JPH10105085A - 液晶表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその駆動方法

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JPH10105085A
JPH10105085A JP8259860A JP25986096A JPH10105085A JP H10105085 A JPH10105085 A JP H10105085A JP 8259860 A JP8259860 A JP 8259860A JP 25986096 A JP25986096 A JP 25986096A JP H10105085 A JPH10105085 A JP H10105085A
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pixel electrode
display
reflectance
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Hisao Fujiwara
久男 藤原
Haruhiko Okumura
治彦 奥村
Hitoshi Kobayashi
等 小林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 書き換え時間の短縮化、消費電力の低減、表
示の高品質化が可能な液晶表示装置及びその駆動方法を
提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素電
極と、画素電極に対向する対向電極と、画素電極と対向
電極との間に挟持され、液晶のねじれの法線方向がそろ
った第１の状態、液晶のねじれの法線方向がランダムに
向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解けた第３の状
態のなかの少なくとも二つの状態を呈し、印加電圧に対
する反射率又は透過率の特性がヒステリシス特性を呈す
る液晶層１と、画素電極への表示信号の書き込みと保持
とを制御するスイッチング素子３とを有し、スイッチン
グ素子３を介して画素電極への表示信号の書き込みを行
った後に、画素電極と対向電極との間の電位差がゼロ又
はゼロ近傍となるように操作する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その駆動方法、特に液晶材料としてコレステリック液晶
等のヒステリシス特性を有するものを用いた液晶表示装
置及びその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術として、ポリマーをコレステリ
ック液晶に分散させ表示状態を安定化させた液晶材料
（Polymer Stabilized Cholestric Textur : PSCT ）を
用いたセルで単純マトリクス駆動を行い、メモリー表示
を行った場合を例に説明する（参考文献：M.Pfeiffer e
t al "A High-Information-Content Refrective Choles
tric Display" SID '95 Digest p.706-p.709）。
【０００３】図１５は、上記ＰＳＣＴについてパルス電
圧を液晶セルに印加した後の光反射強度を示したもので
ある。
【０００４】プレーナ（planar：Ｐ）状態では、コレス
テリック液晶分子がドメインを形成しており、各ドメイ
ンのねじれの法線方向が揃った構造となっている。この
プレーナ状態では、液晶分子のねじれのピッチで決定さ
れる特定波長が反射されて高い反射率を示す。フォーカ
ルコニック（focalconic：ｆｃ）状態では、コレステリ
ック液晶のねじれの法線方向がランダムであり、液晶パ
ネルに入射した光は散乱して光反射強度は弱くなる。図
１５からわかるように、印加電圧が低い領域において、
これらのプレーナ状態及びフォーカルコニック状態はい
ずれも存在可能である。これは、外部からの電界なしに
液晶分子が二つの安定状態を取り得ることを示してお
り、液晶自身がメモリー性を有し、このメモリー性によ
って表示が可能であることを示している。
【０００５】図１５において、電圧０からＶ1 までは、
電圧パルスを印加する前の初期状態が変化しない不感電
圧領域である。電圧Ｖ1 からＶ2 までは、初期状態がＰ
状態であったものがｆｃ状態に変化するまでの中間電圧
領域であり、Ｐ状態を示す液晶分子とｆｃ状態を示す液
晶分子とがセル構造や印加電圧によってある確率で分布
している。電圧Ｖ2 からＶ3 までは、初期状態によらず
ｆｃ状態を示す領域である。電圧Ｖ4 以上のホメオトロ
ピック（homeotoropic：Ｈ）状態では、液晶の螺旋構造
が解けた構造となり、Ｖ4 以上のパルス電圧を印加した
後はＰ状態にもどって光反射強度が強くなる。電圧Ｖ3
からＶ4 までは、電圧Ｖ1 からＶ2 までの状態と同様、
Ｐ状態とｆｃ状態とが混在する中間電圧領域である。
【０００６】つぎに、上記ＰＳＣＴを用いた液晶パネル
を単純マトリクス駆動する場合について、図１６に示し
た波形図及び図１７に示した回路ブロック図を参照して
説明する。
【０００７】図１６の信号Ｒｖは図１７のＹドライバー
２４から液晶層に印加される信号であり、信号ＳｖはＸ
Ｕドライバー２５ａ又はＸＤドライバー２５ｂから液晶
層に印加される信号である。また、走査線２２と信号線
２３との交点にある液晶層２１によって一つの画素が構
成され、この液晶層２１に印加される画素電圧は図１６
のＶpix となっている。すなわち、信号Ｒｖはマトリク
ス状に配置された表示画素を走査するために行方向に印
加される走査信号の波形であり、信号Ｓｖは走査信号が
印加されている画素をＰ状態（セレクト状態）にするか
ｆｃ状態（ノンセレクト状態）にするかを決めるために
表示画素の列方向に印加される表示信号の波形である。
走査されない画素に対しては走査信号は０となってい
る。
【０００８】セレクト信号とノンセレクト信号との位相
は１８０度ずれており、セレクトつまりメモリー状態で
の表示状態をＰに移行させる場合にはＲｖとＳｖとが逆
相になるように、ノンセレクトつまりメモリー状態での
表示状態をｆｃに移行させる場合にはＲｖとＳｖとが同
相になるように、表示信号Ｓｖが印加される。走査信号
と表示信号との信号電圧の関係は、表示信号電圧をＶco
l 、走査信号電圧をＶrow とすると、 （Ｖ4 −Ｖ3 ）＜Ｖcol ＜Ｖ1 Ｖ3 −（Ｖ4 −Ｖ3 ）＜Ｖrow ＜Ｖ3 （２Ｖ3 −Ｖ4 ）＜Ｖrow ＜Ｖ3 が満たされればよい。この場合、セレクトされる画素の
電位はＶ4 以上となり、ノンセレクトの画素の電位はＶ
2 以上Ｖ3 未満となる。したがって、初期状態がＰであ
ってもｆｃであっても、上記の条件で駆動を行うことに
より、セレクトされた画素はＨを経てＰに遷移してメモ
リー状態（電圧０〜Ｖ1 の領域）となり、ノンセレクト
の画素は電圧を印加された状態でのｆｃ（電圧Ｖ2 〜Ｖ
3 の領域）からメモリー状態でのｆｃ（電圧０〜Ｖ1 の
領域）に遷移してメモリー状態となる。ここで注目すべ
きことは、初期状態がｆｃであったものをＰへと遷移さ
せるためには、必ずＨを経由しなければならないという
点である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のように単純マト
リクス駆動で表示を行った場合、以下に示すような問題
点がある。
【００１０】第１に、書き換え時間が長いという問題が
ある。ＰＳＣＴを用いた場合、Ｐからｆｃ或いはＨから
Ｐへ遷移する応答時間は、短くても数ｍｓ程度の時間を
要する。したがって、例えば走査線が１０００本程度あ
る場合には、全画面の書き換えに少なくとも数秒程度の
時間を費やすことになる。この問題は、単純マトリクス
構成の液晶表示装置を線順次に駆動することに大きな原
因がある。例えば、初期状態がＰ又はｆｃでつぎの状態
をＰにする場合、一旦初期状態からＨへ遷移させた後に
再度Ｐへ遷移させる。したがって、Ｖ4 以上の電圧を印
加してＨへ遷移させるための時間をおいた後、再度Ｐへ
遷移させるための時間を確保する必要があり、このこと
によって多くの時間を費やすことになる。
【００１１】第２に、消費電力が大きいという問題があ
る。Ｐへ遷移させるための最終電圧０以前に必ずＨへ遷
移させるためのＶ4 以上の電圧を印加する必要があり、
そのため信号線を電圧Ｖcol で充放電する必要がある。
すなわち、倍化した周波数で信号線を充放電することに
なり、周波数が倍化したことによって消費電力も倍化
し、消費電力の増大につながることになる。
【００１２】第３に、高品質の表示が得にくいという問
題がある。コレステリック液晶を用いた液晶表示装置で
は、螺旋構造が解けたＨ状態が最も光透過率が高い状態
であり、液晶層の下側に光吸収層を設ければｆｃ状態よ
りも光吸収率が高くなる。しかしながら、単純マトリク
ス駆動を行った場合にはこのＨ状態を維持することがで
きないため、高光吸収状態を実現することができない。
したがって、ＰとＨとによる高コントラストの表示を行
うことができず、高品質の表示が得にくいことになる。
【００１３】本発明の目的は、書き換え時間の短縮化、
消費電力の低減、表示の高品質化がが可能な液晶表示装
置及びその駆動方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明における液晶表示
装置は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前
記対向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法線方向
がそろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向がラン
ダムに向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解けた第
３の状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて光の反
射率又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射率又は
透過率の特性がヒステリシス特性を呈する液晶層と、前
記画素電極への表示信号の書き込みと保持とを制御する
制御手段と、この制御手段を介して前記画素電極への表
示信号の書き込みを行った後に、前記画素電極と前記対
向電極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍となるように
操作する操作手段とを有することを特徴とする。
【００１５】本発明における液晶表示装置の駆動方法
は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、この
画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対
向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法線方向がそ
ろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向がランダム
に向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解けた第３の
状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて光の反射率
又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射率又は透過
率の特性がヒステリシス特性を有する液晶層と、前記画
素電極への表示信号の書き込みと保持とを制御する制御
手段とを有し、前記制御手段を介して前記画素電極へ表
示信号の書き込みを行う過程と、この過程が終了した後
に前記画素電極と前記対向電極との間の電位差がゼロ又
はゼロ近傍となるように操作する過程とによって駆動を
行うことを特徴とする。
【００１６】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法によれば、制御手段を介して画素電極へ表示信号の
書き込みが行なわれ、書き込まれた表示信号の電圧が保
持される。したがって、保持された電圧によって液晶を
応答させればよいので、液晶の応答速度が遅くても高速
の書き込みを行うことができ、書き換え時間の短縮化を
はかることができる。また、液晶層がヒステリシス特性
を有しているため、画素電極への表示信号の書き込みを
行った後に、画素電極と対向電極との間の電位差がゼロ
又はゼロ近傍となるように操作することにより、液晶を
メモリ状態にして表示を行うことができる。したがっ
て、このメモリ状態を維持することにより、書き換え回
数が低減され、消費電力の低減をはかることができる。
さらに、アクテブマトリクス駆動によって表示を行って
いる場合には、高品質の表示を得ることができる。
【００１７】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、液晶層には例えばコレステリック相を呈
する液晶材料を用いることができ、液晶のねじれの法線
方向がそろった第１の状態にはプレーナ状態が対応し、
液晶のねじれの法線方向がランダムに向いた第２の状態
にはフォーカルコニック状態が対応し、液晶の螺旋構造
が解けた第３の状態にはホメオトロピック状態が対応す
る（後述する液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法
においても同様）。この場合、表示信号を画素電極に書
き込んだ後、画素電極と対向電極との間の電位差がゼロ
又はゼロ近傍となるように操作することにより、液晶層
がプレーナ状態（反射状態）又はフォーカルコニック状
態（散乱状態）に保持される。
【００１８】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、前記画素電極と対向電極との間の電位差
をゼロ又はゼロ近傍となるようにする操作は、液晶表示
装置を構成する要素のリーク電流によって行うことがで
きる。液晶表示装置を構成する要素としては、液晶層、
画素電極への信号の書き込みと保持とを制御する手段、
液晶セルを構成する材料や回路構成、液晶表示装置を構
成する回路等をあげることができる。
【００１９】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、前記画素電極と対向電極との間の電位差
がゼロ又はゼロ近傍となるようにする操作は、液晶表示
装置に入力される表示信号が一定期間以上変化しない場
合に行うようにすることが好ましい。
【００２０】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、前記画素電極と対向電極との間の電位差
がゼロ又はゼロ近傍となるようにする操作は、画素電極
へ表示信号の書き込みを行った後に、保持特性を液晶層
のパルス応答時間よりも遅い時間で徐々に低下させる
か、又は前記制御手段の導通特性に移行させることによ
って行うことができる。
【００２１】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、前記画素電極と対向電極との間の電位差
がゼロ又はゼロ近傍となるようにする操作は、制御手段
を介して画素電極に表示信号の供給を行う供給手段を設
け、画素電極への表示信号の書き込みが終了した後に、
供給手段が液晶層のパルス応答時間よりも遅い時間で徐
々に対向電極の電位に近付く電位を出力するか、又は供
給手段の出力を低インピーダンス状態にすることによっ
て行うことができる。
【００２２】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、液晶表示装置に入力される表示信号が１
フレーム以上の期間変化しない場合には、制御手段を休
止状態にしてメモリ状態の表示を行い、表示信号が更新
された場合には、更新された時点を例えば垂直ブランキ
ング期間の開始時点とし、更新された表示信号の書き込
みを行うようにすることができる。
【００２３】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、制御手段を休止状態にしてメモリ状態の
表示を行い、表示信号が更新されたときに新たな表示信
号を書き込む場合、液晶層を前記第１、第２或いは第３
の状態にしてから（液晶層にコレステリック層を呈する
液晶を用いた場合には、表示画面を反射、散乱或いは透
過の状態にしてから）新たな表示を行うようにしてもよ
い。
【００２４】また、本発明における液晶表示装置は、マ
トリクス状に配置された複数の画素電極と、この画素電
極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極
との間に挟持され、液晶のねじれの法線方向がそろった
第１の状態、液晶のねじれの法線方向がランダムに向い
た第２の状態及び液晶の螺旋構造が解けた第３の状態の
なかの少なくとも二つの状態に応じて光の反射率又は透
過率が変化し、印加電圧に対する反射率又は透過率の特
性がヒステリシス特性を呈する液晶層と、前記画素電極
への表示信号の書き込みと保持とを制御する制御手段と
を有し、この制御手段を介して前記画素電極へ表示信号
を書き込むことにより、前記液晶層を前記第１の状態、
第２の状態又は第３の状態のなかの少なくとも二つの状
態又はこれらの中間状態に固定して表示を行うことを特
徴とする。
【００２５】上記液晶表示装置によれば、アクテブマト
リクス駆動によって表示を行うことになるとともに、画
素電極へ液晶層を第１の状態、第２の状態又は第３の状
態のなかの少なくとも二つの状態又はこれらの中間状態
にする表示信号を書き込むので、階調表示が可能な高品
質の表示を得ることができる。また、制御手段を介して
画素電極へ表示信号の書き込みが行なわれ、書き込まれ
た表示信号の電圧が保持される。したがって、保持され
た電圧によって液晶を応答させればよいので、液晶の応
答速度が遅くても高速の書き込みを行うことができ、書
き換え時間の短縮化をはかることができる。
【００２６】上記液晶表示装置において、画素電極に書
き込む表示信号の極性を制御手段を介して画素電極へ表
示信号の書き込みを行う期間内で正負異ならせることに
より、液晶層に両極性が平均的に印加されるようにする
ことができる。
【００２７】上記液晶表示装置において、新たな表示信
号を画素電極に書き込む場合、まず液晶層を前記第３の
状態にする電圧を印加し、続いて新たな表示信号を書き
込むようにする。
【００２８】また、本発明における液晶表示装置は、マ
トリクス状に配置された複数の画素電極と、この画素電
極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極
との間に挟持され、液晶のねじれの法線方向がそろった
第１の状態、液晶のねじれの法線方向がランダムに向い
た第２の状態及び液晶の螺旋構造が解けた第３の状態の
なかの少なくとも二つの状態に応じて光の反射率又は透
過率が変化し、印加電圧に対する反射率又は透過率の特
性がヒステリシス特性を呈する液晶層と、前記画素電極
への表示信号の書き込みと保持とを制御する制御手段
と、この制御手段を介して前記画素電極へ前記液晶層を
前記第１の状態、第２の状態又は第３の状態のなかの少
なくとも二つの状態又はこれらの中間状態にする表示信
号の書き込みを行った後に、前記画素電極と前記対向電
極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍となるように操作
する操作手段とを有することを特徴とする。
【００２９】また、本発明における液晶表示装置の駆動
方法は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前
記対向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法線方向
がそろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向がラン
ダムに向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解けた第
３の状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて光の反
射率又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射率又は
透過率の特性がヒステリシス特性を有する液晶層と、前
記画素電極への表示信号の書き込みと保持とを制御する
制御手段とを有し、前記制御手段を介して前記画素電極
へ前記液晶層を前記第１の状態、第２の状態又は第３の
状態のなかの少なくとも二つの状態又はこれらの中間状
態にする表示信号の書き込みを行う過程と、この過程が
終了した後に前記画素電極と前記対向電極との間の電位
差がゼロ又はゼロ近傍となるように操作する過程とによ
って駆動を行うをことを特徴とする。
【００３０】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法によれば、画素電極へ液晶層を第１の状態、第２の
状態又は第３の状態のなかの少なくとも二つの状態又は
これらの中間状態にする表示信号を書き込むので、階調
表示が可能な高品質の表示を得ることができる。また、
制御手段を介して画素電極へ表示信号の書き込みが行な
われ、書き込まれた表示信号の電圧が保持される。した
がって、保持された電圧によって液晶を応答させればよ
いので、液晶の応答速度が遅くても高速の書き込みを行
うことができ、書き換え時間の短縮化をはかることがで
きる。また、液晶層がヒステリシス特性を有しているた
め、画素電極への表示信号の書き込みを行った後に、画
素電極と対向電極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍と
なるように操作することにより、液晶をメモリ状態にし
て表示を行うことができる。したがって、このメモリ状
態を維持することにより、書き換え回数が低減され、消
費電力の低減をはかることができる。
【００３１】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、複数のフレームにわたって同一階調の表
示を行う場合、前記画素電極と対向電極との間の電位差
がゼロ又はゼロ近傍となるようにする操作を行うことに
より、フレーム毎に表示信号を画素電極に書き込むこと
が不要となる。
【００３２】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、画素電極に書き込む表示信号の極性を、
表示をメモリ状態にする前と後とで異ならせる、又は制
御手段を介して画素電極へ表示信号の書き込みを行う期
間内で異ならせることにより、液晶層に両極性が平均的
に印加されるようにすることができる。
【００３３】上記液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動
方法において、新たな表示信号を画素電極に書き込む場
合、まず液晶層を前記第３の状態にする電圧を印加し、
続いて新たな表示信号を書き込み、その後画素電極と対
向電極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍となるように
操作する。
【００３４】
【発明の実施の形態】まず、本発明の第１実施形態につ
いて説明する。
【００３５】図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置
の構成を示した図である。１はコレステリック相を呈す
る液晶材料を用いた液晶層であり、ここではＰＳＣＴを
用いるものとする。２は保持容量、３はＴＦＴを用いた
スイッチング素子（制御手段）である。ＴＦＴ３のドレ
インには図示しない画素電極が接続されている。４は行
方向に配列された各ＴＦＴ３の各ゲートを接続する走査
線、５ａ及び５ｂは列方向に配列された各ＴＦＴ３の各
ソースを接続する信号線、６は液晶層１にコモン信号Ｖ
vom （通常は接地電位）を供給するコモン線であり、図
示しない対向電極駆動回路からコモン信号が供給されて
いる。７は走査線４に走査信号を供給するＹドライバー
（走査線ドライバー）、８ａ及び８ｂは信号線５ａ及び
５ｂに表示信号を供給するＸＵドライバー及びＸＤドラ
イバー（信号線ドライバー）である。９は蓄積容量２に
電荷保持用電位を供給する信号線であり、この信号線に
消去信号を印加することにより表示画面を初期化するこ
とができる。なお、いうまでもないが、通常のアクティ
ブマトリクス型の液晶パネルと同様、蓄積容量２、ＴＦ
Ｔ３、走査線４、信号線５ａ及び５ｂは一方の基板上に
形成され、対向電極は他方の基板上に形成され、両基板
間に液晶が挟持されて液晶層１が構成される。
【００３６】以下、図１等を参照して、本実施形態の動
作等を説明する。
【００３７】図２は、図１に示したＹドライバー７から
の出力電圧波形Ｖy 、ＸＵドライバー８ａ及びＸＤドラ
イバー８ｂからの出力電圧波形Ｖx 、及び画素電極と対
向電極との間の液晶層１に印加される電圧波形Ｖpix を
示したものである。また、ＴF は１フレーム期間、Ｔw
は画素電極への書き込み期間（走査期間）、ＴH は表示
信号の保持期間を示している。図３は、液晶層１に印加
される電圧に対する反射率の関係を示したものである。
【００３８】従来技術で示したような単純マトリクス駆
動を行った場合にはホメオトロピック相（ＨＳ）での表
示を行うことはできなかったが、本実施形態のようにア
クティブマトリクス駆動を行うことにより、液晶層１に
表示信号の電圧を印加し続けることが可能であるため、
ＨＳの光透過状態を利用した表示を行うことが可能とな
る。すなわち、液晶層１の下側に光吸収層を設けること
により、フォーカルコニック相（ｆｃ）よりも光反射率
の低い、つまり黒表示の浮きが抑えられた表示を行うこ
とが可能となる。ｆｃよりもＨＳの方が光反射率が低く
なる現象はコレステリック液晶の動作に起因するもので
あり、コレステリック液晶の特徴である。すなわち、ｆ
ｃ状態では、入射光が散乱して、この散乱光が入射側に
も戻ってくるため、完全な黒表示を行うことができな
い。一方、ＨＳ状態では、液晶分子が完全に電界の方向
にそろっているので、入射光は散乱せずにほとんど透過
し、透過光を光吸収層で吸収させることによって、散乱
光のない黒表示を行うことができる。このように、アク
ティブマトリクス駆動を行ってＨＳ状態での黒表示を行
うことにより、コントラストの高い表示を行うことがで
きる。
【００３９】また、アクティブマトリクス駆動を行った
場合には、駆動時間の短縮化をはかることもできる。図
１に示すように、各画素電極には液晶層１と並列に保持
容量２が接続されており、図２の書き込み期間（走査期
間）Ｔw 内に液晶が応答できなくても、書き込み期間Ｔ
w 内に表示信号を蓄積容量２に書き込むことができれ
ば、蓄積容量２に保持された表示信号によって液晶層１
を駆動することができる。このように液晶層１の応答時
間よりも短い書き込み時間Ｔw で表示信号の書き込みを
行うことができ、単純マトリクス駆動に比べて書き換え
時間を大幅に短縮することができる。例えば、液晶パネ
ルの走査線数を１０００本、液晶の応答時間を３ｍｓ、
ＴＦＴ３を通して液晶層１及び蓄積容量２を充電するた
めの書き込み時間Ｔw を１００μｓとすると、１画面の
書き換えに対して、単純マトリクス駆動の場合には３秒
の書き換え時間を要するが、アクティブマトリクス駆動
の場合には０．１秒の書き換え時間ですむ。このよう
に、アクティブマトリクス駆動を行うことによって書き
換え時間の大幅な短縮化をはかることができ、ユーザー
の待ち時間が短縮された快適なユーザーインターフェー
スを実現することができる。
【００４０】以上の説明は表示画面を１フレーム周期毎
に書き換える場合を前提としたものであったが、コレス
テリック液晶はメモリー性を有しているため、１フレー
ム毎に表示が変化しないような場合には、このメモリー
性を利用して書き換え回数を削減することができる。以
下、このメモリー性を利用して表示を行う場合について
説明する。
【００４１】表示が常に変化しているような場合にはす
でに説明したアクティブマトリクス駆動が行われるが、
表示が変化しない場合にはメモリーモードへと移行す
る。このメモリーモードは、Ｙドライバー７の動作を止
めることで実現される。具体的には、Ｙドライバー７に
入力されているスタート信号ＳＴＶ及びクロック信号Ｃ
ＰＶを停止することにより、Ｙドライバー７の動作を止
めることができる。これは、アクティブマトリクス駆動
において保持期間ＴH が長時間続いた場合に相当する。
通常のアクティブマトリクス駆動においても保持期間Ｔ
H ではＴＦＴ３のリーク電流等によって保持電圧が低下
（図２のＶLEAK）するが、メモリーモードではこの保持
期間ＴH が大幅に長くなったものと考えれば、このＶLE
AKが非常に大きくなり、最終的には液晶層に印加される
電圧がゼロとなる。したがって、このようにＹドライバ
ー７の動作を止めるだけで、例えばＴＦＴのリーク電流
等液晶パネル自体のリーク電流により、簡単にメモリー
モードへと移行することができる。
【００４２】通常のアクティブマトリクス用のパネルで
は、ＶLEAKが小さくなるように設計されているため、パ
ネルの保持特性によっては１秒以上もの期間にわたって
液晶層３に表示信号の電圧が印加され続ける場合もあ
る。液晶材料の信頼性を考慮した場合、このような長期
間にわたって一極性の電圧が液晶層１に印加され続ける
ことは好ましくない。したがって、このような観点から
は液晶パネルでのリーク電流がある程度大きい方が好ま
しい。そこで、メモリーモードにおいてＴＦＴ３のリー
ク電流を積極的に大きくして、液晶層１に印加される電
圧を速やかにゼロにすることが考えられる。以下、この
ような状態を得るための具体的な方法について説明す
る。
【００４３】図４は、メモリーモードにおいてＴＦＴ３
のリーク電流を大きくするためのＹドライバー７の構成
例を示したものである。ＳＲはシフトレジスタ、ＬＳは
レベルシフタ、ＢＦはバッファである。このＹドライバ
ー７は、通常のＹドライバーに対して、レベルシフタＬ
Ｓに入力する電圧をＶgoffN 又はＶgoffM に切り換える
選択回路ＳＬを付加したものである。この選択回路ＳＬ
は、通常のアクティブマトリクス駆動の場合にはＶgoff
N を選択し、メモリーモードではＶgoffM を選択する。
この場合、表示信号の電圧をＶsig とすると、 ｜Ｖsig −ＶgoffN ｜＞｜Ｖsig −ＶgoffM ｜ となるように設定しておき、メモリーモードではＴＦＴ
３の保持期間におけるリーク電流がアクティブマトリク
ス駆動の場合よりも大きくなるようにする。
【００４４】図５は、一般的なＴＦＴのゲート・ソース
間電圧Ｖgsとドレイン電流Ｉd との関係を示したもので
ある。アクティブマトリクス駆動の場合には、保持期間
におけるドレイン電流Ｉd が最小となるゲート・ソース
間電圧ＶgsすなわちＶgoffNを用い、メモリーモードに
移行する場合には保持期間におけるドレイン電流Ｉdが
アクティブマトリクス駆動の場合よりも大きくなるよう
なゲート・ソース間電圧ＶgsすなわちＶgoffM を用い
る。ただし、あまり電圧ＶgoffM を大きくするとＴＦＴ
が導通状態となり、大きなドレイン電流Ｉd が流れて画
素電極の電位が急激に低下してしまう。このように画素
電極の電位が急激にゼロになると、コレステリック液晶
がホメオトロピック相（ＨＳ）である場合には、フォー
カルコニック相（ｆｃ）とはならずにプレーナ相（Ｐ）
へと相転移してしまい、黒表示状態を維持できなくなっ
てしまう。したがって、液晶の応答時間をｔlcとし、メ
モリーモードに移行する場合のドレイン電流（リーク電
流）による画素電位の低下する時間をｔmempとすると、 ｔlc＜ｔmemp の関係が成り立つようにドレイン電流の値すなわちこの
ドレイン電流に対応するＶgoffM の値を設定する必要が
ある。この場合には、液晶層に印加される電圧が徐々に
低下するため、ホメオトロピック相（ＨＳ）からフォー
カルコニック相（ｆｃ）へと相転移することができ、ア
クティブマトリクス駆動におけるホメオトロピック相
（ＨＳ）の黒表示状態が、メモリーモードにおけるフォ
ーカルコニック相（ｆｃ）の黒表示へと移行し、黒表示
を維持することができる。
【００４５】メモリーモードへ移行する場合のＴＦＴ３
のドレイン電流は、画素電極から信号線へと流れるわけ
であるから、信号線或いは信号線ドライバーが低インピ
ーダンス状態になっている必要がある。低インピーダン
ス状態になっていないと、画素電位が低下するにしたが
って信号線側の電位が高くるため、画素電位がゼロにな
らない時点でソース・ドレイン間の電位差が小さくな
り、十分なドレイン電流が流れなくなってしまう。その
結果、画素電位をゼロにするまでの時間が長くなり、液
晶材料の信頼性を低下させてしまうことになる。この問
題を回避するためには、メモリーモードへ移行する場合
に信号線ドライバーの出力を低インピーダンス状態にす
ればよい。
【００４６】図６は、このような状態を得るための信号
線ドライバー（図１のＸＵドライバー８ａ及びＸＤドラ
イバー８ｂ）の構成例を示したものである。通常のアク
ティブマトリクス駆動の場合には、表示データＤＡＴに
応じた電圧がレベルシフターＬＳから出力され、出力バ
ッファＢＦ及びスイッチＳＷを通して信号線に供給され
る。一方、メモリーモードへ移行する場合には、スイッ
チＳＷは出力バッファＢＦではなくメモリーモード電圧
源を選択する。通常このメモリーモード電圧源の電位Ｖ
mem は対向電極の電位（通常は接地電位）に設定され
る。すなわち、メモリーモードへ移行する場合には、信
号線ドライバーの出力は低インピーダンスの接地状態と
なり、適正な時間で画素電位をゼロにすることができ
る。
【００４７】以上の説明はアクティブマトリクス駆動か
らメモリーモードへ移行する場合についてであったが、
つぎにメモリーモードからアクティブマトリクス駆動へ
もどる場合について説明する。アクティブマトリクス駆
動を行っている場合には、表示画面を走査するための同
期信号に基づいて表示が行われるが、メモリーモードで
はドライバーの動作が止まっており、同期信号は表示に
無関係となる。したがって、アクティブマトリクス駆動
へもどる場合、メモリモードに移行する前の同期信号の
タイミングにとらわれず、新たな同期信号のタイミング
によって表示を行うようにすることができる。
【００４８】図７は、メモリモードで同期信号を止めて
アクティブマトリクス駆動へもどる際に新たな同期信号
のタイミングによって表示を行う場合（同図（ｃ）及び
（ｄ））を、そうでない場合すなわちメモリモードでも
同期信号を止めないで表示を行う場合（同図（ａ）及び
（ｂ））と対比して示したものである。メモリーモード
で同期信号を止める場合には、システム側で表示信号の
書き換えが生じた時点を同期信号の垂直ブランキング期
間の最初として新たに設定し、アクティブマトリクス駆
動へともどる。これに対して、メモリーモードで同期信
号を止めない場合には、システム側で表示信号の書き換
えが生じた時点のフレームのつぎのフレームから表示画
面の更新を行うことになり、その分書き換えの開始が遅
れることになる。このように、メモリモードで同期信号
を止めてアクティブマトリクス駆動へもどる際に新たな
同期信号のタイミングによって表示を行う場合には、そ
うでない場合に比べて書き換えを早めることができ、書
き換え時間の短い快適な使用環境をユーザーに提供する
ことができる。
【００４９】ところで、液晶パネルが高精細である場
合、当然走査線数も多くなり、一画面の書き換えに対し
てもある程度の時間が必要になる。例えば、走査線数を
１０００本、書き込み時間を１００μｓとした場合、一
画面の書き換えには０．１ｓｅｃの時間が必要となる。
したがって、この０．１ｓｅｃの期間において書き換え
前と書き換え後の表示画像が一画面内に同時に表示され
る場合がある。
【００５０】このような問題に対しても、メモリーモー
ドで同期信号を止めて、システム側で表示信号の書き換
えが生じた時点を同期信号の垂直ブランキング期間の最
初として新たに設定し、アクティブマトリクス駆動にも
どるという方法が有効である。同期信号の新規作成が垂
直ブランキング期間の開始点からであるため、実際に表
示データを書き込むまでにブランキング期間分の余裕が
ある。通常フレーム周期の１０％程度が垂直ブランキン
グ期間となっており、前述の例では垂直ブランキング期
間は１０ｍｓ程度となる。したがって、液晶の応答時間
を３ｍｓ程度とした場合、液晶を一旦ＨＳ相に転移させ
た後、再度Ｐ相に転移させることにより、書き換え前の
画面を消去することができ、書き換え前後の表示画像が
一画面内に同時に表示されることを防止することができ
る。
【００５１】上記のような全画面の一括消去は、図１に
示した消去信号線９に消去信号Ｖcsを供給することによ
って実現することができる。図８は、この場合のタイミ
ングチャートを示したものである。図８に示すように、
全面一括消去を行った後はＰ相に転移した状態であり、
全面で光反射強度が大きくなった状態である。全面一括
消去を行う場合には、図８に示すように、垂直ブランキ
ング期間の最初に消去信号Ｖcsを印加する。このとき、
液晶をＨＳ相に転移させるために、画素電極電位Ｖpix
が図３の電圧Ｖ4 以上となるように消去信号Ｖcsの値を
設定する。また、消去信号Ｖcsのパルス幅は、液晶がＨ
Ｓ層に転移するまでの応答時間以上となるよう設定す
る。液晶がＨＳ相に転移した後、消去信号Ｖcsの電圧を
瞬時に元にもどすことにより、液晶がＨＳ相からＰ相へ
と転移し、全面一括消去が行われることになる。このよ
うにして、書き換え前後の表示画像が一画面内に同時に
表示されるという問題を解決することができる。
【００５２】なお、一括消去を行う際の消去信号Ｖcsの
極性は、正負両極性が印加できるようにすることが、液
晶の信頼性の観点からは好ましい。例えば、メモリーモ
ードになる際に画素に印加されていた極性と逆極性の消
去信号Ｖcsによって一括消去を行うようにすればよい。
【００５３】また、上記の説明ではメモリーモードから
アクティブマトリクス駆動にもどる場合を想定していた
が、通常のアクティブマトリクスモードにおいて一括消
去を行うようにしてもよい。
【００５４】また、一括消去を行うことによって表示画
面が初期化されるわけであるから、単純マトリクス駆動
のように走査を行う度に画素電位をＨＳ相へ転移させる
ための電位にする必要がなく、簡単な駆動方法すなわち
制御が簡単で単純な回路構成のドライバーを用いること
ができ、ハードウエアの削減が可能である。
【００５５】つぎに、本発明の第２実施形態について説
明する。
【００５６】表示信号を書き込む前に画面の消去を行わ
ない場合は、アクティブマトリクス駆動を行う場合であ
っても、走査を行う度に液晶をＨＳ相へ転移させ改めて
表示信号の書き込みを行う必要があり、駆動時間が長く
なるという問題がある。本実施形態は、このような駆動
時間が長くなるという問題を解決するものである。
【００５７】図９は、本第２実施形態に係る液晶表示装
置の構成を示した図である。図１に示した第１実施形態
では、消去信号Ｖcsを供給する消去信号線を全画面共通
のものとしたが、図９に示した例では、行毎に消去信号
線１０を設け、消去信号ドライバー（ＣＳドライバー）
から各消去信号線１０に対して消去信号Ｖcsを供給する
ようにしている。その他の基本的な構成は図１に示した
ものと同様であり、対応する構成要素には同一の番号を
付し、詳細な説明は省略する。
【００５８】図１０は、図９に示した液晶表示装置を駆
動する場合の各部の波形を示したタイミングチャートで
ある。本実施形態では、図１０に示すように、Ｙドライ
バー７から走査線４に走査信号を供給して各画素電極に
表示信号を書き込む前に、ＣＳドライバー１１から消去
信号線１０に消去信号Ｖcsを供給し、各行毎に初期化を
行っている。消去信号Ｖcsを印加することにより液晶層
は一旦ＨＳ相へと転移し、消去信号Ｖcsの電圧を瞬時に
元にもどすことにより液晶がＨＳ相からＰ相へと転移し
て、行毎の初期化が行われる。なお、液晶をＨＳ相に転
移させるために、画素電極電位Ｖpix の絶対値が図３の
電圧Ｖ4 以上となるように消去信号Ｖcsの値を設定す
る。また、消去信号Ｖcsのパルス幅は、液晶がＨＳ層に
転移するまでの応答時間以上となるよう設定する。この
ように、表示信号を書き込む前に消去信号Ｖcsを供給す
ることにより、走査時間が液晶の応答速度に依存せず、
高速の書き換えを行うが可能となる。
【００５９】つぎに、本発明の第３実施形態について説
明する。
【００６０】すでに説明した第１及び第２実施形態で
は、主として黒白の２値表示を前提として説明したが、
本第３実施形態は階調表示を前提としたものである。
【００６１】本第３実施形態における液晶表示装置の基
本的な構成は、第１実施形態で説明した図１の構成と同
様である。したがって、各構成要素の説明や基本的な動
作等については第１実施形態の説明を参照することと
し、ここでは詳細な説明は省略する。
【００６２】図１１は、図１に示したＹドライバー７か
らの出力電圧波形Ｖy 、ＸＵドライバー８ａ及びＸＤド
ライバー８ｂからの出力電圧波形Ｖx 及び画素電極と対
向電極との間の液晶層１に印加される電圧波形Ｖpix を
示したものである。また、同図において、Ｔw は画素電
極への書き込み期間（走査期間）、ＴH は表示信号の保
持期間を示している。図１２は、液晶層１に印加される
電圧に対する反射率の関係を示したものである。
【００６３】すでに説明したように、コレステリック液
晶は本質的にヒステリシス特性を有しているため、この
ヒステリシス特性によって階調ずれ等が生じ、表示品質
が低下してしまう。そこで、アクティブマトリクス駆動
において、このヒステリシス特性の影響を受けずに表示
を行うために、図１１に示すように、走査期間の始めに
リセット信号（電圧ＶR 、−ＶR ）を画素電極に印加す
る。このリセット信号はコレステリック液晶をＨＳ相に
転移させるためのものであり、したがってＶ4以上の電
圧にする。そして、このリセット信号を印加した後に、
表示信号（電圧ＶD 、−ＶD ）を画素電極に印加する。
このように、リセット信号によって液晶をＨＳ相に転移
させてから表示信号を印加することにより、液晶は必ず
図１２の特性ａすなわちＰ状態を示す液晶分子とｆｃ状
態を示す液晶分子とがある確率で分布した状態となる。
例えば、表示信号として図１２の電圧Ｖ5 を画素電極に
書き込んだ場合、得られる反射率はＲ5 となる。このよ
うに、リセット信号によって液晶をＨＳ相に転移させて
から表示信号を印加することにより、書き換える前の液
晶の状態に影響されることなく、所望の階調で高品質の
表示を行うことができる。
【００６４】つぎに、本発明の第４実施形態について説
明する。
【００６５】本第４実施形態も上記第３実施形態と同様
に、階調表示を前提としたものである。また、本第４実
施形態における液晶表示装置の基本的な構成も上記第３
実施形態と同様、第１実施形態で説明した図１の構成と
同様である。したがって、各構成要素の説明や基本的な
動作等については第１実施形態の説明を参照することと
し、ここでは詳細な説明は省略する。
【００６６】通常のアクティブマトリクス駆動では、表
示信号を書き込んでからつぎに表示信号を書き込むまで
の間、書き込まれた電位を保持しておく必要がある。し
かしながら、スイッチング素子や液晶層でのリーク、画
素・信号線間での容量カップリング等の影響により、画
素電位が変動し、階調ずれ等の表示品質の低下が生じる
おそれがある。
【００６７】本実施形態は、コレステリック液晶のメモ
リ性を利用することにより、画素電位を保持しなくて
も、表示品質の高い階調表示を行うことを可能とするも
のである。
【００６８】図１３は、図１に示したＹドライバー７か
らの出力電圧波形Ｖy 、ＸＵドライバー８ａ及びＸＤド
ライバー８ｂからの出力電圧波形Ｖx 及び画素電極と対
向電極との間の液晶層１に印加される電圧波形Ｖpix を
示したものである。また、同図において、ＴF は１フレ
ーム期間、Ｔw は画素電極への書き込み期間（走査期
間）、ＴH は表示信号の保持期間を示している。
【００６９】まず、走査期間の始めにリセット信号（電
圧ＶR 、−ＶR ）を画素電極に印加する。このリセット
信号はコレステリック液晶をＨＳ相に転移させるための
ものであり、したがってＶ4 以上の電圧にする。このリ
セット信号を印加した後に、表示信号（電圧ＶD 、−Ｖ
D ）を画素電極に印加し、続いてさらに電圧ゼロのメモ
リー信号を印加する。リセット信号によって液晶をＨＳ
相に転移させてから表示信号を印加することにより、第
３実施形態で述べたのと同様に、液晶は必ず図１２の特
性ａすなわちＰ状態を示す液晶分子とｆｃ状態を示す液
晶分子とがある確率で分布した状態となる。そして、液
晶をこのような中間状態にした段階で電圧ゼロのメモリ
ー信号を印加することにより、この中間状態が保持され
ることになる。
【００７０】このように、コレステリック液晶のメモリ
性を利用することにより、画素電位を保持しなくても、
所望の階調で高品質の表示を行うことができる。また、
画素電位を保持しなくてもよいので、例えば表示画像が
変化しないような場合には、表示信号を１フレーム毎に
書き換える必要がなく、消費電力を大幅に低減すること
もできる。
【００７１】なお、メモリー信号を印加するタイミング
は、表示信号の印加によって反射光量が一定になってか
らが好ましいが、反射光量が一定になる前すなわち液晶
の応答途中にメモリー信号を印加することも可能であ
る。
【００７２】図１４は、反射光量が一定になってから表
示信号を印加する場合と、反射光量が一定になる前に表
示信号を印加する場合とについて示したものである。例
えば、図１２の反射率Ｒ6 を得ようとする場合について
説明する。反射光量が一定になってから表示信号を印加
する場合は、表示信号として電圧Ｖ6 を印加し、反射率
が一定値Ｒ6 になったところ、すなわち図１４のＴ2 の
時点でメモリ信号を印加すればよい。これに対して、反
射光量が一定になる前に表示信号を印加する場合は、表
示信号として電圧Ｖ5 を印加し、反射率がＲ6 になった
時点、すなわち図１４のＴ1 の時点でメモリ信号を印加
すればよい。このように、反射光量が一定になる前すな
わち液晶の応答途中にメモリー信号を印加することによ
り、書き込み期間を短縮化することが可能となる。
【００７３】なお、以上の各実施形態では、ＰＳＣＴ等
のコレステリック相を呈する液晶を用いていたが、これ
以外にも、例えば強誘電性液晶等の印加電圧に対する反
射率又は透過率の特性がヒステリシス特性を呈する液晶
を用いることもできる。
【００７４】その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範
囲内において種々変形して実施可能である。
【００７５】
【発明の効果】本発明によれば、印加電圧に対する反射
率又は透過率の特性がヒステリシス特性を呈する液晶を
用いた液晶表示装置及びその駆動方法において、書き換
え時間の短縮化、消費電力の低減、表示の高品質化をは
かることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１、第３及び第４実施形態における
液晶表示装置の構成例を示した図。
【図２】第１実施形態においてアクティブマトリクス駆
動を行った場合の各部の波形を示した図。
【図３】コレステリック液晶について印加電圧と光反射
率の関係を示した図。
【図４】図１のＹドライバーの詳細を示した図。
【図５】ＴＦＴのゲート電圧とドレイン電流の関係を示
した図。
【図６】図１のＸドライバーの詳細を示した図。
【図７】第１実施形態においてメモリーモードで同期信
号を止めた場合を止めない場合と対比して示した図。
【図８】第１実施形態において消去信号を印加した場合
の各部の波形を示した図。
【図９】本発明の第２実施形態における液晶表示装置の
構成例を示した図。
【図１０】第２実施形態において消去信号を印加した場
合の各部の波形を示した図。
【図１１】第３実施形態においてアクティブマトリクス
駆動を行った場合の各部の波形を示した図。
【図１２】コレステリック液晶について印加電圧と光反
射率の関係を示した図。
【図１３】本発明の第４実施形態における各部の波形を
示した図。
【図１４】第４実施形態において、反射光量が一定にな
ってから表示信号を印加する場合と反射光量が一定にな
る前に表示信号を印加する場合とを対比して示した図。
【図１５】コレステリック液晶について印加電圧と光反
射率の関係を示した図。
【図１６】従来技術で単純マトリクス駆動を行った場合
の各部の波形を示した図。
【図１７】従来技術で単純マトリクス駆動を行った場合
の液晶表示装置の構成例を示した図。
【符号の説明】
１…液晶層 ２…保持容量 ３…スイッチング素子（制御手段） ４…走査線 ５ａ、５ｂ…信号線 ６…コモン線

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の画素電
    極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
    極と前記対向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法
    線方向がそろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向
    がランダムに向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解
    けた第３の状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて
    光の反射率又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射
    率又は透過率の特性がヒステリシス特性を呈する液晶層
    と、前記画素電極への表示信号の書き込みと保持とを制
    御する制御手段と、この制御手段を介して前記画素電極
    への表示信号の書き込みを行った後に、前記画素電極と
    前記対向電極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍となる
    ように操作する操作手段とを有することを特徴とする液
    晶表示装置。
  2. 【請求項２】 マトリクス状に配置された複数の画素電
    極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
    極と前記対向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法
    線方向がそろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向
    がランダムに向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解
    けた第３の状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて
    光の反射率又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射
    率又は透過率の特性がヒステリシス特性を呈する液晶層
    と、前記画素電極への表示信号の書き込みと保持とを制
    御する制御手段と、この制御手段を介して前記画素電極
    への表示信号の書き込みを行った後に、液晶表示装置を
    構成する要素のリーク電流によって前記画素電極と前記
    対向電極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍となるよう
    に操作する操作手段とを有することを特徴とする液晶表
    示装置。
  3. 【請求項３】 マトリクス状に配置された複数の画素電
    極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
    極と前記対向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法
    線方向がそろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向
    がランダムに向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解
    けた第３の状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて
    光の反射率又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射
    率又は透過率の特性がヒステリシス特性を呈する液晶層
    と、前記画素電極への表示信号の書き込みと保持とを制
    御する制御手段とを有し、この制御手段を介して前記画
    素電極へ表示信号を書き込むことにより、前記液晶層を
    前記第１の状態、第２の状態又は第３の状態のなかの少
    なくとも二つの状態又はこれらの中間状態に固定して表
    示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 マトリクス状に配置された複数の画素電
    極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
    極と前記対向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法
    線方向がそろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向
    がランダムに向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解
    けた第３の状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて
    光の反射率又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射
    率又は透過率の特性がヒステリシス特性を呈する液晶層
    と、前記画素電極への表示信号の書き込みと保持とを制
    御する制御手段と、この制御手段を介して前記画素電極
    へ前記液晶層を前記第１の状態、第２の状態又は第３の
    状態のなかの少なくとも二つの状態又はこれらの中間状
    態にする表示信号の書き込みを行った後に、前記画素電
    極と前記対向電極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍と
    なるように操作する操作手段とを有することを特徴とす
    る液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 マトリクス状に配置された複数の画素電
    極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
    極と前記対向電極との間に挟持され、液晶のねじれの法
    線方向がそろった第１の状態、液晶のねじれの法線方向
    がランダムに向いた第２の状態及び液晶の螺旋構造が解
    けた第３の状態のなかの少なくとも二つの状態に応じて
    光の反射率又は透過率が変化し、印加電圧に対する反射
    率又は透過率の特性がヒステリシス特性を有する液晶層
    と、前記画素電極への表示信号の書き込みと保持とを制
    御する制御手段とを有し、 前記制御手段を介して前記画素電極へ表示信号の書き込
    みを行う過程と、この過程が終了した後に前記画素電極
    と前記対向電極との間の電位差がゼロ又はゼロ近傍とな
    るように操作する過程とによって駆動を行うことを特徴
    とする液晶表示装置の駆動方法。
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