JPS6256938A - 強誘電性液晶電気光学装置 - Google Patents
強誘電性液晶電気光学装置Info
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- JPS6256938A JPS6256938A JP19590985A JP19590985A JPS6256938A JP S6256938 A JPS6256938 A JP S6256938A JP 19590985 A JP19590985 A JP 19590985A JP 19590985 A JP19590985 A JP 19590985A JP S6256938 A JPS6256938 A JP S6256938A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02B—INTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
- F02B1/00—Engines characterised by fuel-air mixture compression
- F02B1/02—Engines characterised by fuel-air mixture compression with positive ignition
- F02B1/04—Engines characterised by fuel-air mixture compression with positive ignition with fuel-air mixture admission into cylinder
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は液晶電気光学装置に係り、更に詳しくは、双安
定性を有する強誘電性液晶電気光学装置に関する。
定性を有する強誘電性液晶電気光学装置に関する。
従来１時計や電卓等に用いられている液晶素子は、ネマ
チック液晶をねじれ構造にしたツィスティッドネマチッ
ク（Ｔ Ｎ）モードによる表示が主流である。一方、ス
メクチック液晶を用いて表示する試みも盛んになりつつ
あり、特にスメクチックＣゝ相やスメクチックＨＸ相を
有する液晶は１強誘電性を示すことから、マイヤーら〔
ジュルナル。
チック液晶をねじれ構造にしたツィスティッドネマチッ
ク（Ｔ Ｎ）モードによる表示が主流である。一方、ス
メクチック液晶を用いて表示する試みも盛んになりつつ
あり、特にスメクチックＣゝ相やスメクチックＨＸ相を
有する液晶は１強誘電性を示すことから、マイヤーら〔
ジュルナル。
ドウフィシ−？ （Ｌ、ｄ ｅ、Ｐｈｙｓ、）、Ｌ６９
゜１９７５年〕の発見以来、注目を集め、また、クラー
りらにより報告された〔アプライド、フィジカル。
゜１９７５年〕の発見以来、注目を集め、また、クラー
りらにより報告された〔アプライド、フィジカル。
レターズ（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、） ３
６ 、８９９ 。
６ 、８９９ 。
１９８０年〕如く、１ミリ秒以下の高速応答性並びに双
安定性を示すことから、液晶の新たな応用分野を拓くも
のとして期待されている。
安定性を示すことから、液晶の新たな応用分野を拓くも
のとして期待されている。
強誘電性液晶分子の電界に対する応答挙動は、強誘電性
液晶分子１がスメクチックＣ相においては層構造をとり
、分子長軸は層の法線方向に対し、ある角度（θ）で傾
いており、更にらせん構造をとっている。らせん軸に垂
直にしきい電界以上の電界を印加すると１層構造を保持
しつつ層内で分子が動いてらせんがほどけ、各々の分子
長軸に垂直な永久双極子モーメントが電界に平行になり
、同時に液晶分子は層内のみならず層間でも互いに平行
に配列する。を界の向きを選択すれば±θ角角度−た２
状態が実現でき、複屈折性を利用するか二色性の色素を
添加することで１表示素子や光シヤツター素子を作るこ
とができる。
液晶分子１がスメクチックＣ相においては層構造をとり
、分子長軸は層の法線方向に対し、ある角度（θ）で傾
いており、更にらせん構造をとっている。らせん軸に垂
直にしきい電界以上の電界を印加すると１層構造を保持
しつつ層内で分子が動いてらせんがほどけ、各々の分子
長軸に垂直な永久双極子モーメントが電界に平行になり
、同時に液晶分子は層内のみならず層間でも互いに平行
に配列する。を界の向きを選択すれば±θ角角度−た２
状態が実現でき、複屈折性を利用するか二色性の色素を
添加することで１表示素子や光シヤツター素子を作るこ
とができる。
一般に強誘電性液晶分子は、電界を除去・するとその配
向弾性復元力により、元のらせん構造△、と戻るが、ク
ラークとラゲルヴアルによって提晶（アプライド、フィ
ジカル、レターズ、止炙。
向弾性復元力により、元のらせん構造△、と戻るが、ク
ラークとラゲルヴアルによって提晶（アプライド、フィ
ジカル、レターズ、止炙。
８９９．１９８０年、特開昭５６−１０７２１６号）さ
れるように、例えば、１μｍ程度の非常に薄いセル中に
液晶を封入するなどしてガラスと液晶との界面効果を積
極的に利用すると、電界ゼロの時でも、らせんがほどけ
たままの双安定状態が達成できる。
れるように、例えば、１μｍ程度の非常に薄いセル中に
液晶を封入するなどしてガラスと液晶との界面効果を積
極的に利用すると、電界ゼロの時でも、らせんがほどけ
たままの双安定状態が達成できる。
双安定状態が実現できると、電気光学的なメモリ性が出
現し、その結果、高時分割駆動が可能となる。しかし、
従来の素子では、前記したように１μｍ程度の極めて薄
いギャップでメモリ性が実現されており、このような薄
いギャップで大画面の素子を作成することには、生産プ
ロセス上の困難が伴う。本発明者らは、生産プロセス上
、実用的な厚み（３μｍ以上）で双安定状態を実現する
べく、鋭意検討を進め、本発明に至った。
現し、その結果、高時分割駆動が可能となる。しかし、
従来の素子では、前記したように１μｍ程度の極めて薄
いギャップでメモリ性が実現されており、このような薄
いギャップで大画面の素子を作成することには、生産プ
ロセス上の困難が伴う。本発明者らは、生産プロセス上
、実用的な厚み（３μｍ以上）で双安定状態を実現する
べく、鋭意検討を進め、本発明に至った。
双安定状態を安定して実現するには、２状態間を移行す
る際の配向変形の自由エネルギー障壁が高い程、有利で
あると考えられ、変形の自由エネルギー障壁は、２状態
間を移行する際の変形歪が大きい程、すなわち、強誘電
性液晶にｊセいては、チルト角が大きい程、また、セル
厚が薄い程、この変形歪が大きくなると予想される０本
発明者らは、チルト角が大きい液晶材料を探索し、ある
一定の相変化を示す材料、すなわち、スメクチックｃＸ
相へ等方性用の相転移に際して、スメクチックＡ相を経
由しないものが、従来用いられていた。
る際の配向変形の自由エネルギー障壁が高い程、有利で
あると考えられ、変形の自由エネルギー障壁は、２状態
間を移行する際の変形歪が大きい程、すなわち、強誘電
性液晶にｊセいては、チルト角が大きい程、また、セル
厚が薄い程、この変形歪が大きくなると予想される０本
発明者らは、チルト角が大きい液晶材料を探索し、ある
一定の相変化を示す材料、すなわち、スメクチックｃＸ
相へ等方性用の相転移に際して、スメクチックＡ相を経
由しないものが、従来用いられていた。
スメクチックＡ相→スメクチックＣゝ相という相変化を
示す材料に比べて、大きなチルト角をもつという事実を
見い出し１本発明に至った。また。
示す材料に比べて、大きなチルト角をもつという事実を
見い出し１本発明に至った。また。
基板の表面処理についても、従来、配向規制力の異なる
もの同士の組合わせ、ハイブリッド配向。
もの同士の組合わせ、ハイブリッド配向。
片側の基板のみラビング処理等の方法が提案されている
が、有機高分子膜を設けた両基板共、ラビング処理を施
した方が、双安定状態を安定して実現でき、また、−標
記向性についても良好であることを見い出し１本発明に
至った。
が、有機高分子膜を設けた両基板共、ラビング処理を施
した方が、双安定状態を安定して実現でき、また、−標
記向性についても良好であることを見い出し１本発明に
至った。
本発明の目的は、３μｍ以上の液晶層厚において、双安
定状態を安定して実現する方法を提供し。
定状態を安定して実現する方法を提供し。
その結果として、応答性やコントラストなど、電気光学
特性の優れた強誘電性液晶電気光学装置を提供すること
にある。
特性の優れた強誘電性液晶電気光学装置を提供すること
にある。
本発明を概説すれば、本発明は強誘電性液晶電気光学装
置に関する発明であって、一定の温度領域においてカイ
ラルスメクチックＣ相を呈する液晶層を、電極を有し、
かつ配向処理を施した基板間に介在保持させてなる液晶
電気光学装置において、該液晶層は、カイラルスメクチ
ックＣ相〜等方性相の相転移に際して、スメクチックＡ
相を経由しないものであり、かつ、該配向処理方法が、
有機高分子膜を設けた両基板のラビング方向が互−いに
平行になるようにラビングしたものであることを特徴と
する。
置に関する発明であって、一定の温度領域においてカイ
ラルスメクチックＣ相を呈する液晶層を、電極を有し、
かつ配向処理を施した基板間に介在保持させてなる液晶
電気光学装置において、該液晶層は、カイラルスメクチ
ックＣ相〜等方性相の相転移に際して、スメクチックＡ
相を経由しないものであり、かつ、該配向処理方法が、
有機高分子膜を設けた両基板のラビング方向が互−いに
平行になるようにラビングしたものであることを特徴と
する。
すなわち、本発明によれば、高温側から、等方性用、コ
レステリック相、スメクチックＣ１相の順、或いは等方
性用、スメクチックＣゞ相の順で相変化する液晶材料を
用い、かつ、上下基板に設けた有機高分子膜を両面とも
、ラビングし、その方向が平行になるようにすることに
より、実用的な厚み（３μｍ以上）においても双安定状
態が安定して実現される。
レステリック相、スメクチックＣ１相の順、或いは等方
性用、スメクチックＣゞ相の順で相変化する液晶材料を
用い、かつ、上下基板に設けた有機高分子膜を両面とも
、ラビングし、その方向が平行になるようにすることに
より、実用的な厚み（３μｍ以上）においても双安定状
態が安定して実現される。
本発明の強誘電性液晶電気光学装置には、表示装置、光
シヤツター、光変調器、その他、用途の如何にかかわら
ず、上記要件を満す液晶電気光学装置がすべて含まれる
。それは１本発明によれば。
シヤツター、光変調器、その他、用途の如何にかかわら
ず、上記要件を満す液晶電気光学装置がすべて含まれる
。それは１本発明によれば。
応答性やコントラストなどの電気光学特性の優れた強誘
電性液晶素子が得られるが、この効果は液晶電気光学装
置をいずれの用途に用いる場合にも所望の効果があるか
らである。
電性液晶素子が得られるが、この効果は液晶電気光学装
置をいずれの用途に用いる場合にも所望の効果があるか
らである。
したがって、以下、本発明を液晶表示装置を例にして具
体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
本発明で用いるカイラルスメクチックＣ相を呈する液晶
としては、カイラルスメクチックＣ相へ等方性相の相転
移に際して、スメクチックＡ相を経由しないものであれ
ば、いずれも用いることができ、具体的に以下のものが
あげられる。４−〔（４−へキシルオキシフェニル）オ
キシカルボニル−４’ −（１−メチルヘプチル）オキ
シビフェニル、 ４− （（４−へブチルオキシ）フェ
ニルオキシカルボニル−４’ −（１−メチルヘプチル
）オキシビフェニル、 ４− （（４−オクチルオ”キ
シフェニル）オキシカルボニル−４’ −（１−メチル
ヘプチル）オキシビフェニル、４−デシルオキシ−４’
−（４−（（１−メチルヘプチル）オキシカルボニル
）ベンジルオキシ〕ビフェニル、４−（２−メチルブチ
ル）ビフェニルカルボン酸−４’ −（４−へキシルオ
キシフェニル）エステル。
としては、カイラルスメクチックＣ相へ等方性相の相転
移に際して、スメクチックＡ相を経由しないものであれ
ば、いずれも用いることができ、具体的に以下のものが
あげられる。４−〔（４−へキシルオキシフェニル）オ
キシカルボニル−４’ −（１−メチルヘプチル）オキ
シビフェニル、 ４− （（４−へブチルオキシ）フェ
ニルオキシカルボニル−４’ −（１−メチルヘプチル
）オキシビフェニル、 ４− （（４−オクチルオ”キ
シフェニル）オキシカルボニル−４’ −（１−メチル
ヘプチル）オキシビフェニル、４−デシルオキシ−４’
−（４−（（１−メチルヘプチル）オキシカルボニル
）ベンジルオキシ〕ビフェニル、４−（２−メチルブチ
ル）ビフェニルカルボン酸−４’ −（４−へキシルオ
キシフェニル）エステル。
４−（２−メチルブチル）ビフェニルカルボン酸−４’
−（４−ペプチルオキシフェニル）エステル、４−
（２−メチルブチル）ビフェニルカルボンｆｉ−４’−
（４−デシルオキシフェニル）エステル、４−（４−へ
ブチルオキシベンゾイル）−４’ −（２−メチルブチ
ル）オキシビフェニル。
−（４−ペプチルオキシフェニル）エステル、４−
（２−メチルブチル）ビフェニルカルボンｆｉ−４’−
（４−デシルオキシフェニル）エステル、４−（４−へ
ブチルオキシベンゾイル）−４’ −（２−メチルブチ
ル）オキシビフェニル。
４−（４−オクチルオキシベンゾイル）−４’ −（２
−メチルブチル）オキシビフェニル、４−（４−ノニル
オキシベンゾイル）−４’−（２−メチルブチル）オキ
シビフェニル、４− （４−メチルヘキシル）オキシ安
息香酸（４−へキシルオキシフェニル）エステル、４−
（４−メチルヘキシル）オキシ安息香酸（４−へブチル
オキシフェニル）エステル、４−（４−メチルヘキシル
）オキシ安息香酸（４−オクチルオキシフェニル）エス
テル、４−（４−メチルヘキシル）オキシ安息香酸（４
−ノニルオキシフェニル）エステル、４−（４−メチル
ヘキシル）オキシ安息香酸（４−デシルオキシフェニル
）エステル。
−メチルブチル）オキシビフェニル、４−（４−ノニル
オキシベンゾイル）−４’−（２−メチルブチル）オキ
シビフェニル、４− （４−メチルヘキシル）オキシ安
息香酸（４−へキシルオキシフェニル）エステル、４−
（４−メチルヘキシル）オキシ安息香酸（４−へブチル
オキシフェニル）エステル、４−（４−メチルヘキシル
）オキシ安息香酸（４−オクチルオキシフェニル）エス
テル、４−（４−メチルヘキシル）オキシ安息香酸（４
−ノニルオキシフェニル）エステル、４−（４−メチル
ヘキシル）オキシ安息香酸（４−デシルオキシフェニル
）エステル。
ただし、これらの例示は、本発明に用いられる液晶化合
物を限定するものではなく、また、混合液晶についても
、上記化合物同士の組成物はもちろん用いることができ
るし、カイラルスメクチックＣ相〜等方性相の相転移に
際して、スメクチックＡ相を経由する化合物との組成物
も、混合液晶の相変化が、スメクチックＡ相を経由しな
い限り、用いることができるのはいうまでもない。
物を限定するものではなく、また、混合液晶についても
、上記化合物同士の組成物はもちろん用いることができ
るし、カイラルスメクチックＣ相〜等方性相の相転移に
際して、スメクチックＡ相を経由する化合物との組成物
も、混合液晶の相変化が、スメクチックＡ相を経由しな
い限り、用いることができるのはいうまでもない。
本発明において用いられる有機高分子膜としては、ポリ
フェニレンピロメリットイミド、ポリフェニレンビフェ
ニルテトラカルボン酸イミド、ポリイミドイソインドロ
キナシリ２ジオンの如き。
フェニレンピロメリットイミド、ポリフェニレンビフェ
ニルテトラカルボン酸イミド、ポリイミドイソインドロ
キナシリ２ジオンの如き。
ポリイミド系高分子、ポリビニルアルコール、ポリエー
テルアミド、ポリエチレンテレフタレートポリヘキサメ
チレンアジペートなどが用いられる。
テルアミド、ポリエチレンテレフタレートポリヘキサメ
チレンアジペートなどが用いられる。
本発明において、有機高分子膜を基板上に設けるために
は、該ボリマーヌは該ポリマー前駆体を含む溶液を刷毛
塗り法、浸漬法２回転塗布法、スプ、レー法、印刷法な
どにより塗布し、しかる後、加熱処理により、溶媒除去
及び必要に応じて加熱反応させる方法が一般的である。
は、該ボリマーヌは該ポリマー前駆体を含む溶液を刷毛
塗り法、浸漬法２回転塗布法、スプ、レー法、印刷法な
どにより塗布し、しかる後、加熱処理により、溶媒除去
及び必要に応じて加熱反応させる方法が一般的である。
ただし、被膜形成法は、これらに限られるものではなく
、蒸着、スパッタリング等の公知の薄膜形成技術を用い
ることもできる６本発明においては、被膜面を布等でｍ
＝方向にラビング処理し、上下基板のラビング方向が互
いに平行になる・ようにする、有機高分子膜の厚さは、
５０〜１，０００オングストロームが一般的であり、好
ましくは２００〜４００オングストロームである。
、蒸着、スパッタリング等の公知の薄膜形成技術を用い
ることもできる６本発明においては、被膜面を布等でｍ
＝方向にラビング処理し、上下基板のラビング方向が互
いに平行になる・ようにする、有機高分子膜の厚さは、
５０〜１，０００オングストロームが一般的であり、好
ましくは２００〜４００オングストロームである。
本発明において用いられる表示モードとしては。
複屈折モード、ゲスト−ホストモードのいずれも用いる
ことができる。
ことができる。
以下１本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
酸化インジウム系透明導電膜を設けた２枚のガラス基板
に、ポリフェニレンビフェニルテトラカルボン酸イミド
の塗膜を回転塗布及び加熱により形成した。続いて、塗
布面をパフ布でラビングし、ラビング方向が互いに平行
になるように２枚のガラス基板を合わせた。２枚の基板
間には４μｍのガラスファイバーをスペーサとして挟持
して液晶セルを組立、液晶を真空封入した。液晶材料と
しては、下記化合物を用いた。
に、ポリフェニレンビフェニルテトラカルボン酸イミド
の塗膜を回転塗布及び加熱により形成した。続いて、塗
布面をパフ布でラビングし、ラビング方向が互いに平行
になるように２枚のガラス基板を合わせた。２枚の基板
間には４μｍのガラスファイバーをスペーサとして挟持
して液晶セルを組立、液晶を真空封入した。液晶材料と
しては、下記化合物を用いた。
この液晶材料は
１２３℃
リック相←−→等方性相なる相変化を示すものであり１
、アントラキノン系二色性色素Ｍ Ｄ −２３５（三菱
化成製）を３％混合して用いた。封入後、等方性相から
強誘電性を示すスメクチックｃＸ相まで徐冷するに際し
、２０Ｖの電界を印加し、８５℃に液晶セルを保持して
、電気光学特性を測定した。第１図に示したパルス電圧
を印加した時の、透過光強度を、偏光板を通して測定し
た。測定波長は６２５ｎｍ。
、アントラキノン系二色性色素Ｍ Ｄ −２３５（三菱
化成製）を３％混合して用いた。封入後、等方性相から
強誘電性を示すスメクチックｃＸ相まで徐冷するに際し
、２０Ｖの電界を印加し、８５℃に液晶セルを保持して
、電気光学特性を測定した。第１図に示したパルス電圧
を印加した時の、透過光強度を、偏光板を通して測定し
た。測定波長は６２５ｎｍ。
電界印加時のコントラスト比
ＣＲ＝８４／Ｂ１
メモリ２状態間のコントラスト比
ＣＲＨ＝Ｂ３／Ｂ２
Ｍ＝ （ＣＲＭ−１）／ （ＣＲ−１）双安定状態の安
定性を表わすパラメータとして、メモリ２状態間のコン
トラスト比と電界印加時のコントラスト比の比Ｍを求め
ると０．９ であった。
定性を表わすパラメータとして、メモリ２状態間のコン
トラスト比と電界印加時のコントラスト比の比Ｍを求め
ると０．９ であった。
すなわち、はぼ良好なメモリ性を示した。
比較例１
液晶材料として、高温側から、等方性相、スメクチック
Ａ相、スメクチックｂ する下記混合液晶を用いた他は、実施例１と同様にして
、パラメータＭを求めたところ、０であり、すなわち、
メモリー性はなかった。（測定温度２３℃） ２８モル％ ＣＨ＋ｓ ３０モル％ 相転移温度 チックＡ相←−−→等方性相 実施例２ 実施例１と同様のガラス基板に、ポリアミド（日立化成
製ハイマルＨＬ−１１００）の塗布を形成し、パフ布で
ラビング後、ラビング方向が互いに平行になるように、
２枚のガラス基板を合わせた。
Ａ相、スメクチックｂ する下記混合液晶を用いた他は、実施例１と同様にして
、パラメータＭを求めたところ、０であり、すなわち、
メモリー性はなかった。（測定温度２３℃） ２８モル％ ＣＨ＋ｓ ３０モル％ 相転移温度 チックＡ相←−−→等方性相 実施例２ 実施例１と同様のガラス基板に、ポリアミド（日立化成
製ハイマルＨＬ−１１００）の塗布を形成し、パフ布で
ラビング後、ラビング方向が互いに平行になるように、
２枚のガラス基板を合わせた。
２枚の基板間には、６μｍのガラスファイバーをスペー
サとして挟持して液晶セルを組立、液晶を真空封入した
。液晶材料としては、下記化合物を用いた。
サとして挟持して液晶セルを組立、液晶を真空封入した
。液晶材料としては、下記化合物を用いた。
ものであり、実施例１と同じくアントラキノン系色素Ｍ
Ｄ’２３５を混合して用いた。その他は、はぼ同様にし
て、パラメータＭを求めたところ、１であった（測定温
度３７℃）。
Ｄ’２３５を混合して用いた。その他は、はぼ同様にし
て、パラメータＭを求めたところ、１であった（測定温
度３７℃）。
実施例３
実施例１と同様のガラス基板に、ポリビニルアルコール
の皮膜を形成し、パフ布でラビング後。
の皮膜を形成し、パフ布でラビング後。
ラビング方向が互いに平行になるように２枚のガラス基
板を合せた。２枚の基板間には、６μｍのガラスファイ
バーをイペーサーとして挟持して液晶セルを組み立て、
液晶を真空封入した。液晶材料としては、下記組成物を
用いた。
板を合せた。２枚の基板間には、６μｍのガラスファイ
バーをイペーサーとして挟持して液晶セルを組み立て、
液晶を真空封入した。液晶材料としては、下記組成物を
用いた。
ＯＣＨδ
７５モル％
２５モル％
３６℃
この混合液晶は、結晶相〜一→スメクチック１１と同様
に二色性色素を混合し、６５℃にて、パラメータＭを求
めたところ、１であり、良好なメモリ性を示した。
に二色性色素を混合し、６５℃にて、パラメータＭを求
めたところ、１であり、良好なメモリ性を示した。
実施例４
実施例１において、液晶材料として下記化合物を用いた
他は、同様にしてパラメータＭを求めた。
他は、同様にしてパラメータＭを求めた。
ＣＨａ
相←−→等方性相なる相変化を示す。１３０℃で測定し
たパラメータＭは０．９であり、良好なメモリ性を示し
た。
たパラメータＭは０．９であり、良好なメモリ性を示し
た。
本発明によれば、実用的な厚みにおいて双安定状態が安
定して実現することができ、応答特性やコントラストな
どの電気光学特性の優れた強誘電性液晶電気光学装置を
提供できる。
定して実現することができ、応答特性やコントラストな
どの電気光学特性の優れた強誘電性液晶電気光学装置を
提供できる。
第１図は１本発明の液晶素子の応答特性を示す曲線図で
ある。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一定の温度領域においてカイラルスメクチックＣ相
を呈する液晶層を、電極を有し、かつ配向処理を施した
基板間に介在保持させてなる液晶電気光学装置において
、該液晶層は、カイラルスメクチックＣ相〜等方性相の
相転移に際して、スメクチックＡ相を経由しない液晶で
あり、かつ、両基板の配向処理膜のラビング方向が互い
に平行であることを特徴とする強誘電性液晶電気光学装
置。 ２、該液晶層が、カイラルスメクチックＣ相〜コレステ
リック相〜等方性相なる相転移挙動を示すものである特
許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶電気光学装置。 ３、該液晶層が、カイラルスメクチックＣ相から等方性
相へ直接相転移するものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項の記載の強誘電性液晶電気光学装置。 ４、該配向処理膜が、ポリイミド系高分子膜であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３
項記載の強誘電性液晶電気光学装置。 ５、液晶層の厚さが３μｍ以上であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれか記載の強誘電
性液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19590985A JPS6256938A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19590985A JPS6256938A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256938A true JPS6256938A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16349000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19590985A Pending JPS6256938A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256938A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112129A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-23 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | フエロ電気結晶光学デバイスとその製作方法 |
| JPS63246723A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Nec Corp | 液晶素子 |
| JPH01284833A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH01284834A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH01284832A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH01298320A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19590985A patent/JPS6256938A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112129A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-23 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | フエロ電気結晶光学デバイスとその製作方法 |
| JPS63246723A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Nec Corp | 液晶素子 |
| JPH01284833A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH01284834A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH01284832A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH01298320A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
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