JP2000029000A - 反強誘電性液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
反強誘電性液晶表示装置の駆動方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、フレーム周期を短縮しなくても所
定の視野角内ではどの角度から見ても視覚的にはフリッ
カ現象を防止して良好な表示品質が得られる反強誘電性
液晶表示装置の駆動方法を実現することを目的とする。 【構成】 本発明の駆動方法は、ポジティブ強誘電相と
ネガティブ強誘電相の中の一つと反強誘電相を利用して
画素の明暗表示を行なう。反強誘電性液晶にかかる駆動
電圧は、選択臨界電圧の絶対値以上の選択電圧と、選択
臨界電圧の絶対値より低く非選択臨界電圧の絶対値より
高い領域内の維持電圧と、上記の維持電圧と反対電位で
あり、上記の選択臨界電圧の絶対値より低い直流補償電
圧を相互に組み合わせる。
定の視野角内ではどの角度から見ても視覚的にはフリッ
カ現象を防止して良好な表示品質が得られる反強誘電性
液晶表示装置の駆動方法を実現することを目的とする。 【構成】 本発明の駆動方法は、ポジティブ強誘電相と
ネガティブ強誘電相の中の一つと反強誘電相を利用して
画素の明暗表示を行なう。反強誘電性液晶にかかる駆動
電圧は、選択臨界電圧の絶対値以上の選択電圧と、選択
臨界電圧の絶対値より低く非選択臨界電圧の絶対値より
高い領域内の維持電圧と、上記の維持電圧と反対電位で
あり、上記の選択臨界電圧の絶対値より低い直流補償電
圧を相互に組み合わせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反強誘電性液晶表
示装置の駆動方法に関し、さらに詳しくは、反強誘電性
液晶のヒステリシス特性を利用して画素を表示する反強
誘電性液晶表示装置の駆動方法に関する。
示装置の駆動方法に関し、さらに詳しくは、反強誘電性
液晶のヒステリシス特性を利用して画素を表示する反強
誘電性液晶表示装置の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的には、反強誘電性液晶組成物を使
用する液晶表示装置は、ポジティブ電圧で現われるポジ
ティブ強誘電相（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ＋相、以
後Ｆ＋相と略称）とネガティブ電圧で現われるネガティ
ブ強誘電相（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ−相、以後Ｆ
−相と略称）によってホワイトモードを表示し、電圧の
非印加時に現われる反強誘電相（Ａｎｔｉｆｅｒｒｏｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ相、以後ＡＦ相と略称）によってブラッ
クモードを表示するようになっている。
用する液晶表示装置は、ポジティブ電圧で現われるポジ
ティブ強誘電相（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ＋相、以
後Ｆ＋相と略称）とネガティブ電圧で現われるネガティ
ブ強誘電相（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ−相、以後Ｆ
−相と略称）によってホワイトモードを表示し、電圧の
非印加時に現われる反強誘電相（Ａｎｔｉｆｅｒｒｏｅ
ｌｅｃｔｒｉｃ相、以後ＡＦ相と略称）によってブラッ
クモードを表示するようになっている。
【０００３】これをもう少し具体的に説明すれば、ホワ
イトモードを表示するためにはフレーム単位で前述のＦ
＋相とＦ−相が反復されるようにし、また上記の１フレ
ームサイクルを視覚的に確認できない３０ｍｓ以内の領
域にすることにより、画面に表示される像のチラツキ
（Ｆｌｉｃｋｅｒ）を防止できるようにする。
イトモードを表示するためにはフレーム単位で前述のＦ
＋相とＦ−相が反復されるようにし、また上記の１フレ
ームサイクルを視覚的に確認できない３０ｍｓ以内の領
域にすることにより、画面に表示される像のチラツキ
（Ｆｌｉｃｋｅｒ）を防止できるようにする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような反
強誘電性液晶表示装置において表示画素を見つめる視角
をパネルに対して法線方向からある一方向に傾いた状態
で観察すると、図１に図示されているようにＦ＋相とＦ
−相の方位（Ｄｉｒｅｃｔｏｒ）がお互いに異なるた
め、光透過度に差が生じ画面上にフリッカが現われるよ
うになる。
強誘電性液晶表示装置において表示画素を見つめる視角
をパネルに対して法線方向からある一方向に傾いた状態
で観察すると、図１に図示されているようにＦ＋相とＦ
−相の方位（Ｄｉｒｅｃｔｏｒ）がお互いに異なるた
め、光透過度に差が生じ画面上にフリッカが現われるよ
うになる。
【０００５】上記のチラつく現象を除去するためには、
上記のＦ＋相とＦ−相を１回ずつ反復する２フレームを
合わせた時間が３０ｍｓ以内に設定されなければなら
ず、結局１フレームは１５ｍｓ以内にして、半分程度の
余裕を与えねばならない。
上記のＦ＋相とＦ−相を１回ずつ反復する２フレームを
合わせた時間が３０ｍｓ以内に設定されなければなら
ず、結局１フレームは１５ｍｓ以内にして、半分程度の
余裕を与えねばならない。
【０００６】しかし、今までの技術では、半導体素子の
特性上駆動素子の駆動周波数が数十ＭＨｚ台以上には発
展されなかったので、このような速度の駆動素子で１フ
レーム周期の間に、前述したように半分程度の余裕を与
えて高精細化の画面を多階調（Ｈｉｇｈ Ｃｏｌｏｒ）
の動画像として駆動することはとても難しい事になる。
特性上駆動素子の駆動周波数が数十ＭＨｚ台以上には発
展されなかったので、このような速度の駆動素子で１フ
レーム周期の間に、前述したように半分程度の余裕を与
えて高精細化の画面を多階調（Ｈｉｇｈ Ｃｏｌｏｒ）
の動画像として駆動することはとても難しい事になる。
【０００７】したがって、フレームサイクルを１５ｍｓ
以内に実現する駆動素子を開発する為には莫大な費用と
努力が必要であり、Ｆ＋相とＦ−相を利用して画素を表
示する従来の反強誘電性液晶表示装置の駆動方法はフレ
ーム周期を短縮しなくては画面のフリッカ現象を解消出
来なかった。
以内に実現する駆動素子を開発する為には莫大な費用と
努力が必要であり、Ｆ＋相とＦ−相を利用して画素を表
示する従来の反強誘電性液晶表示装置の駆動方法はフレ
ーム周期を短縮しなくては画面のフリッカ現象を解消出
来なかった。
【０００８】上記の従来の問題点を解決するために案出
された本発明は、フレーム周期を短縮しなくても所定の
視野角内ではどの角度から見ても視覚的にはフリッカ現
象を防止して良好な表示品質が得られる反強誘電性液晶
表示装置の駆動方法を提供することをその目的とする。
された本発明は、フレーム周期を短縮しなくても所定の
視野角内ではどの角度から見ても視覚的にはフリッカ現
象を防止して良好な表示品質が得られる反強誘電性液晶
表示装置の駆動方法を提供することをその目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに本発明は、電圧印加手段を有した一対の基板と、上
記の一対の基板間に配置され上記の電圧印加手段によっ
て誘起されるポジティブ電界によってはポジティブ強誘
電相（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ＋）を、そしてネガ
ティブ電界によってはネガティブ強誘電相（Ｆｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ−）を現わし、また無電界時には反強
誘電相（Ａｎｔｉｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）を現わ
す反強誘電性液晶層を備えた反強誘電性液晶表示装置に
おいて、上記のポジティブ強誘電相とネガティブ強誘電
相の中の一つと反強誘電相を利用して画素の明暗表示を
行なうことを特徴とする。
めに本発明は、電圧印加手段を有した一対の基板と、上
記の一対の基板間に配置され上記の電圧印加手段によっ
て誘起されるポジティブ電界によってはポジティブ強誘
電相（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ＋）を、そしてネガ
ティブ電界によってはネガティブ強誘電相（Ｆｅｒｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｉｃ−）を現わし、また無電界時には反強
誘電相（Ａｎｔｉｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）を現わ
す反強誘電性液晶層を備えた反強誘電性液晶表示装置に
おいて、上記のポジティブ強誘電相とネガティブ強誘電
相の中の一つと反強誘電相を利用して画素の明暗表示を
行なうことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明は、ポジティブ強誘電相
とネガティブ強誘電相の一つと反強誘電相を利用して画
素の明暗表示を行うものであり、上記のポジティブ強誘
電相とネガティブ強誘電相の中の一つを作るために印加
する駆動信号は、上記の反強誘電性液晶層にかかる累積
直流電圧が単位フレーム内でゼロになるようにする。
とネガティブ強誘電相の一つと反強誘電相を利用して画
素の明暗表示を行うものであり、上記のポジティブ強誘
電相とネガティブ強誘電相の中の一つを作るために印加
する駆動信号は、上記の反強誘電性液晶層にかかる累積
直流電圧が単位フレーム内でゼロになるようにする。
【００１１】本発明で使用する反強誘電性液晶は、無電
界時に現われる反強誘電相からポジティブ強誘電相また
はネガティブ強誘電相に相遷移される選択臨界電圧の絶
対値が、上記のポジティブ強誘電相またはネガティブ強
誘電相から上記の反強誘電相に相遷移される非選択臨界
電圧の絶対値より高く現われるヒステリシス特性を持
つ。
界時に現われる反強誘電相からポジティブ強誘電相また
はネガティブ強誘電相に相遷移される選択臨界電圧の絶
対値が、上記のポジティブ強誘電相またはネガティブ強
誘電相から上記の反強誘電相に相遷移される非選択臨界
電圧の絶対値より高く現われるヒステリシス特性を持
つ。
【００１２】本発明において上記の反強誘電性液晶にか
かる駆動電圧は、上記の選択臨界電圧の絶対値以上の選
択電圧と、上記の選択臨界電圧の絶対値より低く、上記
の非選択臨界電圧の絶対値より高い領域内の維持電圧
と、上記の維持電圧と反対電位であり、上記の選択臨界
電圧の絶対値より低い直流補償電圧を相互に組み合わせ
る事を特徴とする。
かる駆動電圧は、上記の選択臨界電圧の絶対値以上の選
択電圧と、上記の選択臨界電圧の絶対値より低く、上記
の非選択臨界電圧の絶対値より高い領域内の維持電圧
と、上記の維持電圧と反対電位であり、上記の選択臨界
電圧の絶対値より低い直流補償電圧を相互に組み合わせ
る事を特徴とする。
【００１３】ここで、上記の選択電圧、維持電圧および
直流補償電圧を組み合わせた駆動電圧は、単位フレーム
の間に印加されるものであり、上記の直流補償電圧は、
単位フレーム内の実効値の絶対値が上記の選択電圧と維
持電圧を合わせた実効値の絶対値と同じである。
直流補償電圧を組み合わせた駆動電圧は、単位フレーム
の間に印加されるものであり、上記の直流補償電圧は、
単位フレーム内の実効値の絶対値が上記の選択電圧と維
持電圧を合わせた実効値の絶対値と同じである。
【００１４】また本発明において上記の反強誘電性液晶
にかかる駆動電圧は、単位フレーム当たり、上記の選択
臨界電圧より絶対値が小さくない領域でネガティブレベ
ルとポジティブレベルの選択電圧を順に印加した後、上
記の選択臨界電圧より低く上記の非選択臨界電圧より高
い領域内でポジティブレベルに維持電圧を印加した後、
上記の選択臨界電圧に至る前の領域内で直流補償電圧を
ネガティブレベルに印加する事を特徴とする。
にかかる駆動電圧は、単位フレーム当たり、上記の選択
臨界電圧より絶対値が小さくない領域でネガティブレベ
ルとポジティブレベルの選択電圧を順に印加した後、上
記の選択臨界電圧より低く上記の非選択臨界電圧より高
い領域内でポジティブレベルに維持電圧を印加した後、
上記の選択臨界電圧に至る前の領域内で直流補償電圧を
ネガティブレベルに印加する事を特徴とする。
【００１５】ここで、単位フレーム内で最初に印加する
上記のネガティブレベルの選択電圧は省略でき、この
時、上記の直流補償電圧は単位フレーム内における実効
値の絶対値が上記の選択電圧と維持電圧を合わせた実効
値の絶対値と同じである。さらに、上記のポジティブレ
ベルはネガティブレベルにし、同時に上記のネガティブ
レベルはポジティブレベルにしても差し支えない。
上記のネガティブレベルの選択電圧は省略でき、この
時、上記の直流補償電圧は単位フレーム内における実効
値の絶対値が上記の選択電圧と維持電圧を合わせた実効
値の絶対値と同じである。さらに、上記のポジティブレ
ベルはネガティブレベルにし、同時に上記のネガティブ
レベルはポジティブレベルにしても差し支えない。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の好ましい
実施例をさらに詳しく説明する。図１は、本発明に関す
る反強誘電性液晶の相による分子配置図であり、本発明
が利用する反強誘電性液晶は、多層構造を持ち各層の液
晶分子の長軸が層面に対して傾斜した螺旋構造を持つ反
強誘電性スメクチック相である。
実施例をさらに詳しく説明する。図１は、本発明に関す
る反強誘電性液晶の相による分子配置図であり、本発明
が利用する反強誘電性液晶は、多層構造を持ち各層の液
晶分子の長軸が層面に対して傾斜した螺旋構造を持つ反
強誘電性スメクチック相である。
【００１７】例えば、液晶分子は液晶セル内に液晶相が
螺旋のピッチの長さより薄く封じ合わせることによって
螺旋が解ける場合、図１の（ａ）に図示したように、無
電界時には双極子等が各層で相殺するＡＦ相の分子配置
が現われるようになる。この状態で電界が印加される
と、双極子等が図１の（ｂ）または（ｃ）に図示したよ
うに電界の方向によって分子配置されて相互配列するこ
とにより各々Ｆ＋相とＦ−相が現われるようになる。
螺旋のピッチの長さより薄く封じ合わせることによって
螺旋が解ける場合、図１の（ａ）に図示したように、無
電界時には双極子等が各層で相殺するＡＦ相の分子配置
が現われるようになる。この状態で電界が印加される
と、双極子等が図１の（ｂ）または（ｃ）に図示したよ
うに電界の方向によって分子配置されて相互配列するこ
とにより各々Ｆ＋相とＦ−相が現われるようになる。
【００１８】このように、双極子等の配列がＡＦ相、Ｆ
＋相およびＦ−相の３安定状態に変化される物性を持っ
た液晶層を偏光板と結合して、明暗表示を実現すること
ができる。
＋相およびＦ−相の３安定状態に変化される物性を持っ
た液晶層を偏光板と結合して、明暗表示を実現すること
ができる。
【００１９】このような３安定状態によって現われる透
過度の変化を起こさせる印加電圧は、図２に示したよう
なヒステリシス曲線として現われる。
過度の変化を起こさせる印加電圧は、図２に示したよう
なヒステリシス曲線として現われる。
【００２０】つまり、反強誘電性液晶は、ＡＦ相からＦ
＋相またはＦ−相に相遷移する選択臨界電圧Ｖ１の絶対
値が、上記のＦ＋相またはＦ−相から上記のＡＦ相に相
遷移する非選択臨界電圧Ｖ３の絶対値より高く現われる
ヒステリシス特性を持つ。
＋相またはＦ−相に相遷移する選択臨界電圧Ｖ１の絶対
値が、上記のＦ＋相またはＦ−相から上記のＡＦ相に相
遷移する非選択臨界電圧Ｖ３の絶対値より高く現われる
ヒステリシス特性を持つ。
【００２１】このようなヒステリシス特性の中で、Ｆ＋
相は、液晶に与える電圧を上昇させる時には選択臨界電
圧Ｖ１を超過するポジティブ領域で、液晶に与える電圧
を下降させる時には、非選択臨界電圧Ｖ３より高い領域
で現われる。
相は、液晶に与える電圧を上昇させる時には選択臨界電
圧Ｖ１を超過するポジティブ領域で、液晶に与える電圧
を下降させる時には、非選択臨界電圧Ｖ３より高い領域
で現われる。
【００２２】一方、Ｆ−相は、液晶に印加する電圧を下
降させる時には選択臨界電圧Ｖ１より低いネガティブ領
域で、液晶に与える電圧を上昇させる時には、非選択臨
界電圧−Ｖ３より低いネガティブ領域で現われる。
降させる時には選択臨界電圧Ｖ１より低いネガティブ領
域で、液晶に与える電圧を上昇させる時には、非選択臨
界電圧−Ｖ３より低いネガティブ領域で現われる。
【００２３】従って、本発明では、上記のＦ＋相とＦ−
相の中の一つだけを使用し、上記のＦ＋相とＦ−相の中
の一つとＡＦ相の二つの相によって画素表示をする。
相の中の一つだけを使用し、上記のＦ＋相とＦ−相の中
の一つとＡＦ相の二つの相によって画素表示をする。
【００２４】図３は、本発明の実施例による駆動信号の
波形図である。反強誘電性液晶に印加する走査信号は、
第１フレーム（１ｆｒａｍｅ）と第２フレーム（２ｆｒ
ａｍｅ）で同一とし、その走査信号と同期させてデータ
信号を印加することにより上記の走査信号とデータ信号
の組合わせにより反強誘電性液晶に実際にかかる電圧を
形成する。
波形図である。反強誘電性液晶に印加する走査信号は、
第１フレーム（１ｆｒａｍｅ）と第２フレーム（２ｆｒ
ａｍｅ）で同一とし、その走査信号と同期させてデータ
信号を印加することにより上記の走査信号とデータ信号
の組合わせにより反強誘電性液晶に実際にかかる電圧を
形成する。
【００２５】ホワイトモードとブラックモードを実現す
るために、上記のデータ信号の第１フレームの波形を第
２フレームで位相反転させることにより第１フレームで
はホワイトモードで画素を選択し、第２フレームではブ
ラックモードで画素を非選択できる。この時、上記のデ
ータ信号は、単位フレーム当たりポジティブレベルであ
るｄとネガティブレベルである−ｄの実効値の絶対値が
同じ方形波が印加されることによりデータ信号自体の累
積直流電圧がゼロになる。
るために、上記のデータ信号の第１フレームの波形を第
２フレームで位相反転させることにより第１フレームで
はホワイトモードで画素を選択し、第２フレームではブ
ラックモードで画素を非選択できる。この時、上記のデ
ータ信号は、単位フレーム当たりポジティブレベルであ
るｄとネガティブレベルである−ｄの実効値の絶対値が
同じ方形波が印加されることによりデータ信号自体の累
積直流電圧がゼロになる。
【００２６】一方、上記の走査信号の中、単位時間△ｔ
１の間印加する電圧ａは上記のＦ＋相を現わすための選
択電圧であり、△ｔ２の間印加する電圧ｂは上記のＦ＋
相を維持させるための維持電圧であり、△ｔ３の間印加
する電圧ｃは上記の△ｔ２の間印加した電圧と実効値の
絶対値が同じ直流補償電圧である。ここで、直流補償電
圧の実効値の絶対値｜△ｔ３×ｃ｜は維持電圧の実効値
の絶対値｜△ｔ２×ｂ｜と同じであるという条件を満足
する。
１の間印加する電圧ａは上記のＦ＋相を現わすための選
択電圧であり、△ｔ２の間印加する電圧ｂは上記のＦ＋
相を維持させるための維持電圧であり、△ｔ３の間印加
する電圧ｃは上記の△ｔ２の間印加した電圧と実効値の
絶対値が同じ直流補償電圧である。ここで、直流補償電
圧の実効値の絶対値｜△ｔ３×ｃ｜は維持電圧の実効値
の絶対値｜△ｔ２×ｂ｜と同じであるという条件を満足
する。
【００２７】そして、図２に図示したようにフレーム内
で最初に印加されるネガティブレベルの電圧−ａは、上
記の直流補償電圧と同様な直流補償の役割をするもので
あり、これは△ｔ１の間印加する電圧ａの累積値程度を
上記の△ｔ３の間印加する直流補償電圧で補償するなら
省略しても差し支えない。
で最初に印加されるネガティブレベルの電圧−ａは、上
記の直流補償電圧と同様な直流補償の役割をするもので
あり、これは△ｔ１の間印加する電圧ａの累積値程度を
上記の△ｔ３の間印加する直流補償電圧で補償するなら
省略しても差し支えない。
【００２８】このように走査信号に直流補償電圧を印加
する区間が与えられることによって走査信号自体の累積
直流電圧がゼロになる。したがって、走査信号とデータ
信号の電位差により液晶にかかる電圧の累積直流電圧も
ゼロとなり、よって液晶を保護するＤＣフリー（ＦＲＥ
Ｅ）を実現することになる。
する区間が与えられることによって走査信号自体の累積
直流電圧がゼロになる。したがって、走査信号とデータ
信号の電位差により液晶にかかる電圧の累積直流電圧も
ゼロとなり、よって液晶を保護するＤＣフリー（ＦＲＥ
Ｅ）を実現することになる。
【００２９】上述した本発明の駆動方法による反強誘電
性液晶の作用に対して、図２および図３をもとに詳しく
説明する。上記の走査信号とデータ信号の電位差によっ
て液晶に印加される電圧が、図２に図示されたように、
ポジティブレベルの選択臨界電圧Ｖ１以上の領域ａ＋ｄ
内で選択される場合、それによって反強誘電性液晶分子
等のティルト角が変化して図１を通して説明したＦ＋相
に相遷移する。すなわち、図３に図示した△ｔ１の間印
加される選択電圧によって反強誘電性液晶はＦ＋相を現
わす。
性液晶の作用に対して、図２および図３をもとに詳しく
説明する。上記の走査信号とデータ信号の電位差によっ
て液晶に印加される電圧が、図２に図示されたように、
ポジティブレベルの選択臨界電圧Ｖ１以上の領域ａ＋ｄ
内で選択される場合、それによって反強誘電性液晶分子
等のティルト角が変化して図１を通して説明したＦ＋相
に相遷移する。すなわち、図３に図示した△ｔ１の間印
加される選択電圧によって反強誘電性液晶はＦ＋相を現
わす。
【００３０】一旦、Ｆ＋相に相遷移した状態では液晶に
与える電圧をポジティブレベルの選択臨界電圧Ｖ１と非
選択臨界電圧Ｖ３の間の領域ｂ＋ｄ内に下げても、前述
したヒステリシス特性によってＦ＋相が維持される。つ
まり、△ｔ２の間印加される維持電圧によって反強誘電
性液晶はＦ＋相を維持するようになる。
与える電圧をポジティブレベルの選択臨界電圧Ｖ１と非
選択臨界電圧Ｖ３の間の領域ｂ＋ｄ内に下げても、前述
したヒステリシス特性によってＦ＋相が維持される。つ
まり、△ｔ２の間印加される維持電圧によって反強誘電
性液晶はＦ＋相を維持するようになる。
【００３１】このように液晶に維持電圧を与え、次に選
択臨界電圧−Ｖ１と非選択臨界電圧−Ｖ３の間の領域ｃ
−ｄ内で選んだネガティブ電圧で直流補償電圧を液晶に
与えると、液晶はＡＦ相に相遷移して単位フレーム内で
の直流補償を実現することになる。
択臨界電圧−Ｖ１と非選択臨界電圧−Ｖ３の間の領域ｃ
−ｄ内で選んだネガティブ電圧で直流補償電圧を液晶に
与えると、液晶はＡＦ相に相遷移して単位フレーム内で
の直流補償を実現することになる。
【００３２】したがって、第１フレームの間Ｆ−相は現
われず、Ｆ＋相とＡＦ相だけが現われてホワイトモード
を表示する事になる。
われず、Ｆ＋相とＡＦ相だけが現われてホワイトモード
を表示する事になる。
【００３３】この時、上記のＦ＋相を維持する△ｔ２の
周期は長くするのが好ましい。ただ、上記△ｔ２の時間
調節を△ｔ３の間印加する直流補償電圧の絶対値が、ネ
ガティブレベルの選択臨界電圧−Ｖ１の絶対値より低い
範囲内で調節する。このように調節すると、Ｆ＋相を現
わす時間を長くすることが出来て表示品質を向上させら
れる。
周期は長くするのが好ましい。ただ、上記△ｔ２の時間
調節を△ｔ３の間印加する直流補償電圧の絶対値が、ネ
ガティブレベルの選択臨界電圧−Ｖ１の絶対値より低い
範囲内で調節する。このように調節すると、Ｆ＋相を現
わす時間を長くすることが出来て表示品質を向上させら
れる。
【００３４】続いて進行される第２フレームでは、デー
タ信号の位相を変化させることにより実際に液晶にかか
る電圧はポジティブレベルでは、選択臨界電圧Ｖ１と非
選択臨界電圧Ｖ３の間の領域ｂ＋ｄ、ネガティブレベル
てでは選択臨界電圧−Ｖ１と非選択臨界電圧−Ｖ３の間
の領域ｃ−ｄになる。したがって、第２フレームの間は
ＡＦ相だけが現われてブラックモードを表示するのであ
る。
タ信号の位相を変化させることにより実際に液晶にかか
る電圧はポジティブレベルでは、選択臨界電圧Ｖ１と非
選択臨界電圧Ｖ３の間の領域ｂ＋ｄ、ネガティブレベル
てでは選択臨界電圧−Ｖ１と非選択臨界電圧−Ｖ３の間
の領域ｃ−ｄになる。したがって、第２フレームの間は
ＡＦ相だけが現われてブラックモードを表示するのであ
る。
【００３５】図４は、本発明を適用した反強誘電性液晶
表示装置の構造を示した層状断面図であり、透過型表示
装置を現わしている。ここで図面符号１０、１０’は絶
縁性基板、２０、２０’は導電性膜、３０、３０’は絶
縁性膜、４０、４０’は配向制御層、５０はシーリング
材、６０は反強誘電性液晶、７０、７０’は偏光板であ
る。
表示装置の構造を示した層状断面図であり、透過型表示
装置を現わしている。ここで図面符号１０、１０’は絶
縁性基板、２０、２０’は導電性膜、３０、３０’は絶
縁性膜、４０、４０’は配向制御層、５０はシーリング
材、６０は反強誘電性液晶、７０、７０’は偏光板であ
る。
【００３６】上記の絶縁性基板１０、１０’は光透過基
板であり、一般的な硝子基板を使用できる。上記の導電
性膜２０、２０’は、電圧印加手段として使用し、これ
は通常Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ−
ＴｈｉｎＯｘｉｄｅ）等の導電性薄膜で出来ている透明
電極であり、所定のパターンで上記の絶縁性基板１０の
上に形成する。
板であり、一般的な硝子基板を使用できる。上記の導電
性膜２０、２０’は、電圧印加手段として使用し、これ
は通常Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ−
ＴｈｉｎＯｘｉｄｅ）等の導電性薄膜で出来ている透明
電極であり、所定のパターンで上記の絶縁性基板１０の
上に形成する。
【００３７】上記の絶縁性膜３０、３０’としては、Ｓ
ｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３のような無機薄膜、およ
びポリアミド、アクリル樹脂、フォトレジスト樹脂、高
分子液晶等の有機薄膜を使用できる。上記の絶縁性膜３
０、３０’を無機薄膜で構成する場合には、真空蒸着工
程、スパッタリング工程、ＣＶＤ工程や溶液コーティン
グ工程によって形成し、有機薄膜で構成する場合には、
有機質を解離させた溶液やその前駆体の溶液をスピンコ
ーティング工程、浸漬塗布工程、スクリーンプリンティ
ング工程と加熱、光照射等の所定の条件により硬化させ
形成する。
ｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３のような無機薄膜、およ
びポリアミド、アクリル樹脂、フォトレジスト樹脂、高
分子液晶等の有機薄膜を使用できる。上記の絶縁性膜３
０、３０’を無機薄膜で構成する場合には、真空蒸着工
程、スパッタリング工程、ＣＶＤ工程や溶液コーティン
グ工程によって形成し、有機薄膜で構成する場合には、
有機質を解離させた溶液やその前駆体の溶液をスピンコ
ーティング工程、浸漬塗布工程、スクリーンプリンティ
ング工程と加熱、光照射等の所定の条件により硬化させ
形成する。
【００３８】上記の配向制御層４０、４０’には無機層
または有機層を使用することが出来る。無機層を使用す
る場合、酸化シリコンの傾斜蒸着で処理したり、回転蒸
着で処理することも出来る。有機配向制御層を使用する
場合は、ナイロン、ポリビニールアルコール、ポリアミ
ド類が使用できる。
または有機層を使用することが出来る。無機層を使用す
る場合、酸化シリコンの傾斜蒸着で処理したり、回転蒸
着で処理することも出来る。有機配向制御層を使用する
場合は、ナイロン、ポリビニールアルコール、ポリアミ
ド類が使用できる。
【００３９】配向制御層４０、４０’は、意図する配向
の高分子液晶やＬＢ膜または磁界動向技術を使うか、ス
ペーサーエッジ方法を使うことによって形成できる。
の高分子液晶やＬＢ膜または磁界動向技術を使うか、ス
ペーサーエッジ方法を使うことによって形成できる。
【００４０】配向制御層４０、４０’は、ＳｉＯ２、Ｓ
ｉＮｘ 等の蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ工程等によ
り形成し、その上にラビング処理する方法も効果的であ
る。
ｉＮｘ 等の蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ工程等によ
り形成し、その上にラビング処理する方法も効果的であ
る。
【００４１】さらに一対に形成された上記の配向制御層
４０、４０’の間に、反強誘電性液晶６０を注入し、反
強誘電性液晶装置を製造した後、上記の二枚の基板１
０、１０’に偏光板７０、７０’を設置する。
４０、４０’の間に、反強誘電性液晶６０を注入し、反
強誘電性液晶装置を製造した後、上記の二枚の基板１
０、１０’に偏光板７０、７０’を設置する。
【００４２】その時、上記の偏光板７０、７０’は、液
晶層の双極子等が図１の（ｃ）のようにＦ＋相を現わす
のに適当な角度で配列されるように形成しなければなら
ない。つまり、図５に図示したように、上部の偏光板７
０は、例えば、その偏光方向がＡＦ相のディレクタ方向
と一致し、下部の偏光板７０’はＦ＋相またはＦ−相に
対して所定角度（θ）程度移動した角度に形成される。
晶層の双極子等が図１の（ｃ）のようにＦ＋相を現わす
のに適当な角度で配列されるように形成しなければなら
ない。つまり、図５に図示したように、上部の偏光板７
０は、例えば、その偏光方向がＡＦ相のディレクタ方向
と一致し、下部の偏光板７０’はＦ＋相またはＦ−相に
対して所定角度（θ）程度移動した角度に形成される。
【００４３】従って、本発明は液晶パネルの法線方向か
ら所定角度傾いた方向から観望する場合には、強誘電相
のＦ−相が現われず、強誘電相のＦ＋相と反強誘電相の
ＡＦ相だけが現われるようになって従来の問題点として
提示されていた視覚上のフリッカ現象が無くなるのであ
る。
ら所定角度傾いた方向から観望する場合には、強誘電相
のＦ−相が現われず、強誘電相のＦ＋相と反強誘電相の
ＡＦ相だけが現われるようになって従来の問題点として
提示されていた視覚上のフリッカ現象が無くなるのであ
る。
【００４４】一方、本発明は特定の好ましい実施例に限
らずに請求項で記載されている技術的権利内では当業界
の通常的な知識によって多様な応用が可能であるのはも
ちろんである。
らずに請求項で記載されている技術的権利内では当業界
の通常的な知識によって多様な応用が可能であるのはも
ちろんである。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、累積直流
電圧が形成されずに、反強誘電性液晶が持つ強誘電相の
Ｆ＋相と反強誘電相のＡＦ相だけで画素を表示すること
により、フレーム周期を減らさなくても画面上に視覚的
に発生するフリッカ現象を除去出来る効果がある。
電圧が形成されずに、反強誘電性液晶が持つ強誘電相の
Ｆ＋相と反強誘電相のＡＦ相だけで画素を表示すること
により、フレーム周期を減らさなくても画面上に視覚的
に発生するフリッカ現象を除去出来る効果がある。
【図１】本発明に関する反強誘電性液晶の相による分子
配置図を示し、(ａ)はＦ−相の分子配置図、(ｂ)はＡＦ
相の分子配置図、(ｃ)はＦ＋相の分子配置図である。
配置図を示し、(ａ)はＦ−相の分子配置図、(ｂ)はＡＦ
相の分子配置図、(ｃ)はＦ＋相の分子配置図である。
【図２】本発明に関する反強誘電性液晶の印加電圧によ
る透過度特性を示す図である。
る透過度特性を示す図である。
【図３】本発明の実施例の駆動信号波形図である。
【図４】本発明を適用した反強誘電性液晶表示装置の層
状断面図である。
状断面図である。
【図５】本発明により具現される偏光板の偏光方向と液
晶相の方向を示す図である。
晶相の方向を示す図である。
１０、１０’ 絶縁性基板 ２０、２０’ 導電性膜 ３０、３０’ 絶縁性膜 ４０、４０’ 方向制御層 ５０ シーリング材 ６０ 反強誘電性液晶 ７０、７０’ 偏光板
Claims (8)
- 【請求項１】 電圧印加手段を有している一対の基板
と、その一対の基板の間に配置されていて、上記の電圧
印加手段によって誘起されるポジティブ電界によってポ
ジティブ強誘電相を、そしてネガティブの電界によって
ネガティブ強誘電相を示し、また無電界時には反強誘電
相を現わす反強誘電性液晶層とを具備した反強誘電性液
晶表示装置において、上記のポジティブ強誘電相とネガ
ティブ強誘電相の中の一つと反強誘電相を利用して画素
の明暗表示を行なうことを特徴とする反強誘電性液晶表
示装置の駆動方法。 - 【請求項２】 上記のポジティブ強誘電相とネガティブ
強誘電相のどちらか一方を作るために印加する駆動信号
は、上記の反強誘電性液晶層にかかる累積直流電圧を単
位フレーム内でゼロになるようにすることを特徴とする
請求項１に記載の反強誘電性液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項３】 上記の反強誘電性液晶にかかる駆動電圧
は、選択臨界電圧の絶対値以上の選択電圧と、上記の選
択臨界電圧の絶対値より低く非選択臨界電圧の絶対値よ
り高い領域内の維持電圧と、上記の維持電圧と反対電位
であり、上記の選択臨界電圧の絶対値より低い直流補償
電圧を相互に組み合わせることを特徴とする請求項１に
記載の反強誘電性液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項４】 上記の選択電圧と維持電圧および直流補
償電圧を組み合わせた駆動電圧を単位フレームの間印加
することを特徴とする請求項３に記載の反強誘電性液晶
表示装置の駆動方法。 - 【請求項５】 上記の直流補償電圧は、単位フレーム内
における実効値の絶対値が上記の選択電圧と維持電圧を
合わせた実効値の絶対値と同一であることを特徴とする
請求項３に記載の反強誘電性液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項６】 上記の反強誘電性液晶にかかる駆動電圧
は、単位フレーム当たり、上記の選択臨界電圧より絶対
値が小さくない領域でネガティブレベルとポジティブレ
ベルの選択電圧を順に印加した後、上記の選択臨界電圧
より低く、上記の非選択臨界電圧より高い領域内でポジ
ティブレベルに維持電圧を印加した後、上記の選択臨界
電圧に至る前の領域内でネガティブレベルに直流補償電
圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の反強誘
電性液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項７】 単位フレーム内で最初に印加する上記ネ
ガティブレベルの選択電圧を省略することを特徴とする
請求項６に記載の反強誘電性液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項８】 上記の直流補償電圧は、単位フレーム内
の実効値の絶対値が上記の選択電圧と維持電圧を合わせ
た実効値の絶対値と同じであることを特徴とする請求項
７に記載の反強誘電性液晶表示装置の駆動方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980021236A KR20000001145A (ko) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | 반강유전성 액정표시장치의 구동방법 |
| KR21236 | 1998-06-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000029000A true JP2000029000A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=19538706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11113291A Pending JP2000029000A (ja) | 1998-06-09 | 1999-04-21 | 反強誘電性液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6329972B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000029000A (ja) |
| KR (1) | KR20000001145A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685921B1 (ko) * | 2001-10-13 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 강유전성 액정표시소자의 구동방법 |
| KR101048700B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2011-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 구동방법 |
| CN100351877C (zh) * | 2005-04-21 | 2007-11-28 | 西安交通大学 | 铁电平板显示器的驱动方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2826744B2 (ja) * | 1989-03-02 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3183537B2 (ja) * | 1990-09-06 | 2001-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学素子の駆動方法 |
| US5631752A (en) * | 1992-12-24 | 1997-05-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Antiferroelectric liquid crystal display element exhibiting a precursor tilt phenomenon |
| JPH07152017A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Sony Corp | 液晶素子の駆動方法及びその液晶素子 |
| KR100254648B1 (ko) * | 1994-01-26 | 2000-05-01 | 보러 롤란드 | 디에이치에프형 액정 셀을 위한 기동 방법 |
| EP0681201A3 (en) * | 1994-05-02 | 1996-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Spatial light modulator and liquid crystal display device. |
| US6008787A (en) * | 1995-04-07 | 1999-12-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Antiferrolectric liquid crystal panel and method for driving same |
| WO1996034311A1 (fr) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede et appareil de commande d'un afficheur a cristaux liquides antiferroelectriques |
| EP0770898A4 (en) * | 1995-05-11 | 1998-08-05 | Citizen Watch Co Ltd | METHOD FOR CONTROLLING AN ANTIFERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND APPARATUS APPARATUS FOR IT |
| US6151090A (en) * | 1995-05-31 | 2000-11-21 | Casio Computer Co., Ltd. | LCD using liquid crystal of ferroelectric and/or antiferroelectric phase having pretilt angle of 1 degree or less |
| US5973659A (en) * | 1995-06-07 | 1999-10-26 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of driving antiferroelectric liquid crystal display |
| US5623351A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Antiferroelectric liquid crystal panel capable of displaying images without flickering |
| WO1997011403A1 (fr) * | 1995-09-18 | 1997-03-27 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| JPH10105085A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Toshiba Corp | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| GB2320103A (en) * | 1996-12-05 | 1998-06-10 | Sharp Kk | Liquid crystal devices |
| US6133896A (en) * | 1997-02-07 | 2000-10-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Antiferroelectric liquid crystal cell |
| JP4073514B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2008-04-09 | シチズンホールディングス株式会社 | 液晶ディスプレイ |
| US6175401B1 (en) * | 1997-05-02 | 2001-01-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a liquid crystal layer which contains liquid crystal molecules in a plurality of alignment state and method for driving the same |
| US6139927A (en) * | 1997-09-18 | 2000-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
-
1998
- 1998-06-09 KR KR1019980021236A patent/KR20000001145A/ko not_active Application Discontinuation
-
1999
- 1999-04-15 US US09/292,517 patent/US6329972B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-21 JP JP11113291A patent/JP2000029000A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000001145A (ko) | 2000-01-15 |
| US6329972B1 (en) | 2001-12-11 |
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