JPS63198020A - 強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
強誘電性液晶表示素子Info
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野1
本発明は、強誘電性液晶組成物を用いた強誘電性液晶表
示素rに関するものである。 [従来の技術] 近年、強誘電性液晶組成物を用いた強誘電性液晶表示素
子が?[1を集めている。(例えば、A、 C1ark
、 S、 ’r、 1.agcrwall、 Appl
、Phys、I、cLL。 卦、 899 (1980)1 強誘電性液晶は、カイラルスフメチツクC相(Sn+C
’相)、カイラルスメクチック璽1相等の液晶相におい
て自発分極をもつ、即ち1強誘電性を示す特徴があり、
この点において従来から液晶表示素rに用いられてきた
ネマチック相あるいはコレステリック相とは大きく異な
る特徴を自する。 ゛強誘電性スメクチック相としてはいくつかの相が知ら
れているが、光シヤツターやドツトマトリックス表示等
への応用が期待されている相はSac”相であるので、
以下の説明はS■C@相の例について説明する。 Sa+C”相において液晶分子は層構造をなし、その分
子長軸方向は層重線方向に対して、傾斜した方向をとる
。また、その分子構造中に不斉中心を持つ光?活性物質
を含み2分子の傾斜方向は層間でずれたらせん構造を持
っている。さらに、S+sC”相においては分子長軸方
向に垂直でかつ層f面に手行な方向に自発分極を持ち、
外部電界に対し、自発分極の極性と電界とが整合するよ
うに分子の配向方向が変化し、光′?的変化を生起する
ことができる。この電気光学効果の特徴として従来のネ
マチック液晶を用いた効果に比較して10〜1000倍
もの高速応答が可能なこと、メモリー性があること等が
見いだされており1人画面ドツトマトリックス表示素子
、高速光シャッター素′r−答への応用が期待されてい
る。しかしながら1反面、これらの優れた特徴に対して
数多くの技術的問題なイiしている。
示素rに関するものである。 [従来の技術] 近年、強誘電性液晶組成物を用いた強誘電性液晶表示素
子が?[1を集めている。(例えば、A、 C1ark
、 S、 ’r、 1.agcrwall、 Appl
、Phys、I、cLL。 卦、 899 (1980)1 強誘電性液晶は、カイラルスフメチツクC相(Sn+C
’相)、カイラルスメクチック璽1相等の液晶相におい
て自発分極をもつ、即ち1強誘電性を示す特徴があり、
この点において従来から液晶表示素rに用いられてきた
ネマチック相あるいはコレステリック相とは大きく異な
る特徴を自する。 ゛強誘電性スメクチック相としてはいくつかの相が知ら
れているが、光シヤツターやドツトマトリックス表示等
への応用が期待されている相はSac”相であるので、
以下の説明はS■C@相の例について説明する。 Sa+C”相において液晶分子は層構造をなし、その分
子長軸方向は層重線方向に対して、傾斜した方向をとる
。また、その分子構造中に不斉中心を持つ光?活性物質
を含み2分子の傾斜方向は層間でずれたらせん構造を持
っている。さらに、S+sC”相においては分子長軸方
向に垂直でかつ層f面に手行な方向に自発分極を持ち、
外部電界に対し、自発分極の極性と電界とが整合するよ
うに分子の配向方向が変化し、光′?的変化を生起する
ことができる。この電気光学効果の特徴として従来のネ
マチック液晶を用いた効果に比較して10〜1000倍
もの高速応答が可能なこと、メモリー性があること等が
見いだされており1人画面ドツトマトリックス表示素子
、高速光シャッター素′r−答への応用が期待されてい
る。しかしながら1反面、これらの優れた特徴に対して
数多くの技術的問題なイiしている。
【発明の解決しようとする問題点]
最大の問題点は、双安定性を何する強誘電性液晶を一方
の安定状態から他方の安定状態へスイッチングする場合
に、安定して1回のパルス信号で液晶を全部反転させる
ことができにくく、たて続けに数回から数ト回以」二も
同じ古き込みパルス4A号を印加しなければ安定して完
全に反転しないことである。 従って、1回のパルス信号で液晶が確実に全部反転する
理想的な場合に比べて、複数回以上パルス(3号を印加
しなければならない駆動方式では、強誘電性液晶の応答
性が速いという特長が全く生かされていなかった。 このため、1回のパルス信号で確実に強誘電性液晶が二
方の安定状態から他方の安定状態へ全部反転するような
強誘電性液晶表示素子が望まれていた。 [問題を解決するための手段] 本発明は%前述の問題点を解決するためになされたもの
であり1強誘電性を有する液晶組成物を、配向膜を設け
た電極付の基板間に挟持してなる強誘電性液晶表示素子
において、液晶組成物に接する配向膜が高分子配向膜と
され、液晶組成物の自発分極の大きさをPg (nC/
cya″)。 配向膜の比誘電率と厚さを夫々ε、d(入)とした場合
。 さ なる関係式を満足するようにしたことを特徴と1°る強
誘電性液晶表示素子を提供するものである。 これにより、li−のパルス信号で完全な両面の、1)
き換えが可能になり1強誘電性液晶表示素子の特長であ
る高速応答を生かすことができる。 第1図は1強誘電性液晶表示素子の例を模式的に示した
模式図である。 第1図において、 11^と IIBは図示されていな
しS In103−3n01 (l T O) 、 S
now等の透明電極が設けられたガラス、プラスチック
等の基板を示しており、この透明電極上には、ポリイミ
ド等の高分子配向膜を施している。これらの配向膜は、
少なくとも一方にラビング処理し、一方向に配向層−1
力を持たせである。その間に強誘電性を示す強誘電性液
晶組成物が配置6され、液晶分子層I2が基板面に龜直
になるように配向させられている。 13^と13B
とは液晶分子を表わしており、これら液晶分子はその分
子に直交したノJ向に双極子モーメント(Ps)14^
、14Bをイiしている。 この液晶表示素子の基板間の厚さを充分薄くした場合に
は、電界を印加していない場合でも液晶分子のらせん構
造はほどけ、双極子モーメントI’sは−1−向きのP
A114A)または下向きのpH(14Bl のどちら
かの状態をとる。 このような液晶表示素子に、一定のしきい値の以]の極
性の異なる電界EAまたはE、を印加すると、双極子モ
ーメントは電界EAまたはE、の電界ベクトルに対応し
て上向き!4^または下向き1411と向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は第1の安定状態13^か第2の安
定状態13Bのいずれか一力に配向する。 液晶分子は細長い形をしており、その長袖方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばノ、(板1nヒ
の上下に互いに直交した偏光軸となるように一対の偏光
膜を配置すれば、電圧の印加極性によって、光学特性が
変わる液晶素子を得ることができる。 本発明では、2状態間のスイッチングを0.1〜1m5
ec程度のパルス+lの電圧印加によって行なう場合、
Qj−パルスで液晶分子全部が反転するために、液晶分
子の双極子モーメントの大きさ、即ち、自発分極Ps
(nC/cが)と配向膜の厚さく1(入)とその比誘電
率Cとの関係を以下のようにするものである。 Ps X d 75≦□≦750 (1) に の値が、750を超えると、単一パルスでの反転できる
確率がしだいに低ドし、書き換え不良を生じ易くなり、
ついにはJ)き換え不能となる。また、逆に75未満と
すると、応答速度が遅くなり、駆動電圧を高くせざるを
得なくなり。 実用的とならない。 本発明の電極付の基板とは、ガラス、プラスチック等の
基板上にIn5(1+−3nOs (I T O)、S
nug等の透明電極等の電極を積層し、必要に応じて所
望のパターンにバターニングしたものが使用できる。も
ちろん、通常の液晶表示素子で使用されているように、
この透明電極に低抵抗の金属リードを積層したり、基板
と電極との間に絶縁層、カラーフィルター、遮光層等を
積層したり、TPT、MIM等の能動素子を組み合わせ
て使用したり、電極上に遮光層を形成したりしてもよい
。 この電極付の基板上に配向膜を形成する。スメクチック
液晶の配向を良くするために、この配向膜の液晶と接す
る面は、少なくとも高分子配向膜とされる。この高分子
配向膜としては、ポリイミド、ポリアミド、シリコン等
の公知の高分子材料の膜であって、液晶に悪影響を与え
なく、液晶の配向かうまく取れるものが使用できる。こ
の配向膜は、高分子配向膜一層のみでも良いし、高分子
配向膜と絶縁性の優れた無機材料の膜を積層したもので
あってもよい。 この無機材料の膜としては、酸化ケイ素、酸化チタン、
酸化アルミ等の無機酸化物の膜が好適であり、」二層の
基板間での短絡防11V)効果が大きい。 このように配向膜が二層になった場合には、−1−記(
1)式は、下記の(■1)式のように二つの層の和で考
えれば良い、下記の式において、d+、daはそれぞれ
無機の絶縁膜、高分子配向膜の膜厚であり、G+sLR
はそれぞれ無機の絶縁膜、高分子配向膜の比誘電率であ
る。 高分子配向膜の厚さが50人未満になると、配向膜の配
向性能が不十分となり、液晶表示素子としての均一性が
損なわれやすくなることとなるので、(1≧50人とし
なくてはならない。 このため、基板]ユに設けた高分子配向膜の比誘電率が
ほぼ3程度であるとすると、 PsはせいぜいI’s≦
45nC/cm”程度でなくてはならない、高分子配向
膜の厚みの変動等を作業面からみて考慮するとI’s≦
40nC/c+w”程度とする必要がある。 また、Psは4nC/cm″よりも小さくすると応答速
度が著しく低下するため、I’s≧4nC/cがとする
ことが好ましい。このため、実用的には、自発分極I’
sは、4≦I’s≦40nC/cm”とされることが好
ましい。 Psを応答速度面からみて最小の4枚度とした場合に、
比誘電率をポリイミド専で一般的な3枚度とすると高分
子配向膜の厚さdは、56≦d≦560人となる。これ
も、作業性の点から見ればd≦500人程度とすること
が好ましい。 このため、前記(1)式の値が75〜750とされると
ともに、自発分極が4≦Ps≦40nC/co+”。 品分Y・配向膜の厚さdが501 d≦500人となる
ようにされることが好ましい。 なお、高分子配向膜は従来のネマチック液晶表示素子の
場合には、主として絶縁性を得ること及び透明電極見え
を低下させるために700〜2000人程度設けていた
。この高分子配向膜の厚さを種々変更しても、液晶のオ
ンオフには致命的な問題を生じることはほとんど無いも
のであった。 これに対し、強誘電性液晶表示素子の場合には、上述し
たように自発分極Ps、厚さd、比誘電率εの値を(1
)式に示したようにすることにより、0.1〜Is+s
ec程度のパルス1】の1回のパルスの印加により容易
に表示の11)き換えができるようになるものであり、
高速での表示の書き換えがIll能となる。 本発明では、このようにして形成された配向膜を設けた
基板をラビング法等で水平配向処理し、周辺にシール材
を付すして、基板が平行、かつ・定の間隔で保持される
ように、スペーサー、例えば、イrmピーズ、アルミナ
粒子をはさみ、電極面が相対向するように配置して二枚
の基板をシールし、セルを形成する。このセル内に強誘
電性液晶組成物を注入して、注入1」を封+l・して液
晶セルを完成させる。 なお、以I−の説明は、代表的な液晶セルの製造に稈を
説明したものであり、異なる製造方法で製造してもよい
、また、基板を三枚以上用いて複層液晶セルとする等し
てもよい。 このセルの外側に2枚の偏光膜をその偏光膜がお!1゛
いに直交し、かつ基板の配向−制御方向と一定角度をな
すように配置する。この角度は、液晶材料、装置6の動
作温度、駆動方法等によって変わり最もコントラスト特
性等のよい角度を選べばよく、また場合によっては2枚
の偏光膜の偏光軸を直交から僅かにずらして配置する場
合もある。 また、必要に応じて、裏側の基板の裏面に光源を置き、
反対側へ光が透過するようにする。 なお、反射型で用いる場合には、裏側の偏光膜の外側に
反射板を設ければよい。 本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶組成物としては、
電界の極性に依存した双安定性を示す液晶相をもつ液晶
が使用できるが、応答性の点でカイラルスメクチックC
相(Sac’相)をイ1する液晶組成物が好ましい。 本発明に使用される強誘電性液晶組成物は、強誘電性ス
メクチック液晶材料、スメクチック液晶材料あるいは他
の光?活性物質と適宜混合し、強誘電性スメクチック液
晶組成物として使用する。更に粘度、使用温度、らせん
ピッチ専を調整したり、カラー表示を行なうために、ネ
マチック液晶材料、非液晶材料、二色杯染料専を添加し
てもよい。 この強誘電性スメクチック液晶材料の具体的な例として
は、p−へキシルオキシベンジリデン−p゛−アミノ−
2−クロロ−a−プロピルシンナメート(IIOIIA
CI訃C1,’p−デシルオキシベンジリデンーp−ア
ミノ−2−メチルブチル−α−シアノーシンナメー)
(DOBAMBCC)等がある。もちろん、材料111
体であってもよいし、いくつかの材料を混合して特性を
実現してもよい。 また1本発明で用いる強誘電性液晶組成物としては、強
誘電性を示す液晶相より高温の温度範囲においてスメク
チックA相(Sn+A相)をもつ液晶が双安定性の対称
性の点で好ましい。等方相(I相)あるいはネマチック
相(Na相)あるいはコレステリック相(Ch相)より
、 S+++^相を経由せずに直接SmC”相等の強誘
電性液晶相へ変化する液晶を用いた場合1通常配向制御
の方向に対して液晶分子層の方向が異なる2種類の配向
状態をとる。この2種類の配向状態が混在するとコント
ラストの低ドをまねくため、1相あるいはNe相あるい
はch相よりSmC”相等の強誘電性液晶相へ冷却する
際に、−・方向の極性をもつ直流電界を印加し、2種類
の配向状態のうち1種類のみに配向させる等の手段をと
ることが必要となる。このようにして作成した素子にお
いてはその安定性において第1の安定状態と第2の安定
状態のうち、冷却する際に印加する電界の極性と一致す
る安定状態のほうがより安定となってしまい、双安定性
の低下につながる。これに対し、 Ss^相をもつ液晶
においては、液晶分子層の方向が1 +Tl類しかなく
、電界印加等の1段が必要な(、従って双安定性が電圧
に対して対称的になり双安定性がよい。 また、本発明で用いる強誘電性液晶組成物としては、強
誘電性を示す液晶相より高温の温度範囲でch相をもつ
ことが配向の均一性の点で好ましい、この液晶の配向の
作成法については、特願昭59−274073号の方法
を用いることで極めて良好な配向に素子が作成できる。 強誘電性液晶組成物としてSmC”相をもち、それより
高い温度においてCh相をもち、かつch相におけるら
せんピッチの長さfp)が基板間の距111 (ds)
の4倍量り長い液晶な用い、かつch相とSmC”相の
間に5ITl^相をもつことが、配向の均一=−・性の
点で望ましい。このような強誘電性液晶組成物としては
、九゛?活性物質、スメクグーツク液晶材料、ネマチッ
ク液晶材料等を適当な割合で混合することで得られ、必
要に応じて非液晶添加物を加える場合もある。特に、c
h相におけるピッチを長くするには、左らせんを生じさ
せる光′?活性物質と、右らせんを生じさせる光′?活
性物質を、らせんを生じさせる力の大きさに応じて混合
するのが有効である。 通常、Ch相におけるらせ/υピッチの長さは温度とと
もに変化する。均一な配向を得るには、コレステリッタ
ースメクチック相転移点の直1−でp > 4dsの条
件を満たすことが必要である。 しかし、この条件を満たす温度範囲が転移点のごく近傍
に限られる場合は、温度降下速度が速い場合においては
、らせん構造がほどけずにスメクチック相へ転移してし
まう、この場合には均一な配向が得られないので、らせ
ん構造がほどけるまでp > 4dsを満たす温度に保
持するか、温度降下速度を遅くする必要がある。この理
由かららせんピッチpが基板間距離dsの4倍量りにな
る温度範囲は、コレステリッタースメクチック相転移点
より 5℃以上の範囲にわたることが好ましく、さらに
ch相全全温度範囲わたることがより好ましい。 なお、ここでいうch相はネマチック液晶に光′を活性
物質を添加して固有のピッチを持つようにされたネマチ
ック液晶によるNe相も含むのもである。 [作用] 第2図は、双安定の強誘電性液晶表示素子が一方の安定
状態に配向しているところを示す模式図であり、第3図
は、この強誘電性液晶表示素子に電界を印加し、液晶分
子を反転させた直後の状態を示す模式図である。 第2図及び第3図において、21^、21B、31^、
31旧ま基板、25^、25B、35A、 35Bは電
極、26^。 26B、 36A、 3611G;t 配向膜、23,
331;を液晶分子、24.34は双極子モーメントを
表わしている。 第2図において、液晶層−r−23の双極子モーメント
24は図のF向きに揃っている。この双極子モーメント
の向きが揃うと、図に+−で示したように必然的に液晶
層の1−ドに電荷Qが発生している。 ここで配向膜は、誘電体であるので、発生した電荷につ
り合うだけの電荷i−七で分極し、打ち消しあう結果、
電極25A、2511は等電位となっている。なお、こ
こで発生ずる電荷Qは液晶の双極−r干−メントの大き
さI’sに比例するという性質がある。 次に、配向膜の分極について説明する。 配向膜は、コンデンサーの役11を果たしているので、
電荷Qが発生した場合、配向膜のLドに発生する電位差
Vには、以ドの (1111、(1v)に示されるよう
な関係が成1ンする。 v oc
(to)ε 即ち、 Pg X d VOe (IV)に こで発生している電圧は1次のような意味をもつ。 即ち、液晶分子を反転させるため、第2図で下からtへ
電界Eを印加した場合、その電界の向きに双□極tの方
向が揃い、第3図に示したような状態となる。 この液晶分子の反転する速度は極めて速く、1+++s
’ecのパルス中で充分この反転は終了し、パルスが消
えた瞬間には、第3図のように緩和時間が遅い配向膜の
分極の向き′はそのままで、液晶層には反対の電荷がた
まった状態となっている。 − この状態は、極めて不安定であり、11;I述の発生す
る電圧Vが液晶のしきい値電圧を超えていれば、さらに
反転し、元の状態、111ち、第2図の状態に戻ってし
まうことになる。しかも一般に強誘電性液晶の直流電圧
に対する反転しきい値電圧は、従来の1’N液晶表示素
子に比してかなり低く、100mV程度でも反転が生じ
る。従って1発生する電圧Vの大きさは、このしきい値
電圧以ドとしなくてはならなく、さもなければ電圧の印
加が終rした時点で再度元の状態に戻ってしまうことと
なる。 古き換えができるということは1発生している電圧Vが
この反転電圧以下であるということであるから、この電
圧は最大見積もって100IIV以下であることとなる
。両式(1v)から、tQき換えのできる条件を満たし
ているための条件を推定すると、次のようになる。 V = a−Ps・□ (V)(ここで8は
比例係数) それ故、aは次のようになる。 vc(Vl) I’s d ここでIP1iカ旬&nC/cs”、高分子配向膜の比
誘電率6が3のものを用い、配向、親の厚さdを変えて
、 l+u+ecの1つのパルスで書き換えができる
条件を調べた。 この結果、高分子配向膜の厚みが101)人では;1)
き換えが可能であり、200人では111き換えができ
なく、約150人が限界であることがわかった。この時
のaの値を計算すると、1.33X IQ−’となった
。このため、以下のような関係が判明した。 さらに、異なるPs、 d、 cとを組み合わせ。 −1き換えできる条件を満た°しているものを選択した
結果、V / aの値としてはやはり、約760以下で
あることが必要であることが確認寄れた。 また1強誘電性液晶表示素Tのスイッチング速度は、P
gに比例するとされており、Psの少さいものを用いる
ことは、vI述の書き換えの点で有利となるものの、応
答速度が鯉くなり、実用的な点からみて11;1記式の
値は75以上とすることが好ましくなる。 強誘電性液晶表示素子は、液晶層の厚さが0.5〜2μ
m程度と薄いため、一対の対向する電極間で短絡の発生
する危険性が従来のT N液晶表示素rに比して大きい
ため、充分な膜厚の絶縁層を電極にに形成することが好
ましい。 ところが、ポリイミド専の高分子配向膜は。 その比誘電率が3〜5程度と低く、このような物質で厚
い絶縁層を形成すると前述の条件からPgが極めて小さ
い液晶を用いなければならなくなり、前述したように応
答速度が低下してしまう問題点がある。 そこで、絶縁性を向りするために、配向性の一°≦い薄
い高分子配向膜を液晶に接する面に用いるとともに、こ
の高分子配向膜と電極との間に高誘電率の材料による絶
縁膜を積層することが好ましいこととなる。このため、
この高誘電率の絶縁膜として、膜質が硬く、絶縁性に優
れた絶縁性の無期の酸化物による膜を使用することが好
ましい。特に、酸化チタンは比誘電率が極めて大きいの
で、酸化ケイ素との混合物として比誘電率が30〜50
の材料として用いることにより、高分子配向膜の約10
倍の膜厚とでき、書き換えに悪影響を与えないで高い絶
縁性を付与できる。 [実施例] 実施例1〜9、比較例1〜4 ストライブ状にI T Oによる透明電極をバターニン
グした基板の電極上に比誘電率が3と4.5のポリイミ
ドをオーバーコートし、これをラビングして水平配向処
理を施した基板を作成した。この基板の周辺にシール材
を印刷し、基板の電極面が相対向するように2枚の基板
を配置し、基板間隙が2μmとなるようにシール接着し
て液晶セルを形成した。 この液晶セルの内部に1強誘電性液晶組成物として、I
相−ch相−Sn+A相−3ac”相とを順に有する強
誘電性液晶組成物を注入して、液晶セルを完成させた。 実施例1〜9及び比較例1〜4のこれらの強誘電性液晶
組成物の物性である自発分極Ps及び高分子・配向膜の
比誘電率ε、厚みdを第1表に示す。 これらの液晶セルに波高値20V、パルス中1m5cc
の111−パルスを印加し、その反転特性を調べた結果
を第1表に示す。 第 l 表 例 Ps cl t Pg−(1/ε 結
果2 9.11503 4600 314.81503 7400 4 4.2603 840 514.8603 2960 637.36G 3 7460 7 4.23003 4200 8 4.25003 TOO0 914、fl 1504.54930 250.61503 2530 X 3 4.27003 980 x 437.3 TOo 3 8703 x実施例1〜3
、実施例4〜6は夫々高分子配向膜の膜厚dとその比誘
電率εとを一定にして強誘電性液晶組成物の自発分極ε
を変えた場合を示しており、実施例1.4.7.8はP
sとεとを一定にしてdを変えた場合を示しており、実
施例9は実施例3のεを変えた場合を示している。 また、比較例1. 2は実施例1〜3に対してPsが本
発明の範囲外となっている例を示しており、比較例3.
4はdが本発明の範囲外となっている例を示したもので
ある。 これらの結果からも明らかなように、実施例のものは全
て 1回のパルスで古き換えが可能であったのに対し、
Psが小さい比較例1は応答速度が極めて遅<、PS
−d/εの値が750を超えている比較例2〜4はいず
れも1回のパルスの印加では反転を生じなかった。 実施例10.11、比較例5 実施例Iの構成の高分子配向膜と電極との間に酸化チタ
ンと酸化ケイ素とからなる厚さ1000人、 2000
人、5000人の無機酸化物膜(ε=40)を形成した
外は実施例1と同様にして液晶セルを形成した。 この結果、厚さ1000人、2000人の無機酸化物膜
のものは、いずれも 1回のパルスの印加で反転したが
、5000人の無機酸化物膜のものは反転しなかった。 これらの無機酸化物膜を設けたものは、絶縁性が高く1
両電極間での短絡を生じにくいものであった。 [効果] 本発明によれば、パルス中が1m5ec程度のQ%−の
パルス信号で完全な画面の古き換えが11f能になり1
強誘電性液晶表示素−r−の特長である高速応答を生か
すことができるものであり、各種情報ディスプレイ、光
シャッター笠として種々の分野に使用が可能なものであ
る。 本発明は、このほか、本発明の効果を損しない範囲内で
種々の応用が可能なものであり、本発明の素rをそれ0
体2以1・1組み合わせたり、”r N を液晶素子、
Gll型液晶素子、エレクトロルミネッセンス素子等と
組み合わせたり、カラーフィルター、カラー偏光膜等と
組み合わせたりしてもよい。
の安定状態から他方の安定状態へスイッチングする場合
に、安定して1回のパルス信号で液晶を全部反転させる
ことができにくく、たて続けに数回から数ト回以」二も
同じ古き込みパルス4A号を印加しなければ安定して完
全に反転しないことである。 従って、1回のパルス信号で液晶が確実に全部反転する
理想的な場合に比べて、複数回以上パルス(3号を印加
しなければならない駆動方式では、強誘電性液晶の応答
性が速いという特長が全く生かされていなかった。 このため、1回のパルス信号で確実に強誘電性液晶が二
方の安定状態から他方の安定状態へ全部反転するような
強誘電性液晶表示素子が望まれていた。 [問題を解決するための手段] 本発明は%前述の問題点を解決するためになされたもの
であり1強誘電性を有する液晶組成物を、配向膜を設け
た電極付の基板間に挟持してなる強誘電性液晶表示素子
において、液晶組成物に接する配向膜が高分子配向膜と
され、液晶組成物の自発分極の大きさをPg (nC/
cya″)。 配向膜の比誘電率と厚さを夫々ε、d(入)とした場合
。 さ なる関係式を満足するようにしたことを特徴と1°る強
誘電性液晶表示素子を提供するものである。 これにより、li−のパルス信号で完全な両面の、1)
き換えが可能になり1強誘電性液晶表示素子の特長であ
る高速応答を生かすことができる。 第1図は1強誘電性液晶表示素子の例を模式的に示した
模式図である。 第1図において、 11^と IIBは図示されていな
しS In103−3n01 (l T O) 、 S
now等の透明電極が設けられたガラス、プラスチック
等の基板を示しており、この透明電極上には、ポリイミ
ド等の高分子配向膜を施している。これらの配向膜は、
少なくとも一方にラビング処理し、一方向に配向層−1
力を持たせである。その間に強誘電性を示す強誘電性液
晶組成物が配置6され、液晶分子層I2が基板面に龜直
になるように配向させられている。 13^と13B
とは液晶分子を表わしており、これら液晶分子はその分
子に直交したノJ向に双極子モーメント(Ps)14^
、14Bをイiしている。 この液晶表示素子の基板間の厚さを充分薄くした場合に
は、電界を印加していない場合でも液晶分子のらせん構
造はほどけ、双極子モーメントI’sは−1−向きのP
A114A)または下向きのpH(14Bl のどちら
かの状態をとる。 このような液晶表示素子に、一定のしきい値の以]の極
性の異なる電界EAまたはE、を印加すると、双極子モ
ーメントは電界EAまたはE、の電界ベクトルに対応し
て上向き!4^または下向き1411と向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は第1の安定状態13^か第2の安
定状態13Bのいずれか一力に配向する。 液晶分子は細長い形をしており、その長袖方向と短軸方
向で屈折率異方性を示し、従って例えばノ、(板1nヒ
の上下に互いに直交した偏光軸となるように一対の偏光
膜を配置すれば、電圧の印加極性によって、光学特性が
変わる液晶素子を得ることができる。 本発明では、2状態間のスイッチングを0.1〜1m5
ec程度のパルス+lの電圧印加によって行なう場合、
Qj−パルスで液晶分子全部が反転するために、液晶分
子の双極子モーメントの大きさ、即ち、自発分極Ps
(nC/cが)と配向膜の厚さく1(入)とその比誘電
率Cとの関係を以下のようにするものである。 Ps X d 75≦□≦750 (1) に の値が、750を超えると、単一パルスでの反転できる
確率がしだいに低ドし、書き換え不良を生じ易くなり、
ついにはJ)き換え不能となる。また、逆に75未満と
すると、応答速度が遅くなり、駆動電圧を高くせざるを
得なくなり。 実用的とならない。 本発明の電極付の基板とは、ガラス、プラスチック等の
基板上にIn5(1+−3nOs (I T O)、S
nug等の透明電極等の電極を積層し、必要に応じて所
望のパターンにバターニングしたものが使用できる。も
ちろん、通常の液晶表示素子で使用されているように、
この透明電極に低抵抗の金属リードを積層したり、基板
と電極との間に絶縁層、カラーフィルター、遮光層等を
積層したり、TPT、MIM等の能動素子を組み合わせ
て使用したり、電極上に遮光層を形成したりしてもよい
。 この電極付の基板上に配向膜を形成する。スメクチック
液晶の配向を良くするために、この配向膜の液晶と接す
る面は、少なくとも高分子配向膜とされる。この高分子
配向膜としては、ポリイミド、ポリアミド、シリコン等
の公知の高分子材料の膜であって、液晶に悪影響を与え
なく、液晶の配向かうまく取れるものが使用できる。こ
の配向膜は、高分子配向膜一層のみでも良いし、高分子
配向膜と絶縁性の優れた無機材料の膜を積層したもので
あってもよい。 この無機材料の膜としては、酸化ケイ素、酸化チタン、
酸化アルミ等の無機酸化物の膜が好適であり、」二層の
基板間での短絡防11V)効果が大きい。 このように配向膜が二層になった場合には、−1−記(
1)式は、下記の(■1)式のように二つの層の和で考
えれば良い、下記の式において、d+、daはそれぞれ
無機の絶縁膜、高分子配向膜の膜厚であり、G+sLR
はそれぞれ無機の絶縁膜、高分子配向膜の比誘電率であ
る。 高分子配向膜の厚さが50人未満になると、配向膜の配
向性能が不十分となり、液晶表示素子としての均一性が
損なわれやすくなることとなるので、(1≧50人とし
なくてはならない。 このため、基板]ユに設けた高分子配向膜の比誘電率が
ほぼ3程度であるとすると、 PsはせいぜいI’s≦
45nC/cm”程度でなくてはならない、高分子配向
膜の厚みの変動等を作業面からみて考慮するとI’s≦
40nC/c+w”程度とする必要がある。 また、Psは4nC/cm″よりも小さくすると応答速
度が著しく低下するため、I’s≧4nC/cがとする
ことが好ましい。このため、実用的には、自発分極I’
sは、4≦I’s≦40nC/cm”とされることが好
ましい。 Psを応答速度面からみて最小の4枚度とした場合に、
比誘電率をポリイミド専で一般的な3枚度とすると高分
子配向膜の厚さdは、56≦d≦560人となる。これ
も、作業性の点から見ればd≦500人程度とすること
が好ましい。 このため、前記(1)式の値が75〜750とされると
ともに、自発分極が4≦Ps≦40nC/co+”。 品分Y・配向膜の厚さdが501 d≦500人となる
ようにされることが好ましい。 なお、高分子配向膜は従来のネマチック液晶表示素子の
場合には、主として絶縁性を得ること及び透明電極見え
を低下させるために700〜2000人程度設けていた
。この高分子配向膜の厚さを種々変更しても、液晶のオ
ンオフには致命的な問題を生じることはほとんど無いも
のであった。 これに対し、強誘電性液晶表示素子の場合には、上述し
たように自発分極Ps、厚さd、比誘電率εの値を(1
)式に示したようにすることにより、0.1〜Is+s
ec程度のパルス1】の1回のパルスの印加により容易
に表示の11)き換えができるようになるものであり、
高速での表示の書き換えがIll能となる。 本発明では、このようにして形成された配向膜を設けた
基板をラビング法等で水平配向処理し、周辺にシール材
を付すして、基板が平行、かつ・定の間隔で保持される
ように、スペーサー、例えば、イrmピーズ、アルミナ
粒子をはさみ、電極面が相対向するように配置して二枚
の基板をシールし、セルを形成する。このセル内に強誘
電性液晶組成物を注入して、注入1」を封+l・して液
晶セルを完成させる。 なお、以I−の説明は、代表的な液晶セルの製造に稈を
説明したものであり、異なる製造方法で製造してもよい
、また、基板を三枚以上用いて複層液晶セルとする等し
てもよい。 このセルの外側に2枚の偏光膜をその偏光膜がお!1゛
いに直交し、かつ基板の配向−制御方向と一定角度をな
すように配置する。この角度は、液晶材料、装置6の動
作温度、駆動方法等によって変わり最もコントラスト特
性等のよい角度を選べばよく、また場合によっては2枚
の偏光膜の偏光軸を直交から僅かにずらして配置する場
合もある。 また、必要に応じて、裏側の基板の裏面に光源を置き、
反対側へ光が透過するようにする。 なお、反射型で用いる場合には、裏側の偏光膜の外側に
反射板を設ければよい。 本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶組成物としては、
電界の極性に依存した双安定性を示す液晶相をもつ液晶
が使用できるが、応答性の点でカイラルスメクチックC
相(Sac’相)をイ1する液晶組成物が好ましい。 本発明に使用される強誘電性液晶組成物は、強誘電性ス
メクチック液晶材料、スメクチック液晶材料あるいは他
の光?活性物質と適宜混合し、強誘電性スメクチック液
晶組成物として使用する。更に粘度、使用温度、らせん
ピッチ専を調整したり、カラー表示を行なうために、ネ
マチック液晶材料、非液晶材料、二色杯染料専を添加し
てもよい。 この強誘電性スメクチック液晶材料の具体的な例として
は、p−へキシルオキシベンジリデン−p゛−アミノ−
2−クロロ−a−プロピルシンナメート(IIOIIA
CI訃C1,’p−デシルオキシベンジリデンーp−ア
ミノ−2−メチルブチル−α−シアノーシンナメー)
(DOBAMBCC)等がある。もちろん、材料111
体であってもよいし、いくつかの材料を混合して特性を
実現してもよい。 また1本発明で用いる強誘電性液晶組成物としては、強
誘電性を示す液晶相より高温の温度範囲においてスメク
チックA相(Sn+A相)をもつ液晶が双安定性の対称
性の点で好ましい。等方相(I相)あるいはネマチック
相(Na相)あるいはコレステリック相(Ch相)より
、 S+++^相を経由せずに直接SmC”相等の強誘
電性液晶相へ変化する液晶を用いた場合1通常配向制御
の方向に対して液晶分子層の方向が異なる2種類の配向
状態をとる。この2種類の配向状態が混在するとコント
ラストの低ドをまねくため、1相あるいはNe相あるい
はch相よりSmC”相等の強誘電性液晶相へ冷却する
際に、−・方向の極性をもつ直流電界を印加し、2種類
の配向状態のうち1種類のみに配向させる等の手段をと
ることが必要となる。このようにして作成した素子にお
いてはその安定性において第1の安定状態と第2の安定
状態のうち、冷却する際に印加する電界の極性と一致す
る安定状態のほうがより安定となってしまい、双安定性
の低下につながる。これに対し、 Ss^相をもつ液晶
においては、液晶分子層の方向が1 +Tl類しかなく
、電界印加等の1段が必要な(、従って双安定性が電圧
に対して対称的になり双安定性がよい。 また、本発明で用いる強誘電性液晶組成物としては、強
誘電性を示す液晶相より高温の温度範囲でch相をもつ
ことが配向の均一性の点で好ましい、この液晶の配向の
作成法については、特願昭59−274073号の方法
を用いることで極めて良好な配向に素子が作成できる。 強誘電性液晶組成物としてSmC”相をもち、それより
高い温度においてCh相をもち、かつch相におけるら
せんピッチの長さfp)が基板間の距111 (ds)
の4倍量り長い液晶な用い、かつch相とSmC”相の
間に5ITl^相をもつことが、配向の均一=−・性の
点で望ましい。このような強誘電性液晶組成物としては
、九゛?活性物質、スメクグーツク液晶材料、ネマチッ
ク液晶材料等を適当な割合で混合することで得られ、必
要に応じて非液晶添加物を加える場合もある。特に、c
h相におけるピッチを長くするには、左らせんを生じさ
せる光′?活性物質と、右らせんを生じさせる光′?活
性物質を、らせんを生じさせる力の大きさに応じて混合
するのが有効である。 通常、Ch相におけるらせ/υピッチの長さは温度とと
もに変化する。均一な配向を得るには、コレステリッタ
ースメクチック相転移点の直1−でp > 4dsの条
件を満たすことが必要である。 しかし、この条件を満たす温度範囲が転移点のごく近傍
に限られる場合は、温度降下速度が速い場合においては
、らせん構造がほどけずにスメクチック相へ転移してし
まう、この場合には均一な配向が得られないので、らせ
ん構造がほどけるまでp > 4dsを満たす温度に保
持するか、温度降下速度を遅くする必要がある。この理
由かららせんピッチpが基板間距離dsの4倍量りにな
る温度範囲は、コレステリッタースメクチック相転移点
より 5℃以上の範囲にわたることが好ましく、さらに
ch相全全温度範囲わたることがより好ましい。 なお、ここでいうch相はネマチック液晶に光′を活性
物質を添加して固有のピッチを持つようにされたネマチ
ック液晶によるNe相も含むのもである。 [作用] 第2図は、双安定の強誘電性液晶表示素子が一方の安定
状態に配向しているところを示す模式図であり、第3図
は、この強誘電性液晶表示素子に電界を印加し、液晶分
子を反転させた直後の状態を示す模式図である。 第2図及び第3図において、21^、21B、31^、
31旧ま基板、25^、25B、35A、 35Bは電
極、26^。 26B、 36A、 3611G;t 配向膜、23,
331;を液晶分子、24.34は双極子モーメントを
表わしている。 第2図において、液晶層−r−23の双極子モーメント
24は図のF向きに揃っている。この双極子モーメント
の向きが揃うと、図に+−で示したように必然的に液晶
層の1−ドに電荷Qが発生している。 ここで配向膜は、誘電体であるので、発生した電荷につ
り合うだけの電荷i−七で分極し、打ち消しあう結果、
電極25A、2511は等電位となっている。なお、こ
こで発生ずる電荷Qは液晶の双極−r干−メントの大き
さI’sに比例するという性質がある。 次に、配向膜の分極について説明する。 配向膜は、コンデンサーの役11を果たしているので、
電荷Qが発生した場合、配向膜のLドに発生する電位差
Vには、以ドの (1111、(1v)に示されるよう
な関係が成1ンする。 v oc
(to)ε 即ち、 Pg X d VOe (IV)に こで発生している電圧は1次のような意味をもつ。 即ち、液晶分子を反転させるため、第2図で下からtへ
電界Eを印加した場合、その電界の向きに双□極tの方
向が揃い、第3図に示したような状態となる。 この液晶分子の反転する速度は極めて速く、1+++s
’ecのパルス中で充分この反転は終了し、パルスが消
えた瞬間には、第3図のように緩和時間が遅い配向膜の
分極の向き′はそのままで、液晶層には反対の電荷がた
まった状態となっている。 − この状態は、極めて不安定であり、11;I述の発生す
る電圧Vが液晶のしきい値電圧を超えていれば、さらに
反転し、元の状態、111ち、第2図の状態に戻ってし
まうことになる。しかも一般に強誘電性液晶の直流電圧
に対する反転しきい値電圧は、従来の1’N液晶表示素
子に比してかなり低く、100mV程度でも反転が生じ
る。従って1発生する電圧Vの大きさは、このしきい値
電圧以ドとしなくてはならなく、さもなければ電圧の印
加が終rした時点で再度元の状態に戻ってしまうことと
なる。 古き換えができるということは1発生している電圧Vが
この反転電圧以下であるということであるから、この電
圧は最大見積もって100IIV以下であることとなる
。両式(1v)から、tQき換えのできる条件を満たし
ているための条件を推定すると、次のようになる。 V = a−Ps・□ (V)(ここで8は
比例係数) それ故、aは次のようになる。 vc(Vl) I’s d ここでIP1iカ旬&nC/cs”、高分子配向膜の比
誘電率6が3のものを用い、配向、親の厚さdを変えて
、 l+u+ecの1つのパルスで書き換えができる
条件を調べた。 この結果、高分子配向膜の厚みが101)人では;1)
き換えが可能であり、200人では111き換えができ
なく、約150人が限界であることがわかった。この時
のaの値を計算すると、1.33X IQ−’となった
。このため、以下のような関係が判明した。 さらに、異なるPs、 d、 cとを組み合わせ。 −1き換えできる条件を満た°しているものを選択した
結果、V / aの値としてはやはり、約760以下で
あることが必要であることが確認寄れた。 また1強誘電性液晶表示素Tのスイッチング速度は、P
gに比例するとされており、Psの少さいものを用いる
ことは、vI述の書き換えの点で有利となるものの、応
答速度が鯉くなり、実用的な点からみて11;1記式の
値は75以上とすることが好ましくなる。 強誘電性液晶表示素子は、液晶層の厚さが0.5〜2μ
m程度と薄いため、一対の対向する電極間で短絡の発生
する危険性が従来のT N液晶表示素rに比して大きい
ため、充分な膜厚の絶縁層を電極にに形成することが好
ましい。 ところが、ポリイミド専の高分子配向膜は。 その比誘電率が3〜5程度と低く、このような物質で厚
い絶縁層を形成すると前述の条件からPgが極めて小さ
い液晶を用いなければならなくなり、前述したように応
答速度が低下してしまう問題点がある。 そこで、絶縁性を向りするために、配向性の一°≦い薄
い高分子配向膜を液晶に接する面に用いるとともに、こ
の高分子配向膜と電極との間に高誘電率の材料による絶
縁膜を積層することが好ましいこととなる。このため、
この高誘電率の絶縁膜として、膜質が硬く、絶縁性に優
れた絶縁性の無期の酸化物による膜を使用することが好
ましい。特に、酸化チタンは比誘電率が極めて大きいの
で、酸化ケイ素との混合物として比誘電率が30〜50
の材料として用いることにより、高分子配向膜の約10
倍の膜厚とでき、書き換えに悪影響を与えないで高い絶
縁性を付与できる。 [実施例] 実施例1〜9、比較例1〜4 ストライブ状にI T Oによる透明電極をバターニン
グした基板の電極上に比誘電率が3と4.5のポリイミ
ドをオーバーコートし、これをラビングして水平配向処
理を施した基板を作成した。この基板の周辺にシール材
を印刷し、基板の電極面が相対向するように2枚の基板
を配置し、基板間隙が2μmとなるようにシール接着し
て液晶セルを形成した。 この液晶セルの内部に1強誘電性液晶組成物として、I
相−ch相−Sn+A相−3ac”相とを順に有する強
誘電性液晶組成物を注入して、液晶セルを完成させた。 実施例1〜9及び比較例1〜4のこれらの強誘電性液晶
組成物の物性である自発分極Ps及び高分子・配向膜の
比誘電率ε、厚みdを第1表に示す。 これらの液晶セルに波高値20V、パルス中1m5cc
の111−パルスを印加し、その反転特性を調べた結果
を第1表に示す。 第 l 表 例 Ps cl t Pg−(1/ε 結
果2 9.11503 4600 314.81503 7400 4 4.2603 840 514.8603 2960 637.36G 3 7460 7 4.23003 4200 8 4.25003 TOO0 914、fl 1504.54930 250.61503 2530 X 3 4.27003 980 x 437.3 TOo 3 8703 x実施例1〜3
、実施例4〜6は夫々高分子配向膜の膜厚dとその比誘
電率εとを一定にして強誘電性液晶組成物の自発分極ε
を変えた場合を示しており、実施例1.4.7.8はP
sとεとを一定にしてdを変えた場合を示しており、実
施例9は実施例3のεを変えた場合を示している。 また、比較例1. 2は実施例1〜3に対してPsが本
発明の範囲外となっている例を示しており、比較例3.
4はdが本発明の範囲外となっている例を示したもので
ある。 これらの結果からも明らかなように、実施例のものは全
て 1回のパルスで古き換えが可能であったのに対し、
Psが小さい比較例1は応答速度が極めて遅<、PS
−d/εの値が750を超えている比較例2〜4はいず
れも1回のパルスの印加では反転を生じなかった。 実施例10.11、比較例5 実施例Iの構成の高分子配向膜と電極との間に酸化チタ
ンと酸化ケイ素とからなる厚さ1000人、 2000
人、5000人の無機酸化物膜(ε=40)を形成した
外は実施例1と同様にして液晶セルを形成した。 この結果、厚さ1000人、2000人の無機酸化物膜
のものは、いずれも 1回のパルスの印加で反転したが
、5000人の無機酸化物膜のものは反転しなかった。 これらの無機酸化物膜を設けたものは、絶縁性が高く1
両電極間での短絡を生じにくいものであった。 [効果] 本発明によれば、パルス中が1m5ec程度のQ%−の
パルス信号で完全な画面の古き換えが11f能になり1
強誘電性液晶表示素−r−の特長である高速応答を生か
すことができるものであり、各種情報ディスプレイ、光
シャッター笠として種々の分野に使用が可能なものであ
る。 本発明は、このほか、本発明の効果を損しない範囲内で
種々の応用が可能なものであり、本発明の素rをそれ0
体2以1・1組み合わせたり、”r N を液晶素子、
Gll型液晶素子、エレクトロルミネッセンス素子等と
組み合わせたり、カラーフィルター、カラー偏光膜等と
組み合わせたりしてもよい。
第1図は、本発明の強誘電性液晶表示素子の例の模式図
である。 第2図は、双安定の強誘電性液晶表示素子が一方の安定
状態に配向しているところを示す模式図であり、第3図
は、この強誘電性液晶表示素子に電界を印加し、液晶分
子を反転させた直後の状態を示す模式図である。 基板 :11^、llB、21^、21B、
31^、31B液晶分子層 :12 液晶分子 =I3^、13B、23.33双極−
rモーメント: 14A、 14B、 24.34電・
極 : 25A、 25B、 3FIA
、 36B配向膜 :26^、26B、36^
、 3611第1図
である。 第2図は、双安定の強誘電性液晶表示素子が一方の安定
状態に配向しているところを示す模式図であり、第3図
は、この強誘電性液晶表示素子に電界を印加し、液晶分
子を反転させた直後の状態を示す模式図である。 基板 :11^、llB、21^、21B、
31^、31B液晶分子層 :12 液晶分子 =I3^、13B、23.33双極−
rモーメント: 14A、 14B、 24.34電・
極 : 25A、 25B、 3FIA
、 36B配向膜 :26^、26B、36^
、 3611第1図
Claims (6)
- (1)強誘電性を有する液晶組成物を、配向膜を設けた
電極付の基板間に挟持してなる強誘電性液晶表示素子に
おいて、液晶組成物に接する配向膜が高分子配向膜とさ
れ、液晶組成物の自発分極の大きさをPs(nC/cm
^2)、配向膜の比誘電率と厚さを夫々ε、d(Å)と
した場合、 75≦(Ps×d)/ε≦750 なる関係式を満足するようにしたことを特徴とする強誘
電性液晶表示素子。 - (2)自発分極の大きさが4〜40nC/cm^2であ
る特許請求の範囲第1項記載の強誘電性液晶表示素子。 - (3)高分子配向膜の膜厚が50〜500Åである特許
請求の範囲第1項記載の強誘電性液晶表示素子。 - (4)高分子配向膜がポリイミド配向膜である特許請求
の範囲第3項記載の強誘電性液晶表示素子。 - (5)配向膜が高分子配向膜と無機酸化物の絶縁膜とか
らなり、液晶組成物に接する膜が高分子配向膜とされ、
電極に接する膜が無機酸化物の絶縁膜とされる特許請求
の範囲第1項〜第4項のいずれか一項記載の強誘電性液
晶表示素子。 - (6)無機酸化物の絶縁膜が酸化ケイ素と酸化チタンの
混合物である特許請求の範囲第5項記載の強誘電性液晶
表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029763A JP2550556B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 強誘電性液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029763A JP2550556B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 強誘電性液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63198020A true JPS63198020A (ja) | 1988-08-16 |
JP2550556B2 JP2550556B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=12285098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62029763A Expired - Lifetime JP2550556B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 強誘電性液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2550556B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6410214A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Canon Kk | Ferroelectric liquid crystal element |
US7342630B2 (en) | 2000-11-10 | 2008-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59131911A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
JPS59214824A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
JPS61170726A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Canon Inc | 液晶セル |
JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62029763A patent/JP2550556B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59131911A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-28 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
JPS59214824A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
JPS61170726A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Canon Inc | 液晶セル |
JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6410214A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Canon Kk | Ferroelectric liquid crystal element |
JPH0527090B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1993-04-20 | Canon Kk | |
US7342630B2 (en) | 2000-11-10 | 2008-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2550556B2 (ja) | 1996-11-06 |
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