JPH08320484A - 液晶装置 - Google Patents
液晶装置Info
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- JPH08320484A JPH08320484A JP8026286A JP2628696A JPH08320484A JP H08320484 A JPH08320484 A JP H08320484A JP 8026286 A JP8026286 A JP 8026286A JP 2628696 A JP2628696 A JP 2628696A JP H08320484 A JPH08320484 A JP H08320484A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速応答性とメモリー効果特性を充分に発揮
することのできる信頼性の高い液晶装置を提供する。 【解決手段】 基板2上のカラーフィルター11上に鉛
筆硬度HB以上の保護膜10が配置され、基板2,3間
の液晶4、液晶4がメモリー効果を発現し得るのに十分
薄い層厚の液晶層を設定させるためのビーズスペーサ9
を有する液晶素子1と、行順次で、行毎に、第1の位相
で、行上の画素に液晶の第1の配向状態に基づく第1の
表示状態を生じさせるパルスを印加し、第2の位相で、
行上の画素のうち、選択された画素に液晶の第2の配向
状態に基づく第2の表示状態を生じさせるパルス及び他
の画素に、第1の表示状態を保持させるパルスを印加す
る行順次書き込み手段とを、有することを特徴とする液
晶装置。
することのできる信頼性の高い液晶装置を提供する。 【解決手段】 基板2上のカラーフィルター11上に鉛
筆硬度HB以上の保護膜10が配置され、基板2,3間
の液晶4、液晶4がメモリー効果を発現し得るのに十分
薄い層厚の液晶層を設定させるためのビーズスペーサ9
を有する液晶素子1と、行順次で、行毎に、第1の位相
で、行上の画素に液晶の第1の配向状態に基づく第1の
表示状態を生じさせるパルスを印加し、第2の位相で、
行上の画素のうち、選択された画素に液晶の第2の配向
状態に基づく第2の表示状態を生じさせるパルス及び他
の画素に、第1の表示状態を保持させるパルスを印加す
る行順次書き込み手段とを、有することを特徴とする液
晶装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーディスプレ
イ、特にカラーテレビジョンに適した液晶装置に関す
る。
イ、特にカラーテレビジョンに適した液晶装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス駆動方式を
用いた液晶テレビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ
(TFT)を画素毎のマトリクス配置し、TFTにゲー
トオンパルスを印加してソースとドレイン間を導通状態
とし、この時映像画像信号がソースから印加され、キャ
パシタに蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して
液晶(例えばツイステッド・ネマチック−TN液晶)が
駆動し、そして画素毎に設けたカラーフィルター層を光
学的にスイッチングすることによってカラーディスプレ
イが行われていた。
用いた液晶テレビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ
(TFT)を画素毎のマトリクス配置し、TFTにゲー
トオンパルスを印加してソースとドレイン間を導通状態
とし、この時映像画像信号がソースから印加され、キャ
パシタに蓄積され、この蓄積された画像信号に対応して
液晶(例えばツイステッド・ネマチック−TN液晶)が
駆動し、そして画素毎に設けたカラーフィルター層を光
学的にスイッチングすることによってカラーディスプレ
イが行われていた。
【0003】しかし、この様なTN液晶を用いたアクテ
ィブマトリクス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使
用するTFTが複雑な構造を有しているため、製造工程
数が多く、高い製造コストがネックとなっている上に、
TFTを構成している薄膜半導体(例えば、ポリシリコ
ン、アモルファスシリコン)を広い面積に亘って被膜形
成することが難しいなどの問題点がある。
ィブマトリクス駆動方式のテレビジョンパネルでは、使
用するTFTが複雑な構造を有しているため、製造工程
数が多く、高い製造コストがネックとなっている上に、
TFTを構成している薄膜半導体(例えば、ポリシリコ
ン、アモルファスシリコン)を広い面積に亘って被膜形
成することが難しいなどの問題点がある。
【0004】一方、低い製造コストで製造できるものと
してTN液晶を用いたパッシブマトリクス駆動方式の表
示パネルが知られているが、この表示パネルでは走査線
(N)が増大するに従って、1画面(1フレーム)を走
査する間に1つの選択点に有効な電界が印加されている
時間(デューティー比)が1/Nの割合で減少し、この
ためクロストークが発生し、しかも高コントラストの画
像とならないなどの欠点を有している上、デューティー
比が低くなると各画素の階調を電圧変調によって制御す
ることが難しくなるなど、高密度配線数の表示パネル、
特に液晶テレビジョンパネルには適していない。
してTN液晶を用いたパッシブマトリクス駆動方式の表
示パネルが知られているが、この表示パネルでは走査線
(N)が増大するに従って、1画面(1フレーム)を走
査する間に1つの選択点に有効な電界が印加されている
時間(デューティー比)が1/Nの割合で減少し、この
ためクロストークが発生し、しかも高コントラストの画
像とならないなどの欠点を有している上、デューティー
比が低くなると各画素の階調を電圧変調によって制御す
ることが難しくなるなど、高密度配線数の表示パネル、
特に液晶テレビジョンパネルには適していない。
【0005】この様な従来のTN液晶がもつ根本的な問
題点を解決するものとして、クラークとラガウォルらの
米国特許第4367924号公報などで双安定性をもつ
強誘電性液晶素子が提案されている。
題点を解決するものとして、クラークとラガウォルらの
米国特許第4367924号公報などで双安定性をもつ
強誘電性液晶素子が提案されている。
【0006】前述した双安定性強誘電性液晶素子は、セ
ル厚を従来のTN型液晶素子の場合の1/5〜1/10
程度と極めて薄く設計する必要がある上、そのセル厚を
全面に亘って10%以下の許容範囲に制御する必要があ
るため、一般にはアルミナビーズをスペーサとして使用
し、さらにセル内を減圧状態とすることによって、平行
基板の平行度をできるだけ一定に維持する配慮がなされ
ている。
ル厚を従来のTN型液晶素子の場合の1/5〜1/10
程度と極めて薄く設計する必要がある上、そのセル厚を
全面に亘って10%以下の許容範囲に制御する必要があ
るため、一般にはアルミナビーズをスペーサとして使用
し、さらにセル内を減圧状態とすることによって、平行
基板の平行度をできるだけ一定に維持する配慮がなされ
ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】基板上にカラーフィル
タを形成してカラー表示を行う場合、カラーフィルタの
表面にはその保護膜が一様に形成される。ところが従来
のネマチック型の素子に用いられている保護膜を強誘電
性液晶素子に用いると、その内圧の違いから不都合を生
じていた。すなわち、図5に示すように、セル厚を保護
するビーズスペーサー57は、セルに加えられる圧力に
よって基板に点接触で強く押しつけられるため、従来の
保護膜では硬度不足となり、ビーズスペーサー57は保
護膜53を突き破り、カラーフィルター51まで達して
しまうことがあった。この結果、破壊された部分で液晶
層の配向欠陥が発生し、さらには破壊部分に強誘電性液
晶が染込んで色素と接触することにより、液晶が徐々に
汚染されてその抵抗値が著しく低下し、素子の駆動が不
安定になるという欠点があった。
タを形成してカラー表示を行う場合、カラーフィルタの
表面にはその保護膜が一様に形成される。ところが従来
のネマチック型の素子に用いられている保護膜を強誘電
性液晶素子に用いると、その内圧の違いから不都合を生
じていた。すなわち、図5に示すように、セル厚を保護
するビーズスペーサー57は、セルに加えられる圧力に
よって基板に点接触で強く押しつけられるため、従来の
保護膜では硬度不足となり、ビーズスペーサー57は保
護膜53を突き破り、カラーフィルター51まで達して
しまうことがあった。この結果、破壊された部分で液晶
層の配向欠陥が発生し、さらには破壊部分に強誘電性液
晶が染込んで色素と接触することにより、液晶が徐々に
汚染されてその抵抗値が著しく低下し、素子の駆動が不
安定になるという欠点があった。
【0008】特にカラーフィルター51が破壊された強
誘電性液晶素子を長期間に亘って使用すると、正常なカ
ラディスプレイを行わなくなる問題点を有していること
が判明した。
誘電性液晶素子を長期間に亘って使用すると、正常なカ
ラディスプレイを行わなくなる問題点を有していること
が判明した。
【0009】図6(a)は、強誘電性液晶の画素に印加
される駆動波形を表わし、図6(b)は液晶自体にリア
ルタイムにかかる電圧波形を表わしている。すなわち、
強誘電性液晶に前述の交差電極間からVonの書込みパル
スを印加した時に、強誘電性液晶に実質的に印加される
電圧波形は、図6(b)に示す様にパルス印加時のV0
が時定数π=RC(R;強誘電性液晶の抵抗、C;強誘
電性液晶の容量)の割合で△V0 だけ電圧降下を生じ、
この電圧降下△V0 は強誘電性液晶の抵抗Rが小さい程
大きくなり、パルス切換時(パルスの立下がり時)に逆
極性の−△V0が強誘電性液晶に印加されることにな
る。この|−△V0 |が反転閾値電圧|−Vth|より大
きい場合には、例えば白の書込みとは逆の黒の書込みが
行われることになる。これは、パルスの立下がり時に強
誘電性液晶に直列接続された配向制御膜などの誘電体層
の容量からの放電により逆向きの電界(−△V0 )を発
生することが原因となっている。
される駆動波形を表わし、図6(b)は液晶自体にリア
ルタイムにかかる電圧波形を表わしている。すなわち、
強誘電性液晶に前述の交差電極間からVonの書込みパル
スを印加した時に、強誘電性液晶に実質的に印加される
電圧波形は、図6(b)に示す様にパルス印加時のV0
が時定数π=RC(R;強誘電性液晶の抵抗、C;強誘
電性液晶の容量)の割合で△V0 だけ電圧降下を生じ、
この電圧降下△V0 は強誘電性液晶の抵抗Rが小さい程
大きくなり、パルス切換時(パルスの立下がり時)に逆
極性の−△V0が強誘電性液晶に印加されることにな
る。この|−△V0 |が反転閾値電圧|−Vth|より大
きい場合には、例えば白の書込みとは逆の黒の書込みが
行われることになる。これは、パルスの立下がり時に強
誘電性液晶に直列接続された配向制御膜などの誘電体層
の容量からの放電により逆向きの電界(−△V0 )を発
生することが原因となっている。
【0010】ところで、前述したカラーディスプレイ用
液晶素子は、カラーフィルターの保護膜がビーズスペー
サの押圧により破壊され、このためセル内の強誘電性液
晶にカラーフィルター層中の染料が溶出し、かかる液晶
素子を長時間に亘って使用すると、セル内の強誘電性液
晶の抵抗Rが経時的に低下し、やがて前述した逆向き電
界−△V0 の値が反転閾値電圧を越えて所望の光学的な
スイッチング駆動が作動しなくなる問題点がある。
液晶素子は、カラーフィルターの保護膜がビーズスペー
サの押圧により破壊され、このためセル内の強誘電性液
晶にカラーフィルター層中の染料が溶出し、かかる液晶
素子を長時間に亘って使用すると、セル内の強誘電性液
晶の抵抗Rが経時的に低下し、やがて前述した逆向き電
界−△V0 の値が反転閾値電圧を越えて所望の光学的な
スイッチング駆動が作動しなくなる問題点がある。
【0011】又、強誘電性液晶素子に行順次書込み方式
を適用する場合には、例えば行上の全部又は所定の画素
に対して第1位相となる位相t1 で強誘電性液晶の第1
の配向状態に基づく第1表示状態を形成するパルスを印
加し、次の第2位相となる位相t2 で選択された画素に
対して第1表示状態を強誘電性液晶の第2の配向状態に
基づく第2表示状態に反転するパルスを印加する方式が
ある。
を適用する場合には、例えば行上の全部又は所定の画素
に対して第1位相となる位相t1 で強誘電性液晶の第1
の配向状態に基づく第1表示状態を形成するパルスを印
加し、次の第2位相となる位相t2 で選択された画素に
対して第1表示状態を強誘電性液晶の第2の配向状態に
基づく第2表示状態に反転するパルスを印加する方式が
ある。
【0012】この方式の場合、位相t2 では図7(a)
に示す様に第1表示状態を保持する画素には位相t1 で
印加したパルスとは逆極性のパルスが閾値電圧以下で印
加されることになる。
に示す様に第1表示状態を保持する画素には位相t1 で
印加したパルスとは逆極性のパルスが閾値電圧以下で印
加されることになる。
【0013】この様に行順次書込み方式の場合では、位
相t1 で書込まれた表示状態を位相t2 で反転すること
なく保持されることが必要である。従って、位相t2 で
反転閾値電圧を越えた電圧が印加されてはならないはず
であるが、位相t1 から位相t2 へのパルス極性切換時
に強誘電性液晶には図7(b)に示すように−(aV0
+△V0 )[但し、aはa<|Vth|/|Von|;Vth
は強誘電性液晶の閾値電圧]の電圧が実質的に印加され
ることになり、この−(aV0 +△V0 )が反転閾値電
圧より大きい場合には、第1表示状態を保持すべき画素
が位相t2 で第2表示状態に反転されることになり、所
期の表示を形成することができなくなる問題点があっ
た。
相t1 で書込まれた表示状態を位相t2 で反転すること
なく保持されることが必要である。従って、位相t2 で
反転閾値電圧を越えた電圧が印加されてはならないはず
であるが、位相t1 から位相t2 へのパルス極性切換時
に強誘電性液晶には図7(b)に示すように−(aV0
+△V0 )[但し、aはa<|Vth|/|Von|;Vth
は強誘電性液晶の閾値電圧]の電圧が実質的に印加され
ることになり、この−(aV0 +△V0 )が反転閾値電
圧より大きい場合には、第1表示状態を保持すべき画素
が位相t2 で第2表示状態に反転されることになり、所
期の表示を形成することができなくなる問題点があっ
た。
【0014】本発明の目的は、上記配向欠陥の発生及び
液晶の抵抗値の低下を防止し、強誘電性液晶素子が本来
もっている高速応答性とメモリー効果特性を充分に発揮
することのできる信頼性の高い液晶装置を提供すること
にある。
液晶の抵抗値の低下を防止し、強誘電性液晶素子が本来
もっている高速応答性とメモリー効果特性を充分に発揮
することのできる信頼性の高い液晶装置を提供すること
にある。
【0015】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、間
隔を置いて配置した一対の基板、該一対の基板のうち少
なくとも一方に設けたカラーフィルター、該カラーフィ
ルターの上に設けた鉛筆硬度HB以上(但し、鉛筆硬度
とは、JIS K 5401で規定する「塗膜用鉛筆引
っかき試験機」により測定した硬度をいう)の保護膜、
該一対の基板間の間隔に封入させた液晶及び該一対の基
板間に配置され、且つ液晶がメモリー効果を発現し得る
のに十分薄い層厚の液晶層を設定させるためのビーズス
ペーサを有する液晶素子、並びに行順次で、行毎に、第
1の位相で、行上の全部又は所定の画素に前記液晶の第
1の配向状態に基づく第1の表示状態を生じさせるパル
スを印加し、第2の位相で、前記行上の全部又は所定の
画素のうち、選択された画素に前記液晶の第2の配向状
態に基づく第2の表示状態を生じさせるパルス及び他の
画素に、前記第1の表示状態を保持させるパルスを印加
する行順次書き込み手段、を有することを特徴とする液
晶装置にある。
隔を置いて配置した一対の基板、該一対の基板のうち少
なくとも一方に設けたカラーフィルター、該カラーフィ
ルターの上に設けた鉛筆硬度HB以上(但し、鉛筆硬度
とは、JIS K 5401で規定する「塗膜用鉛筆引
っかき試験機」により測定した硬度をいう)の保護膜、
該一対の基板間の間隔に封入させた液晶及び該一対の基
板間に配置され、且つ液晶がメモリー効果を発現し得る
のに十分薄い層厚の液晶層を設定させるためのビーズス
ペーサを有する液晶素子、並びに行順次で、行毎に、第
1の位相で、行上の全部又は所定の画素に前記液晶の第
1の配向状態に基づく第1の表示状態を生じさせるパル
スを印加し、第2の位相で、前記行上の全部又は所定の
画素のうち、選択された画素に前記液晶の第2の配向状
態に基づく第2の表示状態を生じさせるパルス及び他の
画素に、前記第1の表示状態を保持させるパルスを印加
する行順次書き込み手段、を有することを特徴とする液
晶装置にある。
【0016】上記本発明の液晶装置は、さらにその特徴
として、「前記液晶が双安定性液晶である」こと、「前
記液晶が螺旋構造の形成を抑制させることによって配向
させた配向状態を有するカイラルスメクチック液晶であ
る」こと、をも含む。
として、「前記液晶が双安定性液晶である」こと、「前
記液晶が螺旋構造の形成を抑制させることによって配向
させた配向状態を有するカイラルスメクチック液晶であ
る」こと、をも含む。
【0017】
【発明の実施の形態】図3は強誘電性液晶の動作説明の
ために、セルの例を模式的に描いたものである。31と
31’は、In2 O3 ,SnO2 あるいはITO(In
dium−Tin−Oxide)等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間に液
晶分子層32がガラス面に垂直になるように配向したS
mC*相又はSmH* 相の液晶が封入されている。太線
で示した線33が液晶分子を表わしており、この液晶分
子33はその分子に直交した方向に双極子モーメント
(P)34を有している。基板31と31’上に電極間
に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子33の
らせん構造がほどけ、双極子モーメント(P)34がす
べて電界方向に向くよう、液晶分子33は配向方向を変
えることができる。液晶分子33は、細長い形状を有し
ており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示
し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変
わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
ために、セルの例を模式的に描いたものである。31と
31’は、In2 O3 ,SnO2 あるいはITO(In
dium−Tin−Oxide)等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間に液
晶分子層32がガラス面に垂直になるように配向したS
mC*相又はSmH* 相の液晶が封入されている。太線
で示した線33が液晶分子を表わしており、この液晶分
子33はその分子に直交した方向に双極子モーメント
(P)34を有している。基板31と31’上に電極間
に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子33の
らせん構造がほどけ、双極子モーメント(P)34がす
べて電界方向に向くよう、液晶分子33は配向方向を変
えることができる。液晶分子33は、細長い形状を有し
ており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示
し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変
わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
【0018】本発明の液晶装置で好ましく用いられる液
晶セルは、その厚さを充分に薄く(例えば10μm以
下)することができる。このように液晶層が薄くなるに
したがい、図4に示すように電界を印加しない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、
その双極子モーメントPまたはP’は上向き(34)又
は下向き(34’)のどちらかの状態をとる。このよう
なセルに、図4に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界E又はE’を電圧印加手段36と36’により付
加すると、双極子モーメントは、電界E又はE’の電界
ベクトルに対応して上向き34又は下向き34’と向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状態35
か、あるいは第2の安定状態35’の何れか一方に配向
する。
晶セルは、その厚さを充分に薄く(例えば10μm以
下)することができる。このように液晶層が薄くなるに
したがい、図4に示すように電界を印加しない状態でも
液晶分子のらせん構造がほどけ、非らせん構造となり、
その双極子モーメントPまたはP’は上向き(34)又
は下向き(34’)のどちらかの状態をとる。このよう
なセルに、図4に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界E又はE’を電圧印加手段36と36’により付
加すると、双極子モーメントは、電界E又はE’の電界
ベクトルに対応して上向き34又は下向き34’と向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第1の安定状態35
か、あるいは第2の安定状態35’の何れか一方に配向
する。
【0019】このような強誘電性液晶素子として用いる
ことの利点は、先に述べたが2つある。その第1は、応
答速度が極めて速いことであり、第2は液晶分子の配向
きが双安定性を有することである。第2の点を、例えば
図4によって更に説明すると、電界Eを印加すると液晶
分子は第1の安定状態35に配向するが、この状態は電
界を切っても安定である。また、逆向きの電界E’を印
加すると、液晶分子は第2の安定状態35’に配向して
その分子の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの
状態に留まっている。また、与える電界Eが一定の閾値
を越えない限り、それぞれの配向状態にやはり維持され
ている。このような応答速度の速さと、双安定性が有効
に実現されるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ま
しい。また、この強誘電性液晶素子が所定の駆動特性を
発揮するためには、一対の平行基板間に配置される強誘
電性液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記2つの
安定状態の間での変換が効果的に起こるような分子配列
状態にあることが必要である。たとえばカイラルスメク
ティック相を有する強誘電性液晶については、カイラル
スメクティック相の液晶分子層が基板面に対して垂直
で、したがって液晶分子軸が基板面にほぼ平行に配列し
た領域(モノドメイン)が形成される必要がある。した
がって、セルとしては基板の平行度が高く、且つ基板表
面が均一であることが望ましい。
ことの利点は、先に述べたが2つある。その第1は、応
答速度が極めて速いことであり、第2は液晶分子の配向
きが双安定性を有することである。第2の点を、例えば
図4によって更に説明すると、電界Eを印加すると液晶
分子は第1の安定状態35に配向するが、この状態は電
界を切っても安定である。また、逆向きの電界E’を印
加すると、液晶分子は第2の安定状態35’に配向して
その分子の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの
状態に留まっている。また、与える電界Eが一定の閾値
を越えない限り、それぞれの配向状態にやはり維持され
ている。このような応答速度の速さと、双安定性が有効
に実現されるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ま
しい。また、この強誘電性液晶素子が所定の駆動特性を
発揮するためには、一対の平行基板間に配置される強誘
電性液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記2つの
安定状態の間での変換が効果的に起こるような分子配列
状態にあることが必要である。たとえばカイラルスメク
ティック相を有する強誘電性液晶については、カイラル
スメクティック相の液晶分子層が基板面に対して垂直
で、したがって液晶分子軸が基板面にほぼ平行に配列し
た領域(モノドメイン)が形成される必要がある。した
がって、セルとしては基板の平行度が高く、且つ基板表
面が均一であることが望ましい。
【0020】上記問題点を解決するために本発明で用い
た液晶素子の構成を、実施例に対応する図1を用いて説
明する。すなわち、本発明で用いる液晶素子は、透明電
極5,6の形成された一対の平行基板2,3間に強誘電
性液晶4を挟持し、少なくとも一方の透明電極と基板間
にカラーフィルター11(R,G,B)を有する強誘電
性液晶素子であって、各画素のカラーフィルター11上
に色素と透明樹脂、または透明な無機化合物からなる鉛
筆硬度HB以上の保護膜10を形成するとともに、前記
基板間に球状のビーズ9をスペーサーとして挟持したこ
とを特徴とする強誘電性液晶素子1である。
た液晶素子の構成を、実施例に対応する図1を用いて説
明する。すなわち、本発明で用いる液晶素子は、透明電
極5,6の形成された一対の平行基板2,3間に強誘電
性液晶4を挟持し、少なくとも一方の透明電極と基板間
にカラーフィルター11(R,G,B)を有する強誘電
性液晶素子であって、各画素のカラーフィルター11上
に色素と透明樹脂、または透明な無機化合物からなる鉛
筆硬度HB以上の保護膜10を形成するとともに、前記
基板間に球状のビーズ9をスペーサーとして挟持したこ
とを特徴とする強誘電性液晶素子1である。
【0021】本発明で用いる液晶材料として特に適した
ものは双安定性を有する液晶であって、強誘電性を有す
るものであり、具体的にはカイラルスメクティックC相
(SmC* 相)、H相(SmH* 相)、I相(SmI*
相)、J相(SmJ* 相)、K相(SmK* 相)、G相
(SmG* 相)又はF相(SmF* 相)の液晶を用いる
ことができる。
ものは双安定性を有する液晶であって、強誘電性を有す
るものであり、具体的にはカイラルスメクティックC相
(SmC* 相)、H相(SmH* 相)、I相(SmI*
相)、J相(SmJ* 相)、K相(SmK* 相)、G相
(SmG* 相)又はF相(SmF* 相)の液晶を用いる
ことができる。
【0022】この強誘電性液晶については、”ル・ジュ
ールナル・ド・フィジーク・ルテール(”LE JOU
RNAL DE PHYSIQUE LETTER
S”)1975年、36(L−69)号、「フェロエレ
クトリック・リキッド・クリスタルス」(「Ferro
electic Liquid Crystal
s」);”アプライド・フィジックス・レターズ”(”
Applied PhysicsLetters”)1
980年、36(11)号、「サブミクロ・セカンド・
バイステイブル・イン・リキッド・クリスタルス(「S
ubmicro Second Bistable E
lectrooptic Switchingin L
iquid Crystals」);”固体物理”19
81年、16(141)号、「液晶」等に記載されてお
り、本発明においては、これらに開示された強誘電性液
晶を使用することができる。
ールナル・ド・フィジーク・ルテール(”LE JOU
RNAL DE PHYSIQUE LETTER
S”)1975年、36(L−69)号、「フェロエレ
クトリック・リキッド・クリスタルス」(「Ferro
electic Liquid Crystal
s」);”アプライド・フィジックス・レターズ”(”
Applied PhysicsLetters”)1
980年、36(11)号、「サブミクロ・セカンド・
バイステイブル・イン・リキッド・クリスタルス(「S
ubmicro Second Bistable E
lectrooptic Switchingin L
iquid Crystals」);”固体物理”19
81年、16(141)号、「液晶」等に記載されてお
り、本発明においては、これらに開示された強誘電性液
晶を使用することができる。
【0023】強誘電性液晶化合物の具体例としては、デ
シロキシベンジリデン−p’−アミノ−2−メチルブチ
ルシンナメート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベ
ンジリデン−p’−アミノ−2−クロロプロピルシンナ
メート(HOBACPC)、4−o−(2−メチル)−
ブチルレゾルシリデン−4’−オクチルアニリン(MB
RA8)が挙げられる。
シロキシベンジリデン−p’−アミノ−2−メチルブチ
ルシンナメート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベ
ンジリデン−p’−アミノ−2−クロロプロピルシンナ
メート(HOBACPC)、4−o−(2−メチル)−
ブチルレゾルシリデン−4’−オクチルアニリン(MB
RA8)が挙げられる。
【0024】これらの材料を用いて素子を構成する場
合、液晶化合物がカイラルスメクティック相となるよう
な温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒーター
が埋め込まれたブロック等により支持することができ
る。
合、液晶化合物がカイラルスメクティック相となるよう
な温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒーター
が埋め込まれたブロック等により支持することができ
る。
【0025】本発明に用いられる配向制御膜の材料とし
ては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あ
るいは感光性ポリイミド、環化ゴム系フォトレジスト、
フェノールノボラック系フォトレジストあるいは電子線
フォトレジスト(ポリメチルメタクリレート、エポキシ
化−1,4−ポリブタジエンなど)などから選択して形
成することができる。
ては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂類、あ
るいは感光性ポリイミド、環化ゴム系フォトレジスト、
フェノールノボラック系フォトレジストあるいは電子線
フォトレジスト(ポリメチルメタクリレート、エポキシ
化−1,4−ポリブタジエンなど)などから選択して形
成することができる。
【0026】カラーフィルター11は、染料でポリビニ
ルアルコールやセルロース樹脂などの媒染体を着色させ
て形成したものを用いることができる。この際に用いる
染料としては、シアニン系染料、メロシアニン系染料、
アズレニウム系染料、ナントラキノン系染料、ナフトキ
ノン系染料、フェノール系染料、ジスアゾ系染料、トリ
スアゾ系染料、テトラゾ系染料などを用いることができ
る。
ルアルコールやセルロース樹脂などの媒染体を着色させ
て形成したものを用いることができる。この際に用いる
染料としては、シアニン系染料、メロシアニン系染料、
アズレニウム系染料、ナントラキノン系染料、ナフトキ
ノン系染料、フェノール系染料、ジスアゾ系染料、トリ
スアゾ系染料、テトラゾ系染料などを用いることができ
る。
【0027】又、本発明で用いるカラーフィルター11
は、各種の有機顔料を蒸着法によって被膜形成されたも
のであってもよい。この際に用いる有機顔料としては、
銅フタロシアニン顔料、鉛フタロシアニン顔料、ペリレ
ン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、テトラ
ゾ系顔料、アントラキノン系顔料、キナクリドン系顔
料、イソインドリノン系顔料、ジオキサジン系顔料、ペ
リノン系顔料、ピロコリン系顔料、フルオルビン系顔
料、キノフタロン系顔料などを用いることができる。
は、各種の有機顔料を蒸着法によって被膜形成されたも
のであってもよい。この際に用いる有機顔料としては、
銅フタロシアニン顔料、鉛フタロシアニン顔料、ペリレ
ン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、テトラ
ゾ系顔料、アントラキノン系顔料、キナクリドン系顔
料、イソインドリノン系顔料、ジオキサジン系顔料、ペ
リノン系顔料、ピロコリン系顔料、フルオルビン系顔
料、キノフタロン系顔料などを用いることができる。
【0028】又、本発明の別の好ましい具体例では、カ
ラーフィルター11として、着色ポリイミド、着色ポリ
アミド、着色ポリアミドイミド、着色エステルイミドや
着色ポリエステルを用いることができる。特に、ポリア
ミド(6−ナイロン、66−ナイロンあるいは共重合ナ
イロン)やポリエステルは各種の有機溶剤に可溶性であ
るため、各種の有機顔料を混入させることが可能であ
る。又、ポリイミド、ポリアミドイミドやポリエステル
イミドを着色する方法としては、その前駆体であるポリ
アミック酸溶液中に分散剤(水酸基、カルボキシル基、
スルホン酸基、カルボンアミド基、スルホンアミド基な
どを置換基としてもつアゾ系染料、フタロシアニン系染
料、トリフェニルメタン系染料など)とともに有機顔料
を分散させる方法を用いることができる。これらの着色
フィルムは、保護膜10との密着性が極めて良好でよい
結果を得ることができる。
ラーフィルター11として、着色ポリイミド、着色ポリ
アミド、着色ポリアミドイミド、着色エステルイミドや
着色ポリエステルを用いることができる。特に、ポリア
ミド(6−ナイロン、66−ナイロンあるいは共重合ナ
イロン)やポリエステルは各種の有機溶剤に可溶性であ
るため、各種の有機顔料を混入させることが可能であ
る。又、ポリイミド、ポリアミドイミドやポリエステル
イミドを着色する方法としては、その前駆体であるポリ
アミック酸溶液中に分散剤(水酸基、カルボキシル基、
スルホン酸基、カルボンアミド基、スルホンアミド基な
どを置換基としてもつアゾ系染料、フタロシアニン系染
料、トリフェニルメタン系染料など)とともに有機顔料
を分散させる方法を用いることができる。これらの着色
フィルムは、保護膜10との密着性が極めて良好でよい
結果を得ることができる。
【0029】本発明に用いられる透明な絶縁性樹脂から
なる保護膜10としては、ゴム系フォトレジスト、熱硬
化アクリル樹脂ポリイミド、ポリパラキシリレン(商品
名;パリレン、ユニオンカーバイド社)、ポリエチレ
ン、ポリスチレン、ポリカーボネート等が挙げられる。
これらの塗布方法としては、スピンナー塗布法を用いる
ことができる。また、透明な絶縁性無機化合物からなる
保護膜10としては、SiO2 ,Al2 O3 ,TiO
2 ,ZrO2 ,MgF2 ,SiO等が挙げられる。
なる保護膜10としては、ゴム系フォトレジスト、熱硬
化アクリル樹脂ポリイミド、ポリパラキシリレン(商品
名;パリレン、ユニオンカーバイド社)、ポリエチレ
ン、ポリスチレン、ポリカーボネート等が挙げられる。
これらの塗布方法としては、スピンナー塗布法を用いる
ことができる。また、透明な絶縁性無機化合物からなる
保護膜10としては、SiO2 ,Al2 O3 ,TiO
2 ,ZrO2 ,MgF2 ,SiO等が挙げられる。
【0030】前述した保護膜を、鉛筆硬度HB以上の硬
度となるように形成すると、ビーズスペーサーによる膜
の破壊を防ぐことができる。したがって、基板表面にお
いて配向欠陥の原因となる凹凸が除去されるため、平面
性のよい基板に挟持された液晶層は、等方相から液晶相
に移行する降温過程において、液晶相領域が次第に広が
り均一なモノドメインの液晶相を形成するようになる。
度となるように形成すると、ビーズスペーサーによる膜
の破壊を防ぐことができる。したがって、基板表面にお
いて配向欠陥の原因となる凹凸が除去されるため、平面
性のよい基板に挟持された液晶層は、等方相から液晶相
に移行する降温過程において、液晶相領域が次第に広が
り均一なモノドメインの液晶相を形成するようになる。
【0031】例えば、液晶として強誘電液晶相を示す前
述のDOBAMBCを例に挙げて説明するとDOBAM
BCの等方相より徐冷していくとき約115℃でスメク
ティックA相(SmA* 相)に相転移する。このとき、
基板にラビングあるいはSiO2 斜め蒸着などの配向処
理が施されていると、液晶分子の分子軸が基板に平行
で、かつ一方向に配向したモノドメインが形成される。
さらに、冷却を進めていくと、液晶層の厚みに依存する
約90〜〜75℃の間の特定温度でカイラルスメクティ
ックC層(SmC* 相)に相転移する。又、液晶層の厚
みを約2μm以下とした場合は、SmC* 相のらせんが
解け、少なくとも第1の安定状態と第2の安定状態をも
つ強誘電性液晶とすることができる。
述のDOBAMBCを例に挙げて説明するとDOBAM
BCの等方相より徐冷していくとき約115℃でスメク
ティックA相(SmA* 相)に相転移する。このとき、
基板にラビングあるいはSiO2 斜め蒸着などの配向処
理が施されていると、液晶分子の分子軸が基板に平行
で、かつ一方向に配向したモノドメインが形成される。
さらに、冷却を進めていくと、液晶層の厚みに依存する
約90〜〜75℃の間の特定温度でカイラルスメクティ
ックC層(SmC* 相)に相転移する。又、液晶層の厚
みを約2μm以下とした場合は、SmC* 相のらせんが
解け、少なくとも第1の安定状態と第2の安定状態をも
つ強誘電性液晶とすることができる。
【0032】又、この保護膜10によって形成される容
量の場合では5.5×103 pF/cm2 以上となる様
に設定することによって、前述の反転現象を一層有効に
防止することができる。その好ましい容量は5.5×1
03 pF/cm2 〜3.0×105 pF/cm2 の範囲
で、特に十分な絶縁性を保持する上で9.0×103p
F/cm2 〜5.5×104 pF/cm2 が適してい
る。
量の場合では5.5×103 pF/cm2 以上となる様
に設定することによって、前述の反転現象を一層有効に
防止することができる。その好ましい容量は5.5×1
03 pF/cm2 〜3.0×105 pF/cm2 の範囲
で、特に十分な絶縁性を保持する上で9.0×103p
F/cm2 〜5.5×104 pF/cm2 が適してい
る。
【0033】この様に、本発明で用いる保護膜10の硬
度をHB以上とすることによって、ビーズの押圧によっ
て生じる保護膜10の破壊が防止され、このためカラー
フィルター中の染料や顔料が強誘電性液晶4に溶解する
ことがないので、その抵抗低下から惹き起こる問題点は
生じることがない。
度をHB以上とすることによって、ビーズの押圧によっ
て生じる保護膜10の破壊が防止され、このためカラー
フィルター中の染料や顔料が強誘電性液晶4に溶解する
ことがないので、その抵抗低下から惹き起こる問題点は
生じることがない。
【0034】図1は本発明による強誘電性液晶素子の基
本構成を示す断面図である。図1において、強誘電性液
晶素子1はガラス板またはプラスチック板などの透明板
を用いた基板2と3を有し、その間には強誘電性液晶4
が挟持されている。各基板2と3にはマトリクス電極構
造を形成するストライプ形状の透明電極5と6が配置さ
れ、この透明電極の上には配向膜7及び8が形成されて
いる。R,G,Bの各色素からなるカラーフィルター1
1は、ほぼ等しい膜厚となるように、色素もしくは色素
と透明樹脂、もしくは色素と透明な無機化合物で形成さ
れている。一方、カラーフィルター11と透明電極5の
間には、透明な保護膜10が形成されている。
本構成を示す断面図である。図1において、強誘電性液
晶素子1はガラス板またはプラスチック板などの透明板
を用いた基板2と3を有し、その間には強誘電性液晶4
が挟持されている。各基板2と3にはマトリクス電極構
造を形成するストライプ形状の透明電極5と6が配置さ
れ、この透明電極の上には配向膜7及び8が形成されて
いる。R,G,Bの各色素からなるカラーフィルター1
1は、ほぼ等しい膜厚となるように、色素もしくは色素
と透明樹脂、もしくは色素と透明な無機化合物で形成さ
れている。一方、カラーフィルター11と透明電極5の
間には、透明な保護膜10が形成されている。
【0035】上記構成による基板では、カラーフィルタ
ー11は、ほぼ同一の膜厚に形成するため、画素上に保
護膜、透明電極、配向膜を順に形成しても、基板面をほ
ぼ平坦に保つことができる。
ー11は、ほぼ同一の膜厚に形成するため、画素上に保
護膜、透明電極、配向膜を順に形成しても、基板面をほ
ぼ平坦に保つことができる。
【0036】本発明では、前述の平坦化により、カラー
フィルター側基板表面の段差を1000Å以下とするこ
とができるが、好ましくは500Å以下とするのが望ま
しい。
フィルター側基板表面の段差を1000Å以下とするこ
とができるが、好ましくは500Å以下とするのが望ま
しい。
【0037】前記配向膜7及び8は、強誘電性液晶の膜
厚にも依存するが、一般的には10Å〜1μm、好適に
は100Å〜3000Åの範囲に設定する。また、保護
膜10の膜厚は、強誘電性液晶4の膜厚を決定すること
ができるので、従って液晶材料の種類や要求される応答
速度などにより変化するが、一般的には0.2μm〜2
0μm、好適には0.5μm〜10μmの範囲に設定さ
れる。また、膜の硬度は前述したように鉛筆硬度でHB
以上となるように設定する。
厚にも依存するが、一般的には10Å〜1μm、好適に
は100Å〜3000Åの範囲に設定する。また、保護
膜10の膜厚は、強誘電性液晶4の膜厚を決定すること
ができるので、従って液晶材料の種類や要求される応答
速度などにより変化するが、一般的には0.2μm〜2
0μm、好適には0.5μm〜10μmの範囲に設定さ
れる。また、膜の硬度は前述したように鉛筆硬度でHB
以上となるように設定する。
【0038】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【0039】図2(a)〜(f)は、R,G,B3色の
色画素の形成工程を示す図である。まず、コーニング社
の#7059ガラス基板21上にポジ型レジスト(商品
名;OFPR 77,東京応化製)をスピンナーを用い
て1.0μmの層厚に塗布し、レジスト層22を設けた
(図2(a)参照)。次に、所定のパターンマスク23
を用いてこれを露光し(図2(b)参照)、OFPR
77 シリーズ専用現像液によって現像して所定のスト
ライプ形状を有するリフトオフ用のパターン22aを形
成した(図2(c)参照)。
色画素の形成工程を示す図である。まず、コーニング社
の#7059ガラス基板21上にポジ型レジスト(商品
名;OFPR 77,東京応化製)をスピンナーを用い
て1.0μmの層厚に塗布し、レジスト層22を設けた
(図2(a)参照)。次に、所定のパターンマスク23
を用いてこれを露光し(図2(b)参照)、OFPR
77 シリーズ専用現像液によって現像して所定のスト
ライプ形状を有するリフトオフ用のパターン22aを形
成した(図2(c)参照)。
【0040】次に、ガラス基板21のパターン形成面の
全面を露光し、更に不要なパターン部以外のレジスト残
渣を酸素プラズマ灰化処理によってガラス基板21上か
ら取り除いた。
全面を露光し、更に不要なパターン部以外のレジスト残
渣を酸素プラズマ灰化処理によってガラス基板21上か
ら取り除いた。
【0041】このようにして、リフトオフ用のパターン
22aが形成されたガラス基板21を真空蒸着装置内の
所定の位置に配置し、蒸発源としての二つのモリブデン
ボートの一方に蒸着用青色素としてニッケルフタロシア
ニンを、他方のボートに樹脂としてパリレン(ユニオン
カーバイド社製)を入れ、前者の蒸発温度を470℃
に、後者の温度を250℃に調節し、先ずニッケルフタ
ロシアニンを5500Åを基板21のリフトオフ用パタ
ーン形成面に蒸着することによって着色層24を形成し
た(図2(d)参照)。
22aが形成されたガラス基板21を真空蒸着装置内の
所定の位置に配置し、蒸発源としての二つのモリブデン
ボートの一方に蒸着用青色素としてニッケルフタロシア
ニンを、他方のボートに樹脂としてパリレン(ユニオン
カーバイド社製)を入れ、前者の蒸発温度を470℃
に、後者の温度を250℃に調節し、先ずニッケルフタ
ロシアニンを5500Åを基板21のリフトオフ用パタ
ーン形成面に蒸着することによって着色層24を形成し
た(図2(d)参照)。
【0042】このリフトオフ用パターン22aと着色層
24が形成されている基板21をOFPR 77 シリ
ーズ専用現像液中に5分間浸漬攪拌し、レジストパター
ン22aと共にこのパターン上に蒸着した着色層24a
を基板から除去し、青色ストライプフィルターを作製し
た(図2(e)参照)。
24が形成されている基板21をOFPR 77 シリ
ーズ専用現像液中に5分間浸漬攪拌し、レジストパター
ン22aと共にこのパターン上に蒸着した着色層24a
を基板から除去し、青色ストライプフィルターを作製し
た(図2(e)参照)。
【0043】一方、緑色と赤色のストライプフィルター
は図2の(a)〜(e)の工程を繰り返すことで得られ
る。
は図2の(a)〜(e)の工程を繰り返すことで得られ
る。
【0044】緑色の蒸着用色素として、鉛フタロシアニ
ンを5500Å蒸着し緑色層を形成した。
ンを5500Å蒸着し緑色層を形成した。
【0045】次に、赤色の蒸着用色素として、アントラ
キノンを5500Å蒸着し赤色層を形成した。
キノンを5500Å蒸着し赤色層を形成した。
【0046】以上のようにして図2(f)に示すように
B,G,R共にほぼ同一膜厚のカラーフィルターを形成
することができた。
B,G,R共にほぼ同一膜厚のカラーフィルターを形成
することができた。
【0047】[実施例1]次に、図1の保護膜10とし
て日立化成社のHL−1100(ポリエーテルアミドイ
ミド)をスピンナー塗布し、さらに100℃で30分間
加熱硬化し、1μmの膜厚とした。この時の保護膜10
の硬さは、鉛筆硬度で5Hの硬さであった。
て日立化成社のHL−1100(ポリエーテルアミドイ
ミド)をスピンナー塗布し、さらに100℃で30分間
加熱硬化し、1μmの膜厚とした。この時の保護膜10
の硬さは、鉛筆硬度で5Hの硬さであった。
【0048】次に図1に示すように、ITOを500Å
の厚さにスパッタリング法により成膜し、さらにパター
ニング形成して透明電極5とした。この上に配向膜7と
して、ポリイミド形成溶液(日立化成工業「PIQ」)
を3000rpmで回転するスピンナーで塗布し、15
0℃で30分間加熱を行って2000Åのポリイミド被
膜を形成した。然る後、このポリイミド被膜表面をラビ
ング処理した。
の厚さにスパッタリング法により成膜し、さらにパター
ニング形成して透明電極5とした。この上に配向膜7と
して、ポリイミド形成溶液(日立化成工業「PIQ」)
を3000rpmで回転するスピンナーで塗布し、15
0℃で30分間加熱を行って2000Åのポリイミド被
膜を形成した。然る後、このポリイミド被膜表面をラビ
ング処理した。
【0049】このようにして形勢したカラーフィルター
側の基板2と、対向する基板3の間に平均粒径1μmの
アルミナビーズをセル厚保持のスペーサーとして散在さ
せ、両基板を貼り合わせてセル組し、下記の強誘電性液
晶を注入、封口して液晶素子を得た。この液晶素子をク
ロスニコルの偏光顕微鏡で観察したところ、ビーズスペ
ーサー9による膜の破壊はなく、内部の液晶分子は配向
欠陥を生じていないことが確認された。
側の基板2と、対向する基板3の間に平均粒径1μmの
アルミナビーズをセル厚保持のスペーサーとして散在さ
せ、両基板を貼り合わせてセル組し、下記の強誘電性液
晶を注入、封口して液晶素子を得た。この液晶素子をク
ロスニコルの偏光顕微鏡で観察したところ、ビーズスペ
ーサー9による膜の破壊はなく、内部の液晶分子は配向
欠陥を生じていないことが確認された。
【0050】
【化1】
【0051】[実施例2]保護膜10をアクリル系ポリ
マーからなる熱硬化性樹脂で形成し、他の構成は前記実
施例1と全く同様とした。この時の保護膜10の硬さは
鉛筆硬度でHBの硬さであった。
マーからなる熱硬化性樹脂で形成し、他の構成は前記実
施例1と全く同様とした。この時の保護膜10の硬さは
鉛筆硬度でHBの硬さであった。
【0052】上記構成による素子をクロスニコルの偏光
顕微鏡で観察したところ、前記実施例1と同様にビーズ
スペーサーによる膜の破壊はなく、配向欠陥のない素子
を得ることができた。
顕微鏡で観察したところ、前記実施例1と同様にビーズ
スペーサーによる膜の破壊はなく、配向欠陥のない素子
を得ることができた。
【0053】[比較例]保護膜10をポリビニルアルコ
ール(PVA)で形成し、他の構成は前記実施例と全く
同様とした。この時の保護膜10の硬さは鉛筆硬度で2
Bの硬さであった。
ール(PVA)で形成し、他の構成は前記実施例と全く
同様とした。この時の保護膜10の硬さは鉛筆硬度で2
Bの硬さであった。
【0054】上記構成による素子をクロスニコルの偏光
顕微鏡で観察したところ、欠陥が発生し、その欠陥部に
おいて液晶相の著しい配向欠陥が観察された。
顕微鏡で観察したところ、欠陥が発生し、その欠陥部に
おいて液晶相の著しい配向欠陥が観察された。
【0055】前述した3種の液晶セルを温度40℃で相
対湿度85%の条件下に96時間放置した後、それぞれ
の液晶の抵抗を測定した。その結果を下記表1に示す。
対湿度85%の条件下に96時間放置した後、それぞれ
の液晶の抵抗を測定した。その結果を下記表1に示す。
【0056】
【表1】
【0057】これら3種類の液晶セルについてそれぞれ
駆動を行ったところ、実施例1と2の液晶セルの駆動は
安定していたが、比較例の液晶セルの駆動は不安定であ
った。
駆動を行ったところ、実施例1と2の液晶セルの駆動は
安定していたが、比較例の液晶セルの駆動は不安定であ
った。
【0058】前述の抵抗(Ω・cm)は図8に示す回路
を用いて2周波法により矩形パルスを印加して、下記の
式からRLC(Ω・cm)を求めることによって測定する
ことができる。尚、この際、f1 =32Hz、f2 =6
4Hz、V=10ボルトとした。
を用いて2周波法により矩形パルスを印加して、下記の
式からRLC(Ω・cm)を求めることによって測定する
ことができる。尚、この際、f1 =32Hz、f2 =6
4Hz、V=10ボルトとした。
【0059】
【数1】
【0060】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カラーフィルター上に鉛筆硬度HB以上の硬さを有する
保護膜を形成することにより、ビーズスペーサーの点接
触による膜破壊がなくなるたあめ、配向欠陥や膜破壊に
より発生する液晶の抵抗値の低下を防止することができ
る。したがって、行順次書込み方式を用いて表示を行う
場合にも、所望の光学的なスイッチング駆動を行うこと
ができると共に、強誘電性液晶の特性を十分に発揮し得
る信頼性の高い液晶装置を提供することができる。
カラーフィルター上に鉛筆硬度HB以上の硬さを有する
保護膜を形成することにより、ビーズスペーサーの点接
触による膜破壊がなくなるたあめ、配向欠陥や膜破壊に
より発生する液晶の抵抗値の低下を防止することができ
る。したがって、行順次書込み方式を用いて表示を行う
場合にも、所望の光学的なスイッチング駆動を行うこと
ができると共に、強誘電性液晶の特性を十分に発揮し得
る信頼性の高い液晶装置を提供することができる。
【図1】本発明による強誘電性液晶素子の基本構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】本発明に係る液晶素子の色画素の形成工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図3】本発明で用いる強誘電性液晶を模式的に表した
斜視図である。
斜視図である。
【図4】本発明で用いる強誘電性液晶を模式的に表した
斜視図である。
斜視図である。
【図5】液晶素子の膜破壊部分の断面図である。
【図6】書込み時の電圧波形を表す説明図である。
【図7】書込み時の電圧波形の別の例を表す説明図であ
る。
る。
【図8】本発明の実施例で用いた抵抗の測定回路図であ
る。
る。
1 強誘電性液晶素子 2,3 基板 4 強誘電性液晶 5,6 透明電極 7,8 配向膜 9 ビーズスペーサー 10 保護膜 11 カラーフィルター
フロントページの続き (72)発明者 村田 辰雄 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 間隔を置いて配置した一対の基板、該一
対の基板のうち少なくとも一方に設けたカラーフィルタ
ー、該カラーフィルターの上に設けた鉛筆硬度HB以上
(但し、鉛筆硬度とは、JIS K 5401で規定す
る「塗膜用鉛筆引っかき試験機」により測定した硬度を
いう)の保護膜、該一対の基板間の間隔に封入させた液
晶及び該一対の基板間に配置され、且つ液晶がメモリー
効果を発現し得るのに十分薄い層厚の液晶層を設定させ
るためのビーズスペーサを有する液晶素子、並びに行順
次で、行毎に、第1の位相で、行上の全部又は所定の画
素に前記液晶の第1の配向状態に基づく第1の表示状態
を生じさせるパルスを印加し、第2の位相で、前記行上
の全部又は所定の画素のうち、選択された画素に前記液
晶の第2の配向状態に基づく第2の表示状態を生じさせ
るパルス及び他の画素に、前記第1の表示状態を保持さ
せるパルスを印加する行順次書き込み手段、を有するこ
とを特徴とする液晶装置。 - 【請求項2】 前記液晶が双安定性液晶である請求項1
に記載の液晶装置。 - 【請求項3】 前記液晶が螺旋構造の形成を抑制させる
ことによって配向させた配向状態を有するカイラルスメ
クチック液晶である請求項1に記載の液晶装置。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2628696A JP2654579B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 液晶装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH08320484A true JPH08320484A (ja) | 1996-12-03 |
JP2654579B2 JP2654579B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=12189064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2628696A Expired - Lifetime JP2654579B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 液晶装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2654579B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318195A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイス装置とその製造方法 |
JP2004072050A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 |
JP2005077430A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | カラーフィルター用着色組成物及びこの着色組成物で形成したカラーフィルターを用いた表示装置 |
JP2015156022A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-08-27 | 大日本印刷株式会社 | 液晶表示装置用カラーフィルタ |
-
1996
- 1996-01-22 JP JP2628696A patent/JP2654579B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
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JP2003318195A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイス装置とその製造方法 |
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JP2005077430A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | カラーフィルター用着色組成物及びこの着色組成物で形成したカラーフィルターを用いた表示装置 |
JP4623701B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-02-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | カラーフィルター用着色組成物及びこの着色組成物で形成したカラーフィルターを用いた表示装置 |
JP2015156022A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-08-27 | 大日本印刷株式会社 | 液晶表示装置用カラーフィルタ |
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