JP2794369B2 - 液晶素子 - Google Patents
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子や液晶−
光シャッター等で用いる液晶素子に関し、特に液晶分子
の配向特性を改善した液晶素子用導電性配向層を用いた
液晶素子に関するものである。
光シャッター等で用いる液晶素子に関し、特に液晶分子
の配向特性を改善した液晶素子用導電性配向層を用いた
液晶素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＶ画像は、精細で中間調を持つ動画像
である。このＴＶ画像を表示する場合には、高解像度、
高速応答、多段階調表示、高コントラスト、高信頼性、
カラー化など最も高度な技術が要求される。この点で、
ＣＲＴに表示されるＴＶ画像の品質は非常に優れてい
る。しかし、表示画像の大面積化の流れの中で軽量化が
可能な液晶表示装置が注目されるようになり、最近で
は、各画素毎にスイッチング素子を設けてネマティック
液晶を直接駆動するアクティブマトリックス型液晶素子
によるＴＶ画像表示方法を中心に盛んに研究されてい
る。しかし、組み込むスイッチング素子としてはＴＦＴ
方式が最も優れていると考えられるが、素子作製プロセ
スの複雑さ、工程数等が大面積化への大きな障害となっ
ている。
である。このＴＶ画像を表示する場合には、高解像度、
高速応答、多段階調表示、高コントラスト、高信頼性、
カラー化など最も高度な技術が要求される。この点で、
ＣＲＴに表示されるＴＶ画像の品質は非常に優れてい
る。しかし、表示画像の大面積化の流れの中で軽量化が
可能な液晶表示装置が注目されるようになり、最近で
は、各画素毎にスイッチング素子を設けてネマティック
液晶を直接駆動するアクティブマトリックス型液晶素子
によるＴＶ画像表示方法を中心に盛んに研究されてい
る。しかし、組み込むスイッチング素子としてはＴＦＴ
方式が最も優れていると考えられるが、素子作製プロセ
スの複雑さ、工程数等が大面積化への大きな障害となっ
ている。
【０００３】一方、強誘電性液晶分子の屈折率異方性を
利用して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御
する形の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガー
ウォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている
（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６
７９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特
定の温度領域において、非らせん構造のカイラルスメク
チックＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、
この状態において、加えられた電界に応答して第１の光
学的安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときにはその状態を維持する
性質、すなわち双安定性を有し、また電界の変化に対応
する応答も速やかであり、高速並びに記憶型の表示素子
として広い利用が期待され、特にその機能から単純マト
リックス駆動方式による大画面で高精細な表示素子への
応用が期待されている。
利用して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御
する形の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガー
ウォル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている
（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６
７９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特
定の温度領域において、非らせん構造のカイラルスメク
チックＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、
この状態において、加えられた電界に応答して第１の光
学的安定状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときにはその状態を維持する
性質、すなわち双安定性を有し、また電界の変化に対応
する応答も速やかであり、高速並びに記憶型の表示素子
として広い利用が期待され、特にその機能から単純マト
リックス駆動方式による大画面で高精細な表示素子への
応用が期待されている。
【０００４】強誘電性液晶素子は該液晶の双安定性な２
状態の制御に基づいた本質的に２値表示法である為、中
間調の表示には不向きであろうと考えられている。しか
し、強誘電性液晶の階調表示技術の開発により、該液晶
の優れた特性を生かしたより広範囲の応用が可能になる
と期待される。単純マトリックス駆動方式での階調表示
方法として、画素内で該液晶の２つの双安定な配向状態
間の遷移をミクロな領域で制御してマイクロドメイン形
成に基づく面積階調法が提案されている（特開昭５９−
１９３４２７号公報）。しかし従来の配向制御技術では
上記マイクロドメインの安定性、制御性が十分ではな
く、実用可能な階調性が実現出来ているとは言い難い。
更には、双安定性の２値状態間のコントラスト比の向
上、スイッチング過程における残像現像やヒステリシス
の解消も十分実現出来ているとは言い難い。
状態の制御に基づいた本質的に２値表示法である為、中
間調の表示には不向きであろうと考えられている。しか
し、強誘電性液晶の階調表示技術の開発により、該液晶
の優れた特性を生かしたより広範囲の応用が可能になる
と期待される。単純マトリックス駆動方式での階調表示
方法として、画素内で該液晶の２つの双安定な配向状態
間の遷移をミクロな領域で制御してマイクロドメイン形
成に基づく面積階調法が提案されている（特開昭５９−
１９３４２７号公報）。しかし従来の配向制御技術では
上記マイクロドメインの安定性、制御性が十分ではな
く、実用可能な階調性が実現出来ているとは言い難い。
更には、双安定性の２値状態間のコントラスト比の向
上、スイッチング過程における残像現像やヒステリシス
の解消も十分実現出来ているとは言い難い。
【０００５】この双安定性を有する液晶を用いた光学変
調素子が所定の駆動特性を発揮する為には、一対の平行
基板間に配置される液晶が電界の印加状態とは無関係
に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起こる
ような分子配列状態にあることが必要である。
調素子が所定の駆動特性を発揮する為には、一対の平行
基板間に配置される液晶が電界の印加状態とは無関係
に、上記２つの安定状態の間での変換が効果的に起こる
ような分子配列状態にあることが必要である。
【０００６】また、液晶の複屈折を利用した液晶素子の
場合、直交ニコル下での透過率は、 Ｉ／Ｉ0 ＝ｓｉｎ2 ４θｓｉｎ2 （△ｎｄπ／λ） （式中：Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強度、θはチル
ト角、△ｎは屈折率異方性、ｄは液晶層の膜厚、λは入
射光の波長である。）で表される。前述の非らせん構造
におけるチルト角θは第１と第２の配向状態でのねじれ
配列した液晶分子の平均分子軸方向の角度として現れる
ことになる。上述によれば、高コントラストを得るに
は、かかるチルト角θが２２．５°に出来る限り近いこ
とが必要である。
場合、直交ニコル下での透過率は、 Ｉ／Ｉ0 ＝ｓｉｎ2 ４θｓｉｎ2 （△ｎｄπ／λ） （式中：Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強度、θはチル
ト角、△ｎは屈折率異方性、ｄは液晶層の膜厚、λは入
射光の波長である。）で表される。前述の非らせん構造
におけるチルト角θは第１と第２の配向状態でのねじれ
配列した液晶分子の平均分子軸方向の角度として現れる
ことになる。上述によれば、高コントラストを得るに
は、かかるチルト角θが２２．５°に出来る限り近いこ
とが必要である。
【０００７】ところで強誘電性液晶の配向方法として
は、大きな面積に亘ってスメクチック液晶を形成する複
数の分子で組織された液晶分子層を、その法線に沿って
一軸に配向させることが必要であることから、通常ラビ
ング処理を行ったポリイミド膜が広く用いられてきた。
特に非らせん構造のカイラルスメクチック液晶のための
配向方法としては、例えば米国特許法第４５６１７２６
号明細書等が知られている。従来のラビング処理したポ
リイミド膜によって配向させて得られた非らせん構造の
強誘電性液晶でのチルト角θ（後述の図４に示す角度）
が、らせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角Θ（後
述の図３に示す三角錐の頂角の１／２の角度）と較べて
小さくなっていることが一般的である。特に、ラビング
処理したポリイミド膜によって配向させて得られた非ら
せん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般に３°
〜８°程度で、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度
であった。
は、大きな面積に亘ってスメクチック液晶を形成する複
数の分子で組織された液晶分子層を、その法線に沿って
一軸に配向させることが必要であることから、通常ラビ
ング処理を行ったポリイミド膜が広く用いられてきた。
特に非らせん構造のカイラルスメクチック液晶のための
配向方法としては、例えば米国特許法第４５６１７２６
号明細書等が知られている。従来のラビング処理したポ
リイミド膜によって配向させて得られた非らせん構造の
強誘電性液晶でのチルト角θ（後述の図４に示す角度）
が、らせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角Θ（後
述の図３に示す三角錐の頂角の１／２の角度）と較べて
小さくなっていることが一般的である。特に、ラビング
処理したポリイミド膜によって配向させて得られた非ら
せん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般に３°
〜８°程度で、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度
であった。
【０００８】この様に、クラークとラガウォールによれ
ば双安定性を実現する非らせん構造の強誘電性液晶での
チルト角が、らせん構造を持つ強誘電性液晶でのチルト
角と同一の角度を持つはずであるが、実際には非らせん
構造でのチルト角θの方が、らせん構造でのチルト角Θ
より小さくなっている。しかも、この非らせん構造での
チルト角θが、らせん構造でのチルト角Θより小さくな
る原因が、非らせん構造での液晶分子のねじれ配列に起
因していることが明らかにされている。つまり、非らせ
ん構造を持つ強誘電性液晶では、液晶分子が図５に示す
様に、上下基板に隣接する液晶分子の軸４２，４３がね
じれ配列の方向４４へ連続的に基板の法線に対してねじ
れ角δでねじれて配列しており、このことが非らせん構
造でのチルト角θが、らせん構造でのチルト角Θより小
さくなる原因となっている。
ば双安定性を実現する非らせん構造の強誘電性液晶での
チルト角が、らせん構造を持つ強誘電性液晶でのチルト
角と同一の角度を持つはずであるが、実際には非らせん
構造でのチルト角θの方が、らせん構造でのチルト角Θ
より小さくなっている。しかも、この非らせん構造での
チルト角θが、らせん構造でのチルト角Θより小さくな
る原因が、非らせん構造での液晶分子のねじれ配列に起
因していることが明らかにされている。つまり、非らせ
ん構造を持つ強誘電性液晶では、液晶分子が図５に示す
様に、上下基板に隣接する液晶分子の軸４２，４３がね
じれ配列の方向４４へ連続的に基板の法線に対してねじ
れ角δでねじれて配列しており、このことが非らせん構
造でのチルト角θが、らせん構造でのチルト角Θより小
さくなる原因となっている。
【０００９】尚、図中４１は上下基板に形成したラビン
グ処理や斜方蒸着処理によって得られた一軸配向軸を表
している。
グ処理や斜方蒸着処理によって得られた一軸配向軸を表
している。
【００１０】また、従来のラビング処理したポリイミド
配向層によって生じたカイラルスメクチック液晶の配向
状態では、電極と液晶層の間に絶縁体層としてのポリイ
ミド配向層の存在によって、第１の光学的安定状態（例
えば、白の表示状態）から第２の光学的安定状態（例え
ば、黒の表示状態）にスイッチングするための一方極性
電圧を印加した場合、この一方極性電圧の印加解除後、
強誘電性液晶層には他方極性の逆電界Ｖｒｅｖが生じ、
係る逆電界Ｖｒｅｖがディスプレイ時における残像現象
を引き起こすという問題や（吉田明雄著、昭和６２年１
０月「液晶討論会予行集」１４２〜１４３頁の「ＳＳＦ
ＬＣのスイッチング特性」）、イオン種などによる電荷
染め付等によるスイッチングにおけるヒステリス等の問
題があった。
配向層によって生じたカイラルスメクチック液晶の配向
状態では、電極と液晶層の間に絶縁体層としてのポリイ
ミド配向層の存在によって、第１の光学的安定状態（例
えば、白の表示状態）から第２の光学的安定状態（例え
ば、黒の表示状態）にスイッチングするための一方極性
電圧を印加した場合、この一方極性電圧の印加解除後、
強誘電性液晶層には他方極性の逆電界Ｖｒｅｖが生じ、
係る逆電界Ｖｒｅｖがディスプレイ時における残像現象
を引き起こすという問題や（吉田明雄著、昭和６２年１
０月「液晶討論会予行集」１４２〜１４３頁の「ＳＳＦ
ＬＣのスイッチング特性」）、イオン種などによる電荷
染め付等によるスイッチングにおけるヒステリス等の問
題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、前述した強誘電性液晶の配向技術における問題点を
解決し、双安定性の２値状態間のコントラスト比を向上
し、スイッチング過程における残像現象やヒステリシス
を解消して、さらには実用可能な階調性を実現するため
に、各画素内に発生するマイクロドメイン安定性、制御
性に対して十分の制御を有する液晶素子を提供すること
にある。
は、前述した強誘電性液晶の配向技術における問題点を
解決し、双安定性の２値状態間のコントラスト比を向上
し、スイッチング過程における残像現象やヒステリシス
を解消して、さらには実用可能な階調性を実現するため
に、各画素内に発生するマイクロドメイン安定性、制御
性に対して十分の制御を有する液晶素子を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、それ
ぞれに電極と有機導電性配向膜を有する一対の基板間に
強誘電性液晶を挟持してなり、該液晶が双安定性を示す
液晶素子であって、上記有機導電性配向膜と電極の間に
イオン伝導性膜を設けたことを特徴とする液晶素子であ
る。
ぞれに電極と有機導電性配向膜を有する一対の基板間に
強誘電性液晶を挟持してなり、該液晶が双安定性を示す
液晶素子であって、上記有機導電性配向膜と電極の間に
イオン伝導性膜を設けたことを特徴とする液晶素子であ
る。
【００１３】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００１４】図１は、本発明の液晶素子の一例を模式的
に示す断面図である。同図において、１１ａと１１ｂは
各々Ｉｎ2 Ｏ3 やＩＴＯ等の透明電極１２ａと１２ｂで
被覆されたガラス基板であり、その上にイオン伝導性膜
１３ａと１３ｂ及び配向膜１４ａと１４ｂが各々積層さ
れている。
に示す断面図である。同図において、１１ａと１１ｂは
各々Ｉｎ2 Ｏ3 やＩＴＯ等の透明電極１２ａと１２ｂで
被覆されたガラス基板であり、その上にイオン伝導性膜
１３ａと１３ｂ及び配向膜１４ａと１４ｂが各々積層さ
れている。
【００１５】前記配向膜１４ａと１４ｂとの間には強誘
電性スメクチック液晶１５が配置され、その間隔の距離
は強誘電性スメクチック液晶１５のらせん配列構造の形
成を抑制するのに十分に小さい距離（例えば、０．１〜
３μｍ）に設定され、強誘電性スメクチック液晶１５は
双安定性配向状態を生じている。上述の強誘電性スメク
チック液晶１５が配置されている十分に小さい液晶間距
離は、配向膜１４ａ，１４ｂとの間に配置されたビーズ
スペーサ１６（例えば、シリカビーズ、アルミナビーズ
等）によって保持される。また、１７ａ，１７ｂは偏光
板を示す。
電性スメクチック液晶１５が配置され、その間隔の距離
は強誘電性スメクチック液晶１５のらせん配列構造の形
成を抑制するのに十分に小さい距離（例えば、０．１〜
３μｍ）に設定され、強誘電性スメクチック液晶１５は
双安定性配向状態を生じている。上述の強誘電性スメク
チック液晶１５が配置されている十分に小さい液晶間距
離は、配向膜１４ａ，１４ｂとの間に配置されたビーズ
スペーサ１６（例えば、シリカビーズ、アルミナビーズ
等）によって保持される。また、１７ａ，１７ｂは偏光
板を示す。
【００１６】また、図２は参考用の液晶素子の一例を模
式的に示す断面図である。図２において、図１と同一符
号のものは同一部材を示しており、再度の説明は省略す
る。この液晶素子において、イオン伝導性膜１３ａと１
３ｂは配向膜１４ａと１４ｂ上に形成され液晶と接して
いる。
式的に示す断面図である。図２において、図１と同一符
号のものは同一部材を示しており、再度の説明は省略す
る。この液晶素子において、イオン伝導性膜１３ａと１
３ｂは配向膜１４ａと１４ｂ上に形成され液晶と接して
いる。
【００１７】本発明の配向膜には有機導電性配向膜が用
いられ、例えば下記一般式（７）又は（８）のポリピロ
ール、ポリアニリン
いられ、例えば下記一般式（７）又は（８）のポリピロ
ール、ポリアニリン
【００１８】
【化３】 およびその誘導体、或いはポリチオフェン、ポリアニレ
ンビニレンおよびその誘導体、またはポリ（ピリジン−
２、５−ジイル）、ポリ（２、２’−ビピリジン−５、
５−ジイル）、ポリ（ピリジン−５、２−ジイル−チオ
フェン−２、５−ジイル）を好適に用いることができ
る。しかし、本発明の応用は該導電性材料にのみ限定さ
れるものではなく、配向性がよく、１０-10 Ｓ／ｃｍ以
上の導電性を制御し付与できる高分子材料であれば用い
ることができる。更に好適には１０-8〜１０-4Ｓ／ｃｍ
の導電率を有する導電性高分子材料を用いることができ
る。
ンビニレンおよびその誘導体、またはポリ（ピリジン−
２、５−ジイル）、ポリ（２、２’−ビピリジン−５、
５−ジイル）、ポリ（ピリジン−５、２−ジイル−チオ
フェン−２、５−ジイル）を好適に用いることができ
る。しかし、本発明の応用は該導電性材料にのみ限定さ
れるものではなく、配向性がよく、１０-10 Ｓ／ｃｍ以
上の導電性を制御し付与できる高分子材料であれば用い
ることができる。更に好適には１０-8〜１０-4Ｓ／ｃｍ
の導電率を有する導電性高分子材料を用いることができ
る。
【００１９】一般的に、前記高分子導電性化合物に導電
性を付与し、キャリア密度を高める為にドーパントを必
要とする。通常、ドーパントとなる化合物はイオン性の
低分子化合物である。ドーパントとしてはハロゲンイオ
ン、酸化物陰イオン、例えば過塩素酸イオン、硫酸イオ
ン、硝酸イオン、が好適に用いられる。またアルカリ金
属等の金属イオンも用いることができる。
性を付与し、キャリア密度を高める為にドーパントを必
要とする。通常、ドーパントとなる化合物はイオン性の
低分子化合物である。ドーパントとしてはハロゲンイオ
ン、酸化物陰イオン、例えば過塩素酸イオン、硫酸イオ
ン、硝酸イオン、が好適に用いられる。またアルカリ金
属等の金属イオンも用いることができる。
【００２０】
【００２１】また、配向膜は可視領域の光に対して透過
性の優れた媒体が好ましい。従って、塗布法および蒸着
法によって形成される配向膜の膜厚は通常３０〜５００
Å、好ましくは３０〜２００Åの範囲、より好ましくは
３０〜１００Åが望ましい。これらは従来公知技術より
成膜できるが、電荷蓄積による逆電界の発生をより効率
的に抑えるためには薄く成膜することが好ましく、例え
ばＬＢ法によって配向膜を形成する場合には、膜厚を４
〜２００Å、好ましくは１６〜１００Å、より好ましく
は１６〜５０Åとすることが望ましい。また、配向膜を
成膜する際の基板の引き上げ方向に関しては、セル組み
した時に上下の基板間でその引き上げ方向が同一方向に
なるように（例えば、図１あるいは図２のＡの方向）成
膜しても、逆方向になるように配置しても大きな差はな
い。
性の優れた媒体が好ましい。従って、塗布法および蒸着
法によって形成される配向膜の膜厚は通常３０〜５００
Å、好ましくは３０〜２００Åの範囲、より好ましくは
３０〜１００Åが望ましい。これらは従来公知技術より
成膜できるが、電荷蓄積による逆電界の発生をより効率
的に抑えるためには薄く成膜することが好ましく、例え
ばＬＢ法によって配向膜を形成する場合には、膜厚を４
〜２００Å、好ましくは１６〜１００Å、より好ましく
は１６〜５０Åとすることが望ましい。また、配向膜を
成膜する際の基板の引き上げ方向に関しては、セル組み
した時に上下の基板間でその引き上げ方向が同一方向に
なるように（例えば、図１あるいは図２のＡの方向）成
膜しても、逆方向になるように配置しても大きな差はな
い。
【００２２】このように成膜された配向膜により効果的
な配向性を付与するため、該配向膜の表面を更にラビン
グすることが好ましい。この際、ラビングの方向は一方
向のみでよいが、上下基板に配向膜を用いた場合、上下
基板のラビング軸は平行、反平行、或いは僅かな角度を
持たせて交差する方向でもよく、用いる液晶材料の配向
特性に従って種々の方法で行うことができる。また、ラ
ビングは常法にしたがって行えばよい。更に、好ましい
配向を実現するために配向材、例えばポリアミド、ポリ
イミド等を混合して用いることも可能である。
な配向性を付与するため、該配向膜の表面を更にラビン
グすることが好ましい。この際、ラビングの方向は一方
向のみでよいが、上下基板に配向膜を用いた場合、上下
基板のラビング軸は平行、反平行、或いは僅かな角度を
持たせて交差する方向でもよく、用いる液晶材料の配向
特性に従って種々の方法で行うことができる。また、ラ
ビングは常法にしたがって行えばよい。更に、好ましい
配向を実現するために配向材、例えばポリアミド、ポリ
イミド等を混合して用いることも可能である。
【００２３】強誘電性液晶は自発分極Ｐｓを持つため、
該液晶の配向状態ではＰｓにともない内部電界が発生す
る。後述する様に、該内部電界により配向制御層表面に
電荷の蓄積が起こり、逆電界が発生する。図８に液晶セ
ル内の電荷分布、自発分極Ｐｓの方向及び逆電界の方向
を模式的に示した。該電荷蓄積は配向膜内のイオンの偏
り、或いは液晶層に微量存在するイオンの界面吸着や電
気二重層の形成により生じると考えられる。
該液晶の配向状態ではＰｓにともない内部電界が発生す
る。後述する様に、該内部電界により配向制御層表面に
電荷の蓄積が起こり、逆電界が発生する。図８に液晶セ
ル内の電荷分布、自発分極Ｐｓの方向及び逆電界の方向
を模式的に示した。該電荷蓄積は配向膜内のイオンの偏
り、或いは液晶層に微量存在するイオンの界面吸着や電
気二重層の形成により生じると考えられる。
【００２４】このような電荷蓄積にともなう逆電界発生
によるスイッチング初期の透過率−電圧特性に現れるヒ
ステリシス等は導電性配向膜を用いることで緩和できる
ことが指摘されている。しかし、スイッチング電圧印加
後のショート時に強誘電性液晶の層構造の揺らぎに起因
すると考えられるヒステリシスの発生にまだ多少の問題
点を残していた。
によるスイッチング初期の透過率−電圧特性に現れるヒ
ステリシス等は導電性配向膜を用いることで緩和できる
ことが指摘されている。しかし、スイッチング電圧印加
後のショート時に強誘電性液晶の層構造の揺らぎに起因
すると考えられるヒステリシスの発生にまだ多少の問題
点を残していた。
【００２５】本発明は、上記問題点を解決する為に、導
電性配向膜と電極界面にイオン伝導性膜（図１中、１３
ａ，１３ｂ）を更に設けることを特徴としている。図１
に示すような電極・イオン伝導層・導電性配向膜の構成
は一種の電池構造と見なすことができる。これにより、
記録電圧印加時に強誘電性液晶の反転にともない注入さ
れた電気量は上記電池構造に蓄えられるため、ショート
時にも自己放電緩和の間、配向膜の電位をほぼ一定に保
つことができる為、強誘電性液晶の揺らぎを抑えること
ができると考えられる。従って、スイッチング電圧印加
後のショート時に強誘電性液晶の層構造の揺らぎに起因
すると考えられるヒステリシスの発生を抑えることがで
きると考えられる。
電性配向膜と電極界面にイオン伝導性膜（図１中、１３
ａ，１３ｂ）を更に設けることを特徴としている。図１
に示すような電極・イオン伝導層・導電性配向膜の構成
は一種の電池構造と見なすことができる。これにより、
記録電圧印加時に強誘電性液晶の反転にともない注入さ
れた電気量は上記電池構造に蓄えられるため、ショート
時にも自己放電緩和の間、配向膜の電位をほぼ一定に保
つことができる為、強誘電性液晶の揺らぎを抑えること
ができると考えられる。従って、スイッチング電圧印加
後のショート時に強誘電性液晶の層構造の揺らぎに起因
すると考えられるヒステリシスの発生を抑えることがで
きると考えられる。
【００２６】
【００２７】
【００２８】本発明において、上記イオン伝導性膜とし
ては、下記一般式（１）〜（６）のポリエーテル、ポリ
エステル、ポリイミン
ては、下記一般式（１）〜（６）のポリエーテル、ポリ
エステル、ポリイミン
【００２９】
【化４】 のいずれか或いはその架橋体からなるイオン導電性高分
子を好適に用いることができる。該イオン伝導性膜には
塩、例えばＬｉＣｌＯ4 等、を混ぜることによりイオン
伝導性を付与するが、前記高分子モノマー単位に対して
１／１０以下のモル比で混合することが好ましい。より
好ましくは１／１００以下のモル比で用いる。用いる塩
の種類としては、導電性配向膜のドーパントとして用い
た化合物により各種選ぶことができるが、通常、Ｃ
ｌ- ，ＣｌＯ4 -，或いはスルホン酸等のアルカリ金属塩
が用いられる。
子を好適に用いることができる。該イオン伝導性膜には
塩、例えばＬｉＣｌＯ4 等、を混ぜることによりイオン
伝導性を付与するが、前記高分子モノマー単位に対して
１／１０以下のモル比で混合することが好ましい。より
好ましくは１／１００以下のモル比で用いる。用いる塩
の種類としては、導電性配向膜のドーパントとして用い
た化合物により各種選ぶことができるが、通常、Ｃ
ｌ- ，ＣｌＯ4 -，或いはスルホン酸等のアルカリ金属塩
が用いられる。
【００３０】本発明の液晶素子において、スイッチング
パルス印加時に、強誘電性液晶層に有効に電圧が印加で
きる様にする為には、上記イオン伝導性膜の膜厚はでき
るかぎり薄く形成することが好ましく、一般的には１０
０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下の膜厚が好適
である。また、イオンの移動度は小さい為、電気的な平
衡状態をパルス印加時に実現する為には、イオン伝導性
膜の膜厚はより薄い方が好ましいが、自己放電緩和時間
も短くなる為、両者のバランスにより最適な膜厚が決定
される。
パルス印加時に、強誘電性液晶層に有効に電圧が印加で
きる様にする為には、上記イオン伝導性膜の膜厚はでき
るかぎり薄く形成することが好ましく、一般的には１０
０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下の膜厚が好適
である。また、イオンの移動度は小さい為、電気的な平
衡状態をパルス印加時に実現する為には、イオン伝導性
膜の膜厚はより薄い方が好ましいが、自己放電緩和時間
も短くなる為、両者のバランスにより最適な膜厚が決定
される。
【００３１】
【００３２】また、本発明において、交流電界を印加し
て液晶の初期配向状態を得るのが好ましい。
て液晶の初期配向状態を得るのが好ましい。
【００３３】本発明の液晶素子に使用される液晶物質は
特に限定されない。しかし、液晶注入時の初期均一配向
の容易性から評価すると、降温過程で、等方相、コレス
テリック相、スメクチックＡ相を通してカイラルスメク
チックＣ相を生じる液晶が好ましい。特にコレステリッ
ク相の時のピッチが０．８μｍ以上のものが好ましい
（但し、コレステリック相の温度範囲における中央点で
測定したもの）。
特に限定されない。しかし、液晶注入時の初期均一配向
の容易性から評価すると、降温過程で、等方相、コレス
テリック相、スメクチックＡ相を通してカイラルスメク
チックＣ相を生じる液晶が好ましい。特にコレステリッ
ク相の時のピッチが０．８μｍ以上のものが好ましい
（但し、コレステリック相の温度範囲における中央点で
測定したもの）。
【００３４】しかし、本発明に用いられる液晶は上記液
晶にのみ限定されるものではなく、前記の特徴を有する
有機導電性配向膜さらにはイオン伝導性膜からなる導電
性配向層を有することによって、特にスイッチング過程
の安定性・再現性からは、強誘電性液晶分子が有する自
発分極の空間的発散、即ち空間電荷のつくる分極場が液
晶分子の分子配向に影響を及ぼし得るような大きな自発
分極を有する強誘電性液晶、例えば、自発分極Ｐｓが１
０ｎＣ／ｃｍ2 以上である強誘電性液晶も好適に用いら
れる。更にはまた、降温過程でコレステリック相をもた
ず、ＳｍＣ* 相でのらせんピッチが０．５μｍ以下の強
誘電性液晶でも、液晶注入時の初期均一配向の達成は難
しくはなるが十分に用いることができる。
晶にのみ限定されるものではなく、前記の特徴を有する
有機導電性配向膜さらにはイオン伝導性膜からなる導電
性配向層を有することによって、特にスイッチング過程
の安定性・再現性からは、強誘電性液晶分子が有する自
発分極の空間的発散、即ち空間電荷のつくる分極場が液
晶分子の分子配向に影響を及ぼし得るような大きな自発
分極を有する強誘電性液晶、例えば、自発分極Ｐｓが１
０ｎＣ／ｃｍ2 以上である強誘電性液晶も好適に用いら
れる。更にはまた、降温過程でコレステリック相をもた
ず、ＳｍＣ* 相でのらせんピッチが０．５μｍ以下の強
誘電性液晶でも、液晶注入時の初期均一配向の達成は難
しくはなるが十分に用いることができる。
【００３５】図３は、強誘電性液晶の動作説明のため
に、セルの例を模式的に描いたものである。図中、２１
ａと２１ｂは、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 あるいはＩＴＯ等
の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）
であり、その間に液晶分子層２２がガラス基板面に垂直
になるよう配向したＳｍＣ* （カイラルスメクチック
Ｃ）相又はＳｍＨ* （カイラルスメクチックＨ）相の液
晶が封入されている。太線で示した線２３は液晶分子を
表しており、この液晶分子２３はその分子に直交した方
向に双極子モーメント（Ｐ ⊥）２４を有している。この
時の三角錐の頂角をなす角度の１／２が、かかるらせん
構造のカイラルスメクチック相でのチルト角Θを表して
いる。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定のしきい値
以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ ⊥）２４がすべて電界方
向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変えることが
できる。液晶分子２３は、細長い形状を有しており、そ
の長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例
えばガラス基板面の上下に互いにクロスニコルの偏光子
を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶
光学変調素子となることは、容易に理解される。
に、セルの例を模式的に描いたものである。図中、２１
ａと２１ｂは、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 あるいはＩＴＯ等
の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）
であり、その間に液晶分子層２２がガラス基板面に垂直
になるよう配向したＳｍＣ* （カイラルスメクチック
Ｃ）相又はＳｍＨ* （カイラルスメクチックＨ）相の液
晶が封入されている。太線で示した線２３は液晶分子を
表しており、この液晶分子２３はその分子に直交した方
向に双極子モーメント（Ｐ ⊥）２４を有している。この
時の三角錐の頂角をなす角度の１／２が、かかるらせん
構造のカイラルスメクチック相でのチルト角Θを表して
いる。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定のしきい値
以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ ⊥）２４がすべて電界方
向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変えることが
できる。液晶分子２３は、細長い形状を有しており、そ
の長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例
えばガラス基板面の上下に互いにクロスニコルの偏光子
を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶
光学変調素子となることは、容易に理解される。
【００３６】本発明の有機導電性配向膜さらにはイオン
伝導性膜からなる導電性配向層を有する液晶素子で用い
る、双安定性配向状態の表面安定型強誘電性液晶セル
は、その厚さを充分に薄く（例えば、０．１〜３μｍ）
することができる。このように液晶層が薄くなるにした
がい、図４に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、
その双極子モーメントＰａまたはＰｂは上向き（３４
ａ）又は下向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。こ
のようなセルに、同図に示す如く一定のしきい値以上の
極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを電圧印加手段３１ａと
３１ｂにより付与すると、双極子モーメントは電界Ｅａ
又はＥｂの電界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は下
向き３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第１
の安定状態３３ａ或いは第２の安定状態３３ｂの何れか
一方に配向する。この時の第１と第２の安定状態のなす
角度の１／２がチルト角θに相当する。
伝導性膜からなる導電性配向層を有する液晶素子で用い
る、双安定性配向状態の表面安定型強誘電性液晶セル
は、その厚さを充分に薄く（例えば、０．１〜３μｍ）
することができる。このように液晶層が薄くなるにした
がい、図４に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、
その双極子モーメントＰａまたはＰｂは上向き（３４
ａ）又は下向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。こ
のようなセルに、同図に示す如く一定のしきい値以上の
極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを電圧印加手段３１ａと
３１ｂにより付与すると、双極子モーメントは電界Ｅａ
又はＥｂの電界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は下
向き３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は第１
の安定状態３３ａ或いは第２の安定状態３３ｂの何れか
一方に配向する。この時の第１と第２の安定状態のなす
角度の１／２がチルト角θに相当する。
【００３７】この強誘電性液晶セルによって得られる効
果は、その第１に応答速度が極めて速いことであり、そ
の第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば図４によって説明すると、電界
Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配
向するが、この状態は電界を切っても安定である。ま
た、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の
安定状態３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留まっている。また、
与える電界Ｅａが一定のしきい値を越えない限り、それ
ぞれの配向状態にやはり維持されている。
果は、その第１に応答速度が極めて速いことであり、そ
の第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば図４によって説明すると、電界
Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配
向するが、この状態は電界を切っても安定である。ま
た、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の
安定状態３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留まっている。また、
与える電界Ｅａが一定のしきい値を越えない限り、それ
ぞれの配向状態にやはり維持されている。
【００３８】次に、図６（ａ）は本発明の上記導電性配
向層を用いた配向方法により配向した液晶分子の配向状
態を模式的に示す断面図、図６（ｂ）はそのＣ−ダイレ
クタを示す図である。図６（ａ）に示す５１ａ及び５１
ｂは、それぞれ上基板及び下基板を表している。５０は
液晶分子５２で組織された液晶分子層で、液晶分子５２
が円錐５３の底面５４（円形）に沿った位置を変化させ
て配列している。図６（ｂ）において、Ｕ1 は一方の安
定配向状態でのＣ−ダイレクタ８１で、Ｕ2 は他方の安
定配向状態でのＣ−ダイレクタ８１である。Ｃ−ダイレ
クタ８１は図６（ａ）に示す液晶分子層５０の法線に対
して垂直な仮想面への分子長軸の射影である。
向層を用いた配向方法により配向した液晶分子の配向状
態を模式的に示す断面図、図６（ｂ）はそのＣ−ダイレ
クタを示す図である。図６（ａ）に示す５１ａ及び５１
ｂは、それぞれ上基板及び下基板を表している。５０は
液晶分子５２で組織された液晶分子層で、液晶分子５２
が円錐５３の底面５４（円形）に沿った位置を変化させ
て配列している。図６（ｂ）において、Ｕ1 は一方の安
定配向状態でのＣ−ダイレクタ８１で、Ｕ2 は他方の安
定配向状態でのＣ−ダイレクタ８１である。Ｃ−ダイレ
クタ８１は図６（ａ）に示す液晶分子層５０の法線に対
して垂直な仮想面への分子長軸の射影である。
【００３９】一方、従来のラビング処理したポリイミド
膜によって生じた配向状態は図６（ｃ）のＣ−ダイレク
タ図によって示される。図６（ｃ）に示す配向状態は、
上基板５１ａから下基板５１ｂに向けて分子軸の捩れが
大きいため、チルト角θは小さくなっている。
膜によって生じた配向状態は図６（ｃ）のＣ−ダイレク
タ図によって示される。図６（ｃ）に示す配向状態は、
上基板５１ａから下基板５１ｂに向けて分子軸の捩れが
大きいため、チルト角θは小さくなっている。
【００４０】次に、図７（ａ）は、Ｃ−ダイレクタ８１
が図６（ｂ）の状態（ユニホーム配向状態という）での
チルト角θを示す説明図、および図７（ｂ）はＣ−ダイ
レクタ８１が図６（ｃ）の状態（スプレイ配向状態とい
う）でのチルト角θを示す説明図である。図中、６０は
配向膜をラングミュアーブロジェット法によって形成し
たときの基板の引き上げ方向、或いは配向膜を塗布法ま
たは蒸着法によって形成したときのラビング処理軸を示
し、６１ａは配向状態Ｕ1 での平均分子軸、６１ｂは配
向状態Ｕ2 での平均分子軸、６２ａは配向状態Ｓ1 での
平均分子軸、６２ｂは配向状態Ｓ2 での平均分子軸を示
す。平均分子軸６１ａと６１ｂとは、互いにしきい値電
圧を越えた逆極性電圧の印加によって変換することがで
きる。同様のことは平均分子軸６２ａと６２ｂとの間で
も生じる。
が図６（ｂ）の状態（ユニホーム配向状態という）での
チルト角θを示す説明図、および図７（ｂ）はＣ−ダイ
レクタ８１が図６（ｃ）の状態（スプレイ配向状態とい
う）でのチルト角θを示す説明図である。図中、６０は
配向膜をラングミュアーブロジェット法によって形成し
たときの基板の引き上げ方向、或いは配向膜を塗布法ま
たは蒸着法によって形成したときのラビング処理軸を示
し、６１ａは配向状態Ｕ1 での平均分子軸、６１ｂは配
向状態Ｕ2 での平均分子軸、６２ａは配向状態Ｓ1 での
平均分子軸、６２ｂは配向状態Ｓ2 での平均分子軸を示
す。平均分子軸６１ａと６１ｂとは、互いにしきい値電
圧を越えた逆極性電圧の印加によって変換することがで
きる。同様のことは平均分子軸６２ａと６２ｂとの間で
も生じる。
【００４１】次に、逆電界Ｖｒｅｖによる光学応答の遅
れ（残像）に対するユニフォーム配向状態の有用性につ
いて説明する。液晶セルの配向制御層の容量Ｃｉ、液晶
層の容量ＣLC及び液晶の自発分極をＰｓとすると、残像
の原因となるＶｒｅｖは下式で表される。
れ（残像）に対するユニフォーム配向状態の有用性につ
いて説明する。液晶セルの配向制御層の容量Ｃｉ、液晶
層の容量ＣLC及び液晶の自発分極をＰｓとすると、残像
の原因となるＶｒｅｖは下式で表される。
【００４２】Ｖｒｅｖ＝２・Ｐｓ／（Ｃｉ＋ＣLC） 図８は液晶セル内の電荷分布、自発分極Ｐｓの方向及び
逆電界Ｖｒｅｖの方向を模式的に示した断面図である。
図８（ａ）はパルス電界印加前のメモり状態下における
＋及び−電荷の分布状態を示し、この時の自発分極Ｐｓ
の向きは＋電荷から−電荷の方向である。図８（ｂ）は
パルス電界解除直後の自発分極Ｐｓの向きを示し、自発
分極Ｐｓは図８（ａ）の時の向きに対して逆向き（従っ
て液晶分子は一方の安定配向状態から他方の安定配向状
態に反転を生じている）であるが、＋及び−電荷の分布
状態は図８（ａ）の時と同様であるため、液晶内に逆電
界Ｖｒｅｖが矢印Ｂ方向に生じている。この逆電界Ｖｒ
ｅｖはしばらくした後、図８（ｃ）に示すように消滅
し、＋及び−電荷の分布状態が変化する。
逆電界Ｖｒｅｖの方向を模式的に示した断面図である。
図８（ａ）はパルス電界印加前のメモり状態下における
＋及び−電荷の分布状態を示し、この時の自発分極Ｐｓ
の向きは＋電荷から−電荷の方向である。図８（ｂ）は
パルス電界解除直後の自発分極Ｐｓの向きを示し、自発
分極Ｐｓは図８（ａ）の時の向きに対して逆向き（従っ
て液晶分子は一方の安定配向状態から他方の安定配向状
態に反転を生じている）であるが、＋及び−電荷の分布
状態は図８（ａ）の時と同様であるため、液晶内に逆電
界Ｖｒｅｖが矢印Ｂ方向に生じている。この逆電界Ｖｒ
ｅｖはしばらくした後、図８（ｃ）に示すように消滅
し、＋及び−電荷の分布状態が変化する。
【００４３】図９は従来のポリイミド配向膜によって生
じたスプレイ配向状態の光学応答の変化を、チルト角θ
の変化に換えて示した説明図である。図９に示すよう
に、パルス電界印加時においては矢印Ｘ1 の方向に沿っ
てスプレイ配向状態下の平均分子軸Ｓ（Ａ）から最大チ
ルト角Θ付近のユニフォーム配向状態下の平均分子軸Ｕ
2 迄チルト角θが若干増大した平均分子軸に配向し、そ
の後、矢印Ｘ2 ，Ｘ3 の方向に沿って平均分子軸Ｓ
（Ｂ），Ｓ（Ｃ）を生じ安定配向状態が得られる。図１
０はこの時の光学応答の状態を示すグラフである。
じたスプレイ配向状態の光学応答の変化を、チルト角θ
の変化に換えて示した説明図である。図９に示すよう
に、パルス電界印加時においては矢印Ｘ1 の方向に沿っ
てスプレイ配向状態下の平均分子軸Ｓ（Ａ）から最大チ
ルト角Θ付近のユニフォーム配向状態下の平均分子軸Ｕ
2 迄チルト角θが若干増大した平均分子軸に配向し、そ
の後、矢印Ｘ2 ，Ｘ3 の方向に沿って平均分子軸Ｓ
（Ｂ），Ｓ（Ｃ）を生じ安定配向状態が得られる。図１
０はこの時の光学応答の状態を示すグラフである。
【００４４】本発明によれば、前述した導電性配向層を
用いることで、液晶配向状態として、図９に示したスプ
レイ状態下の平均分子軸Ｓ（Ａ）、Ｓ（Ｂ）及びＳ
（Ｃ）を生じることが無く、従って最大チルト角Θに近
いチルト角θを生じる平均分子軸Ｕ1 ，Ｕ2 に配列させ
る事ができる。
用いることで、液晶配向状態として、図９に示したスプ
レイ状態下の平均分子軸Ｓ（Ａ）、Ｓ（Ｂ）及びＳ
（Ｃ）を生じることが無く、従って最大チルト角Θに近
いチルト角θを生じる平均分子軸Ｕ1 ，Ｕ2 に配列させ
る事ができる。
【００４５】図１１は本発明の導電性配向層を用いた時
の光学応答の状態を示すグラフである。図１１によれ
ば、残像に原因する光学応答の遅れを生じないこととメ
モり状態下での高いコントラストを引き起こしているこ
とが認められる。また、図１３は本発明の導電性配向層
を用いた時の透過率と５０μｓｅｃの印加パルスの波高
値との関係を示すグラフ（Ｖ−Ｔ特性）である。図１３
の実線と点線で示したように、初期状態の相違（暗状
態、明状態）に対してＶ−Ｔ特性に差の無い配向状態が
達成されていることが認められる。
の光学応答の状態を示すグラフである。図１１によれ
ば、残像に原因する光学応答の遅れを生じないこととメ
モり状態下での高いコントラストを引き起こしているこ
とが認められる。また、図１３は本発明の導電性配向層
を用いた時の透過率と５０μｓｅｃの印加パルスの波高
値との関係を示すグラフ（Ｖ−Ｔ特性）である。図１３
の実線と点線で示したように、初期状態の相違（暗状
態、明状態）に対してＶ−Ｔ特性に差の無い配向状態が
達成されていることが認められる。
【００４６】下述の実施例で明らかにするように、本発
明は導電性配向膜と電極界面にイオン伝導性膜を設ける
ことによって、特に強誘電性液晶の自発分極による逆電
界Ｖｒｅｖの発生と、係る逆電界Ｖｒｅｖによるディス
プレイ時における残像現象或いはスイッチングにおける
ヒステリシス等の問題を解決したものである。更に、本
発明は、双安定性の２値状態間のコントラスト比を向上
し、スイッチング過程における残像現象を解消し、また
更には実用可能な階調性を実現するために、各画素内に
発生するマイクロドメイン安定性、制御性に対して十分
の制御性を有する配向状態を達成することができる。ま
た、米国特許第４６５５６１号明細書等に開示されてい
るマルチプレクシング駆動時の非選択画素に対して大き
なコントラストを生じ、さらにディスプレイ時の残像の
原因となるスイッチング時（マルチプレクシング駆動
時）の光学応答の遅れを生じ無い配向状態を達成するこ
とができる。
明は導電性配向膜と電極界面にイオン伝導性膜を設ける
ことによって、特に強誘電性液晶の自発分極による逆電
界Ｖｒｅｖの発生と、係る逆電界Ｖｒｅｖによるディス
プレイ時における残像現象或いはスイッチングにおける
ヒステリシス等の問題を解決したものである。更に、本
発明は、双安定性の２値状態間のコントラスト比を向上
し、スイッチング過程における残像現象を解消し、また
更には実用可能な階調性を実現するために、各画素内に
発生するマイクロドメイン安定性、制御性に対して十分
の制御性を有する配向状態を達成することができる。ま
た、米国特許第４６５５６１号明細書等に開示されてい
るマルチプレクシング駆動時の非選択画素に対して大き
なコントラストを生じ、さらにディスプレイ時の残像の
原因となるスイッチング時（マルチプレクシング駆動
時）の光学応答の遅れを生じ無い配向状態を達成するこ
とができる。
【００４７】
【実施例】以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００４８】実施例１ 本実施例は、図１に示したような本発明の液晶素子を作
製し、駆動実験を行ったものである。
製し、駆動実験を行ったものである。
【００４９】基板として、１５００Å厚のＩＴＯ膜が設
けられている１．１ｍｍ厚のガラス基板を２枚用意し、
前記一般式（１）のイオン伝導性高分子であるＰＥＯ
を、下記の化合物
けられている１．１ｍｍ厚のガラス基板を２枚用意し、
前記一般式（１）のイオン伝導性高分子であるＰＥＯ
を、下記の化合物
【００５０】
【化４】 で架橋したネットワークポリマーとＬｉＣｌＯ4 （重量
比：８／１）をアセトニトリルに０．５重量％濃度に溶
かし、該基板上にスピン塗布して３０ｎｍ膜厚のイオン
伝導性薄膜を形成した。該イオン伝導性薄膜上にＮ−メ
チルピロリドン（ＮＭＰ）に溶解したポリアニリン（１
％重量濃度）をスピン塗布（回転数２０００ｒｐｍ）し
て配向膜とした（膜厚：約１５ｎｍ）。該基板を素早く
乾燥して１Ｎ過塩素酸水溶液を画素全体に塗布しドーピ
ングを行った後、純水で洗浄した後、十分に乾燥して配
向膜基板を作製した。
比：８／１）をアセトニトリルに０．５重量％濃度に溶
かし、該基板上にスピン塗布して３０ｎｍ膜厚のイオン
伝導性薄膜を形成した。該イオン伝導性薄膜上にＮ−メ
チルピロリドン（ＮＭＰ）に溶解したポリアニリン（１
％重量濃度）をスピン塗布（回転数２０００ｒｐｍ）し
て配向膜とした（膜厚：約１５ｎｍ）。該基板を素早く
乾燥して１Ｎ過塩素酸水溶液を画素全体に塗布しドーピ
ングを行った後、純水で洗浄した後、十分に乾燥して配
向膜基板を作製した。
【００５１】次に、この配向膜に押し込みの毛先の侵入
長：０．４ｍｍ、回点数：１０００ｒｐｍ、基板の送り
速度：１２ｍｍ／ｓｅｃの条件でラビング処理を行っ
た。
長：０．４ｍｍ、回点数：１０００ｒｐｍ、基板の送り
速度：１２ｍｍ／ｓｅｃの条件でラビング処理を行っ
た。
【００５２】その後、平均粒径約１．５μｍのアルミナ
ビーズを一方の基板上に散布した後、各々の基板ラビン
グ軸が互いに平行かつ同一方向になるように２枚の基板
を重ね合わせて液晶セルを作製した。このセル内にチッ
ソ（株）社製の強誘電性液晶である「ＣＳ−１０１４」
（商品名）を等方相下で真空注入してから、等方相から
０．５℃／ｈで３０℃まで徐冷することによって配向さ
せることができた。この強誘電性液晶「ＣＳ−１０１
４」を用いた本実施例のセルでの相変化は、下記のとお
りであった。
ビーズを一方の基板上に散布した後、各々の基板ラビン
グ軸が互いに平行かつ同一方向になるように２枚の基板
を重ね合わせて液晶セルを作製した。このセル内にチッ
ソ（株）社製の強誘電性液晶である「ＣＳ−１０１４」
（商品名）を等方相下で真空注入してから、等方相から
０．５℃／ｈで３０℃まで徐冷することによって配向さ
せることができた。この強誘電性液晶「ＣＳ−１０１
４」を用いた本実施例のセルでの相変化は、下記のとお
りであった。
【００５３】
【数１】 上述の液晶セルを一対の９０°クロスニコル偏光子の間
に挟み込んで、５０μｓｅｃの書き込みパルス電圧の波
高値を変えてＶ−Ｔ特性を測定した。その結果を図１３
に示す。尚、この時のパルス電圧波形を図１４に示し
た。図１３より、初期状態が暗状態であるか明状態であ
るかによらずＶ−Ｔ特性に差がなく、駆動時のヒステリ
シスがないことが示された。また画素全体に亘ってしき
い値電圧の異なる領域が分布することによって、広い透
過域（ゆるやかに変化する透過特性）を有する透過率／
電圧特性となり、中間調を調整することができる。
に挟み込んで、５０μｓｅｃの書き込みパルス電圧の波
高値を変えてＶ−Ｔ特性を測定した。その結果を図１３
に示す。尚、この時のパルス電圧波形を図１４に示し
た。図１３より、初期状態が暗状態であるか明状態であ
るかによらずＶ−Ｔ特性に差がなく、駆動時のヒステリ
シスがないことが示された。また画素全体に亘ってしき
い値電圧の異なる領域が分布することによって、広い透
過域（ゆるやかに変化する透過特性）を有する透過率／
電圧特性となり、中間調を調整することができる。
【００５４】また、５０μｓｅｃの３０Ｖパルスを印加
してから９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセ
ットし、この時の透過率をホトマルチプライヤーにより
測定し、続いて５０μｓｅｃの−３０Ｖパルスを印加
し、この時の透過率（明状態）を同様の方法で測定し、
チルト角θと最暗状態と明状態時の透過率の比、即ちコ
ントラスト比を求めた。最暗状態時の透過率は０．８％
であるのに対して明状態時の透過率は４３％でコントラ
スト比は５３：１であった。また、残像の原因となる光
学応答の遅れは０．１秒以下となり、いずれも好結果で
あった。
してから９０°クロスニコルを消光位（最暗状態）にセ
ットし、この時の透過率をホトマルチプライヤーにより
測定し、続いて５０μｓｅｃの−３０Ｖパルスを印加
し、この時の透過率（明状態）を同様の方法で測定し、
チルト角θと最暗状態と明状態時の透過率の比、即ちコ
ントラスト比を求めた。最暗状態時の透過率は０．８％
であるのに対して明状態時の透過率は４３％でコントラ
スト比は５３：１であった。また、残像の原因となる光
学応答の遅れは０．１秒以下となり、いずれも好結果で
あった。
【００５５】この液晶セルを図１２に示す駆動波形を用
いたマルチプレクシング駆動による表示を行ったとこ
ろ、高コントラストな高品位表示が得られ、また、所定
の文字入力による画像表示の後に全画面を白の状態に消
去したところ、残像の発生は判読できなかった。尚、図
１２のＳN 、ＳN+1 、ＳN+2 は走査線に印加した電圧波
形を表しており、Ｉは代表的な情報線に印加した電圧波
形を表している。（Ｉ−ＳN ）は、情報線Ｉと走査線Ｓ
N との交差部に印加された合成波形である。また、本実
施例ではＶ0 ＝５〜８Ｖ、△Ｔ＝２０〜７０μｓｅｃで
行った。
いたマルチプレクシング駆動による表示を行ったとこ
ろ、高コントラストな高品位表示が得られ、また、所定
の文字入力による画像表示の後に全画面を白の状態に消
去したところ、残像の発生は判読できなかった。尚、図
１２のＳN 、ＳN+1 、ＳN+2 は走査線に印加した電圧波
形を表しており、Ｉは代表的な情報線に印加した電圧波
形を表している。（Ｉ−ＳN ）は、情報線Ｉと走査線Ｓ
N との交差部に印加された合成波形である。また、本実
施例ではＶ0 ＝５〜８Ｖ、△Ｔ＝２０〜７０μｓｅｃで
行った。
【００５６】実施例２ 実施例１に習い、前記一般式（２）〜（６）の各種のイ
オン伝導性薄膜（膜厚：３０ｎｍ）を形成した後、可溶
性ポリピロールの２００Åの膜厚を有するスピンコート
膜を作成した。ＬｉＣｌＯ4 を溶かしたアセトニトリル
溶液中で該配向膜基板の通電処理を行い導電性の付与を
行った。次に、実施例１と同様にして、液晶セルを作製
し表示特性を評価した。その結果を表１に示す。また、
初期状態が暗状態であるか明状態であるかによらずＶ−
Ｔ特性に差がなく、駆動時のヒステリシスがないことが
示された。
オン伝導性薄膜（膜厚：３０ｎｍ）を形成した後、可溶
性ポリピロールの２００Åの膜厚を有するスピンコート
膜を作成した。ＬｉＣｌＯ4 を溶かしたアセトニトリル
溶液中で該配向膜基板の通電処理を行い導電性の付与を
行った。次に、実施例１と同様にして、液晶セルを作製
し表示特性を評価した。その結果を表１に示す。また、
初期状態が暗状態であるか明状態であるかによらずＶ−
Ｔ特性に差がなく、駆動時のヒステリシスがないことが
示された。
【００５７】
【表１】 最暗状態時の透過率は共に０．８％であるのに対して、
明状態時の透過率は共に４２％であった。また、残像の
原因となる光学応答の遅れは０．１秒以下となり、いず
れも好結果であった。また、実施例１と同様のマルチプ
レクシング駆動による表示を行ったところ、コントラス
トおよび残像については実施例１と同様の良好な結果が
得られた。
明状態時の透過率は共に４２％であった。また、残像の
原因となる光学応答の遅れは０．１秒以下となり、いず
れも好結果であった。また、実施例１と同様のマルチプ
レクシング駆動による表示を行ったところ、コントラス
トおよび残像については実施例１と同様の良好な結果が
得られた。
【００５８】実施例３ 実施例１で用いた強誘電性液晶「ＣＳ−１０１４」に替
えて、同じくビフェニルエステル系化合物で下記に示す
相転移状態を示す他の強誘電性液晶を用いて以下の実験
を行った。
えて、同じくビフェニルエステル系化合物で下記に示す
相転移状態を示す他の強誘電性液晶を用いて以下の実験
を行った。
【００５９】
【数２】 液晶層が十分に厚い場合（〜１００μｍ）、ＳｍＣ* で
はらせん構造をとり、そのピッチは約４μｍであった。
三角波法による自発分極の状態から自発分極は約１０ｎ
Ｃ／ｃｍ2 であり、セル厚１．５μｍでのチルト角Θは
２３．５°でほぼ最適値に近い値を持つ。
はらせん構造をとり、そのピッチは約４μｍであった。
三角波法による自発分極の状態から自発分極は約１０ｎ
Ｃ／ｃｍ2 であり、セル厚１．５μｍでのチルト角Θは
２３．５°でほぼ最適値に近い値を持つ。
【００６０】該液晶をポリアニリンを含む配向膜を用い
て作製した液晶セルに注入した。その時の見かけのチル
ト角θは１６°で最適値に及ばなかった。
て作製した液晶セルに注入した。その時の見かけのチル
ト角θは１６°で最適値に及ばなかった。
【００６１】この液晶セルに電圧±４５Ｖ〜５５Ｖで周
波数４０Ｈｚの交流電圧を１５分間印加したところチル
ト角θが２０．２°のドメインが出現し始め、更に５５
〜７０Ｖの電圧では、このドメインが全体に広がり非常
に良いコントラストが得られた。７０Ｖ以上では反対に
多くの欠陥が発生し、モノドメインがくずれた。安定な
モノドメインが出現した後の、双安定状態間の反転は以
下のパルスで行われた。
波数４０Ｈｚの交流電圧を１５分間印加したところチル
ト角θが２０．２°のドメインが出現し始め、更に５５
〜７０Ｖの電圧では、このドメインが全体に広がり非常
に良いコントラストが得られた。７０Ｖ以上では反対に
多くの欠陥が発生し、モノドメインがくずれた。安定な
モノドメインが出現した後の、双安定状態間の反転は以
下のパルスで行われた。
【００６２】
【表２】 交流電圧印加後の配向状態の変化は図６（ａ）に示した
層の捻じれが解ける効果であると考えられている。ま
た、反転電圧は交流電圧印加前の反転電圧に比べ電圧が
高くなった。この原因は明らかでないが、チルト角θが
Θに近づくためには配向膜の界面近傍の液晶分子をも反
転させるエネルギーを与えなければならないために、反
転に必要な駆動電圧が高いことが必要であると考えられ
る。交流電圧印加後のチルト角θにより透過光量が電圧
印加前に比較してコントラスト比は大幅に増加した。ま
た、反電場効果による光学応答の遅れも０．１ｓｅｃ以
下で、安定なスイッチングが可能であった。
層の捻じれが解ける効果であると考えられている。ま
た、反転電圧は交流電圧印加前の反転電圧に比べ電圧が
高くなった。この原因は明らかでないが、チルト角θが
Θに近づくためには配向膜の界面近傍の液晶分子をも反
転させるエネルギーを与えなければならないために、反
転に必要な駆動電圧が高いことが必要であると考えられ
る。交流電圧印加後のチルト角θにより透過光量が電圧
印加前に比較してコントラスト比は大幅に増加した。ま
た、反電場効果による光学応答の遅れも０．１ｓｅｃ以
下で、安定なスイッチングが可能であった。
【００６３】また、双安定状態を有する強誘電性液晶相
は、通常高温状態から降温によって得られるが、本実施
例ではこの際５０Ｈｚ、１４０Ｖの交流電界を印加しつ
つ降温したところ、広い範囲にわたって均一なモノドメ
インの配向状態が実現できた。
は、通常高温状態から降温によって得られるが、本実施
例ではこの際５０Ｈｚ、１４０Ｖの交流電界を印加しつ
つ降温したところ、広い範囲にわたって均一なモノドメ
インの配向状態が実現できた。
【００６４】実施例４ 実施例１で作製したＰＥＯ架橋体（ＬｉＣｌＯ4 ）／ポ
リアニリン（膜厚１５ｎｍ）配向膜の液晶セル（但し、
本実施例では上下基板のラビング軸は反平行になるよう
にセル組している）に、実施例３と同じ強誘電性液晶を
注入し、交流電圧（４０Ｈｚ、６０Ｖ）を１５分間印加
したところ、チルト角θが２２．０°の均一なモノドメ
イン配向状態が出現した。該液晶セルに実施例１と同様
な評価を行ったところ、実施例１と比較し、特にコント
ラスト比の大幅に改善された良好な液晶セルが得られる
ことがわかった。また、実施例１と同様のマルチプレク
シング駆動による表示を行ったところ、コントラストお
よび残像についても同様の良好な結果が得られた。
リアニリン（膜厚１５ｎｍ）配向膜の液晶セル（但し、
本実施例では上下基板のラビング軸は反平行になるよう
にセル組している）に、実施例３と同じ強誘電性液晶を
注入し、交流電圧（４０Ｈｚ、６０Ｖ）を１５分間印加
したところ、チルト角θが２２．０°の均一なモノドメ
イン配向状態が出現した。該液晶セルに実施例１と同様
な評価を行ったところ、実施例１と比較し、特にコント
ラスト比の大幅に改善された良好な液晶セルが得られる
ことがわかった。また、実施例１と同様のマルチプレク
シング駆動による表示を行ったところ、コントラストお
よび残像についても同様の良好な結果が得られた。
【００６５】次に、該液晶セルの透過率と５０μｓｅｃ
の印加パルスの波高値との関係を測定したところ、図１
５の実線及び一点鎖線で示した特性が得られた。図１５
から明らかなように、ＬＱ１８０２ポリイミドのみの８
層ＬＢ膜を配向膜とした場合（比較例、点線）と比較し
て液晶セルはコントラスト比も大きく、Ｖ−Ｔ特性に初
期状態の違いによるヒステリシスがなく、更に画素全体
に亘ってしきい値電圧の異なる領域が分布することによ
って、広い透過域（ゆるやかに変化する透過特性）を有
する透過率／電圧特性となり、本発明第一のような導電
性配向膜とイオン伝導性薄膜を積層することにより中間
調の表示特性も改善されることがわかった。
の印加パルスの波高値との関係を測定したところ、図１
５の実線及び一点鎖線で示した特性が得られた。図１５
から明らかなように、ＬＱ１８０２ポリイミドのみの８
層ＬＢ膜を配向膜とした場合（比較例、点線）と比較し
て液晶セルはコントラスト比も大きく、Ｖ−Ｔ特性に初
期状態の違いによるヒステリシスがなく、更に画素全体
に亘ってしきい値電圧の異なる領域が分布することによ
って、広い透過域（ゆるやかに変化する透過特性）を有
する透過率／電圧特性となり、本発明第一のような導電
性配向膜とイオン伝導性薄膜を積層することにより中間
調の表示特性も改善されることがわかった。
【００６６】実施例５ 実施例２で作製した各々の液晶セル（但し、本実施例で
は上下基板のラビング軸は反平行になるようにセル組し
ている）に、実施例３と同じ強誘電性液晶を注入し、交
流電圧（４０Ｈｚ、６０Ｖ）を１５分間印加したとこ
ろ、チルト角θが２１．５°の均一なモノドメイン配向
状態が出現した。これらの液晶セルに実施例４と同様な
評価を行ったところ、実施例２と比較し、特にコントラ
スト比の大幅に改善された良好な液晶セルが得られるこ
とがわかった。また、実施例４と同様のマルチプレクシ
ング駆動による表示を行ったところ、コントラストおよ
び残像についても同様の良好な結果が得られた。
は上下基板のラビング軸は反平行になるようにセル組し
ている）に、実施例３と同じ強誘電性液晶を注入し、交
流電圧（４０Ｈｚ、６０Ｖ）を１５分間印加したとこ
ろ、チルト角θが２１．５°の均一なモノドメイン配向
状態が出現した。これらの液晶セルに実施例４と同様な
評価を行ったところ、実施例２と比較し、特にコントラ
スト比の大幅に改善された良好な液晶セルが得られるこ
とがわかった。また、実施例４と同様のマルチプレクシ
ング駆動による表示を行ったところ、コントラストおよ
び残像についても同様の良好な結果が得られた。
【００６７】また、これらの液晶セルの透過率と５０μ
ｓｅｃの印加パルスの波高値との関係を測定したとこ
ろ、画素全体に亘ってしきい値電圧の異なる領域が分布
することによって、広い透過域（ゆるやかに変化する透
過特性）を有する透過率／電圧特性となり、中間調を調
整することができることがわかった。
ｓｅｃの印加パルスの波高値との関係を測定したとこ
ろ、画素全体に亘ってしきい値電圧の異なる領域が分布
することによって、広い透過域（ゆるやかに変化する透
過特性）を有する透過率／電圧特性となり、中間調を調
整することができることがわかった。
【００６８】
【００６９】
【００７０】
【００７１】
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【発明の効果】以上説明したように、有機導電性配向膜
とイオン伝導性膜からなる導電性配向層を設けた本発明
の液晶素子は以下の効果を奏する。
とイオン伝導性膜からなる導電性配向層を設けた本発明
の液晶素子は以下の効果を奏する。
【００８２】初期状態が暗状態であるか明状態である
かによらずＶ−Ｔ特性に差がなく、駆動時のヒステリシ
スがない液晶配向状態が実現できた。
かによらずＶ−Ｔ特性に差がなく、駆動時のヒステリシ
スがない液晶配向状態が実現できた。
【００８３】従来、自発分極Ｐｓが大きい強誘電性液
晶を用いた液晶素子では、逆電界効果により駆動特性が
悪化することが指摘されていたが、本発明の液晶素子で
は上記のような強誘電性液晶を用いても逆電界効果のな
い良好な駆動特性が得られるようになった。
晶を用いた液晶素子では、逆電界効果により駆動特性が
悪化することが指摘されていたが、本発明の液晶素子で
は上記のような強誘電性液晶を用いても逆電界効果のな
い良好な駆動特性が得られるようになった。
【００８４】特にカイラルスメクチック液晶の非らせ
ん構造での大きなチルト角を生じ、明状態と暗状態での
コントラストが高く、特にマルチプレクシング駆動時の
表示コントラストが非常に大きく高品位の表示が得ら
れ、しかも目ざわりな残像現象が生じることがない。
ん構造での大きなチルト角を生じ、明状態と暗状態での
コントラストが高く、特にマルチプレクシング駆動時の
表示コントラストが非常に大きく高品位の表示が得ら
れ、しかも目ざわりな残像現象が生じることがない。
【００８５】画素全体に亘ってしきい値電圧の異なる
領域が分布し、広い透過域（ゆるやかに変化する透過特
性）を有する透過率／電圧特性となるため、中間調を調
整することができる。
領域が分布し、広い透過域（ゆるやかに変化する透過特
性）を有する透過率／電圧特性となるため、中間調を調
整することができる。
【図１】本発明の強誘電性液晶素子の一例を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】参考用の強誘電性液晶素子を模式的に示す断面
図である。
図である。
【図３】らせん構造をもつカイラルスメクチック液晶の
配向状態を示す斜視図である。
配向状態を示す斜視図である。
【図４】非らせん構造の分子配列をもつカイラルスメク
チック液晶の配向状態を示す斜視図である。
チック液晶の配向状態を示す斜視図である。
【図５】基板の一軸性配向軸と非らせん構造の強誘電性
液晶分子の軸との関係を表す説明図である。
液晶分子の軸との関係を表す説明図である。
【図６】本発明における、液晶分子の配向状態を表す図
である。
である。
【図７】強誘電性液晶のチルト角θの説明図である。
【図８】強誘電性液晶素子における逆電界Ｖｒｅｖの説
明図である。
明図である。
【図９】電界印加時及び印加後のチルト角θの変化を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１０】従来の液晶素子における光学応答特性を示す
図である。
図である。
【図１１】本発明の液晶素子における光学応答特性を示
す図である。
す図である。
【図１２】実施例で用いた駆動電圧の波形図である。
【図１３】本発明の液晶素子における透過率／電圧特性
を示す図である。
を示す図である。
【図１４】透過率／電圧特性の測定で用いた印加電圧の
波形図である。
波形図である。
【図１５】本発明の液晶素子及び比較のために作製した
液晶素子における透過率／電圧特性を示す図である。
液晶素子における透過率／電圧特性を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1337 G02F 1/1333 G02F 1/141
Claims (7)
- 【請求項１】 それぞれに電極と有機導電性配向膜を有
する一対の基板間に強誘電性液晶を挟持してなり、該液
晶が双安定性を示す液晶素子であって、上記有機導電性
配向膜と電極の間にイオン伝導性膜を設けたことを特徴
とする液晶素子。 - 【請求項２】 前記イオン伝導性膜が、下記一般式
（１）〜（６）のポリエーテル、ポリエステル、ポリイ
ミン 【化１】 のいずれか或いはその架橋体からなるイオン伝導性高分
子膜であることを特徴とする請求項１に記載の液晶素
子。 - 【請求項３】 前記イオン伝導性膜の膜厚が５００Å以
下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶
素子。 - 【請求項４】 前記有機導電性配向膜が、下記一般式
（７）又は８のポリピロール、ポリアニリン 【化２】 およびその誘導体、或いはポリチオフェン、ポリアニレ
ンビニレンおよびその誘導体、またはポリ（ピリジン−
２、５−ジイル）、ポリ（２、２’−ビピリジン−５、
５−ジイル）、ポリ（ピリジン−５、２−ジイル−チオ
フェン−２、５−ジイル）のいずれかを含むことを特徴
とする請求項１〜３いずれかに記載の液晶素子。 - 【請求項５】 前記強誘電性液晶が、１０ｎＣ／ｃｍ 2
以上の自発分極を有する強誘電性液晶であることを特徴
とする請求項１〜４いずれかに記載の液晶素子。 - 【請求項６】 前記強誘電性液晶が、ＳｍＣ * 相でのら
せんピッチが０．５μｍ以下の強誘電性液晶であること
を特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の液晶素子。 - 【請求項７】 交流電界を印加して強誘電性液晶の初期
配向状態を得たことを特徴とする請求項１〜６いずれか
に記載の液晶素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352364A JP2794369B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 液晶素子 |
| US08/165,454 US5597626A (en) | 1992-12-11 | 1993-12-13 | Liquid crystal device |
| US08/429,642 US5514426A (en) | 1992-12-11 | 1995-04-27 | Liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352364A JP2794369B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06175107A JPH06175107A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2794369B2 true JP2794369B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=18423559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352364A Expired - Fee Related JP2794369B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 液晶素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5597626A (ja) |
| JP (1) | JP2794369B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07287232A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置、その製造方法、および駆動方法 |
| US5680182A (en) * | 1994-11-11 | 1997-10-21 | Hitachi, Ltd. | Nonlinear resistance films suitable for an active matrix LCD |
| US5973761A (en) * | 1997-01-31 | 1999-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectic liquid crystal device having a low-resistivity layer below an alignment control layer |
| US6379509B2 (en) | 1998-01-20 | 2002-04-30 | 3M Innovative Properties Company | Process for forming electrodes |
| JPH11305234A (ja) | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
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