JP2000328059A - 液晶組成物、液晶素子及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カイラルスメクチック液晶を用いたアクティ
ブマトリクスタイプの液晶素子において、ヒステリシス
に基づく残像や経時的な配向の劣化、焼き付きを防止し
て信頼性の高い液晶素子を提供する。 【解決手段】 液晶として、スメクチック相または潜在
的スメクチック相を持つフッ素含有液晶化合物であっ
て、（ａ）カイラルまたはアカイラルな、少なくとも一
つの連鎖中エーテル酸素を有していてもよいフルオロケ
ミカル末端部分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラルな
炭化水素末端部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と
（ｂ）末端部分とを結んでいる中央コア部分からなるフ
ッ素含有液晶化合物を含有し、連鎖中エーテル酸素を有
していないフルオロケミカル末端部分を持つフッ素含有
液晶化合物を１０重量％含有するカイラルスメクチック
液晶組成物を用いて、アクティブマトリクスタイプの液
晶素子を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
ー等に用いられるライトバルブに使用される液晶組成
物、液晶素子及びその駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から最も広範に用いられてきている
ディスプレイとしてはＣＲＴが、テレビやＶＴＲなどの
動画出力、或いはパーソナルコンピュータ等のモニター
として広く用いられている。しかしながら、ＣＲＴはそ
の特性上、静止画像に対してはフリッカや解像度不足に
よる走査縞等が視認性を低下させたり、焼き付きによる
蛍光体の劣化が起こったりする。また、最近ではＣＲＴ
が発生する電磁波が人体に悪影響を与えることがわか
り、ＶＤＴ作業者の健康を害することが懸念されてい
る。そして、ＣＲＴはその構造上、画面後方に広く体積
を有することが必須であることから、情報機器の利便性
を著しく阻害し、オフィス、家庭の省スペース化を阻害
している。このようなＣＲＴの欠点を解決するものとし
て液晶素子がある。例えば、Ｍ．シャット（Ｍ．Ｓｃｈ
ａｄｔ）とＷ．ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）
著、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第１８巻、第
４号（１９７１年２月１５日発行）第１２７頁〜１２８
頁において示されたツイステッドネマチック（ｔｗｉｓ
ｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたものが知られて
いる。近年、このタイプの液晶を用いてＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）タイプと呼ばれる液晶素子の開発、製品化
が行われている。このタイプの液晶素子は、一つ一つの
画素にトランジスタを作製するものであり、クロストー
クの問題がなく、また、近年の急速な生産技術の進歩に
よって１０〜１２インチクラスのディスプレイがよい生
産性で作られている。しかしながら、さらに大きなサイ
ズ或いは動画を問題なく再現できるという点の６０Ｈｚ
以上のフレーム周波数という点では、未だ生産性、液晶
の応答速度、視野角に問題が存在している。

【０００３】一方、自発分極をスイッチングトルクとす
る液晶素子が、クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウェル
（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭
５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４
号明細書）カイラルスメクチック液晶素子がある。この
素子に用いる液晶としては、一般にカイラルスメクチッ
クＣ相またはカイラルスメクチックＨ相を有する強誘電
性液晶が用いられている。この強誘電性液晶は、自発分
極により反転スイッチングを行うため、非常に早い応答
速度を有し、さらに視野角特性も優れていることから、
高速、高精細、大面積の単純マトリクス表示素子或いは
ライトバルブとして適していると考えられる。また、最
近ではチャンダニ、竹添らにより、カイラルスメクチッ
ク反強誘電性液晶素子も提案されている（ジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊａ
ｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ）第２７巻、１９８８年Ｌ７２９頁）。
そして、最近、この反強誘電性液晶材料のうち、しきい
値レスで、ヒステリシスが小さく、階調表示に有利な特
性を有するＶ字型応答特性が発見された（例えば、ジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス 第３６巻、１９９７年、第３５８６頁）。また、自
発分極をスイッチングトルクとするＶ字スイッチング液
晶としては、単安定表面安定化ＦＬＣ（例えば、ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジックス 第６１巻、１
９８７年、第２４００頁）、デフォームドヘリックスＦ
ＬＣ（例えば、フェロエレクトリクス 第８５巻、１９
８８年、第１７３頁）、ツイストスメクチックＦＬＣ
（例えば、アプライド・フィジックス・レターズ 第６
０巻、１９９２年、第２８０頁）、しきい値レス反強誘
電性液晶、高分子液晶安定化ＦＬＣ（例えば、ＳＩＤ’
９６ ダイジェスト １９９６年、第６９９頁）などが
ある。これらの液晶を用い、アクティブマトリクスタイ
プの液晶素子とし、高速のディスプレイを実現しようと
いう動きが活発になってきている（例えば、特開平９−
５００４９号公報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記強
誘電性を有するカイラルスメクチック液晶を用いたアク
ティブマトリクスタイプの液晶素子においては、ヒステ
リシスに基づく残像、経時的な配向の劣化、焼き付き等
信頼性の面で尚問題があり、この面での改善が強く求め
られている。

【０００５】また、強誘電性を有するカイラルスメクチ
ック液晶を用いたアクティブマトリクスタイプの液晶素
子においては、液晶の有する自発分極が液晶に印加され
るスイッチング電圧を著しく降下させることが知られて
おり、該自発分極の低減化が大きな課題となっている。
また、液晶材料の信頼性の面では、ネマチック系液晶材
料に比べて著しく遅れており、なお様々な課題が残って
いる。

【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて
なされたものであり、その課題とするところは、高速応
答、高画質、高信頼性のカイラルスメクチック液晶材料
を提供し、該液晶材料を用いて高性能の液晶素子を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
を重ねた結果、以下の構成をとることにより、上記課題
を解決し、高速応答、高画質、高信頼性の液晶素子が実
現することを見出し、本発明を達成した。

【０００８】即ち本発明の第一の液晶素子は、対向する
一対の基板間に液晶を狭持してなり、複数の画素をマト
リクス駆動するための電極と画素毎にアクティブ素子を
備えた液晶素子であって、上記液晶が少なくとも２つの
安定状態を有し、且つ、スメクチック相または潜在的ス
メクチック相を持つフッ素含有液晶化合物であって、
（ａ）カイラルまたはアカイラルな、少なくとも一つの
連鎖中エーテル酸素を有していてもよいフルオロケミカ
ル末端部分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラルな炭化
水素末端部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末
端部分とを結んでいる中央コア部分からなるフッ素含有
液晶化合物を含有し、連鎖中エーテル酸素を有していな
いフルオロケミカル末端部分を持つフッ素含有液晶化合
物を１０重量％含有するカイラルスメクチック液晶組成
物であることを特徴とする。

【０００９】また、本発明は、上記本発明の第一の液晶
素子の駆動方法であって、交互に極性の異なるリセット
信号と書き込み信号を印加し、書き込み信号に応じた階
調表示を行うことを特徴とする駆動方法を提供するもの
である。

【００１０】さらに、本発明の液晶組成物は、スメクチ
ック相または潜在的スメクチック相を持つフッ素含有液
晶化合物であって、（ａ）カイラルまたはアカイラル
な、少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を有していて
もよいフルオロケミカル末端部分と、（ｂ）ラセミでな
いアカイラルな炭化水素末端部分と、（ｃ）上記（ａ）
末端部分と（ｂ）末端部分とを結んでいる中央コア部分
からなるフッ素含有液晶化合物を含有し、ラセミまたは
自発分極が相殺関係にある複数のカイラルなフッ素含有
液晶化合物を３０重量％以上含有していることを特徴と
する液晶組成物であり、本発明の第二の液晶素子は、対
向する一対の基板間に液晶を狭持してなり、複数の画素
をマトリクス駆動するための電極と画素毎にアクティブ
素子を備えた液晶素子であって、上記液晶が少なくとも
２つの安定状態を有し、且つ上記本発明の液晶組成物で
あることを特徴とする。またさらに、本発明は、上記本
発明第二の液晶素子の駆動方法として、交互に極性の異
なるリセット信号と書き込み信号を印加し、書き込み信
号に応じた階調表示を行うことを特徴とする駆動方法を
提供するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】まず、本発明にかかる液晶につい
て説明する。本発明の第一の液晶素子に用いられる液晶
組成物は、スメクチック相または潜在的スメクチック相
を持つフッ素含有液晶化合物であって、（ａ）カイラル
またはアカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エーテル
酸素を有していてもよいフルオロケミカル末端部分と、
（ｂ）カイラルまたはアカイラルな炭化水素末端部分
と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分とを結
んでいる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化合物を
含有し、連鎖中エーテル酸素を有していないフルオロケ
ミカル末端部分を持つフッ素含有液晶化合物を１０重量
％含有するカイラルスメクチック液晶組成物である。

【００１２】また、本発明の第二の液晶素子に用いられ
る、本発明の液晶組成物は、スメクチック相または潜在
的スメクチック相を持つフッ素含有液晶化合物であっ
て、（ａ）カイラルまたはアカイラルな、少なくとも一
つの連鎖中エーテル酸素を有していてもよいフルオロケ
ミカル末端部分と、（ｂ）ラセミでないアカイラルな炭
化水素末端部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）
末端部分とを結んでいる中央コア部分からなるフッ素含
有液晶化合物を含有し、ラセミまたは自発分極が相殺関
係にある複数のカイラルなフッ素含有液晶化合物を３０
重量％以上含有している液晶組成物である。

【００１３】本発明第一の液晶素子に用いられる液晶組
成物に用いられる、スメクチック相または潜在的スメク
チック相を持つフッ素含有液晶化合物であって、（ａ）
カイラルまたはアカイラルな、少なくとも一つの連鎖中
エーテル酸素を有していてもよいフルオロケミカル末端
部分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラルな炭化水素末
端部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分
とを結んでいる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化
合物は、例えば、米国特許第５，０８２，５８７号明細
書、ＷＯ９３／２２３９６号、米国特許第５，４８２，
６５０号明細書、ＷＯ９６／３３２５１号等に記載され
ている化合物が挙げられ、具体的には、以下の一般式
（１）、（２）、（３）で表される化合物が好ましい構
造として例示される。

【００１４】

【化１】 を表わす。

【００１５】ａ，ｂ，ｃは夫々独立に０又は１〜３の整
数（但し、ａ＋ｂ＋ｃは少なくとも１である）を表わ
す。

【００１６】Ａ及びＢは夫々独立に下記のグループ（方
向は問わない）より選択される（ｋは１〜４の整数であ
る）。

【００１７】共有結合、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｓ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_k
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｃ
Ｈ₂−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｏ−

【００１８】Ｘ，Ｙ，Ｚは夫々独立に、−Ｈ、−Ｃｌ、
−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−
ＣＦ₃、−ＯＣＦ₃、−ＣＮ、−ＮＯ₂より選択される。

【００１９】ｌ，ｍ，ｎは夫々独立に０又は１〜４の整
数を表わす。

【００２０】Ｄは下記のグループ（方向は問わない）よ
り選択される。

【００２１】共有結合、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｏ
−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｏ−ＯＣ−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｃ≡Ｃ−、−
ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｏ−（Ｃ_sＨ_2sＯ）_t−Ｃ_r'
Ｈ_2r'−、−Ｃ_rＨ_2r−、−（Ｃ_sＨ_2sＯ）_t−Ｃ_r'Ｈ_2r'
−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ
₂−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｃ_rＨ_2r−Ｎ（Ｃ_pＨ_2p+1）−ＳＯ
₂−、−Ｎ（Ｃ_pＨ_2p+1）−、−Ｃ_rＨ_2r−Ｎ（Ｃ
_pＨ_2p+1）−ＣＯ−、−ＣＨ＝Ｎ−、及びこれらの組み
合わせ。ここで、ｒ及びｒ’は独立に０〜２０の整数、
ｓは各（Ｃ_sＨ_2sＯ）について独立に１〜１０の整数、
ｔは１〜６の整数、ｐは０〜４の整数である。

【００２２】Ｒは、−Ｏ−（（Ｃ_q'Ｈ_2q'-v'−（Ｒ’）
_v'）−Ｏ）_w−Ｃ_qＨ_2q+1-v−（Ｒ’）_v、−（（Ｃ_q'Ｈ
_2q'-v'−（Ｒ’）_v'）−Ｏ）_w−Ｃ_qＨ_2q+1-v−（Ｒ’）
_v、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q+1-v−（Ｒ’）_v、−Ｏ−ＯＣ
−Ｃ_qＨ_2q+1-v−（Ｒ’）_v、

【００２３】

【化２】 −ＣＲ’Ｈ−（Ｄ）_g−ＣＲ’Ｈ−Ｃ_qＨ_2q+1-v−
（Ｒ’）_v、を表わし、Ｒ’は独立に、−Ｃｌ、−Ｆ、
−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮ、−Ｈ、−Ｃ_qＨ_2q+1、−Ｏ
−ＯＣ−Ｃ_qＨ_2q+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q+1、−Ｂｒ、
−ＯＨ、−ＯＣ_qＨ_2q+1を表す。ｑ’は各（Ｃ_q'Ｈ_2q'−
Ｏ）について独立に１〜２０の整数、ｑは１〜２０の整
数、ｗは０〜１０の整数、ｖは０〜６の整数、各ｖ’は
独立に０〜６の整数、ｇは１〜３の整数である。各Ｄは
独立に前記Ｄが選択されるグループ（方向は問わない）
から選択される（但し、Ｄを含む環は３〜１０の原子か
ら環が構成される）。各Ｗは独立にＮ、ＣＲ’、ＳｉＲ
から選択される。Ｒはカイラルもしくはアカイラルであ
る。

【００２４】Ｒ_f’は−Ｒ^*−Ｄ−（Ｏ）_x−ＣＨ₂−Ｄ’
−Ｒ_fを表わし、ここでＲ^*は環状或いは鎖状のカイラル
部分である。Ｄ及びＤ’は夫々独立に前記Ｄが選択され
るグループ（方向を問わない）から選択される。ｘは０
又は１の整数、Ｒ_fはフルオロアルキル基、パーフルオ
ロアルキル基、フルオロエーテル基、パーフルオロエー
テル基を表わす。

【００２５】

【化３】 を表わす。

【００２６】ａ，ｂ，ｃは夫々独立に０又は１〜３の整
数（但し、ａ＋ｂ＋ｃは少なくとも２である）を表わ
す。

【００２７】Ａ及びＢは夫々独立に下記のグループ（方
向は問わない）より選択される（ｋは１〜４の整数であ
る）。

【００２８】共有結合、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｓ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_k
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｃ
Ｈ₂−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｏ−

【００２９】Ｘ，Ｙ，Ｚは夫々独立に、−Ｈ、−Ｃｌ、
−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−
ＣＦ₃、−ＯＣＦ₃、−ＣＮ、−ＮＯ₂より選択される。

【００３０】ｌ，ｍ，ｎは夫々独立に０又は１〜４の整
数を表わす。

【００３１】Ｄは下記のグループ（方向は問わない）よ
り選択される。

【００３２】共有結合、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｏ
−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｏ−（Ｃ_sＨ_2sＯ）_t−Ｃ_r'Ｈ_2r'−、−
Ｃ_rＨ_2r−、−ＯＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_rＨ
_2r−、−Ｃ_rＨ_2r−Ｎ（Ｃ_pＨ_2p+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rＨ
_2r−Ｎ（Ｃ_pＨ_2p+1）−ＣＯ−。ここで、ｒ及びｒ’は
独立に１〜２０の整数、ｓは各（Ｃ_sＨ_2sＯ）について
独立に１〜１０の整数、ｔは１〜６の整数、ｐは０〜４
の整数である。

【００３３】Ｒは、直鎖状或いは分岐状のいずれでもよ
く、−Ｏ−（Ｃ_qＨ_2q−Ｏ）_w−Ｃ_q'Ｈ_2q'+1、−（Ｃ_qＨ
_2q−Ｏ）_w−Ｃ_q'Ｈ_2q'+1、−Ｃ_qＨ_2q−Ｒ’、−Ｏ−Ｃ_q
Ｈ_2q−Ｒ’、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q−Ｒ’、−Ｏ−ＯＣ
−Ｃ_qＨ_2q−Ｒ’である。ここでＲ’は−Ｃｌ、−Ｆ、
−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮ、−Ｈ、−Ｏ−ＯＣ−Ｃ_q'Ｈ
_2q'+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_q'2q'+1のいずれかである。ｑ及
びｑ’は夫々独立に１〜２０、ｗは１〜１０である。

【００３４】Ｒ_fは−（ＣＦ₂）_w'−Ｏ−（Ｃ_xＦ_2xＯ）_z
Ｃ_yＦ_2y+1であり、ここでｗ’は５〜１６の整数、ｘは
各（Ｃ_xＦ_2xＯ）について夫々独立に１〜１０の整数、
ｙは１〜１０の整数、ｚは１〜１０の整数である。

【００３５】

【化４】 を表わす。

【００３６】ａ，ｂ，ｃは夫々独立に０又は１〜３の整
数（但し、ａ＋ｂ＋ｃは少なくとも２である）を表わ
す。

【００３７】Ａ及びＢは夫々独立に下記のグループ（方
向は問わない）より選択される。

【００３８】共有結合、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｓ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−
ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ₂−
Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｏ−

【００３９】Ｘ，Ｙ，Ｚは夫々独立に、−Ｈ、−Ｃｌ、
−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−
ＣＮ、−ＮＯ₂より選択される。

【００４０】ｌ，ｍ，ｎは夫々独立に０又は１〜４の整
数を表わす。

【００４１】Ｄは−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｏ−Ｃ_rＨ
_2r−、−Ｃ_rＨ_2r−、−ＯＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂
−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｏ−Ｃ_rＨ_2r−Ｏ−Ｃ_r'Ｈ_2r'−、−Ｃ_r
Ｈ_2r−Ｎ（Ｃ_pＨ_2p+1）−ＳＯ₂−、−Ｃ_rＨ_2r−Ｎ（Ｃ_p
Ｈ_2p+1）−ＣＯ−である。ここで、ｒ及びｒ’は独立に
１〜２０の整数、ｐは０〜４の整数である。

【００４２】Ｒは、直鎖状或いは分岐状のいずれでもよ
く、−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q−Ｏ−Ｃ_q'Ｈ_2q'+1、−Ｃ_qＨ_2q−Ｏ
−Ｃ_q'Ｈ_2q'+1、−Ｃ_qＨ_2q−Ｒ’、−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q−
Ｒ’、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q−Ｒ’、−Ｏ−ＯＣ−Ｃ_qＨ
_2q−Ｒ’のいずれかであり、Ｒ’は−Ｏ−ＯＣ−Ｃ_q'Ｈ
_2q'+1または−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_q'Ｈ_2q'+1、ｑ及びｑ’は独
立に１〜２０である。

【００４３】Ｒ_fはＣ_qＦ_2q−Ｘであり、ここでＸは−Ｈ
または−Ｆ、ｑは独立に１〜２０である。

【００４４】さらに、具体的な構造の例を挙げる。

【００４５】

【化５】

【００４６】

【化６】

【００４７】

【化７】

【００４８】

【化８】

【００４９】

【化９】

【００５０】

【化１０】

【００５１】

【化１１】

【００５２】

【化１２】

【００５３】

【化１３】

【００５４】

【化１４】

【００５５】

【化１５】

【００５６】

【化１６】

【００５７】

【化１７】

【００５８】

【化１８】

【００５９】

【化１９】

【００６０】

【化２０】

【００６１】

【化２１】

【００６２】

【化２２】

【００６３】

【化２３】

【００６４】

【化２４】

【００６５】

【化２５】

【００６６】

【化２６】

【００６７】本発明の第一の液晶組成物に１０重量％以
上の割合で用いられる連鎖中エーテル酸素を有しないフ
ルオロケミカル末端部分を持つフッ素含有液晶化合物
は、上記一般式（３）で表される化合物である。

【００６８】アクティブマトリクスタイプの液晶素子に
おいては特に、残留ＤＣや電圧保持率への配慮から、交
互に極性の異なる電圧信号が印加される、いわゆるＡＣ
対称駆動法が好ましく用いられる。また、その駆動信号
の周波数は、アクティブマトリクス素子の場合、通常６
０Ｈｚ程度のフレーム周波数の等倍或いは２〜３倍程度
である。双安定性を有するカイラルスメクチック液晶素
子の場合、ネマチック系液晶と異なり、片極性側でのみ
書き込みを行い、その逆極性電圧でリセットを行う方法
が好ましくとられ、本発明においては、この交互に極性
の異なるリセット信号と書き込み信号が印加される駆動
方法を前提としている。

【００６９】このような駆動条件下において、液晶とし
て、スメクチック相または潜在的スメクチック相を持つ
フッ素含有液晶化合物であって、（ａ）カイラルまたは
アカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を
有していてもよいフルオロケミカル末端部分と、（ｂ）
カイラルまたはアカイラルな炭化水素末端部分と、
（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分とを結んで
いる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化合物を含有
する双安定性を有するカイラルスメクチック液晶組成物
を用いると、黒表示状態を表示する場合にしばしば、カ
イラルスメクチック液晶の層方向に反転欠陥が発生す
る。この欠陥はコントラスト比に重大な悪化要因とな
り、大きな問題となっていた。本発明者等はこの問題に
着目し、ある種の液晶材料を用いることでこの欠陥の発
生を劇的に低減し、コントラスト比を飛躍的に向上する
方法を見出した。即ち、当該液晶組成物に、連鎖中エー
テル酸素を有しないフルオロケミカル末端部分を持つフ
ッ素含有液晶化合物を１０重量％含有させて用いること
により、黒表示状態を表示する場合にしばしば発生する
反転欠陥を劇的に改善できることを見出したのである。

【００７０】このように、連鎖中エーテル酸素を有しな
いフルオロケミカル末端部分を持つフッ素含有液晶化合
物を１０重量％以上含有させることで欠陥が改善される
現象は、単純マトリクス駆動の液晶素子においては全く
見られなかった。連鎖中エーテル酸素を有しないフルオ
ロケミカル末端部分を持つフッ素含有液晶化合物はごく
少量を液晶組成物に加えることで効果を発揮するが、実
質的には１０重量％以上が有効である。好ましくは２０
重量％以上である。

【００７１】また当該液晶組成物においては、（ａ）カ
イラルまたはアカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エ
ーテル酸素を有していてもよいフルオロケミカル末端部
分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラルな炭化水素末端
部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分と
を結んでいる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化合
物として、少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を有す
るフルオロケミカル末端部分を持つ化合物のみからなる
場合の方が、層傾きの小さな、いわゆるブックシェルフ
構造を取り易い点があるため、連鎖中エーテル酸素を有
しないフルオロケミカル末端部分を持つフッ素含有液晶
化合物を用いない液晶組成物処方が取られ易いが、処方
の方法如何によっては、十分層傾き角の小さな液晶組成
物を調整することは可能であり、本発明においてはその
ような層傾き角の小さな組成物が好ましく用いられる。

【００７２】また、本発明の第一の液晶素子において
は、液晶として、スメクチック相または潜在的スメクチ
ック相を持つフッ素含有液晶化合物であって、（ａ）カ
イラルまたはアカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エ
ーテル酸素を有していてもよいフルオロケミカル末端部
分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラルな炭化水素末端
部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分と
を結んでいる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化合
物群のみからなるカイラルスメクチック液晶組成物とす
ることが望ましい。但し特性を悪化させない範囲で極微
量の不純物等が混入することは許容される。上記化合物
群は、精製によってイオン含有量を少なくできる点、良
好なユニフォーム配向性を持つ点で好ましく用いられる
ものである。

【００７３】また、本発明第二の液晶素子に用いられる
本発明の液晶組成物に用いられる、スメクチック相また
は潜在的スメクチック相を持つフッ素含有液晶化合物で
あって、（ａ）カイラルまたはアカイラルな、少なくと
も一つの連鎖中エーテル酸素を有していてもよいフルオ
ロケミカル末端部分と、（ｂ）ラセミでないアカイラル
な炭化水素末端部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と
（ｂ）末端部分とを結んでいる中央コア部分からなるフ
ッ素含有液晶化合物としては、具体的には、上記一般式
（１）、（２）、（３）で表される化合物が好ましく、
具体的な構造としては、上記例示化合物の１−１８及び
１−１９を除く化合物が挙げられる。

【００７４】本発明の第二の液晶素子に用いられる本発
明の液晶組成物について詳しく説明する。

【００７５】特許第２６９２８１５号の発明では、本発
明の液晶組成物に用いられるフッ素含有液晶化合物では
ない、いわゆる炭化水素鎖で構成される液晶化合物を用
いて、自発分極の異なる化合物を混合して、カイラルス
メクチックＣ相（ＳｍＣ^*）の温度域を拡大、温度特性
の改善を図っているが、該材料系では層傾き角の大きな
いわゆるシェブロン構造を形成し、コントラストがよく
ないという問題があった。さらには、アクティブマトリ
クスタイプの液晶素子に用いる場合、他の液晶材料の場
合よりもさらに電圧保持率が悪化し、実使用上大きな問
題が存在していた。

【００７６】本発明の液晶組成物は、ラセミまたは自発
分極が相殺関係にある複数のカイラルなフッ素含有液晶
化合物を３０重量％以上含有するところに大きな特徴が
ある。該組成物においては、フッ素含有液晶材料特有の
層傾き角の小さないわゆるブックシェルフ構造を現出
し、高コントラストが実現する。また、アクティブマト
リクスタイプの液晶素子における問題、即ち自発分極の
低減化と信頼性の確保という点について、本発明者等が
鋭意検討を行ったところ、ラセミまたは自発分極が相殺
関係にある複数のカイラルなフッ素含有液晶化合物を用
いた場合には、そうでない場合に比較して自発分極以外
の諸特性を悪化させないばかりでなく、驚くべきこと
に、カイラルスメクチック相の温度範囲についてはより
広い温度範囲を確保できること、粘性をも同等かそれ以
下にできること、低温保存性に関しても同等かそれ以上
の性能を有すること、アクティブマトリクスタイプの液
晶素子用として重要な特性である電圧保持率に関しても
全く変化しないことを見出した。この現象は、フルオロ
ケミカル末端部分を有するラセミまたは自発分極が相殺
関係にある複数のカイラルなフッ素含有液晶化合物の含
有率が増加するに従ってその効果を発揮するが、実質的
に３０重量％以上であることでその効果が顕著に得られ
る。より好ましくは、ラセミまたは自発分極が相殺関係
にある複数のカイラルなフッ素含有液晶化合物の含有率
は５０重量％以上である。

【００７７】さらに、本発明の液晶組成物においては、
含有されるラセミまたは自発分極が相殺関係にある複数
のカイラルなフッ素含有液晶化合物の相対比率を変化さ
せることで、他の特性をほとんど変化させることなく、
自発分極を低減することが可能である。この点を利用し
て、設計される液晶素子のパラメーターに合わせて、自
発分極を自由にコントロールすることができる。

【００７８】本発明で用いられる、ラセミまたは自発分
極が相殺関係にある複数のカイラルなフッ素含有液晶化
合物の好ましい化学構造は、カイラル部或いはラセミ部
の構造としてフッ素カイラルであり、さらに具体的に
は、前述の一般式（１）中のＲ_f’、即ち−Ｒ^*−Ｄ−
（Ｏ）_x−ＣＨ₂−Ｄ’−Ｒ_fのＲ^*が非環状のフッ素カイ
ラルもしくはラセミの構造を有するものである。より具
体的な例としては、先に示した、例示化合物１−１〜３
６，２−１〜７３、３−１〜８４の構造のうち、１−
１、２，４，５，８〜１７，２６，２８，３０，３２，
３６が挙げられる。

【００７９】本発明の液晶組成物においては、スメクチ
ック相または潜在的スメクチック相を持つフッ素含有液
晶化合物であって、（ａ）カイラルまたはアカイラル
な、少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を有していて
もよいフルオロケミカル末端部分と、（ｂ）カイラルま
たはアカイラルな炭化水素末端部分と、（ｃ）上記
（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分とを結んでいる中央コ
ア部分からなるフッ素含有液晶化合物群のみで構成する
ことが好ましく、本質的に他の化合物を含まない液晶組
成物が望ましい。但し特性を悪化させない範囲で極微量
の不純物等が混入することは許容される。上記化合物群
は、精製によってイオン含有量を少なくできる点、良好
なユニフォーム配向性を持つ点で好ましく用いられるも
のである。

【００８０】次に、本発明の液晶素子の構成について説
明する。尚、本発明第一の液晶素子及び第二の液晶素子
は液晶材料以外の構成は同じである。よって以下の説明
も両素子に共通である。

【００８１】図１に本発明の液晶素子の一実施形態の断
面模式図を、図２に本発明の液晶素子に周辺駆動回路を
組み込んだ場合のアクティブマトリクス基板側の平面模
式図を示す。図中、１１，１２は基板、１３は画素電
極、１４はＴＦＴ、１６は共通電極、１５，１７は配向
制御層、１８は液晶層、１９はスペーサー、２０はシー
ル材、２１は走査信号線ドライバ、２２は情報信号線ド
ライバ、２３は走査信号線、２４は走査信号線端部、２
５は情報信号線、２６は情報信号線端部である。

【００８２】本発明の液晶素子は、一対の基板１１，１
２間に液晶層１８を狭持してなる。基板１１側はアクテ
ィブマトリクス基板であり、基板１２側は対向基板であ
る。基板１１，１２は通常ガラスやプラスチック等の透
明基板が用いられるが、反射型の液晶素子を構成する場
合には、基板１１をシリコン基板等で構成する場合もあ
る。基板１１上には、透明な画素電極１３と該画素電極
１３に接続されたアクティブ素子とがマトリクス状に形
成されている。本実施形態においてはアクティブ素子と
してＴＦＴ１４が用いられている。アクティブ素子とし
て好適なトランジスタとしては、アモルファスシリコン
ベース、ポリシリコンタイプ、或いはマイクロクリスタ
ルシリコンベース、単結晶シリコン等の半導体が用いら
れる。ＴＦＴは通常、基板上に形成されたゲート電極
と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁
膜の上に形成された半導体層と、該半導体層の上に形成
されたソース電極及びドレイン電極とから構成される。

【００８３】図２に示すように、画素電極１３の行間に
走査信号線（ゲート線）２３が配線され、列間に情報信
号線（ソース線）２５が配線されている。各ＴＦＴ１４
のゲート電極は、対応する走査信号線２３に接続され、
ドレイン電極は対応する情報信号線２５に接続されてい
る。そして、走査信号線２３は端部２４を介して走査信
号線ドライバ２１に接続され、情報信号線２５は端部２
６を介して情報信号線ドライバ２２に接続される。走査
信号線ドライバ２１は走査信号線２３を順次選択してゲ
ートオン信号を印加し、これと同期して情報信号線ドラ
イバ２２からは各情報信号線２５に表示データに対応す
る情報信号を印加する。走査信号線２３は端部２４を除
いてＴＦＴ１４のゲート絶縁膜で覆われており、情報信
号線２５は該ゲート絶縁膜の上に形成されている。画素
電極１３は該ゲート絶縁膜の上に形成され、その一端部
においてＴＦＴ１４のソース電極に接続されている。

【００８４】また、基板１２には、画素電極１３と対向
する共通電極１６が形成されている。共通電極１６は、
表示領域全体にわたる面積の１枚の電極から構成され、
基準電圧が印加される。その結果、液晶層１８には情報
信号電圧に応じた電圧が印加され、透過率が変化し、階
調表現を行うことができる。また、画素毎に補助容量と
なるコンデンサが配置されることもある。

【００８５】画素電極１３及び共通電極１６は通常ＩＴ
Ｏ等の透明導電材で形成されるが、反射型の液晶素子を
構成する場合には、画素電極１３を反射能の高い金属で
構成したり、或いは画素電極の上または下に反射部材を
設ける場合がある。

【００８６】配向制御層１５，１７の少なくとも一方は
一軸配向制御層とする。一軸配向制御層の形成方法とし
ては、例えば基板上に溶液塗工または蒸着、或いはスパ
ッタリング等により、一酸化珪素、二酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機物や、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエステル、
ポリアミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレン、
ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリビニル
クロライド、ポリスチレン、ポリシロキサン、セルロー
ス樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂など
の有機物を用いて被膜形成した後、表面をビロード、布
或いは紙等の繊維状のもので摺擦（ラビング）すること
により得られる。また、ＳｉＯ等の酸化物或いは窒化物
などを基板の斜方から蒸着する、斜方蒸着法なども用い
られ得る。また、この他にショート防止層を設けること
も可能である。

【００８７】特に、より良好な一軸配向性を得るため
に、ポリイミドラビング膜を一軸配向制御層として用い
ることが好ましい。また、通常ポリイミドはポリアミッ
ク酸の形で塗膜し、焼成することで得られる。ポリアミ
ック酸は溶剤に易溶解性であるため、生産性に優れる。
最近では、溶剤に可溶なポリイミドも生産されており、
そういった技術の進歩の上からもポリイミドはより良好
な一軸配向性を得られ、高い生産性を有する点で好まし
く用いられる。特に、下記一般式（Ｐ）で示される繰り
返し単位を有するポリイミドが好ましく用いられる。

【００８８】

【化２７】 上記式中、 Ａ：芳香環、芳香族環、または縮合多環構造の４価の基 Ｂ：脂環基を含む脂肪族基、または−（Ｐｈ）_a−
（Ｏ）_c−（ＣＨ₂）_x−（Ｄ）_e−（ＣＨ₂）_y−（Ｏ）_d
−（Ｐｈ）_b− Ｐｈ：フェニル基

【００８９】

【化２８】 Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立に−Ｈまたはメチル基であ
る。

【００９０】ａ，ｂ：０または１、但しａ＝ｂ ｃ，ｄ：ａ＝ｂ＝０の時０、ａ＝ｂ＝１の時０または
１、但しｃ＝ｄ ｅ：０または１ ｘ、ｙ：それぞれ独立に１以上の整数 但し、ｘ＋ｙ＋ｅは２以上１０以下である。

【００９１】両基板は、スペーサー１９を介して対向し
ている。かかるスペーサーは、基板間の距離（セルギャ
ップ）を決定するものであり、通常シリカビーズ等が用
いられる。ここで決定されるセルギャップについては、
液晶材料の違いによって最適範囲及び上限値が異なる
が、均一な一軸配向性、または電界無印加時に液晶分子
の平均分子軸をほぼ配向処理軸の平均方向の軸と実質的
に同一にする配向状態を発現させるべく、０．３〜１０
μｍの範囲に設定することが好ましい。

【００９２】また、両基板に配向制御層としてポリイミ
ド膜を形成した場合、その膜厚は薄い方が反電場による
悪影響を抑制する意味で好ましく、また、双安定性の向
上のためにも薄い方が好ましい。具体的には、２００Å
以下が好ましい。

【００９３】本発明においては、配向制御層１５と１７
が異なる構成も好ましく適用される。

【００９４】液晶層１８としては、前記した、特定の液
晶組成物、即ち、スメクチック相または潜在的スメクチ
ック相を持つフッ素含有液晶化合物であって、（ａ）カ
イラルまたはアカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エ
ーテル酸素を有していてもよいフルオロケミカル末端部
分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラルな炭化水素末端
部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分と
を結んでいる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化合
物を含有し、連鎖中エーテル酸素を有していないフルオ
ロケミカル末端部分を持つフッ素含有液晶化合物を１０
重量％含有するカイラルスメクチック液晶組成物、或い
は、スメクチック相または潜在的スメクチック相を持つ
フッ素含有液晶化合物であって、（ａ）カイラルまたは
アカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を
有していてもよいフルオロケミカル末端部分と、（ｂ）
ラセミでないアカイラルな炭化水素末端部分と、（ｃ）
上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分とを結んでいる中
央コア部分からなるフッ素含有液晶化合物を含有し、ラ
セミまたは自発分極が相殺関係にある複数のカイラルな
フッ素含有液晶化合物を３０重量％以上含有している液
晶組成物を用いる。好ましくは、双安定性を有する強誘
電性液晶を用いる。

【００９５】本発明の液晶素子は、用いた液晶が自発分
極をスイッチングトルクとしているため、高速液晶素子
を実現することができる。例えば、５Ｖ程度の駆動電圧
でスイッチングスピードとして１ｍｓｅｃ以下、或いは
５００μｓｅｃ以下、さらには１００μｓｅｃ以下にす
ることも可能である。良好な双安定性を発現するために
は、２つの状態間の遷移の活性化エネルギーが大きい必
要があり、様々な方法で実現し得る。以下に双安定性を
得やすい例を挙げる。

【００９６】カイラルスメクチック液晶においては、チ
ルト角が大きいものが好ましく用いられる。代表的に
は、１５°以上が好ましい。また、ツイスト状態を持た
ない、ユニフォームの２状態を持つ双安定性液晶も好ま
しく用いられる。この場合、ツイスト状態を抑制する意
味で液晶中のイオンの存在が少ないほど好ましい。さら
なる例としては、自発分極があまり大きくないカイラル
スメクチック液晶も２状態間のしきい値電圧が大きくな
る傾向を持っており、好ましく用いられる。代表的に
は、自発分極は１０ｎＣ／ｃｍ²以下が好ましい。ま
た、ヒステリシスを抑制する意味でも小さい自発分極が
好ましい。

【００９７】本発明の液晶素子は、少なくとも２つの安
定状態を有するため、この変調状態を複数のドメイン共
存状態、或いは一方のドメインのみが存在する状態でメ
モリーすることができ、一部分をメモリー状態としその
他の部分を駆動状態とする部分画素書き換え、全面メモ
リー状態として使用する静止画モード、また低消費電力
モードといった応用展開ができるというメリットを有し
ている。

【００９８】本発明の液晶素子においては、ゲートオン
状態に電荷が画素である液晶セルに注入され、短時間で
ゲートがオフとなり、次の走査ライン上の画素に情報が
書き込まれる。本発明で用いられる液晶は自発分極を有
することから、ゲートオン時間内にスイッチングを完了
する場合を除き、自発分極の反転に伴い、ゲートオフ時
の電圧降下因子となる。従って、自発分極は大きすぎな
いことが好ましく、この点からも自発分極は１０ｎＣ／
ｃｍ²以下が好ましい。これは、極性の不純物等の混入
による配向劣化を抑制するためにも好ましい。

【００９９】本発明の液晶素子の好ましい駆動方法とし
ては、一画素に着目すると、情報信号線から交互に極性
の反転した、リセットと書き込みの電圧信号が入力され
る、いわゆるＡＣ対称駆動法である。場合によっては、
ヒステリシスを改善するため、或いはその他の目的で、
これら以外の電圧信号を加えてもよい。本発明におい
て、このような極性反転駆動を行う場合、以下に記載す
る方法が好ましく用いられる。

【０１００】まず、初期状態から一方の双安定方向へス
イッチングする極性の電圧信号を与え、液晶をスイッチ
ングさせ、光変調信号に変換する。これは階調表現が可
能である。次に極性の異なる信号を与えると、初期方向
にスイッチングする。初期方向にスイッチングした状態
は、直行した偏光板の光軸の一方を初期状態の光軸に合
わせて使用するノーマリーブラックとして使用した場
合、黒状態またはそれに非常に近い状態を表現すること
になる。この場合、表示素子としてこの素子を見ると非
ホールド型表示となり、本発明の液晶素子が高速スイッ
チングすることから、動画表示の画質に優れる点で非常
に好ましい。初期方向にスイッチングさせている期間と
もう一方の双安定方向にスイッチングさせている期間の
時間比は特に限定されないが、ＤＣ成分の偏りを最小化
することで焼き付きを抑制する意味で、時間比を１対１
とし、極性の異なる信号が直前のまたは直後の光変調信
号と絶対値の同等の信号を与える方法が好ましい。

【０１０１】また、本発明の液晶素子においては、中間
電圧信号を用いることで容易にアナログ階調表現が可能
であるが、その場合、特に本発明第一の液晶素子におい
て、双安定性を有する液晶を用い、該液晶の一方の安定
状態から他方の安定状態へ５０％反転する際のしきい値
電圧（５０％反転しきい値電圧）の差の絶対値が１Ｖ以
下であり、且ついずれの階調信号を用いた場合にも、液
晶に印加される直流電圧成分の合計が等しくなるか直流
電圧成分が１００ｍＶ以下である駆動方法を用いた場
合、或いは、５０％反転しきい値電圧の差の絶対値が２
００ｍＶ以下であり、且つ、直流電圧成分の合計が１フ
レーム平均で１Ｖ以下である場合において、残留ＤＣや
イオンの偏在等による焼き付き現象を大きく改善でき
る。従来の液晶素子の場合には、いずれの場合も前述し
たスメクチック液晶の層方向に生じる反転欠陥が顕著に
なるという問題があったが、本発明においては、この欠
陥が抑制されるという効果が得られるため、当該構成が
好ましく採用される。

【０１０２】本発明の液晶素子は透過型或いは反射型の
いずれのタイプでも好適に用いられ、透過型であれば通
常光源が用いられる。また、反射型であれば反射層が素
子中に構成される。また、投写型、直射型のいずれにも
応用される。さらに、プリンター等のライトバルブとし
ても使用可能である。

【０１０３】

【実施例】（実施例１）本発明第一の液晶素子を作製し
た。

【０１０４】〔液晶組成物〕液晶組成物としては、以下
の液晶化合物を下記重量比で混合して液晶組成物αを調
整した。

【０１０５】

【化２９】 混合比：Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ＝５／８７／５／３（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが７８℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５０℃ チルト角：２５°（３０℃） 自発分極：３．８ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１０６】〔セルＡ〕厚さ１．１ｍｍのガラス基板２
枚にそれぞれ、透明電極として厚さ約７０ｎｍのＩＴＯ
膜を形成した。

【０１０７】一方の基板に対して、下記繰り返し単位を
有するポリイミド前駆体のポリアミック酸０．７重量％
溶液を１回目は５００ｒｐｍで５秒間、２回目は１５０
０ｒｐｍで３０秒間の条件で回転塗布した。

【０１０８】

【化３０】

【０１０９】その後、８０℃で５分間の前乾燥を行った
後、２２０℃で１時間加熱焼成を施した後、一軸配向処
理としてナイロン布によるラビング処理を施した。膜厚
は６０Åであった。

【０１１０】他方の基板に、ラダー型のポリシロキサン
の母材にアンチモンドープのＳｎＯ_xの酸化物超微粒子
（粒径約１００Å）の分散した固形分濃度５重量％のエ
タノール溶液を１５００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピ
ンコート法により塗布した。８０℃、５分間の前乾燥を
行った後、２００℃で１時間加熱乾燥した。この基板上
に平均粒径が２．４μｍのシリカビーズを０．０１重量
％で分散させたＩＰＡ（イソプロパノール）溶液を１５
００ｒｐｍ、１０秒間の条件でスピン塗布し、分散密度
１００個／ｍｍ²程度のビーズスペーサを散布した。さ
らに、当該基板の周辺部に、熱硬化型の液状接着剤を印
刷法により塗工した。得られた２枚の基板を対向して貼
り合わせ、１５０℃のオーブンで９０分間加熱硬化し、
セル（空セル）を得た。

【０１１１】前記液晶組成物ａに活性アルミナ微粒子を
１重量％混合した後、上記空セルに注入した。得られた
セルＡに、５Ｈｚ、±７Ｖの三角波を印加し、後述する
光学応答測定法により電圧−透過率曲線を測定したとこ
ろ、典型的な双安定強誘電性液晶のヒステリシスカーブ
が得られた。５０％反転しきい値電圧の差は５０ｍＶで
あった。

【０１１２】〔アクティブ素子Ａ〕上記セルＡ（面積：
０．９ｃｍ²）、単結晶シリコントランジスタ（オン抵
抗：５０Ω）、及びセラミックコンデンサ（容量：２ｎ
Ｆ）を用いて、図５に示すアクティブ素子Ａを構成し
た。図中、２３は走査信号線、２５は情報信号線、５１
は単結晶シリコントランジスタ、５２は液晶セル、５３
はコンデンサである。

【０１１３】このアクティブ素子Ａに、選択期間が３０
μｓｅｃとなるようなゲート信号を与え、情報信号線２
５からは図３に示した波形を与えた。図３では、正極性
方向の電圧で白もしくはグレー状態へのスイッチングを
行い、負極性方向の電圧で初期（黒）状態へのリセット
が行われる。１フレームは１６ｍｓｅｃで、８ｍｓｅｃ
を表示期間（ｔ₁）、８ｍｓｅｃを非表示期間（ｔ₂）と
した。

【０１１４】〔光学応答〕作製したセルＡ及びアクティ
ブ素子Ａの電気光学応答を測定した。測定は、光電子増
倍管を備えた偏光顕微鏡を用い、透過率の変化をクロス
ニコル下で測定した。この時、電界無印加の状態で最暗
となるようにセルを設置した。

【０１１５】下記に白１の時の透過率を１００％とした
場合の各フレーム毎の透過率を以下に示す。

【０１１６】 白２ １００％ 白３ １００％ 白４ １００％ グレー１ ３７％ グレー２ ４０％ グレー３ ３９％ グレー４ ３９％ 黒１ ＜１％ 黒２ ＜１％ 黒３ ＜１％ 黒４ ＜１％

【０１１７】以上のように、前状態の如何に関わらず、
再現性良く光変調が行われ、ヒステリシスほほとんどな
かった。また、白状態へのスイッチングスピード（９０
％スイッチングまでの時間）を測定したところ、２９０
μｓｅｃであった。また、黒状態における層方向の欠陥
もほとんどなく、コントラスト比は白１／黒４でとる
と、１０３であった。

【０１１８】（実施例２）実施例１で用いた液晶化合物
Ａ〜Ｄを用いて、下記液晶組成物ｂ、ｃ、ｄを調整し
た。 液晶組成物ｂ 混合比：Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ＝５／８２／１０／３（重量
比） 相転移温度：Ｔ_isoが７９℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５０℃ チルト角：２５°（３０℃） 自発分極：４．０ｎＣ／ｃｍ²（３０℃） 液晶組成物ｃ 混合比：Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ＝５／７２／２０／３（重量
比） 相転移温度：Ｔ_isoが８０℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５３℃ チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：４．１ｎＣ／ｃｍ²（３０℃） 液晶組成物ｄ 混合比：Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ＝１５／６２／２０／３（重量
比） 相転移温度：Ｔ_isoが８６℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５２℃ チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：３．９ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１１９】上記組成物を用い、実施例１と同様の同様
のアクティブ素子を作製して、実施例１と同様に評価し
たところ、いずれの素子においても黒状態の層方向の欠
陥は改善されており、コントラスト比はｂ、ｃ、ｄそれ
ぞれ、１２４、１５０、２０９であった。

【０１２０】（実施例３）実施例１のアクティブ素子を
用い、図３の駆動波形にリセットが強くなる方向にＤＣ
バイアスを０．５Ｖ乗せて用いた以外は実施例１と同様
にして評価を行ったところ、本例でも黒表示状態での層
方向の欠陥はほとんど発生しなかった。

【０１２１】（実施例４）ポリイミド膜の膜厚を１２０
Åにした以外は実施例１と同様にしてセルを作製した。
このセルの５０％反転しきい値電圧の差は１００ｍＶで
あった。このセルを用いて実施例１と同様のアクティブ
素子を作製し、評価したところ、階調再現性良く光変調
が行われた。また、黒表示状態の層方向の欠陥はほとん
どなかった。

【０１２２】（比較例１）実施例１で示した液晶化合物
Ａ〜Ｄを用い、下記液晶組成物ｅを調整した。

【０１２３】混合比：Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｄ＝０／９７／０／
３（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが７１℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が４８℃ チルト角：２５°（３０℃） 自発分極：３．７ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１２４】上記液晶組成物ｅを用い、実施例１と同様
にアクティブ素子を作製して評価したところ、黒表示状
態で層方向の欠陥が目立った。コントラスト比を測定し
たところ、２３であった。

【０１２５】（比較例２）前記液晶組成物ｂとｄを用い
て実施例１と同様のアクティブ素子を作製し、図４に示
した駆動波形を用いて、単純マトリクス駆動におけるコ
ントラスト比を比較したところ、ｄを用いた素子では情
報信号による揺らぎが大きく、コントラスト比は８、ｂ
を用いた素子ではコントラスト比が１３０で、連鎖中エ
ーテル酸素を有しないフルオロケミカル末端部分を持つ
フッ素含有液晶化合物を含有した効果は全く逆であっ
た。

【０１２６】（実施例５）本発明第二の液晶素子を作製
した。

【０１２７】液晶組成物としては、以下の液晶化合物を
下記重量比で混合して液晶組成物ｆを調整した。

【０１２８】

【化３１】 上記化合物ＧとＨはカイラル部分の立体がそれぞれＲと
Ｓであり、自発分極は打ち消し合う符号を持っている。

【０１２９】混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｈ／Ｉ＝１０／２５
／２５／１５／２５（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが８５℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５３℃、高次スメクチック相または結晶相への転
移温度（降温時）が−１９℃ チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：９．７ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１３０】上記液晶組成物ｆを用いる以外は、実施例
１と同様にしてセルＢを作製し、さらに該セルＢを用い
て、実施例１と同様にしてアクティブ素子Ｂを作製し
た。得られたセルＢに、５Ｈｚ、±７Ｖの三角波を印加
し、実施例１と同様の光学応答測定法により電圧−透過
率曲線を測定したところ、典型的な双安定性強誘電性液
晶のヒステリシスカーブが得られた。

【０１３１】また、上記セルＢを用いて低温保存試験を
行った。−１８℃で２０時間保存したが、配向状態は保
存前と全く変わらなかった。また、三角波による電圧−
透過率曲線も全く変化がなかった。

【０１３２】さらに、アクティブ素子Ｂについて、実施
例１と同様に図３の駆動波形を用いて光学応答を評価し
た。以下に白１の時の透過率を１００％とした場合の各
フレーム毎の透過率を示す。

【０１３３】 白２ １００％ 白３ ９９％ 白４ １００％ グレー１ ５２％ グレー２ ５５％ グレー３ ５５％ グレー４ ５５％ 黒１ ＜１％ 黒２ ＜１％ 黒３ ＜１％ 黒４ ＜１％

【０１３４】以上のように、前状態の如何に関わらず、
再現性良く光変調が行われ、ヒステリシスはほとんどな
かった。また、白状態へのスイッチングスピード（９０
％スイッチングまでの時間）を測定したところ、１８０
μｓｅｃであった。また、黒状態における層方向の欠陥
もほとんどなく、コントラスト比は白１／黒４でとると
１０１であった。

【０１３５】（実施例６）実施例５で用いた液晶化合物
Ｅ〜Ｉを用い、下記液晶組成物ｇを調整した。

【０１３６】混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｈ／Ｉ＝１０／１５
／３０／２５／２０（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが８８℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５５℃、高次スメクチック相または結晶相への転
移温度（降温時）が−１７℃ チルト角：２７°（３０℃） 自発分極：５．８ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１３７】上記液晶組成物ｇを用いる以外は実施例１
と同様にしてセルを作製し、低温保存試験を行った。−
１６℃で２０時間保存したが、配向状態は保存前と全く
変わらなかった。また、三角波による電圧−透過率曲線
も全く変化がなかった。

【０１３８】液晶組成物ηを用いる以外は実施例１と同
様にしてアクティブ素子を作製し、実施例１と同様の評
価を行ったところ、前状態の如何に関わらず、再現性欲
光変調が行われ、ヒステリシスはほとんどなかった。ま
た、白状態へのスイッチングスピード（９０％スイッチ
ングまでの時間）を測定したところ、２１０μｓｅｃで
あった。また、黒状態における層方向の欠陥もほとんど
なく、コントラスト比は１０５であった。

【０１３９】（実施例７）実施例５で用いた液晶化合物
Ｅ〜Ｉを用い、下記液晶組成物ｈを調整した。

【０１４０】混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｈ／Ｉ＝１０／２５
／２０／１５／３０（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが８４℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５１℃、高次スメクチック相または結晶相への転
移温度（降温時）が−２３℃ チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：５．６ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１４１】上記液晶組成物ｈを用いる以外は実施例１
と同様にしてセルを作製し、低温保存試験を行った。−
２２℃で２０時間保存したが、配向状態は保存前と全く
変わらなかった。また、三角波による電圧−透過率曲線
も全く変化がなかった。

【０１４２】（実施例８）実施例５で用いた液晶化合物
Ｅ〜Ｉを用い、下記液晶組成物ｉ、ｊを調整した。 液晶組成物ｉ 混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｈ／Ｉ＝１０／２５／２２／１８
／２５（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが８５℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５３℃、高次スメクチック相または結晶相への転
移温度（降温時）が−１９℃ チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：４．５ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１４３】液晶組成物ｊ 混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｈ／Ｉ＝１０／２５／２１／１９
／２５（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが８５℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５３℃、高次スメクチック相または結晶相への転
移温度（降温時）が−１９℃ チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：２．３ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１４４】液晶組成物ｉ、ｊを用いて、実施例１と同
様にしてセルを作製し、電圧−透過率曲線を測定したと
ころ、双安定性を示す実施例１と同様の特性が観測され
た。また、−１５℃で３時間放置した後、同様の測定を
行なったが、その特性に変化はなかった。

【０１４５】（比較実施例１）実施例５で用いた液晶化
合物のうち、ラセミまたは自発分極を相殺しない単独の
カイラル化合物を用い、下記の組成の液晶組成物ｋを調
整した。

【０１４６】混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｉ＝１５／３７．５
／１０／３７．５（重量比） チルト角：２５°（３０℃） 自発分極：１０．０ｎＣ／ｃｍ²（３０℃） 上記液晶組成物ｋと、実施例５で用いた液晶組成物ｆの
電圧保持率をそれぞれ東陽テクニカ社製「ＶＨＲ−１
Ａ」で測定したところ、いずれも９９．５％であった。

【０１４７】（比較実施例２）実施例５で用いた液晶化
合物Ｅ〜Ｇ，Ｉと、液晶化合物Ｈとはカイラル部分の立
体が反対のＲであるＨ’を用いて、下記液晶組成物ｌを
調整した。

【０１４８】混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｈ’／Ｉ＝１０／２
５／２５／１５／２５（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが８５℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が５２℃、高次スメクチック相または結晶相への転
移温度（降温時）が−１７℃ チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：５０．１ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１４９】上記液晶組成物ｌを用い、実施例５と同様
にスイッチングスピードを測定し、粘性を実施例５の液
晶組成物ｆと比較したところ、ｌはｆの２．４倍になっ
ていた。

【０１５０】また、同様にして下記液晶組成物ｍを調整
した。

【０１５１】混合比：Ｅ／Ｆ／Ｇ／Ｈ’／Ｉ＝１５／３
７．５／６．２５／３．７５／３７．５（重量比） 相転移温度：Ｔ_isoが８２℃（昇温時）、ＳｍＡ→Ｓｍ
Ｃ^*が４９℃、高次スメクチック相または結晶相への転
移温度（降温時）が−５℃であり、実施例５の液晶組成
物ｆに比較して、カイラルスメクチックＣ相の温度範囲
が狭かった。

【０１５２】チルト角：２６°（３０℃） 自発分極：９．５ｎＣ／ｃｍ²（３０℃）

【０１５３】上記液晶組成物ｍを用いて実施例５と同様
にしてセルを作製し、低温保存試験を行った。−４℃で
２０時間保存したところ、保存前には見られなかったジ
グザグ欠陥が多数出現し、層構造が全く変化してしまっ
た。また、実施例５と同様にスイッチングスピードを測
定したところ、３８０μｓｅｃであり、実施例５に比較
して非常に遅かった。

【０１５４】（比較実施例３）以下の炭化水素鎖系の液
晶化合物Ｊ〜Ｌを用い、ノンカイラルベースに単独カイ
ラル化合物を用いた液晶組成物ｎと、自発分極の正負が
異なるカイラルを混合して自発分極を小さくした液晶組
成物ｏをそれぞれ調整した。

【０１５５】

【化３２】 液晶組成物ｎの混合比：Ｊ／Ｋ＝９０／１０（重量比） 液晶組成物ｏの混合比：Ｊ／Ｋ／Ｌ＝７０／２０／１０
（重量比） 実施例８と同様に電圧保持率を測定したところ、液晶組
成物ｎが５５．２％、οが３６．３％であった。いずれ
もフッ素含有液晶化合物を用いたときに比べ非常に悪い
ばかりでなく、炭化水素鎖系の液晶化合物を用いて自発
分極の正負が異なるカイラルを混合して自発分極を小さ
くした液晶組成物を調整すると、自発分極を構成する極
性分子構造部分が液晶組成物中に増加することからくる
イオン成分の増加と考えられる、電圧保持率の低減が認
められた。

【０１５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
メモリー性を有する高機能、高速応答、高画質の液晶素
子が提供され、表示特性に優れた表示装置の構成が可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一実施形態の断面模式図で
ある。

【図２】本発明の液晶素子の一実施形態に周辺駆動回路
を接続した状態のアクティブマトリクス基板側の平面模
式図である。

【図３】本発明の実施例で用いた駆動波形を示す図であ
る。

【図４】本発明の比較例で用いた駆動波形を示す図であ
る。

【図５】本発明の実施例で構成したアクティブ素子の構
成を示す回路図である。

【符号の説明】

１１，１２ 基板 １３ 画素電極 １４ ＴＦＴ １５，１７ 配向制御層 １６ 共通電極 １８ 液晶層 １９ スペーサー ２０ シール材 ２１ 走査信号線ドライバ ２２ 情報信号線ドライバ ２３ 走査信号線 ２４ 走査信号線端部 ２５ 情報信号線 ２６ 情報信号先端部 ５１ 単結晶シリコントランジスタ ５２ 液晶セル ５３ コンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36 (72)発明者 野口 幸治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 柳生 峰人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 糠信 恒樹 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HC05 LA04 MA05 MB01 MB06 2H092 JA24 KA03 KA07 KB13 NA05 PA06 RA04 RA05 2H093 NA12 NA34 NA53 NB05 ND32 ND60 NE10 NG02 NG12 NH12 NH16 4H027 BA06 BC04 BC05 BD08 BD24 BE03 DE03 DE09 5C006 BA12 BB16 BB28 EA01 EC11 FA11 FA34 GA03

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向する一対の基板間に液晶を狭持して
   なり、複数の画素をマトリクス駆動するための電極と画
   素毎にアクティブ素子を備えた液晶素子であって、上記
   液晶が少なくとも２つの安定状態を有し、且つ、スメク
   チック相または潜在的スメクチック相を持つフッ素含有
   液晶化合物であって、（ａ）カイラルまたはアカイラル
   な、少なくとも一つの連鎖中エーテル酸素を有していて
   もよいフルオロケミカル末端部分と、（ｂ）カイラルま
   たはアカイラルな炭化水素末端部分と、（ｃ）上記
   （ａ）末端部分と（ｂ）末端部分とを結んでいる中央コ
   ア部分からなるフッ素含有液晶化合物を含有し、連鎖中
   エーテル酸素を有していないフルオロケミカル末端部分
   を持つフッ素含有液晶化合物を１０重量％含有するカイ
   ラルスメクチック液晶組成物であることを特徴とする液
   晶素子。
2. 【請求項２】 上記液晶組成物が、スメクチック相また
   は潜在的スメクチック相を持つフッ素含有液晶化合物で
   あって、（ａ）カイラルまたはアカイラルな、少なくと
   も一つの連鎖中エーテル酸素を有していてもよいフルオ
   ロケミカル末端部分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラ
   ルな炭化水素末端部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と
   （ｂ）末端部分とを結んでいる中央コア部分からなるフ
   ッ素含有液晶化合物群のみからなる請求項１記載の液晶
   素子。
3. 【請求項３】 上記液晶が双安定性を有する請求項１ま
   たは２に記載の液晶素子。
4. 【請求項４】 上記液晶組成物の自発分極が１０ｎＣ／
   ｃｍ²以下である請求項１〜３のいずれかに記載の液晶
   素子。
5. 【請求項５】 上記アクティブ素子がトランジスタであ
   る請求項１〜４のいずれかに記載の液晶素子。
6. 【請求項６】 上記トランジスタが薄膜トランジスタで
   ある請求項５記載の液晶素子。
7. 【請求項７】 上記一対の基板の液晶との界面に互いに
   異なる配向膜を設けた請求項１〜６のいずれかに記載の
   液晶素子。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の液晶素
   子の駆動方法であって、交互に極性の異なるリセット信
   号と書き込み信号を印加し、書き込み信号に応じた階調
   表示を行うことを特徴とする液晶素子の駆動方法。
9. 【請求項９】 液晶素子の液晶が双安定性を有し、一方
   の安定状態から他方の安定状態へ５０％反転する際のし
   きい値電圧の差の絶対値が１Ｖ以下であり、いずれの階
   調表示においても液晶に印加される直流電圧成分が等し
   いか或いは直流電圧成分の合計が１００ｍＶ以下である
   請求項８記載の液晶素子の駆動方法。
10. 【請求項１０】 液晶素子の液晶が双安定性を有し、一
    方の安定状態から他方の安定状態へ５０％反転する際の
    のしきい値電圧の差の絶対値が２００ｍＶ以下であり、
    上記直流電圧成分の合計が１フレーム平均で１Ｖ以下で
    ある請求項８記載の液晶素子の駆動方法。
11. 【請求項１１】 少なくとも一部の画素において、液晶
    をメモリー状態で使用する請求項８〜１０のいずれかに
    記載の液晶素子の駆動方法。
12. 【請求項１２】 スメクチック相または潜在的スメクチ
    ック相を持つフッ素含有液晶化合物であって、（ａ）カ
    イラルまたはアカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エ
    ーテル酸素を有していてもよいフルオロケミカル末端部
    分と、（ｂ）ラセミでないアカイラルな炭化水素末端部
    分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分とを
    結んでいる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化合物
    を含有し、ラセミまたは自発分極が相殺関係にある複数
    のカイラルなフッ素含有液晶化合物を３０重量％以上含
    有していることを特徴とする液晶組成物。
13. 【請求項１３】 上記ラセミまたは自発分極が相殺関係
    にある複数のカイラルなフッ素含有液晶化合物が５０重
    量％以上含有している請求項１２記載の液晶組成物。
14. 【請求項１４】 上記ラセミまたは自発分極が相殺関係
    にある複数のカイラルなフッ素含有液晶化合物のカイラ
    ル部分の化学構造がフッ素カイラルである請求項１２ま
    たは１３記載の液晶組成物。
15. 【請求項１５】 スメクチック相または潜在的スメクチ
    ック相を持つフッ素含有液晶化合物であって、（ａ）カ
    イラルまたはアカイラルな、少なくとも一つの連鎖中エ
    ーテル酸素を有していてもよいフルオロケミカル末端部
    分と、（ｂ）カイラルまたはアカイラルな炭化水素末端
    部分と、（ｃ）上記（ａ）末端部分と（ｂ）末端部分と
    を結んでいる中央コア部分からなるフッ素含有液晶化合
    物群のみからなる請求項１２〜１４のいずれかに記載の
    液晶組成物。
16. 【請求項１６】 自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ²以下であ
    る請求項１２〜１５のいずれかに記載の液晶組成物。
17. 【請求項１７】 対向する一対の基板間に液晶を狭持し
    てなり、複数の画素をマトリクス駆動するための電極と
    画素毎にアクティブ素子を備えた液晶素子であって、上
    記液晶が少なくとも２つの安定状態を有し、且つ請求項
    １２〜１６のいずれかに記載の液晶組成物であることを
    特徴とする液晶素子。
18. 【請求項１８】 上記液晶が双安定性を有する請求項１
    ７記載の液晶素子。
19. 【請求項１９】 上記アクティブ素子がトランジスタで
    ある請求項１７または１８に記載の液晶素子。
20. 【請求項２０】 上記トランジスタが薄膜トランジスタ
    である請求項１９記載の液晶素子。
21. 【請求項２１】 上記一対の基板の液晶との界面に互い
    に異なる配向膜を設けた請求項１７〜２０のいずれかに
    記載の液晶素子。
22. 【請求項２２】 請求項１７〜２１のいずれかに記載の
    液晶素子の駆動方法であって、交互に極性の異なるリセ
    ット信号と書き込み信号を印加し、書き込み信号に応じ
    た階調表示を行うことを特徴とする液晶素子の駆動方
    法。
23. 【請求項２３】 少なくとも一部の画素において、液晶
    をメモリー状態で使用する請求項１７〜２２のいずれか
    に記載の液晶素子。