透過光量を変えることができ、容易に階調
表示を行うことができる。第３に、書き込み時間は液晶
の応答速度ではなく、薄膜トランジスタをＯＮさせるこ
とための時間によってきまるため１０００以上の走査電
極を有する大容量表示を容易に行うことができる。例え
ば、半導体層としてａ−Ｓｉを用いた薄膜トランジスタ
の場合、薄膜トランジスタをＯＮするのにひつような時
間は１６．７μｓｅｃ以下で十分であり、１６．７ｍｓ
ｅｃの間に１０００本の走査電極を駆動することができ
る。第４に、１フレーム毎に印加電圧の極性を切り替え
るため電化の偏りのない信頼性の高い液晶素子が得られ
る。また、ネマチック液晶をＴＦＴと組み合わせた素子
に較べて応答速度が速く、視野角が広いという長所があ
る。
晶素子を用いると、以下の利点がある。まず、黒状態が
求められるときには液晶に電界がかからないため高コン
トラストが得られる。第２に、各画素に印加する電圧を
換えることで透過光量を変えることができ、容易に階調
表示を行うことができる。第３に、書き込み時間は液晶
の応答速度ではなく、薄膜トランジスタをＯＮさせるこ
とための時間によってきまるため１０００以上の走査電
極を有する大容量表示を容易に行うことができる。例え
ば、半導体層としてａ−Ｓｉを用いた薄膜トランジスタ
の場合、薄膜トランジスタをＯＮするのにひつような時
間は１６．７μｓｅｃ以下で十分であり、１６．７ｍｓ
ｅｃの間に１０００本の走査電極を駆動することができ
る。第４に、１フレーム毎に印加電圧の極性を切り替え
るため電化の偏りのない信頼性の高い液晶素子が得られ
る。また、ネマチック液晶をＴＦＴと組み合わせた素子
に較べて応答速度が速く、視野角が広いという長所があ
る。
【００２４】
【実施例】図７に示す構造のアクティブマトリクス型反
強誘電性液晶素子を以下のプロセスに作製した。まず、
ガラス基板１上にスパッタによってＴａ膜を形成し、所
定の形状にパターンニングして６４本のゲート電極２を
形成した。プラズマＣＶＤによってＳｉＮｘ膜３、ａ−
Ｓｉ半導体膜４、ＳｉＮｘ膜５を真空を破ることなく連
続積層し、ＳｉＮｘ膜５を所定の形状にパターンニング
した。プラズマＣＶＤによってリンをドープしたｎ+ −
ａ−Ｓｉ膜１４を形成し、該ｎ+ −ａ−Ｓｉ膜とａ−Ｓ
ｉ半導体膜４をパターンニングした。次いでスパッタに
よってＴｉ膜を形成し、該Ｔｉ膜およびｎ+ −ａ−Ｓｉ
膜１４を所定の形状にパターンイングして６４本のソー
ス電極６及びドレイン電極７を形成した。ＩＴＯ膜をス
パッタによって形成し、これをパターンニングして画素
電極８を形成した。
強誘電性液晶素子を以下のプロセスに作製した。まず、
ガラス基板１上にスパッタによってＴａ膜を形成し、所
定の形状にパターンニングして６４本のゲート電極２を
形成した。プラズマＣＶＤによってＳｉＮｘ膜３、ａ−
Ｓｉ半導体膜４、ＳｉＮｘ膜５を真空を破ることなく連
続積層し、ＳｉＮｘ膜５を所定の形状にパターンニング
した。プラズマＣＶＤによってリンをドープしたｎ+ −
ａ−Ｓｉ膜１４を形成し、該ｎ+ −ａ−Ｓｉ膜とａ−Ｓ
ｉ半導体膜４をパターンニングした。次いでスパッタに
よってＴｉ膜を形成し、該Ｔｉ膜およびｎ+ −ａ−Ｓｉ
膜１４を所定の形状にパターンイングして６４本のソー
ス電極６及びドレイン電極７を形成した。ＩＴＯ膜をス
パッタによって形成し、これをパターンニングして画素
電極８を形成した。
【００２５】別の基板１’上にスパッタによってＩＴＯ
膜１１を形成した。このようにして作成した一対の基板
上に厚さ２０００ÅのＳｉＯ2 膜９を形成し、厚さ３０
０ÅＰＶＡ膜１０を塗布した。一対の基板のうち、基板
１’のみにレーヨン系の布を用いてラビングによる一軸
配向処理を行った。次いで、これら２枚の基板を、２μ
ｍの間隔を屁だってシリカスペーサーを介してエポキシ
樹脂製のシール部材で貼り合わせた。これらの基板間
に、真空注入方で注入口から反強誘電性液晶ＴＫ−Ｃ１
００（チッソ社製）を注入したのちアクリル系のＵＶ硬
化型の樹脂で注入口を硬化して液晶セルを作成した。注
入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する温度に
セルを加熱し、その後１℃／ｍｉｎで冷却し、更に、こ
のセルの上下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板を配置
し、偏光板の一方の偏光軸をセルの液晶の光軸（層法
線）にほぼ一致させて液晶表示装置とした。
膜１１を形成した。このようにして作成した一対の基板
上に厚さ２０００ÅのＳｉＯ2 膜９を形成し、厚さ３０
０ÅＰＶＡ膜１０を塗布した。一対の基板のうち、基板
１’のみにレーヨン系の布を用いてラビングによる一軸
配向処理を行った。次いで、これら２枚の基板を、２μ
ｍの間隔を屁だってシリカスペーサーを介してエポキシ
樹脂製のシール部材で貼り合わせた。これらの基板間
に、真空注入方で注入口から反強誘電性液晶ＴＫ−Ｃ１
００（チッソ社製）を注入したのちアクリル系のＵＶ硬
化型の樹脂で注入口を硬化して液晶セルを作成した。注
入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する温度に
セルを加熱し、その後１℃／ｍｉｎで冷却し、更に、こ
のセルの上下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板を配置
し、偏光板の一方の偏光軸をセルの液晶の光軸（層法
線）にほぼ一致させて液晶表示装置とした。
【００２６】この液晶素子を図６に示す駆動方でｔ1 ＝
１５μｓｅｃで駆動したところ、コントラスト５０以上
の階調表示が得られた。ｔ1 が１５μｓｅｃであるの
で、１フレーム６０Ｈｚ（１６．７ｍｓｅｃ）で１００
０本以上の走査線を駆動できる。
１５μｓｅｃで駆動したところ、コントラスト５０以上
の階調表示が得られた。ｔ1 が１５μｓｅｃであるの
で、１フレーム６０Ｈｚ（１６．７ｍｓｅｃ）で１００
０本以上の走査線を駆動できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、大容量、広視野過度、
高コントラスト、高信頼性、階調表示可能な反強誘電性
液晶素子の駆動方法を得ることができる。
高コントラスト、高信頼性、階調表示可能な反強誘電性
液晶素子の駆動方法を得ることができる。
【図１】反強誘電性液晶素子のスイッチングを説明する
ための模式図である。
ための模式図である。
【図２】反強誘電性液晶の電圧とチルト角の関係を示す
図である。
図である。
【図３】反強誘電性液晶素子における印加電圧と透過光
量変化の関係を示す図である。
量変化の関係を示す図である。
【図４】アクティブマトリクス型液晶表示について説明
するための等価回路図である。
するための等価回路図である。
【図５】本発明のアクティブマトリクス型反強誘電性液
晶素子を説明するための図である。
晶素子を説明するための図である。
【図６】本発明の駆動法について説明するための図であ
る。
る。
【図７】本発明のアクティブマトリクス型反強誘電性液
晶素子の構造を説明するための断面図である。
晶素子の構造を説明するための断面図である。
【図８】本発明の反強誘電性液晶素子の構造及び作製法
の概略説明図である。
の概略説明図である。
１ ガラス板 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ ａ−Ｓｉ半導体 ５、９ 絶縁膜 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 画素電極 １０ 配向膜 １１ 対向電極 １３、２６ 反強誘電性液晶 １４ ｎ+ −ａ−Ｓｉ膜 ２１ 絶縁性基板 ２２ 導電性膜 ２３ 絶縁性膜 ２４ 配向制御層 ２５ シール材 ２７ 偏光板 ２８ 走査電極 ２９ 信号電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/133 G02F 1/136 G02F 1/141 G09G 3/36
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも電極と配向膜とが設けられた
一対の基板を互いに対向させて配置し、前記配向膜の間
に実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を挟持
して液晶パネルとし、 前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方
の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリ
クス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設
けられ、 前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジスタを
オンするのに同期させて、前記信号電極には求める表示
に対応するゼロ又は正の選択電圧波形を印加し、一定時
間後、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジ
スタをオンするのに同期させて、前記信号電極には求め
る表示に対応するゼロ又は負の選択電圧波形を印加する
ことからなる反強誘電性液晶素子の駆動方法。 - 【請求項２】 少なくとも電極と配向膜とが設けられた
一対の基板を互いに対向させて配置し、前記配向膜の間
に実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を挟持
して液晶パネルとし、 前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方
の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリ
クス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設
けられ、 電圧無印加時の状態で暗状態となるように偏光板を配置
し、 明及び灰明状態を表示するときには、前記走査電極より
信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに同期
させて、前記信号電極には求める表示に対応する正の選
択電圧を印加し、一定時間後、前記走査電極より信号を
送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて、前
記信号電極には求める表示に対応する負の選択電圧を印
加し、 暗状態を表示するときには、前記走査電極より信号を送
って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて、前記
信号電極にゼロボルトの電圧を印加し、一定時間後、前
記走査電極より信号を送って薄膜トランジスタをオンす
るのと同期させて前記信号電極にゼロボルトの選択電圧
を印加する反強誘電性液晶素子の駆動方法。 - 【請求項３】 前記実質的に閾値をもたない反強誘電性
液晶組成物が、１種類または複数種の反強誘電性液晶化
合物の混合による組成物、作製する組成物の液晶相の温
度範囲を調整するための化合物、強誘電性液晶相におい
て大きな自発分極を示すか誘起する光学活性化合物、作
製する組成物の液晶相のらせんピッチを調整するための
光学活性化合物のうち、少なくとも１種類または複数種
の反強誘電性液晶化合物の混合による組成物を有するこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の反強誘電性液晶素
子の駆動方法。 - 【請求項４】 前記配向膜が有機高分子膜であり、かつ
薄膜トランジスタが設けられていない側の基板の配向膜
にのみラビング処理を施す請求項１〜３のいずれか１つ
に記載の反強誘電性液晶素子の駆動方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP666392A JP2866518B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 反強誘電性液晶素子の駆動方法 |
| EP93300245A EP0552045B1 (en) | 1992-01-17 | 1993-01-15 | Method of driving antiferroelectric liquid crystal device |
| DE69317446T DE69317446T2 (de) | 1992-01-17 | 1993-01-15 | Verfahren zum Steuern eines antiferroelektrischen Flüssigkristallgeräts |
| US08/375,167 US5615026A (en) | 1992-01-17 | 1995-01-18 | Method of driving antiferroelectric liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP666392A JP2866518B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 反強誘電性液晶素子の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188350A JPH05188350A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2866518B2 true JP2866518B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=11644624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP666392A Expired - Fee Related JP2866518B2 (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 反強誘電性液晶素子の駆動方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5615026A (ja) |
| EP (1) | EP0552045B1 (ja) |
| JP (1) | JP2866518B2 (ja) |
| DE (1) | DE69317446T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7227603B1 (en) * | 1993-07-22 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US5594569A (en) * | 1993-07-22 | 1997-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
| US5920301A (en) * | 1994-06-10 | 1999-07-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus using liquid crystal having ferroelectric phase and method of driving liquid crystal display device using liquid crystal having ferroelectric phase |
| JPH07333580A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Casio Comput Co Ltd | 強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法 |
| US5963187A (en) * | 1994-06-10 | 1999-10-05 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus using liquid crystal having ferroelectric phase and method of driving liquid crystal display device using liquid crystal having ferroelectric phase |
| JPH07334130A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Casio Comput Co Ltd | 強誘電性液晶表示装置及び強誘電性液晶表示素子の駆動方法 |
| JP3058804B2 (ja) * | 1994-11-16 | 2000-07-04 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
| US6008787A (en) * | 1995-04-07 | 1999-12-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Antiferrolectric liquid crystal panel and method for driving same |
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