JPS61198130A - 液晶パネル - Google Patents
液晶パネルInfo
- Publication number
- JPS61198130A JPS61198130A JP3833085A JP3833085A JPS61198130A JP S61198130 A JPS61198130 A JP S61198130A JP 3833085 A JP3833085 A JP 3833085A JP 3833085 A JP3833085 A JP 3833085A JP S61198130 A JPS61198130 A JP S61198130A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal panel
- phenylester
- benzoic acid
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- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は強誘電性液晶を使用した液晶パネルに関し、更
に詳しくは上下の配向層が異質の材料で構成された表示
用液晶パネルに関する。
に詳しくは上下の配向層が異質の材料で構成された表示
用液晶パネルに関する。
液晶組成物を用いた表示装置は、種々の分野で応用され
ているが、従来の液晶表示装置は主にネマチック液晶相
を利用したＴＮ表示方式のものである。このＴＮ表示方
式を利用した表示装置は薄型化、軽量化が可能であり、
しかも消費電力が極めて小さい。また受光素子であるた
め、日光の下などの明るい所でも表示が見やすく、長時
間使用しても目が疲れないなどの特徴を持っている。こ
のような特徴を生かして、腕時計や電卓及び各種測定装
置に利用され、最近では、パソコンの端末表示等にも利
用されるようになりつつある。しかし、このように応用
分野が拡大されて来ると、液晶表示装置の欠点である、
応答速度が遅い、視野角が狭い等の欠点がその応用分野
の拡大に大きな障害となって来ている。この障害を乗り
越えるぺ〈研究が盛んに行なわれてはいるが、さらなる
拡大を計るためには、ＴＮ表示方式に代わる表示方式の
開発が不可欠である。そのような試みのひとつとして、
強誘電性をしめずカイ２ルスメクチツクＣ液晶相の光ス
イツチ現象を応用した表示素子が挙げられる。
ているが、従来の液晶表示装置は主にネマチック液晶相
を利用したＴＮ表示方式のものである。このＴＮ表示方
式を利用した表示装置は薄型化、軽量化が可能であり、
しかも消費電力が極めて小さい。また受光素子であるた
め、日光の下などの明るい所でも表示が見やすく、長時
間使用しても目が疲れないなどの特徴を持っている。こ
のような特徴を生かして、腕時計や電卓及び各種測定装
置に利用され、最近では、パソコンの端末表示等にも利
用されるようになりつつある。しかし、このように応用
分野が拡大されて来ると、液晶表示装置の欠点である、
応答速度が遅い、視野角が狭い等の欠点がその応用分野
の拡大に大きな障害となって来ている。この障害を乗り
越えるぺ〈研究が盛んに行なわれてはいるが、さらなる
拡大を計るためには、ＴＮ表示方式に代わる表示方式の
開発が不可欠である。そのような試みのひとつとして、
強誘電性をしめずカイ２ルスメクチツクＣ液晶相の光ス
イツチ現象を応用した表示素子が挙げられる。
（Ｎ、Ａ、 Ｃ１ａｒｋ、 Ｓ、Ｔ、Ｌａｇａｗａｌ
Ｉ ； Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ３６
．８９９゜この方式の特徴は、ＴＮ表示方式に比較して
応答速度が速いこと、視角依存性が小さいこと、メモリ
ー効果があることなどである。しかしこの表示方式を実
用化するためには種々の方面でのまだ多くの課題を解決
する必要がある。そのひとつの大きな課題として、強誘
電性液晶分子の配向の問題が挙げられる。液晶分子の配
向が均一でないと、表示にむらが出来たり、表示面が着
色したりして、表示品質を著しく低下させてしまう。こ
のため表示素子として品位の優れたものにするためには
、液晶分子を均一に配向させることが必須要件である。
Ｉ ； Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ３６
．８９９゜この方式の特徴は、ＴＮ表示方式に比較して
応答速度が速いこと、視角依存性が小さいこと、メモリ
ー効果があることなどである。しかしこの表示方式を実
用化するためには種々の方面でのまだ多くの課題を解決
する必要がある。そのひとつの大きな課題として、強誘
電性液晶分子の配向の問題が挙げられる。液晶分子の配
向が均一でないと、表示にむらが出来たり、表示面が着
色したりして、表示品質を著しく低下させてしまう。こ
のため表示素子として品位の優れたものにするためには
、液晶分子を均一に配向させることが必須要件である。
そのためには液晶パネルの基板表面に配向層を形成させ
るのであるが、現在工業的に利用されている配向層の形
成手段としては高分子配向膜をラビングする方法及び８
ｉ０等の金属酸化物の斜方蒸着膜を形成させる方法など
がよく知られている。ところが強誘電性液晶を利用した
液晶パネルに於ては上下に同じ配向層を使用した場合、
液晶分子の配向状態が３つ存在するため、コントラスト
がよくなかったり、非選択部分のパターンが見えてしま
うなどの問題があった。
るのであるが、現在工業的に利用されている配向層の形
成手段としては高分子配向膜をラビングする方法及び８
ｉ０等の金属酸化物の斜方蒸着膜を形成させる方法など
がよく知られている。ところが強誘電性液晶を利用した
液晶パネルに於ては上下に同じ配向層を使用した場合、
液晶分子の配向状態が３つ存在するため、コントラスト
がよくなかったり、非選択部分のパターンが見えてしま
うなどの問題があった。
そこで本発明者らは液晶分子と配向層との相互作用につ
いて検討した結果、上下で異った配向層を使用すること
により、これらの問題点がなくなることを見出し本発明
に到達した。
いて検討した結果、上下で異った配向層を使用すること
により、これらの問題点がなくなることを見出し本発明
に到達した。
即ち、本発明は上下の基板に形成した配向層が異った材
料により構成されていることを特徴とする強誘電性液晶
パネルである。
料により構成されていることを特徴とする強誘電性液晶
パネルである。
以下実例に基いて、本発明の液晶ノ（ネルについて説明
する。
する。
強誘電性液晶材料としては次の組成の液晶組成物人を使
用した。
用した。
（Ｓ）４−オクチルオキシ安息香酸−４（２−メチルブ
チルオキシ）フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ
）４−ノニルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチルオ
キシ）フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ）４
−デシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチルオキシ
）フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ）４−ド
デシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチルオキシ）
フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ）４−へキシ
ルオキシビアエニルカルボン酸−４（２−メチルブチル
オキシ）フェニルエステル１０ｗｔチ （Ｓ） ４−オクチルオキシビフェニルカルボ／酸−４
（２−メチルブチルオキシ）フェニルエステル１０ｗｔ
％ この液晶組成物人は２５〜５１℃の温度領域でカイラル
スメクチックＣ液晶相を示し、自発分極は２ルＣ／ａｍ
、傾き角は２２°である。
チルオキシ）フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ
）４−ノニルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチルオ
キシ）フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ）４
−デシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチルオキシ
）フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ）４−ド
デシルオキシ安息香酸−４（２−メチルブチルオキシ）
フェニルエステル ２０ ｗｔ％（Ｓ）４−へキシ
ルオキシビアエニルカルボン酸−４（２−メチルブチル
オキシ）フェニルエステル１０ｗｔチ （Ｓ） ４−オクチルオキシビフェニルカルボ／酸−４
（２−メチルブチルオキシ）フェニルエステル１０ｗｔ
％ この液晶組成物人は２５〜５１℃の温度領域でカイラル
スメクチックＣ液晶相を示し、自発分極は２ルＣ／ａｍ
、傾き角は２２°である。
これを、一方の基板がＰＶＡ（ポリビニルアルコール）
の薄膜を塗付してラビングしたものであり、もう一方の
基板が６０〜８０°の方向からＳｉＯを斜方蒸着した配
向膜であり、電極間隔１．７μｍであるセルに注入して
強誘電性液晶パネルを構成し、両基板の間にＩＯＶの電
圧をかけたところ、コントラストのよい、しかも歪のな
いパターンが得られた。
の薄膜を塗付してラビングしたものであり、もう一方の
基板が６０〜８０°の方向からＳｉＯを斜方蒸着した配
向膜であり、電極間隔１．７μｍであるセルに注入して
強誘電性液晶パネルを構成し、両基板の間にＩＯＶの電
圧をかけたところ、コントラストのよい、しかも歪のな
いパターンが得られた。
第１図はこの液晶パネルの平均誘電率〈ε〉と印加電圧
２の関係を示したもので、ＳｉＯ配向膜側にプラス電圧
を印加した場合を正にしてある。このＳｉＯ配向層−Ｐ
ＶＡ配向層の組み合わせに於てはＳｉＯ側の電極を負に
した時に大きな誘電率をもち、正にした時には平均誘電
率は小さくなる。このことからダイポール（双極子）の
向きがＰＶＡ側からＳｉＯ側にそろって配列しているこ
とが判る。又、偏光顕微鏡で、この液晶パネルの配向状
態を観察するとＳｉＯ側の電極を負にした場合には何ら
の変化も認められないが、正にすると屈折率に変化があ
られれ、コントラストの良いパターンが認められた。
２の関係を示したもので、ＳｉＯ配向膜側にプラス電圧
を印加した場合を正にしてある。このＳｉＯ配向層−Ｐ
ＶＡ配向層の組み合わせに於てはＳｉＯ側の電極を負に
した時に大きな誘電率をもち、正にした時には平均誘電
率は小さくなる。このことからダイポール（双極子）の
向きがＰＶＡ側からＳｉＯ側にそろって配列しているこ
とが判る。又、偏光顕微鏡で、この液晶パネルの配向状
態を観察するとＳｉＯ側の電極を負にした場合には何ら
の変化も認められないが、正にすると屈折率に変化があ
られれ、コントラストの良いパターンが認められた。
上記液晶セルで上下両方共、ＰＶＡ膜配向層を使用した
場合は非選択部分においても表示パターンかはりきシ見
えてしまい、実用的な表示素子としては適さないものし
か得られなかった。
場合は非選択部分においても表示パターンかはりきシ見
えてしまい、実用的な表示素子としては適さないものし
か得られなかった。
ＳｉＯ蒸着と同様な作用をする配向膜としては８ ｉｏ
ｌ、Ａ６０３などの金属酸化物の蒸着膜があげられる。
ｌ、Ａ６０３などの金属酸化物の蒸着膜があげられる。
又、ＰＶＡと同様な作用をする配向膜としてはポリアク
リレートがある。
リレートがある。
前記の例に於てＰＶＡの代りにＰＩＤ（ポリイミド）を
使用した場合も、きれいなパターンの表示素子が得られ
た。但しこの場合は電極に対する液晶分子の双極子の方
向は逆になっていることがわかっている。
使用した場合も、きれいなパターンの表示素子が得られ
た。但しこの場合は電極に対する液晶分子の双極子の方
向は逆になっていることがわかっている。
更に上下の配向膜が高分膜同志でも、その極性が逆のも
のである組合せ、即ちＰＶＡ又はポリアクリレートのい
ずれかと、ＰＩＤ、ポリエステル、ポリアクリレートの
いずれとの組合わせＫよっても すぐれた液晶パネルを
得ることが出来る。
のである組合せ、即ちＰＶＡ又はポリアクリレートのい
ずれかと、ＰＩＤ、ポリエステル、ポリアクリレートの
いずれとの組合わせＫよっても すぐれた液晶パネルを
得ることが出来る。
以上の如くセルの基板の配向層を異質の材料で構成する
ことにより強誘電性液晶分子の双極子が配列され非常圧
コントラストのよい、歪のない表示用液晶パネルを得る
ことができる。
ことにより強誘電性液晶分子の双極子が配列され非常圧
コントラストのよい、歪のない表示用液晶パネルを得る
ことができる。
以上
Claims (6)
- （１）強誘電性液晶材料を挾持してなる液晶パネルに於
て、上下の基板表面に形成した配向層が異つた材料によ
り構成されていることを特徴とする液晶パネル。 - （２）配向層の一方が金属酸化物の斜方蒸着法により形
成され、他方の配向層がラビングにより配向された高分
子膜により形成されたところの特許請求の範囲第１項記
載の液晶パネル。 - （３）金属酸化物がＳｉＯ、ＳｉＯ＿２又はＡｌ＿２Ｏ
＿３であるところの特許請求の範囲第２項記載の液晶パ
ネル。 - （４）高分子膜がポリビニルアルコール、ポリアクリレ
ート、ポリエステル、ポリカーボネート又はポリイミド
であるところの特許請求の範囲第２項記載の液晶パネル
。 - （５）上下の配向層が共にラビングにより配向された互
いに異つた材質の高分子膜により形成された特許請求の
範囲第１項の液晶パネル。 - （６）高分子膜の一方がポリビニルアルコール又はポリ
アクリレートであり、他方がポリエステル、ポリカーボ
ネート又はポリイミドであるところの特許請求の範囲第
５項記載の液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3833085A JPH067236B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3833085A JPH067236B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198130A true JPS61198130A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH067236B2 JPH067236B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=12522266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3833085A Expired - Lifetime JPH067236B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067236B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373223A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子 |
| JPS6377019A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| JPS63178213A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-22 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電気光学装置 |
| JPH01177016A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 強誘電性液晶シャッタ |
| JPH0333830A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JP2002148631A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3833085A patent/JPH067236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373223A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子 |
| JPS6377019A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| JPS63178213A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-22 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電気光学装置 |
| JPH01177016A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-13 | Sharp Corp | 強誘電性液晶シャッタ |
| JPH0333830A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| JP2002148631A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067236B2 (ja) | 1994-01-26 |
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