JP3083021B2 - 強誘電性液晶素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子や液晶光
シャッター等で用いる液晶素子、特に強誘電性液晶素子
に関し、詳しくは液晶の配向状態に起因した非対称性を
改善することにより優れた電気光学特性を示す強誘電性
液晶素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光子との組み合わせにより透過光量を制御する型
の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーヴァ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２
４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温
度領域においての非螺旋構造のカイラルスメクティック
Ｃ相（Ｓｍ^* Ｃ相）（あるいはＨ相（Ｓｍ^* Ｈ相））を
示し、これらの相状態において、印加される電界に対し
て第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態のいず
れか一方の状態をとり、かつ電界を取り外してもその状
態を保持する性質、即ち双安定性を有する。さらに、強
誘電性液晶は電界の変化に対する応答が速やかであると
いう特徴を有することから、高速駆動の記憶型表示媒体
として大画面で高精細なディスプレーへの応用が期待さ
れている。

【０００３】この双安定性を有する強誘電性液晶を用い
た素子が所望の電気光学特性を発揮するためには、基板
間の液晶が２つの安定状態を安定で再現性良くスイッチ
ングするような配向状態にあり、かつその配向状態が画
素ないし表示画面全域で均一であることが必要である。

【０００４】一般に強誘電性液晶を配向させるには、基
板表面にポリイミド（ＰＩ）、ポリビニルアルコール
（ＰＶＡ）、ポリアミド（ＰＡ）等の水平配向性（ある
いは傾斜配向性）の高分子膜を形成し、ほぼ同方向にラ
ビング処理した一対の基板を用いる。この場合、使用す
る液晶が温度降下により、等方（Ｉｓｏ）相→コレステ
リック（Ｃｈ）相（カイラルネマティック（Ｎ^* ）相）
→スメクティックＡ（ＳｍＡ）相→Ｓｍ^* Ｃ相の相変化
をするものであれば、配向はＣｈ相において均一化され
るため、Ｓｍ^* Ｃ相での配向が均一になりやすい。しか
しながら、相転移がＩｓｏ相→ＳｍＡ相→Ｓｍ^* Ｃ相の
順で起こる液晶を用いた場合は、Ｉｓｏ相→ＳｍＡ相の
転移（Ｉ／Ａ転移）の際、バトネ（一種の液晶核）の発
生・成長・結合の過程を経るため、スメクティック相で
の層法線方向のずれやバトネ結合部の欠陥等が生じ、均
一配向を得にくい。

【０００５】本発明者らの実験によれば、このようなＣ
ｈ相の欠如した液晶に対しては、対向する基板の一方の
みをラビングし、ラビングを行わない側の基板表面は配
向膜を形成せずに垂直配向処理することによって均一配
向が得られることが判明した。これは、Ｉ／Ａ転移温度
近傍でラビングを行った側の基板表面から液晶が成長
し、対向基板に到達する転移過程を経るためである。事
実、両面を水平配向膜としたセルにおけるＩ／Ａ転移温
度は、両面を垂直配向処理したセルのＩ／Ａ転移温度に
比べ０．５℃以上高いことが確かめられている。

【０００６】

【本発明が解決しようとする技術課題】以上のように、
強誘電性液晶を均一に配向させるためには、特に液晶が
Ｃｈ相をもたない場合、水平配向膜のラビング処理と垂
直配向処理との非対称構成が有効である。しかしなが
ら、対向基板表面の性質がそれぞれ異なる場合、以下に
説明するように強誘電性液晶の双安定状態が崩れ、２つ
の安定状態間の電気光学的スイッチング特性（駆動しき
い値特性）が非対称となることがある。

【０００７】図８に、対向基板表面の性質が異なる場合
の液晶の配向状態を摸式的に示す。図中、７０１、７０
７はガラス基板、７０２、７０６はＩＴＯ等の透明電
極、７０３はラビング処理された水平配向能力を有する
高分子膜、７０４は強誘電液晶層、７０５は垂直配向処
理剤、７０８、７０９、７１０はカイラルスメクティッ
ク相での液晶分子を特徴付けるコーンを正面から見たも
のであり、７０８、７０９はユニフォーム配向における
２つの安定状態を示し、７１０はスプレイ配向状態の一
例を示している。ここで便宜上、７０８の安定状態をＵ
１、７０９の安定状態をＵ２と呼ぶ。

【０００８】今、７０３の高分子膜としてポリイミド等
の薄膜を用いた場合、液晶分子の双極子モーメント（図
中液晶コーンに描かれた矢印）と高分子表面の電気的相
互作用（ｄｉｐｏｌｅ−ｄｉｐｏｌｅ ｉｎｔｅｒａｃ
ｔｉｏｎ）により、矢印が配向膜側を向いた状態（アウ
トワード）に規制力が働くと考えられている。一方、垂
直配向剤７０５の側は液晶分子に対する基板表面の規制
力は無視できるので、配向膜側に液晶の双極子モーメン
トが規制されたＵ１（図中７０８）はより安定である。
これに対し、液晶コーンの矢印が液晶内部側（インワー
ド）を向いたＵ２（図中７０９）の状態は、配向膜表面
の規制力に逆らっているため、Ｕ１に比べて不安定であ
る。従って、外部電場によって２つの安定状態間をスイ
ッチングさせる場合、Ｕ１からＵ２とＵ２からＵ１のし
きい値電圧は異なり、非対称しきい値となりやすい。ま
た、配向膜と液晶の組み合わせ等によっては、Ｕ１→Ｕ
２のスイッチングは起きずＵ１から７１０の配向状態と
思われるスプレイ配向となる場合もある。

【０００９】さて、このようにしきい値非対称性のある
系では、原則として片側からのみ書き込み動作を行う必
要があるため、駆動方法に制限を与えることになる。更
には、しきい値非対称性のある系特有の劣化現象が生じ
やすいことも判明した。

【００１０】

【技術課題を解決するための手段】そこで本発明は、上
記技術課題を解決し、しきい値の非対称性を緩和するこ
とを目的とするものである。その為に、一方の基板上は
垂直配向処理を施し、もう一方の基板上は配向膜を形成
した構成における強誘電性液晶の２つの安定状態の非対
称性を補償するために、安定性の低い側（図７中の７０
９）の液晶分子の長軸方向にあらかじめ適当な配向規制
力を付与させておくものである。具体的には、液晶の配
向を成すための配向処理の前に、あらかじめ別の方向に
配向処理を施しておくものである。即ち、本発明は強誘
電性液晶と該強誘電性液晶を間に保持し、該強誘電性液
晶に電圧を印加するための電極が形成された一対の基板
とを有する液晶素子であって、前記一対の基板のうち一
方の基板上には垂直配向処理を施し、他方には配向膜を
形成して一方向に一回目の配向処理を施した後、前記方
向と異なる方向に二回目の配向処理を施すものである。
また、より配向を均一にするために、あらかじめ配向処
理を施した配向膜表面を垂直配向処理した後、改めて別
方向に配向処理を行ってもよい。

【００１１】

【作用】本発明によれば液晶素子の２つの反転しきい値
の差が小さくなり、良好な光学変調ないしは表示を行う
ことができる。

【００１２】

【実施例】

（好適な実施態様の説明）図１は、本発明における概念
を摸式的に示したものである。図中、１１はハイブリッ
ド配向膜１５を形成した側の基板、１１′は垂直配向処
理を施した配向膜１５′を有する基板、１２は配向膜１
５に一回目の配向処理の向きを示す矢印、１３は二回目
の配向処理の向きを示す矢印、１４は液晶のスメクティ
ック相での液晶分子の層構造を示している。なお、図１
は図７と同様の構成のセルを上部から見たものである。

【００１３】以下、配向処理は、ポリイミド等の高分子
配向膜１５をラビング処理する方法として説明するが、
ＳｉＯ₂ 等の酸化物の傾斜蒸着技術やＬＢ膜の引き上げ
方向による配向技術、またグレーティング形成等の形状
配向技術などの他の配向技術を用いることも可能であ
り、これに限定されるものではない。

【００１４】図１に示すように一回目の配向処理の方向
としてのラビング方向１２と二回目の配向処理の方向と
してのラビング方向１３は角度θｍだけずらしてある。
ここで、θｍは時計周りを正として、負のＰｓの液晶を
用いた場合は正、正のＰｓの液晶を用いた場合は負に、
ほぼ液晶の見かけのチルト角θａ程度とするのが好まし
い。また、この角度θｍの最適値は、一回目のラビング
と二回目のラビングの強度比によっても変化する。

【００１５】本発明者らの実験によれば、同じ強度で異
なる方向に複数回のラビング処理を施した場合、最後の
処理の効果が配向に関して最も支配的で、実質上、最後
のラビング処理によって配向軸の方向が決定され、一回
のラビング処理で得られる配向と同様な均一配向が得ら
れることがわかった。即ち、図１に示すようにスメクテ
ィック相での層構造は最後（ここでは二回目）のラビン
グ方向と垂直な方向に形成された一軸配向となる。この
ような効果は、対向基板を垂直配向処理した場合に顕著
である。これに対して、対向基板に通常の配向処理（一
方向のラビング処理）を施した基板を用いると、軸性の
異なる微小な領域が発生して、均一な配向は得難い。

【００１６】以上説明した図１に示した配向状態での２
つの安定状態Ｕ１、Ｕ２（図７参照）の安定性を考え
る。まず、Ｕ１状態は、前に述べたように液晶の永久双
極子モーメントと配向膜表面との電気的相互作用によっ
てより安定性が強い。図２に配向膜の極性エネルギーを
考慮した双安定ポテンシャルのモデルを示す。次に、Ｕ
２状態では、液晶分子の長軸方向（ｎダイレクタ）の向
きは一回目のラビングによる配向規制力をより強く感じ
るために安定性が向上している。図３は配向規制力を考
慮した双安定ポテンシャルのモデルを示している。この
一回目のラビングによる配向規制力を最適に調整すれ
ば、図２の双安定ポテンシャルと図３の双安定ポテンシ
ャルの合成として図４に示すような安定性の等しい双安
定ポテンシャルを形成することができる。即ち、本発明
は配向処理の方法を改良して図４のようなポテンシャル
を示す液晶素子を提供するものである。

【００１７】なお、二回目のラビングによる配向規制力
は、Ｕ１、Ｕ２の二状態に対して等しく作用するため安
定状態の対称性には原則的には寄与しない。

【００１８】但し、一回目のラビング強度が二回目のラ
ビング強度に比べてある程度以上（約３倍以上）強い場
合、スメクティック相の層法線方向が二回目のラビング
方向から一回目のラビング方向の方に傾くため、二回目
のラビングによる規制力の影響も対称性に寄与すること
がある。

【００１９】本発明では、液晶に対する配向規制力を調
節することが重要であるが、配向規制力そのものは評価
・検出するのが難しい。従って、以下に述べるような評
価法を用いて最適な条件を定める。

【００２０】１）配向膜の屈折率異方性の評価 一般に、ラビングした高分子膜はそのラビング方向を長
軸とする屈折率異方性（楕円）を示し、配向した強誘電
性液晶の層法線方向はラビング方向と一致するため、液
晶の２つの安定状態の分子長軸方向に対応する配向膜の
屈折率は等しい。本発明では、２つの異なる方向にラビ
ングを施すため、屈折率の異方性は長軸方向の異なる２
つの楕円の合成（２つの長軸をもつ）となるか、楕円の
長軸方向がラビング方向からずれるので、液晶の２つの
安定状態の分子長軸方向に対応する配向膜の屈折率は互
いに異なる。よってこの２方向の屈折率の差を評価基準
にして最適な条件を定めることができる。

【００２１】２）配向膜の形状評価 一般に、ラビングした高分子膜にはそのラビング方向に
微細な溝構造が形成されることが知られている。本発明
では、２つの異なる方向にラビングを施すため、２方向
の溝構造の合成として菱形状の溝の格子が形成される。
これを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等で観測し、画像処理
的手法で２つの方向の溝のピッチや深さを評価すること
によって最適な条件を定めることができる。

【００２２】本発明に用いられる基板としては、少なく
とも一方の基板として、透光性の基板を用いる。具体的
にはプラスチック、ガラスや石英等である。一方、非透
光性の基板としては、金属、半導体、絶縁体等あらゆる
ものが用いられる。

【００２３】本発明に用いられる配向膜としては、無機
材料又は有機材料が用いられ、具体的には酸化シリコ
ン、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等
であり、施される配向処理に応じて適切な材料を選択す
る。

【００２４】本発明に用いられる強誘電性液晶として
は、カラルスメクチックＣ相及び、Ｈ相、Ｉ相などをと
る液晶が好ましく用いられ、特にカイラルスメクチック
Ｃ相が好ましい。

【００２５】本発明に用いられる液晶セル即ち画素を形
成する一対の電極としては、少なくとも一方が透明導電
体で形成されることが望ましく、そのような材料として
は、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）等が好適に用いられる。

【００２６】そして、本発明に用いられる配向処理を施
された配向膜は、二回目の配向処理性方向から、時計回
りに＋θ°だけ回転した方向の配向膜の屈折率ｎ１が、
二回目の配向処理方向から−θ°だけ回転した方向の配
向膜の屈折率ｎ２とは異なる。同様に液晶素子とした時
に非螺旋配向した強誘電性液晶の形成する分子層の層法
線方向から時計回りに＋θ°だけ回転した方向の配向膜
の屈折率ｎ１′が、二回目の配向処理方向から−θ°だ
け回転させた方向の配向膜の屈折率ｎ２′とは異なる。

【００２７】そして、非螺旋配向した液晶素子の見かけ
のチルト角θａがコーン角Θに対して、Θ／２＜θａ≦
Θとなっている。

【００２８】又、本発明の液晶素子は、明（白）状態と
暗（黒）状態の２値以外に単位画素内の液晶の反転領域
の面積に応じた中間調状態をとる諧調表示用の素子とし
て好ましいものである。

【００２９】つまり。液晶の反転しきい値が安定するの
で、中間調用の電気信号に応じた反転領域の面積が常に
得られ、再現性が高く、長時間同じ表示状態に保つこと
ができる。

【００３０】また、本発明に用いられる中間調信号とし
ては、波高値のみが変調された信号や、パルス幅が変調
された信号あるいは、波高値とパルス幅の両方が変調さ
れた信号のいずれでもよい。このような中間調信号を発
生する中間調信号発生手段は半導体集積回路などにより
作製される。より好ましくは一対の電極の各々に独立し
た信号を印加してそれらの組み合わせにより中間調信号
とすることが望ましい。

【００３１】そして、液晶材料、電極材料、液晶セル内
での配向状態を適宜選択設計して、中間調信号に応じた
面積の分極反転領域を発現させる。

【００３２】（実施例１）本発明の実施例１では、以下
に述べる液晶素子を以下の手順で作製した。

【００３３】まず、透明電極としてスパッタ法により７
０ｎｍの厚さＩＴＯ（酸化インジウム：錫）膜を形成し
た一対のガラス基板を用意し、一方の基板のＩＴＯ膜上
にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸ＬＰ−６４
（東レ株式会社製）のＮＭＰ（Ｎメチルピロリドン）：
ｎ−ＢＣ（ブチルセロソルブ）混合溶液をスピンコート
した。ここで塗布溶液はＮＭＰ：ｎ−ＢＣ＝２：１の混
合溶媒にＬＰ−６４を１重量％となるように調製し、ス
ピン条件は、４５回転／秒、２０秒で行った。この基板
を、８０℃のオーブン中で５分の溶媒乾燥を行った後、
２００℃のオーブン中で１時間の加熱焼成を行いイミド
化した。得られたポリイミド膜は約１０ｎｍの厚さで、
この膜をラビング処理して配向膜とした。ラビングは、
直径１０ｃｍのローラーに巻き付けたナイロン製の布を
用い、１６．７回転／秒、配向膜表面に対する布の押し
込み０．４ｍｍ、基板の送り速度１０ｍｍ／秒で、二回
のラビングを行った。ここで、ラビングの方向として、
二回目のラビング方向を一回目のラビング方向に対して
反時計周りに角度θｍ（度）として５°回転させ同じ強
度でラビングを行った。その後、この基板表面に平均粒
径２．０μｍのシリカビーズを０．００８重量％で分散
させたＩＰＡ（イソプロピルアルコール）溶液を、２５
回転／秒、１０秒の条件でスピン塗布し、分布密度３０
０個／ｍｍ²程度のビーズスペーサを散布した。

【００３４】対向側のもう一方の基板は、基板のＩＴＯ
膜上にシランカップリング剤（ＯＤＳ−Ｅ）の０．５重
量％エチルアルコール溶液を４５回転／秒、２０秒の条
件でスピン塗布し、垂直配向処理した。その後、この基
板上に熱硬化型の液状接着剤を印刷により塗工した。

【００３５】こうして得られた２枚の基板を対向して貼
り合わせ、１５０℃のオーブン中で９０分間熱硬化さ
せ、空セルとした。

【００３６】この空セルに、以下に述べる液晶混合物を
減圧下（１０Ｐａ）、等方相温度（１００℃）で注入
し、Ｓｍ^* Ｃ相まで徐冷することにより液晶素子とし
た。

【００３７】ここで用いた液晶混合物は、下記の化合物
を下記の比率で混合したものである。

【００３８】

【外１】

【００３９】

【外２】

【００４０】この液晶混合物の相転移系列は以下のとお
りで、３０℃における物性定数は、自然分極Ｐｓ＝２．
５ｎＣ／ｃｍ² 、コーン角Θ＝１２．２°、誘電率異方
性Δε〜０、上述のセルに注入した状態での見かけのチ
ルト角θａ＝１０．８°であった。

【００４１】

【外３】

【００４２】なお、一般にスメクティックＣ相の非螺旋
状態での液晶の層構造は、屈曲構造（シェブロン構造）
を示すが、この液晶混合物の性質として、屈曲部をもた
ないいわゆるブックシェルフ構造を示し、双安定な２状
態を有していた。

【００４３】又、上記ラビングの際に一回目のラビング
と二回目のラビング方向のなす角度θｍを１°から１５
°まで変化させて多数種類の液晶素子の試料をも作製し
た。

【００４４】こうして得られた３種類の液晶素子をクロ
スニコル下におき、実験駆動波形を印加してＵ１状態か
らＵ２状態とＵ２状態からＵ１状態への反転しきい値を
測定した。図５に実験駆動波形を示す。図中５１は補助
パルス、５２はバイポーラリセットパルス、５３は書き
込みパルスである。補助パルス５１は書き込みパルス５
３の逆極性パルスであり、駆動波形のＤＣ成分をゼロに
するためのものである。リセットパルス５２は書き込み
前に表示状態を一度リセット（黒状態）するためのもの
である。書き込みパルス５３及び補助パルス５１の電圧
値を変化させて。観測エリアの５０％が反転してメモリ
状態になるパルス電圧値を記録した。

【００４５】そして、θｍに対してＵ１状態からＵ２状
態への反転しきい値Ｖ１とＵ２状態からＵ１状態への反
転しきい値Ｖ２の差を測定した。

【００４６】前述した実施例１と基本的にほぼ同じ作製
工程により比較例による液晶素子の試料を作製した。実
施例１と異なる点は２回のラビングの方向を同一方向と
し、即ち、θｍ＝０とした点であり、その他の構成は実
施例１と同じである。

【００４７】そして、各試料においてＵ１状態からＵ２
状態への反転しきい値Ｖ１と、Ｕ２状態からＵ１状態へ
の反転しきい値Ｖ２と、の差を測定した。

【００４８】上記測定の結果を図６に示す。図６には代
表的な４試料の値のみ黒印でプロットした。このように
２回のラビングの方向を変えると反転しきい値の差が小
さくなる。そして、好ましくは、θｍを２°以上、より
好ましくは２°以上１５°以下、最適には５°以上１５
°以下とすることが望ましい。

【００４９】（実施例２）本発明の第２の実施例を以下
に説明する。本実施例でのセルは、第１の実施例で用い
たセルとほぼ同様な工程で作製した。但し、本実施例で
は、一回目のラビングの後、配向膜表面を対向基板と同
様の手法で垂直配向処理し、その後、二回目のラビング
を行った。ここでやはりラビングの方向はθｍだけ回転
させた。このようにして作製されたセルは配向の均一性
が第の実施例に比べてさらに良く、しきい値差の低減に
対して同様の効果があった。

【００５０】（実施例３）図７に上述した本発明の実施
例による液晶素子を有する画像表示装置の構成を示す。
装置は、液晶表示素子としての５００×５００のマトリ
クスのパネル１８０１、クロック１８０２、同期回路１
８０３、及びシフトレジスタ１８０４、アナログスイッ
チ１８０５などからなる走査波形発生器１８０６、及び
例えばフレームメモリ１８０７などからの映像情報を駆
動信号に変換出力する情報信号発生器１８０８とからな
る。これらは実装上、マトリスク基板の上下の片側もし
くは両側、左右の片側ないしは両側に振り分けられて結
合されても良い。中間調信号としての情報信号波形の印
加方法としては、階調情報を付与する方法として電圧変
調を用いた。

【００５１】その結果、中間調の表示特性は、安定性再
現性に優れたものであった。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特にＣｈ相の欠如した強誘電性液晶を均一に配向させる
ことができ、かつ双安定な二状態間の反転しきい値をよ
り等しく対称にすることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を説明するための模式図である。

【図２】配向膜の極性エネルギーを考慮した双安定ポテ
ンシャルの模式図である。

【図３】配向規制力を考慮した双安定ポテンシャルの模
式図である。

【図４】対称化された双安定ポテンシャルの模式図であ
る。

【図５】本発明で用いた駆動波形を示す図である。

【図６】本発明の効果を説明する為の配向処理方向の角
度と反転しきい値電圧差の関係を示す図である。

【図７】本発明による液晶素子を有する表示装置を示す
ブロック図である。

【図８】液晶素子の状態を説明する為の模式図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−131913（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−208825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−94029（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−121711（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1337 G02F 1/1335 G02F 1/141

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 強誘電性液晶と、該強誘電性液晶を間に
   保持し、該強誘電性液晶に電圧を印加するための電極が
   形成された一対の基板とを有する強誘電性液晶素子であ
   って、 前記一対の基板のうち一方の基板上には垂直配向処理が
   施されており、前記一対の基板のうち他方の基板上には
   配向膜を形成して一方向に一回目の配向処理を施したの
   ち前記方向と異なる方向に二回目の配向処理を施し、且
   つ、前記配向処理が高分子膜をラビング処理したもので
   あり、二回目の配向処理方向から時計回りに＋θだけ回
   転した方向の屈折率ｎ１が、二回目の配向処理方向から
   −θだけ回転した方向の屈折率ｎ２と異なることを特徴
   とする強誘電性液晶素子。
2. 【請求項２】 強誘電性液晶と、該強誘電性液晶を間に
   保持し、該強誘電性液晶に電圧を印加するための電極が
   形成された一対の基板とを有する強誘電性液晶素子であ
   って、 前記一対の基板のうち一方の基板上には垂直配向処理が
   施されており、前記一対の基板のうち他方の基板上には
   配向膜を形成して一方向に一回目の配向処理を施したの
   ち前記方向と異なる方向に二回目の配向処理を施し、前
   記強誘電性液晶は、非螺旋配向状態における強誘電性液
   晶が少なくとも２つの安定状態を示す強誘電性液晶であ
   り、前記非螺旋配向状態における強誘電性液晶の形成す
   る層構造の層法線方向から時計回りに＋θだけ回転した
   方向の屈折率ｎ１が、二回目の配向処理方向から−θだ
   け回転した方向の屈折率ｎ２と異なることを特徴とする
   強誘電性液晶素子。
3. 【請求項３】 前記強誘電性液晶が温度を降下させるに
   従い、等方相、スメクティックＡ相、カイラルスメクテ
   ィック相の順に相転移するものであることを特徴とする
   請求項１及び２に記載の強誘電性液晶素子。
4. 【請求項４】 前記強誘電性液晶の非螺旋配向状態にお
   ける２つの安定状態間の見かけのチルト角θａが、該強
   誘電性液晶のカイラルスメクティック相での螺旋状態の
   液晶のコーン角Θに対して、Θ／２＜θａ≦Θの関係に
   あることを特徴とする請求項２に記載の強誘電性液晶素
   子。